JP2850405B2 - 半導体または半導体部品の保存方法 - Google Patents
半導体または半導体部品の保存方法Info
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- JP2850405B2 JP2850405B2 JP1273727A JP27372789A JP2850405B2 JP 2850405 B2 JP2850405 B2 JP 2850405B2 JP 1273727 A JP1273727 A JP 1273727A JP 27372789 A JP27372789 A JP 27372789A JP 2850405 B2 JP2850405 B2 JP 2850405B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体または半導体部品を輸送または保管す
る際の保存方法および包装品に関する発明である。
る際の保存方法および包装品に関する発明である。
〔従来の技術とその問題点〕 半導体は、銅合金または鉄・ニッケル合金の薄板に銀
または金をメッキして形成されたリードフレームにICチ
ップを接着剤で接着し、さらにICチップとリードフレー
ムとの間を金糸で配線後全体を樹脂で封止して製造され
ている。
または金をメッキして形成されたリードフレームにICチ
ップを接着剤で接着し、さらにICチップとリードフレー
ムとの間を金糸で配線後全体を樹脂で封止して製造され
ている。
しかしリードフレームは空気に暴露されると合金表面
が錆び、銀または金のメッキができない、プリント基板
へのハンダ接着性が低下する等の問題が生じていた。ま
ず、ICチップには配線素材としてアルミニウムが使用さ
れており、接着剤または封止剤から揮散する酸性ガス、
ハロゲン化金属等、雰囲気からの水分、酸素等によりア
ルミニウムが錆び、断線等の原因となっていた。
が錆び、銀または金のメッキができない、プリント基板
へのハンダ接着性が低下する等の問題が生じていた。ま
ず、ICチップには配線素材としてアルミニウムが使用さ
れており、接着剤または封止剤から揮散する酸性ガス、
ハロゲン化金属等、雰囲気からの水分、酸素等によりア
ルミニウムが錆び、断線等の原因となっていた。
これらの錆発生を防止する方法として、従来から次の
方法が知られている。
方法が知られている。
（１）保存期間の短縮による方法：半導体の生産におい
て、各工程は各々異なった場所で分担して行われること
が多いが、各場所間の輸送と倉庫での保管の期間を短期
間に抑える。しかし、この方法は計画生産ができないた
めに過剰な設備と人員配置を抱えなければならなかっ
た。また半導体の部品を海外で生産する場合は輸送に時
間を要し、保存期間の短縮には自ずから限界があった。
て、各工程は各々異なった場所で分担して行われること
が多いが、各場所間の輸送と倉庫での保管の期間を短期
間に抑える。しかし、この方法は計画生産ができないた
めに過剰な設備と人員配置を抱えなければならなかっ
た。また半導体の部品を海外で生産する場合は輸送に時
間を要し、保存期間の短縮には自ずから限界があった。
（２）接着剤、封止剤の選択による方法：接着剤、封止
剤として使用されているエポキシ樹脂またはシリコン樹
脂等から揮散してくる有機酸、ハロゲン化合物等の量を
減少させる為に材料の選定や加工条件の調整がなされて
きた。しかし、この場合は非常に微妙な品質管理が必要
であり、安定した製品の供給は至難のことであった。
剤として使用されているエポキシ樹脂またはシリコン樹
脂等から揮散してくる有機酸、ハロゲン化合物等の量を
減少させる為に材料の選定や加工条件の調整がなされて
きた。しかし、この場合は非常に微妙な品質管理が必要
であり、安定した製品の供給は至難のことであった。
（３）ガス置換による方法：特開平１−139370号公報で
は窒素ガスで容器内の空気と置換する方法が提案されて
いる。しかしこの方法も、窒素ガス置換に特別の装置
が必要である、容器内を効率よく窒素ガス置換するこ
とは難しく、大量の窒素ガスを用いても、結局目的の達
成は困難である、等の問題を有していた。
は窒素ガスで容器内の空気と置換する方法が提案されて
いる。しかしこの方法も、窒素ガス置換に特別の装置
が必要である、容器内を効率よく窒素ガス置換するこ
とは難しく、大量の窒素ガスを用いても、結局目的の達
成は困難である、等の問題を有していた。
（４）窒素ガス置換と乾燥剤を併用する方法：特開平１
−139380号公報では窒素ガス置換と乾燥剤を併用する方
法が提案されている。しかしこの方法も、前記の（３）
の場合と同様の問題を有していた。
−139380号公報では窒素ガス置換と乾燥剤を併用する方
法が提案されている。しかしこの方法も、前記の（３）
の場合と同様の問題を有していた。
上記のように、従来の技術ではいずれも半導体または
半導体部品の防錆を達成することができず、安定した半
導体または半導体部品の供給は不可能であった。
半導体部品の防錆を達成することができず、安定した半
導体または半導体部品の供給は不可能であった。
本発明の課題は、上述した従来の技術における問題点
に鑑み、半導体または半導体部品を輸送、流通、保管時
に錆びることなく保存することである。
に鑑み、半導体または半導体部品を輸送、流通、保管時
に錆びることなく保存することである。
前記の課題を解決するための手段は、半導体または半
導体部品を、不飽和脂肪酸化合物を主剤とする組成物が
通気性包装材料に包装されてなる包装体とともに、ガス
バリアー性の容器に密封することである。
導体部品を、不飽和脂肪酸化合物を主剤とする組成物が
通気性包装材料に包装されてなる包装体とともに、ガス
バリアー性の容器に密封することである。
なお、前記の解決手段において、不飽和脂肪酸化合物
としては、たとえば不飽和脂肪酸、または不飽和脂肪酸
エステル、不飽和脂肪酸塩等の不飽和脂肪酸誘導体など
が挙げられ、炭素数が10以上の不飽和脂肪酸またはその
誘導体が好ましく用いられ、不飽和脂肪酸の遷移金属塩
が特に好ましい。ここでいう不飽和脂肪酸化合物は純品
である必要はなく、混合物であってもよいし、前記不飽
和脂肪酸化合物を含む物質であってもよい。
としては、たとえば不飽和脂肪酸、または不飽和脂肪酸
エステル、不飽和脂肪酸塩等の不飽和脂肪酸誘導体など
が挙げられ、炭素数が10以上の不飽和脂肪酸またはその
誘導体が好ましく用いられ、不飽和脂肪酸の遷移金属塩
が特に好ましい。ここでいう不飽和脂肪酸化合物は純品
である必要はなく、混合物であってもよいし、前記不飽
和脂肪酸化合物を含む物質であってもよい。
不飽和脂肪酸を主剤とする組成物には塩基性物質また
は吸着物質が、必要に応じて副剤としてより好ましくは
併用して用いられる。この場合において、塩基性物質
は、水に溶解してあるいは作用して塩基性を呈する物質
であり、たとえばアルカリ金属またはアルカリ土類金属
の酸化物、水酸化物、炭酸塩、有機酸塩等、またはアミ
ン化合物類等が挙げられ、これらの中でアルカリ土類金
属の酸化物、水酸化物、炭酸塩、有機酸塩が好ましく、
アルカリ土類金属の酸化物、水酸化物、炭酸塩等が特に
好ましい。吸着物質としては、たとえばシリカゲル、活
性炭、ゼオライト、活性白土等が挙げられる。前記組成
物における不飽和脂肪酸化合物と塩基性物質と吸着物質
との割合は、不飽和脂肪酸化合物100重量部に対して、
塩基性物質0.1〜1,000重量部、吸着物質50〜2,000重量
部とするのが好ましく、不飽和脂肪酸化合物100重量部
に対して塩基性物質１〜500重量部、吸着物質100〜1,00
0重量部とするのが特に好ましい。組成物の形状は、顆
粒状、錠剤状、シート状で特に限定されない。組成物に
は上記以外の他成分を加えてもよい。
は吸着物質が、必要に応じて副剤としてより好ましくは
併用して用いられる。この場合において、塩基性物質
は、水に溶解してあるいは作用して塩基性を呈する物質
であり、たとえばアルカリ金属またはアルカリ土類金属
の酸化物、水酸化物、炭酸塩、有機酸塩等、またはアミ
ン化合物類等が挙げられ、これらの中でアルカリ土類金
属の酸化物、水酸化物、炭酸塩、有機酸塩が好ましく、
アルカリ土類金属の酸化物、水酸化物、炭酸塩等が特に
好ましい。吸着物質としては、たとえばシリカゲル、活
性炭、ゼオライト、活性白土等が挙げられる。前記組成
物における不飽和脂肪酸化合物と塩基性物質と吸着物質
との割合は、不飽和脂肪酸化合物100重量部に対して、
塩基性物質0.1〜1,000重量部、吸着物質50〜2,000重量
部とするのが好ましく、不飽和脂肪酸化合物100重量部
に対して塩基性物質１〜500重量部、吸着物質100〜1,00
0重量部とするのが特に好ましい。組成物の形状は、顆
粒状、錠剤状、シート状で特に限定されない。組成物に
は上記以外の他成分を加えてもよい。
この組成物を包装する通気性包装材料としては、酸素
透過度が1,000ml/m2・atm・day以上のフィルムまたはシ
ートが好ましく、例えば紙または不織布と有孔プラスチ
ックフィルムとを積層したシートでガーレー式透気度が
100,000秒以下のものが挙げられる。包装体の形成方法
としては、たとえば、前記組成物を通気性包装材料に内
部に装填して周縁をヒートシールで接着する方法が挙げ
られる。包装体の形状、形態は特に限定されないが、パ
ウチ状、シート状、ブリスター等が挙げられる。
透過度が1,000ml/m2・atm・day以上のフィルムまたはシ
ートが好ましく、例えば紙または不織布と有孔プラスチ
ックフィルムとを積層したシートでガーレー式透気度が
100,000秒以下のものが挙げられる。包装体の形成方法
としては、たとえば、前記組成物を通気性包装材料に内
部に装填して周縁をヒートシールで接着する方法が挙げ
られる。包装体の形状、形態は特に限定されないが、パ
ウチ状、シート状、ブリスター等が挙げられる。
ガスバリアー性の容器としては、ガスバリヤー性包材
を用いた一般に袋といわれるものも包含される。容器と
しては、酸素透過速度が容積100ml当たり10ml/day以下
のものが好ましく、5ml/day以下のものが特に好まし
い。また、透湿速度は容積100ml当たり10g/day以下のも
のが好ましく、5g/day以下のものが特に好ましい。容器
の材質としては、プラスチックまたは金属等が好まし
い。たとえば、鉄、ブリキ、ステンレス、アルミニウム
等からなる金属缶類、ナイロン等のポリアミド、ポリエ
チレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチ
レンテレフタレート等のポリエステル、アルミニウム、
塩化ビニリデン、塩化ビニルなどの単層または複合フィ
ルムから形成された袋類、ポリアミド、ポリオレフィ
ン、ポリエステル、塩化ビニル、ポリスチレン、ポリカ
ーボネートなどから形成されたプラスチックケース類な
どが挙げられる。袋類の場合、密封のために内面熱接着
性の材料が好ましい。
を用いた一般に袋といわれるものも包含される。容器と
しては、酸素透過速度が容積100ml当たり10ml/day以下
のものが好ましく、5ml/day以下のものが特に好まし
い。また、透湿速度は容積100ml当たり10g/day以下のも
のが好ましく、5g/day以下のものが特に好ましい。容器
の材質としては、プラスチックまたは金属等が好まし
い。たとえば、鉄、ブリキ、ステンレス、アルミニウム
等からなる金属缶類、ナイロン等のポリアミド、ポリエ
チレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチ
レンテレフタレート等のポリエステル、アルミニウム、
塩化ビニリデン、塩化ビニルなどの単層または複合フィ
ルムから形成された袋類、ポリアミド、ポリオレフィ
ン、ポリエステル、塩化ビニル、ポリスチレン、ポリカ
ーボネートなどから形成されたプラスチックケース類な
どが挙げられる。袋類の場合、密封のために内面熱接着
性の材料が好ましい。
容器には前記包装体を収納する収納部を設けてもよ
い。この場合の収納部を形成する材料としては、酸素透
過度が100ml/m2・atm・day以上のフィルム、またはガー
レー式透気度が100,000秒/100ml以下のマイクロポーラ
スフイルム、紙、不織布等を基材としてこれに有孔フィ
ルム等を積層したもの、酸素透過度が100ml/m2・atm・d
ay以上のフイルムと有孔フィルムとをガーレー式透気度
が100,000秒/100ml以下の基材の両面に貼り合わせたも
のなどを用いることができ、半導体または半導体部品と
前記包装体とを隔離することが可能である。また、半導
体または半導体部品を紙、通気性プラスチックフイルム
等に包んで包装体との直接接触を避けてもよい。半導体
または半導体部品か包装体のいずれかを容器に固定ない
し固着して直接接触を避けることも可能である。
い。この場合の収納部を形成する材料としては、酸素透
過度が100ml/m2・atm・day以上のフィルム、またはガー
レー式透気度が100,000秒/100ml以下のマイクロポーラ
スフイルム、紙、不織布等を基材としてこれに有孔フィ
ルム等を積層したもの、酸素透過度が100ml/m2・atm・d
ay以上のフイルムと有孔フィルムとをガーレー式透気度
が100,000秒/100ml以下の基材の両面に貼り合わせたも
のなどを用いることができ、半導体または半導体部品と
前記包装体とを隔離することが可能である。また、半導
体または半導体部品を紙、通気性プラスチックフイルム
等に包んで包装体との直接接触を避けてもよい。半導体
または半導体部品か包装体のいずれかを容器に固定ない
し固着して直接接触を避けることも可能である。
容器に半導体または半導体部品と包装体とを収容し密
閉ないし密封する場合、容器内の空気を予め窒素ガス等
と置換してもよい。また、容器内を予め減圧した後密封
ないし密閉してもよい。
閉ないし密封する場合、容器内の空気を予め窒素ガス等
と置換してもよい。また、容器内を予め減圧した後密封
ないし密閉してもよい。
半導体部品としては、リードフレーム、ICチップ等が
挙げられる。リードフレームはICチップと接着するもの
であり、成形された銅合金の表面を研磨（物理研磨およ
び化学研磨）したものであり、さらに銀または金メッキ
を施したものが挙げられる。ICチップはシリコン基板上
に回路が作られ、配線素材として蒸着アルミニウムが装
着されたもの等である。
挙げられる。リードフレームはICチップと接着するもの
であり、成形された銅合金の表面を研磨（物理研磨およ
び化学研磨）したものであり、さらに銀または金メッキ
を施したものが挙げられる。ICチップはシリコン基板上
に回路が作られ、配線素材として蒸着アルミニウムが装
着されたもの等である。
半導体としては、前記リードフレームにエポキシ樹脂
などの接着剤を塗布し、ICチップを接着後、金糸でリー
ドフレームとICチップ間を配線し、シリコン樹脂エポキ
シ樹脂等で封止し成形したものが例示される。この場合
の接着剤としてはアミン系硬化剤、エポキシ系樹脂等が
挙げられる。たとえば、メタフェニレンジアミン、トリ
メチルアミン、トリメチレンテトラアミン、エチレンジ
アミン等が挙げられる。これらの硬化剤とビスフエノー
ルＡ化合物等と反応させ、硬化させることにより接着さ
れる。この際の反応の条件は温度10〜100℃、湿度90RH
％以下、好ましくは温度20〜80℃、湿度70RH％以下であ
る。
などの接着剤を塗布し、ICチップを接着後、金糸でリー
ドフレームとICチップ間を配線し、シリコン樹脂エポキ
シ樹脂等で封止し成形したものが例示される。この場合
の接着剤としてはアミン系硬化剤、エポキシ系樹脂等が
挙げられる。たとえば、メタフェニレンジアミン、トリ
メチルアミン、トリメチレンテトラアミン、エチレンジ
アミン等が挙げられる。これらの硬化剤とビスフエノー
ルＡ化合物等と反応させ、硬化させることにより接着さ
れる。この際の反応の条件は温度10〜100℃、湿度90RH
％以下、好ましくは温度20〜80℃、湿度70RH％以下であ
る。
ここで前記の解決手段における包装・保存方法とし
て、リードフレームに接着剤を塗布し、ICチップを装着
せしめ、上記の反応条件で保存して接着剤を固め接着
し、これをガスバリヤー性の容器に防錆剤とともに入れ
て包装し、保存する方法が挙げられる。更に好ましい方
法として、リードフレームに接着剤を塗布しICチップを
接着せしめ、これを防錆剤とともにガスバリヤー性の容
器に入れて包装し、上記の反応条件で保存して接着剤を
固め接着するとともに接着リードフレームを保存する方
法が挙げられる。この方法は簡単に上記の接着条件が得
られかつ容易にそのままの形態で効率良く錆の発生を抑
制して保存でき好ましい。その上、接着剤から揮散して
くるハロゲン化合物、酸性物質等、雰囲気から浸透して
くる水分、酸素、酸性ガス等によるリードフレームとIC
チップ等の錆発生を抑制できる。
て、リードフレームに接着剤を塗布し、ICチップを装着
せしめ、上記の反応条件で保存して接着剤を固め接着
し、これをガスバリヤー性の容器に防錆剤とともに入れ
て包装し、保存する方法が挙げられる。更に好ましい方
法として、リードフレームに接着剤を塗布しICチップを
接着せしめ、これを防錆剤とともにガスバリヤー性の容
器に入れて包装し、上記の反応条件で保存して接着剤を
固め接着するとともに接着リードフレームを保存する方
法が挙げられる。この方法は簡単に上記の接着条件が得
られかつ容易にそのままの形態で効率良く錆の発生を抑
制して保存でき好ましい。その上、接着剤から揮散して
くるハロゲン化合物、酸性物質等、雰囲気から浸透して
くる水分、酸素、酸性ガス等によるリードフレームとIC
チップ等の錆発生を抑制できる。
さらに、このICチップ接着リードフレームは半導体製
造工程で、ワイヤー（金糸）でリードフレームとICチッ
プ間を配線され、封止される。これに用いられる封止剤
は、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂に無機フイラーを
添加したものである。樹脂としてはシリコン樹脂、エポ
キシ／ノボラック系樹脂、エポキシ／酸無水物系樹脂等
が挙げられ、好ましくはシリコン樹脂、エポキシ／酸無
水物系樹脂等が挙げられる。無機フィラーはSiO2化合物
などである。封止は硬化剤（アミン類、酸無水物等）と
ビスフェノールＡ、無機フィラーの混合物とシリコンモ
ノマー等のモノマー、触媒、無機フィラーの混合物とを
ICチップの上で反応、硬化させ、封止が行われる。この
反応の条件は温度50〜250℃、湿度90RH％以下、好まし
くは温度70〜200℃湿度70RH％以下である。
造工程で、ワイヤー（金糸）でリードフレームとICチッ
プ間を配線され、封止される。これに用いられる封止剤
は、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂に無機フイラーを
添加したものである。樹脂としてはシリコン樹脂、エポ
キシ／ノボラック系樹脂、エポキシ／酸無水物系樹脂等
が挙げられ、好ましくはシリコン樹脂、エポキシ／酸無
水物系樹脂等が挙げられる。無機フィラーはSiO2化合物
などである。封止は硬化剤（アミン類、酸無水物等）と
ビスフェノールＡ、無機フィラーの混合物とシリコンモ
ノマー等のモノマー、触媒、無機フィラーの混合物とを
ICチップの上で反応、硬化させ、封止が行われる。この
反応の条件は温度50〜250℃、湿度90RH％以下、好まし
くは温度70〜200℃湿度70RH％以下である。
ここで前記の解決手段における包装・保存方法とし
て、封止剤を装着した後容器に入れて上記の反応条件で
保存し、封止を行ったのち、防錆剤とともにガスバリヤ
ー性の容器に包装し保存する方法、および封止剤を装着
した後防錆剤とともにガスバリヤー性容器に密封し、上
記の反応条件で封止を行いつつ保存する方法が挙げられ
る。好ましくは後者である。
て、封止剤を装着した後容器に入れて上記の反応条件で
保存し、封止を行ったのち、防錆剤とともにガスバリヤ
ー性の容器に包装し保存する方法、および封止剤を装着
した後防錆剤とともにガスバリヤー性容器に密封し、上
記の反応条件で封止を行いつつ保存する方法が挙げられ
る。好ましくは後者である。
前記の解決手段は以下のように作用する。
不飽和脂肪酸を主剤とする防錆剤は半導体および半導
体部品中の接着剤、封止剤等から揮散してくる酸性物
資、アミン化合物、ハロゲン化合物、保存容器内の酸
素、水分、保存容器の外から透過してくる酸性ガス、水
分、酸素等を吸収することが可能であり、半導体ましく
は半導体部品、たとえばリードフレームの銅合金表面、
銀メッキの錆の抑制、ICチップの配線素材であるアルミ
ニウムの錆発生を抑制しうる。
体部品中の接着剤、封止剤等から揮散してくる酸性物
資、アミン化合物、ハロゲン化合物、保存容器内の酸
素、水分、保存容器の外から透過してくる酸性ガス、水
分、酸素等を吸収することが可能であり、半導体ましく
は半導体部品、たとえばリードフレームの銅合金表面、
銀メッキの錆の抑制、ICチップの配線素材であるアルミ
ニウムの錆発生を抑制しうる。
参考例１ 大豆油脂肪酸鉄1g、消石灰0.2g、粉末活性炭1.5gをカ
ッターミキサーで混合し、2.5℃にて10分間静置すると
塊状になった。この塊を粉砕して顆粒状組成物を得た。
この組成物2.7gとシリカゲル25gを別々に秤量し、通気
性包装材料（紙／開孔ポリエチレン）の小袋（サイズ:5
×7.5cm）に充填した後、小袋の周囲をヒートシールし
て、防錆剤を製造した。この防錆剤を各種のガスを含ん
だ空気250mlをKON（ポリ塩化ビニリデンコートナイロ
ン）/PE（ポリエチレン）製の袋（サイズ:15×24cm）に
封入した。これを35℃、RH80％の雰囲気下に保存し、袋
内のガス濃度の 経時変化を測定した。結果を第１表に示す。
ッターミキサーで混合し、2.5℃にて10分間静置すると
塊状になった。この塊を粉砕して顆粒状組成物を得た。
この組成物2.7gとシリカゲル25gを別々に秤量し、通気
性包装材料（紙／開孔ポリエチレン）の小袋（サイズ:5
×7.5cm）に充填した後、小袋の周囲をヒートシールし
て、防錆剤を製造した。この防錆剤を各種のガスを含ん
だ空気250mlをKON（ポリ塩化ビニリデンコートナイロ
ン）/PE（ポリエチレン）製の袋（サイズ:15×24cm）に
封入した。これを35℃、RH80％の雰囲気下に保存し、袋
内のガス濃度の 経時変化を測定した。結果を第１表に示す。
比較参考例１ 組成物がシリカゲル2.5gである以外は実施例１と同じ
方法で乾燥剤を製造した。実施例１における防錆剤の代
わりにこの乾燥剤を用いた以外は参考例１と同じ試験を
実施した。結果を第１表に示す。
方法で乾燥剤を製造した。実施例１における防錆剤の代
わりにこの乾燥剤を用いた以外は参考例１と同じ試験を
実施した。結果を第１表に示す。
実施例１ 銅合金薄板（厚み0.027mm、幅62mm、長160mm）をプレ
スで打ち抜き、硫酸と過酸化水素の水溶液で表面をエッ
チングした。このリードフレームのICチップ接着部に金
を装着せしめ、これを50枚毎に３束に束ね、ポリプロピ
レンフィルムにくるんだ後、ポリプロピレン製のケース
（幅70×長200×高50mm）に参考例１で製造した防錆剤
とともに封入し、KON/PEの袋（サイズ170×300mm）に密
封した。このリードフレームを密封包装したものを25
℃、RH50％の雰囲気下で１日間保存し、袋内の酸素濃度
が0.01％以下になっているのを確認後、35℃、RH95％の
雰囲気下で保存した。保存後のリードフレームの銅合金
表面を観察した。その結果を第２表に示す。
スで打ち抜き、硫酸と過酸化水素の水溶液で表面をエッ
チングした。このリードフレームのICチップ接着部に金
を装着せしめ、これを50枚毎に３束に束ね、ポリプロピ
レンフィルムにくるんだ後、ポリプロピレン製のケース
（幅70×長200×高50mm）に参考例１で製造した防錆剤
とともに封入し、KON/PEの袋（サイズ170×300mm）に密
封した。このリードフレームを密封包装したものを25
℃、RH50％の雰囲気下で１日間保存し、袋内の酸素濃度
が0.01％以下になっているのを確認後、35℃、RH95％の
雰囲気下で保存した。保存後のリードフレームの銅合金
表面を観察した。その結果を第２表に示す。
比較例１ 参考例１の防錆剤の代わりに比較例参考例１で製造し
た乾燥剤を用いる以外は実施例１と同じ方法で乾燥剤を
リードフレームとともに密封包装した。このものを実施
例１と同じ方法で保存し、リードフレームの銅合金表面
を観察した。結果を第２表に示す。
た乾燥剤を用いる以外は実施例１と同じ方法で乾燥剤を
リードフレームとともに密封包装した。このものを実施
例１と同じ方法で保存し、リードフレームの銅合金表面
を観察した。結果を第２表に示す。
比較例２ 比較例１においてKON/PE袋に密封する際、窒素ガスで
酸素濃度が0.7％になるまで袋内の空 気を置換する以外は比較例１と同じ方法でリードフレー
ムを密封包装し、保存した。保存後のリードフレーム銅
合金表面を観察した。結果を第２表に示す。
酸素濃度が0.7％になるまで袋内の空 気を置換する以外は比較例１と同じ方法でリードフレー
ムを密封包装し、保存した。保存後のリードフレーム銅
合金表面を観察した。結果を第２表に示す。
実施例２ 実施例１で30日間保存したリードフレームのICチップ
接着部に、ジエチルトリアミン10部とビスフェノールA1
00部とを混合したエポキシ樹脂系接着剤を３μ塗布し、
1MRAMのICチップ（300Åの蒸着アルミニウムで配線、線
幅0.7μ）を接着した。ICチップと接着したリードフレ
ームを防錆剤の収納部を設けたポリプロピレン製のケー
ス（幅200×長400×高10mm）に５枚並べて参考例１で製
造した防錆剤を収納部に装着し、KNO/PEの袋に密封せし
め、35℃、RH60％の雰囲気下で保存した。袋内の酸素濃
度、湿度の経時変化を測定した。結果を第３表に示す。
更にリードフレームの銅合金とICチップのアルミニウム
表面変色状況を観察した。その結果を第４表に示す。
接着部に、ジエチルトリアミン10部とビスフェノールA1
00部とを混合したエポキシ樹脂系接着剤を３μ塗布し、
1MRAMのICチップ（300Åの蒸着アルミニウムで配線、線
幅0.7μ）を接着した。ICチップと接着したリードフレ
ームを防錆剤の収納部を設けたポリプロピレン製のケー
ス（幅200×長400×高10mm）に５枚並べて参考例１で製
造した防錆剤を収納部に装着し、KNO/PEの袋に密封せし
め、35℃、RH60％の雰囲気下で保存した。袋内の酸素濃
度、湿度の経時変化を測定した。結果を第３表に示す。
更にリードフレームの銅合金とICチップのアルミニウム
表面変色状況を観察した。その結果を第４表に示す。
比較例３ 実施例２における防錆剤の代わりに比較参考例１で製
造した乾燥剤を用いる以外は実施例２と同じ方法で実施
した。結果を第３表および第４表に示す。
造した乾燥剤を用いる以外は実施例２と同じ方法で実施
した。結果を第３表および第４表に示す。
比較例４ 比較例３においてKON/PEの袋に密封する際、窒素ガス
で酸素濃度12％になるまで置換する以外は比較例４と同
じ方法で実施した。結果を第３表および第４表に示す。
で酸素濃度12％になるまで置換する以外は比較例４と同
じ方法で実施した。結果を第３表および第４表に示す。
実施例３ 実施例２で30日間保存したICチップ接着リードフレー
ムを取り出し、ワイヤボンディング後ビスフェノールA1
00部と粒径５〜10μのSiO2粉末29部を混合せしめ、無水
フタル酸10部を添加したエポキシ樹脂で封止した。この
封止した部品を実施例２と同じ方法で密封包装し、35
℃、RH80％の雰囲気で30日間保存した。保存後取り出
し、リードフレームの成形、およびマーキングをして半
導体を製造した。このように製造した半導体のリードフ
レーム表面は変色部分がなく、プリント基板にハンダ接
着したが、振動を与えても剥離がなく、良好な接着であ
った。また自動テスターで検査したところ不良率は５％
であった。
ムを取り出し、ワイヤボンディング後ビスフェノールA1
00部と粒径５〜10μのSiO2粉末29部を混合せしめ、無水
フタル酸10部を添加したエポキシ樹脂で封止した。この
封止した部品を実施例２と同じ方法で密封包装し、35
℃、RH80％の雰囲気で30日間保存した。保存後取り出
し、リードフレームの成形、およびマーキングをして半
導体を製造した。このように製造した半導体のリードフ
レーム表面は変色部分がなく、プリント基板にハンダ接
着したが、振動を与えても剥離がなく、良好な接着であ
った。また自動テスターで検査したところ不良率は５％
であった。
比較例５ 実施例３における防錆剤の代わりに比較参考例１で製
造した乾燥剤を用いる以外は実施例３と同じ方法で半導
体を製造したところ、リードフレームの銅合金表面に10
0個中７個に変色部分がみられた。これをプリント基板
にハンダ接着したが、振動を与えたところ、100個中３
個が剥離した。また自動テスターで検査したところ不良
率は25％であった。
造した乾燥剤を用いる以外は実施例３と同じ方法で半導
体を製造したところ、リードフレームの銅合金表面に10
0個中７個に変色部分がみられた。これをプリント基板
にハンダ接着したが、振動を与えたところ、100個中３
個が剥離した。また自動テスターで検査したところ不良
率は25％であった。
比較例６ 比較例５の密封包装において、袋内の空気を窒素ガス
で酸素濃度が2.4％になるように置換した以外は比較例
５と同じ方法で半導体を製造したところ、リードフレー
ムの銅合金表面に100個中６個に変色部分がみられた。
これをプリント基板にハンダ接着したが、振動を与えた
ところ100個中２個が剥離した。また自動テスターで検
査したところ不良率は21％であった。
で酸素濃度が2.4％になるように置換した以外は比較例
５と同じ方法で半導体を製造したところ、リードフレー
ムの銅合金表面に100個中６個に変色部分がみられた。
これをプリント基板にハンダ接着したが、振動を与えた
ところ100個中２個が剥離した。また自動テスターで検
査したところ不良率は21％であった。
実施例４ 実施例３で製造した半導体をマガジンに封入し参考例
１で製造した防錆剤とともにKON/PE袋（サイズ:220×34
0mm）に密封し、35℃、RH95％の雰囲気下で30日間保存
した。保存後の半導体のリードフレーム表面は変色部分
がなく，プリント基板にハンダ接着したが、振動を与え
ても剥離がなく、良好な接着であった。
１で製造した防錆剤とともにKON/PE袋（サイズ:220×34
0mm）に密封し、35℃、RH95％の雰囲気下で30日間保存
した。保存後の半導体のリードフレーム表面は変色部分
がなく，プリント基板にハンダ接着したが、振動を与え
ても剥離がなく、良好な接着であった。
比較例７ 実施例４における防錆剤の代わりに比較参考例１で製
造した乾燥剤を用いる以外は実施例４と同じ方法で半導
体を保存したところ、リードフレームの銅合金表面に10
0個中７個に変色部分がみられた。これをプリント基板
にハンダ接着したが、振動を与えたところ100個中23個
が剥離した。
造した乾燥剤を用いる以外は実施例４と同じ方法で半導
体を保存したところ、リードフレームの銅合金表面に10
0個中７個に変色部分がみられた。これをプリント基板
にハンダ接着したが、振動を与えたところ100個中23個
が剥離した。
比較例８ 比較例４の密封包装において、袋内の空気を窒素ガス
で酸素濃度が2.8％になるように置換した以外は比較例
７と同じ方法で半導体を保存したところ、リードフレー
ムの銅合金表面に100個中19個に変色部分がみられた。
これをプリント基板にハンダ接着したが、振動を与えた
ところ100個中18個が剥離した。
で酸素濃度が2.8％になるように置換した以外は比較例
７と同じ方法で半導体を保存したところ、リードフレー
ムの銅合金表面に100個中19個に変色部分がみられた。
これをプリント基板にハンダ接着したが、振動を与えた
ところ100個中18個が剥離した。
実施例５ ビスフェノールA100部にジエチレントリアミン５部を
添加した接着剤を、厚み5mmで径15mmのガラス管に塗布
し、実施例１で製造した防錆剤とともにKON（15μ）/PE
（60μ）の袋に空気150mlと共に密封し、35℃、24時間
硬化させた。硬化後、種々の金属線をガラス管の塗布面
に巻きつけて再びKON（15μ）/PE（60μ）の袋に入れ、
金属線の両端を袋の封緘口から出すようにしてシールし
密封し、35℃、RH95％にて７日間保存した。その後、金
属線の両端をそれぞれ陽極および陰極として5Vの直流電
圧を14日間（雰囲気湿度RH95％、35℃）掛け、電極間に
流れる電流の経時変化、および金属線の腐蝕状況を観察
した。結果を第５表に示す。
添加した接着剤を、厚み5mmで径15mmのガラス管に塗布
し、実施例１で製造した防錆剤とともにKON（15μ）/PE
（60μ）の袋に空気150mlと共に密封し、35℃、24時間
硬化させた。硬化後、種々の金属線をガラス管の塗布面
に巻きつけて再びKON（15μ）/PE（60μ）の袋に入れ、
金属線の両端を袋の封緘口から出すようにしてシールし
密封し、35℃、RH95％にて７日間保存した。その後、金
属線の両端をそれぞれ陽極および陰極として5Vの直流電
圧を14日間（雰囲気湿度RH95％、35℃）掛け、電極間に
流れる電流の経時変化、および金属線の腐蝕状況を観察
した。結果を第５表に示す。
比較例９ 実施例５で用いた防錆剤の代わりに比較参考例１で製
造した乾燥剤を用いた以外は実施例５と同様の試験を行
った。結果を第５表に示す。
造した乾燥剤を用いた以外は実施例５と同様の試験を行
った。結果を第５表に示す。
比較例10 比較例９においてKON/PEの袋に密封する際、窒素ガス
で酸素濃度12％になるまで置換する以外は、比較例９と
同様に行った。結果を第５表に示す。
で酸素濃度12％になるまで置換する以外は、比較例９と
同様に行った。結果を第５表に示す。
本発明によれば、リードフレームの銅合金表面および
銀メッキの錆の抑制またはおよびICチップの配線素材で
あるアルミニウムの錆抑制しつつ半導体または半導体部
品を簡易に保存することが可能である。その結果、半導
体および半導体部品は計画生産ができ、海外からまたは
海外への船による輸送も可能とした。
銀メッキの錆の抑制またはおよびICチップの配線素材で
あるアルミニウムの錆抑制しつつ半導体または半導体部
品を簡易に保存することが可能である。その結果、半導
体および半導体部品は計画生産ができ、海外からまたは
海外への船による輸送も可能とした。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B65D 81/24 B65D 85/38
Claims (2)
- 【請求項１】半導体または半導体部品を、不飽和脂肪酸
化合物を主剤とする組成物が通気性包装材料に包装され
てなる包装体とともに、ガスバリアー性の容器に密封す
ることを特徴とする半導体または半導体部品の保存方
法。 - 【請求項２】半導体または半導体部品が、不飽和脂肪酸
化合物を主剤とする組成物を通気性包装材料に包装して
なる包装体とともに、ガスバリアー性の容器に密封され
てなる半導体または半導体部品の包装品。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273727A JP2850405B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 半導体または半導体部品の保存方法 |
| CA002027534A CA2027534C (en) | 1989-10-23 | 1990-10-12 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts |
| MYPI90001779A MY106642A (en) | 1989-10-23 | 1990-10-12 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts. |
| US07/599,525 US5415907A (en) | 1989-10-23 | 1990-10-18 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts |
| EP90120249A EP0424855B1 (en) | 1989-10-23 | 1990-10-22 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts |
| SG1995907176A SG26411G (en) | 1989-10-23 | 1990-10-22 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts |
| DE69008474T DE69008474T2 (de) | 1989-10-23 | 1990-10-22 | Inhibitorpäckchen und Verfahren zum Schützen elektronischer Vorrichtungen oder elektronischer Bauelemente. |
| KR1019900016987A KR0173982B1 (ko) | 1989-10-23 | 1990-10-23 | 억제제 포장용기 및 전자장치 또는 전자부품을 보존하는 방법 |
| US08/381,403 US5510166A (en) | 1989-01-23 | 1995-01-31 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273727A JP2850405B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 半導体または半導体部品の保存方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148471A JPH03148471A (ja) | 1991-06-25 |
| JP2850405B2 true JP2850405B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=17531722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1273727A Expired - Lifetime JP2850405B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-10-23 | 半導体または半導体部品の保存方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850405B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0551779U (ja) * | 1991-12-12 | 1993-07-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 金属または金属を含む製品の包装形態 |
| DE69320112T2 (de) * | 1992-06-02 | 1999-03-11 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Verfahren zum Verbinden von Metallen durch Weichlöten |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP1273727A patent/JP2850405B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03148471A (ja) | 1991-06-25 |
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