JPH03147118A - メモリカード - Google Patents

メモリカード

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JPH03147118A
JPH03147118A JP1286932A JP28693289A JPH03147118A JP H03147118 A JPH03147118 A JP H03147118A JP 1286932 A JP1286932 A JP 1286932A JP 28693289 A JP28693289 A JP 28693289A JP H03147118 A JPH03147118 A JP H03147118A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
battery
voltage
terminal
memory card
volatile memory
Prior art date
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Pending
Application number
JP1286932A
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English (en)
Inventor
Shuichi Shirato
白土 修一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH03147118A publication Critical patent/JPH03147118A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は揮発性メモリを内蔵しているメモリカードに関
するものである。
C従来の技術〕 第3図は従来のメモリカードの回路図である。
このメモリカードは電源端子9と、電池電圧検出端子1
1と、接地端子10とを備えている。電源端子9は電源
切換回路1の入力端子1aと接続される。
電源切換回路1の出力端子1bと接地端子IOとの間に
は、コンデンサ6と不揮発性メモリ2との並列回路及び
ダイオード3と抵抗4と電池5との直列回路が介装され
る。電池電圧検出端子11は前記抵抗4と電池5との接
続点に接続される。なお、ダイオード3のアノードは1
民抗4と接続され、電池5の負電極は接地端子10と接
続される。
次にこのメモリカードの動作を説明する。電源切換回路
1は、その入力端子1aに電源端子9から与えられた電
圧が予め設定している電圧(例えば杓4V)より低い場
合は、出力端子1bは無電圧になる。一方、入力端子1
aの電圧が設定している電圧より高い場合は、入力・端
子1aに与えられた電圧と略等しい電圧が出力端子1b
に出力される。
前記電源切換回路1の人出力特性は第4図に示す如くな
っている。即ち、電源切換回路1の入力電圧が、それに
予め設定している4■の電圧に達するまでは出力端子1
bに電圧が生じないが、入力電圧が4Vに達すると出力
端子1bの電圧は入力端子1aの電圧に等しい4■にな
り、更に入力端子1aの電圧が高くなった場合は、出力
端子1bの電圧は入力端子1aの電圧に比例して高くな
る。また入力端子1aの電圧が低くなる場合も入力端子
1aの電圧が4■に達するまでは、出力端子1bの電圧
は入力端子1aの電圧に比例し、入力端子1aの電圧が
4V以下になると出力端子1bに電圧が生じない。
しかし乍ら、電源切換回路1の出力端子1bには、電池
5から揮発性メモリ2へ電流が流れることによりダイオ
ード3及び抵抗4に生じる電圧降下による電圧が加わる
。そこで電池5の電圧を■6、揮発性メモリ2に流れ込
む電流によって生じるダイオード3及び抵抗4の電圧降
下を夫々Vゎ及びV、とすると、出力端子1bにはVB
−V。−■7の電圧が加わる。
そして電池5の電圧を3V、抵抗4の抵抗値を1.5に
Ω、揮発性メモリ2に流れ込む電流を50〜60μ八と
すると、ダイオード3のカソード′には約2.5Vの電
圧が生じる。その電圧を第4図において破線で表してい
る。
さて、このメモリカードを携帯しているときには、電源
端子9に電圧が与えられないから、ダイオード3のカソ
ードには約2.5■の電圧が生じている。ところで、電
池5を取換える場合は、揮発性メモリ2のデータ保持電
圧は一般に2V以上を必要としているから、電池5を取
外してからデータが保持されている時間Tは次式で表さ
れる。
但し、■は揮発性メモリ2に流れるバックアップ電流(
A) Cはコンデンサ6の容ffi (F) ■は揮発性メモリ2の電源電圧が、杓2.5■からデー
タ保持電圧までの差電圧 (V)(ここでは2.5−2 =0,5 V)ここで1
個の揮発性メモリ2のバックアンプ電流を1μAとし、
コンデンサ6の容量を1μFとすると、 となる。したがってメモリカードに揮発性メモU 2を
10個内蔵している場合は、50m秒となる。
ここで電池5の取換え時間を1分間要するとすると、コ
ンデンサ6には、その容量が1000μF程度のものが
必要になる。しかしメモリカードの限られた寸法内に1
000μFのコンデンサ6を内蔵できるものではないか
ら、メモリカードを、その揮発性メモリ2に対してデー
タを読み書きするパーソナルコンピュータ又はプリンタ
等の端末機に装着して揮発性メモリ2をバックアップし
た状態で電池5を取換えている。なお、電池5の電圧は
、電池電圧検出端子11を介して端末機でモニタできる
ようになっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のメモリカードは、それに内蔵している電池の電圧
が端末機でモニタされるが、そのモニタにより電池の電
圧が揮発性メモリをハックアップし得る適正な電圧であ
るか否かを判断し得ないという問題がある。また端末機
にメモリカードを装着した状態でメモリカード内の電池
を取換えるために、端末機には電池の取換え操作に必要
な取換用開口部を開設しておく必要がある。更に、電池
及びそれを取付けているネジ等は極めて小さいから端末
機に装着した状態での電池の取換作業は極めて煩わしい
という問題がある。
本発明は斯かる問題に鑑みメモリカードに内蔵している
電池の電圧低下状態を知ることができ、また端末機に装
着せずに電池を取換えることができるメモリカードを提
供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係るメモリカードは、揮発性メモリをバックア
ップする第1.第2の各電池と、第1の電池電圧及び第
1.第2の基準電圧を各比較する第1.第2の比較器と
、第2の比較器により制御され第2の電池電圧を揮発性
メモリヘ与える第1のスイッチ素子と、第1の電池電圧
が第1.第2の基準電圧より各低下したことを各報知す
る第1第2の表示部と、第1.第2の比較器の出力によ
り各制御され、第1の電池電圧を第1.第2の表示部に
夫々与える第2.第3のスイッチ素子とを備える構成に
する。
〔作用〕
メモリカードを端末機に装着していない場合は、メモリ
カード内の第1の電池が揮発性メモリをバックアップす
る。第1の電池電圧が第1の基準電圧以下に低下すると
、第1の比較器の出力により第2のスイッチ素子がオン
して第1の表示部が表示動作する。第1の電池電圧が第
2の基準電圧以下に低下すると、第2の比較器の出力に
より第3のスイッチ素子がオンして第2の表示部が表示
動作し、また第1のスイッチ素子がオンして、第2の電
池が揮発性メモリをバンクアップする。
これにより、第1の電池電圧の低下状態を知り得る。第
1の電池電圧が低下すると第2の電池が揮発性メモリを
バックアップする。同様に第1の電池を取外した場合も
揮発性メモリは第2の電池でバンクアンプされる。
〔実施例〕
以下本発明をその実施例を示す図面により詳述する。第
1図は本発明に係るメモリカードの回路図である。メモ
リカードは電源端子8及び接地端子lOを備えている。
電源端子8と接地端子10との間に、コンデンサ6と揮
発性メモリ2との並列回路が介装され、またダイオード
39と抵抗40と第1のスイッチ素子38と、従たる第
2の電池21との直列回路が介装される。ダイオード3
9のアノードは抵抗40側となっており、第2の電池2
1の正電極は第1のスイッチ素子38側となっている。
第1の基準電圧を与える第1の基準電池22の負電極は
接地端子10と接続され、その正電極は第1の比較器2
4の正入力端子24aと接続される。第1の比較器24
の出力はAND回路44の一方の入力端子44aへ与え
られ、その出力は第2のスイッチ素子34へ切換信号と
して与えられる。前記第1の比較器24の負入力端子2
4bは第2の比較器25の負入力端子25bと接続され
る。比較器24の負入力端子24bと接地端子10との
間には、第2のスイッチ素子34と抵抗36と第1の表
示部たる発光ダイオード32との直列回路及び第3のス
イッチ素子35と抵抗37と第2の表示部たる発光ダイ
オード33との直列回路が夫々介装され、また主たる第
1の電池5が介装される。
第1の電池5の正電極と電源端子8との間には抵抗4及
びダイオード3の直列回路が介装される。
なおダイオード3のアノードは抵抗4側となっている。
前記第2の比較器25の正入力端子25aと接地端子1
0との間には、第2の基準電圧を与える第2の基準電池
23が介装され、その正電極は正入力端子25a側とな
っている。第2の比較器25の出力は前記第1のスイッ
チ素子38へその切換信号として与えられ、またインバ
ータ41を介して前記AND回路44の他方の入力端子
44bへ与えられる。
次にこのように構成したメモリカードの動作を、電源端
子8に、第1の電池5又は第2の電池21の電圧より低
い電圧が与えられた場合、即ち、揮発性メモリ2が第1
の電池5又は第2の電池21によりバンクアップされる
場合について説明する。いま、第1の基準電池22の電
圧は、第2の基準電池23の電圧より若干(例えば10
0mV)高(設定しているとする。また第1の電池5に
は、例えばリチウム電池を使用しており、その放電負荷
特性は第2図に示すようになっているとする。即ち、そ
の端子電圧は持続時間が5000時間まで略安定してお
り、5000時間を超えた時点から端子電圧が徐々に下
降し始めて、略6200時間で端子電圧が急激に低下す
る特性を有しているとする。
先ず、第1の電池5の電圧が、第1の基準電池22の電
圧より高い場合、つまり第2図のA点からB点までの範
囲では、第1の比較器24及び第2の比較器25の出力
はともに“L”レベルとなり、第1、第2.第3のスイ
ッチ素子38,34.35はすべてオフ動作になる。し
たがって揮発性メモリ2は抵抗4及びダイオード3を介
して第1の電池5によりバックアップされ、揮発性メモ
リ2の情報を保持する。
次に、第1の電池5の電圧が第1の基準電池22の電圧
より低く、第2の基準電池23の電圧より高い場合、つ
まり第2図のB点から0点までの範囲では、第1の比較
器24の出力は“H”レベルに、第2の比較器25の出
力は“L”レベルとなり、第2のスイッチ素子34はオ
ン動作し、第1及び第3のスイッチ素子38及び35は
オフ動作する。したがって、揮発性メモリ2は第1の電
池5によってバンクアンプされるが、第2のスイッチ素
子34及び抵抗36を介して第1の表示部の発光ダイオ
ード32;こ電流が流れて発光ダイオード32が発光し
、第1の電池5の電圧が低下してきているので、その電
池の取換えの準備をすべき報知動作をする。
次に第1の電池5の電圧が第2の基!4!電池23の電
圧より低い場合、つまり第2図の0点からD点までの範
囲では、第1及び第2の比較器24及び25の出力はと
もに“H”レベルになり、第1.第3のスイッチ素子3
8.35はオン動作し、一方、第2のスイッチ素子34
はオフ動作する。したがって、揮発性メモリ2は第1の
スイッチ素子38と抵抗40及びダイオード39を介し
て第2の電池21によりバックアップされると同時に、
第3のスイッチ素子35及び抵抗37を介して第2の表
示部の発光ダイオード33に電流が流れて発光ダイオー
ド33が発光し、第1の電池5の電圧が使用限度に達し
たことを報知して、第1の電池5を取換えるべき警告を
する。
その警報により、第1の電池5を取外した場合には、第
2の比較器25の出力は“H”レベルのままで、第1の
スイッチ素子38がオン動作して、抵抗40とダイオー
ド39とを介して第2の電池21により揮発性メモリ2
がバックアップされる。
したがって、メモリカードは端末機に装着していない状
態、即ち電源端子8に外部から電圧が与えられていなく
ても安心して第1の電池5の取換えができる。また、端
末機等に装着していない状態で電池の取換えをするから
、小さい電池及びその取付用ビスの着脱操作は容易であ
り、電池を取換えるときの煩わしさがない。更にメモリ
カードを装着する端末機に、電池の取換え操作のための
開口部等を設ける必要がない。
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明のメモリカードは、電池の取
換え時期を報知するから、その報知により揮発性メモリ
がバ・ンクアソブされなくなる前の適正な時期に電池を
取換えることができる。また揮発性メモリをバックアッ
プする電池を複数個にしたから、電池を取換えていると
きは残りの電池が揮発性メモリをバックアップして、メ
モリカードを端末機等に装着しない状態で安心して電池
を取換えることができ、その取換え操作の煩わしさが解
消する。更に、メモリカードを装着する端末機に、電池
の取換え操作のための開口部を設ける必要もない等の優
れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るメモリカードの回路図、第2図は
電池の放電負荷特性を示す曲線図、第3図は従来のメモ
リカードの回路図、第4図はその電源切換回路の入出力
電圧の関係を示す特性図である。 2・・・揮発性メモリ 5・・・第1の電池 6・・・
コンデンサ 21・・・第2の電池 22・・・第1の
基準電池23・・・第2の基準電池 24・・・第1の
比較器 25・・・第2の比較器 32・・・発光ダイ
オード (第1の表示部)33・・・発光ダイオード(
第2の表示部)34・・・第2のスイッチ素子 35・
・・第3のスイッチ素子 38・・・第1のスイッチ素
子 44・・・AND回路なお、図中、同一符号は同一
、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)揮発性メモリを内蔵しており、その揮発性メモリ
    を電池でバックアップしているメモリにおいて、 前記揮発性メモリをバックアップする第1,第2の各電
    池と、前記第1の電池電圧及び第1,第2の基準電圧を
    各比較する第1,第2の比較器と、前記第2の比較器の
    出力により制御され第2の電池電圧を前記揮発性メモリ
    ヘ与える第1のスイッチ素子と、第1の電池電圧が第1
    ,第2の基準電圧より各低下したことを各報知する第1
    ,第2の表示部と、第1,第2の比較器の出力により各
    制御され、第1の電池電圧を第1,第2の表示部に夫々
    与える第2,第3のスイッチ素子とを備えることを特徴
    とするメモリカード。
JP1286932A 1989-11-02 1989-11-02 メモリカード Pending JPH03147118A (ja)

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JP1286932A JPH03147118A (ja) 1989-11-02 1989-11-02 メモリカード

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JP1286932A Pending JPH03147118A (ja) 1989-11-02 1989-11-02 メモリカード

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