JPH03146670A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH03146670A JPH03146670A JP1279976A JP27997689A JPH03146670A JP H03146670 A JPH03146670 A JP H03146670A JP 1279976 A JP1279976 A JP 1279976A JP 27997689 A JP27997689 A JP 27997689A JP H03146670 A JPH03146670 A JP H03146670A
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- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 30
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体気相成長装置に関し、特に詳細には、装
置内の残留ソースガスを効率良く除去するガス処理手段
を具備した気相成長装置に関するものである。
置内の残留ソースガスを効率良く除去するガス処理手段
を具備した気相成長装置に関するものである。
（従来の技術）
第４図は従来用いられている気相成長装置の概略図であ
る。従来の気相成長装置は、主として反応管１、反応管
１内に所定量の反応ガスを供給するための流量制御機構
３、反応管１の出口側に連結されたガスフーラトラップ
５、排気管６、ゲート弁７および真空ポンプ８から構成
されている。
る。従来の気相成長装置は、主として反応管１、反応管
１内に所定量の反応ガスを供給するための流量制御機構
３、反応管１の出口側に連結されたガスフーラトラップ
５、排気管６、ゲート弁７および真空ポンプ８から構成
されている。
そして、流量制御機構３は、主として複数のマスフロー
コントローラ４から構成されている。
コントローラ４から構成されている。
上記構成を有する従来の気相成長装置の動作について説
明する。
明する。
例えば、ソースガスとしてジクロルシラン（ＳＩＨ２Ｃ
１２）ガスおよびアンモニア（ＮＨ３）ガスを用い、パ
ージガスとして窒素（Ｎ２）ガスを用いた場合を考える
。反応管１以外の管内、例えばジクロルシランガス供給
配管９、主ガスライン１０、真空ベントライン１１、大
気ベントライン１２およびＮ２ガス供給管１３内でジク
ロルシランガスおよびアンモニアガスが混合された場合
、パーティクルである粉末の塩化アンモニウムが生じ、
これらの管内に詰まることになる。これを回避するため
従来では反応工程終了後、Ｎ２ガス供給管１３および真
空ベントライン１１のラインでＮ２ガスを用いてジクロ
ルシランのパージを行ない、時間をずらせて、Ｎ２ガス
供給管１３および真空ベントライン１１を組み合わせて
アンモニアガスのパージを行なっていた。しかし、上記
方法では、マスフローコントローラ４内に溜ったソース
ガスの除去を十分に行なうことができないという問題が
あった。
１２）ガスおよびアンモニア（ＮＨ３）ガスを用い、パ
ージガスとして窒素（Ｎ２）ガスを用いた場合を考える
。反応管１以外の管内、例えばジクロルシランガス供給
配管９、主ガスライン１０、真空ベントライン１１、大
気ベントライン１２およびＮ２ガス供給管１３内でジク
ロルシランガスおよびアンモニアガスが混合された場合
、パーティクルである粉末の塩化アンモニウムが生じ、
これらの管内に詰まることになる。これを回避するため
従来では反応工程終了後、Ｎ２ガス供給管１３および真
空ベントライン１１のラインでＮ２ガスを用いてジクロ
ルシランのパージを行ない、時間をずらせて、Ｎ２ガス
供給管１３および真空ベントライン１１を組み合わせて
アンモニアガスのパージを行なっていた。しかし、上記
方法では、マスフローコントローラ４内に溜ったソース
ガスの除去を十分に行なうことができないという問題が
あった。
一方、反応ガスとして有機系ガスを使用する場合、露結
を防ぐため配管を加熱する加熱手段が必要となり、加え
て操作方法もその分複雑となる。
を防ぐため配管を加熱する加熱手段が必要となり、加え
て操作方法もその分複雑となる。
従って、マスターフローコントローラ４内の残留ガスの
パージはさらに難しいという問題があった。
パージはさらに難しいという問題があった。
このように残留ガスのパージが十分になされなかった場
合、マスフローコントローラ４に接続された配管１０．
１１．１２および真空ポンプ８内でパーティクルが発生
することになる。パーティクルの発生を回避するために
は大規模な加熱システムを必要とするという問題があっ
た。
合、マスフローコントローラ４に接続された配管１０．
１１．１２および真空ポンプ８内でパーティクルが発生
することになる。パーティクルの発生を回避するために
は大規模な加熱システムを必要とするという問題があっ
た。
（発明が解決しようとする課題）
上記したように従来の気相成長装置においては流量制御
機構内および反応室に至る管内に残留したソースガスを
十分に除去することができな（゛という問題があった。
機構内および反応室に至る管内に残留したソースガスを
十分に除去することができな（゛という問題があった。
そして、この残留ガスは他のソースガスと混合し、例え
ばパーティクルである塩化物を形成し、それが管内に蓄
積するという問題があった。
ばパーティクルである塩化物を形成し、それが管内に蓄
積するという問題があった。
そこで本発明は上記した問題に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは流量制御機構内に残留したソー
スガスを効率良く除去できる構成を有する気相成長装置
を提供することにある。
その目的とするところは流量制御機構内に残留したソー
スガスを効率良く除去できる構成を有する気相成長装置
を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の気相成長装置は、気相成長処理を行なう処理室
と、主として所定量のガスを前記処理室に供給するガス
流量制御手段とを有する気相成長装置において、前記ガ
ス流量制御手段の一部に設けられた排気手段の一部に前
記ガスを除去するガス処理手段を具備していることを特
徴としている。
と、主として所定量のガスを前記処理室に供給するガス
流量制御手段とを有する気相成長装置において、前記ガ
ス流量制御手段の一部に設けられた排気手段の一部に前
記ガスを除去するガス処理手段を具備していることを特
徴としている。
（作用）
本発明の気相成長装置は、ガス流量制御手段内の排気手
段の一部に残留ガスを除去するガス処理手段、例えばト
ラップを設けた構成を有する。
段の一部に残留ガスを除去するガス処理手段、例えばト
ラップを設けた構成を有する。
このため、残留ガスはトラップ内の吸着材にて吸収され
るのでガス流量制御手段内および真空ポンプ内にパーテ
ィクルである塩化物等の反応生成物が付着することはな
くなる。
るのでガス流量制御手段内および真空ポンプ内にパーテ
ィクルである塩化物等の反応生成物が付着することはな
くなる。
（実施例）
以下、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例である気相成長装置の部分構
成図であり、主としてガス流量制御手段、即ち流量制御
機構２０の概略構成図である。尚、従来例で示した構成
要素と同一の構成要素には同一の符号を付しその説明は
省略する。同図において、２０はガス流量制御手段、即
ち複数個のマスフローコントローラ４を備えた流量制御
機構、２１はガス処理手段、例えばガスの種類に応じた
吸着剤を備えているトラップである。このトラップ２１
は、排気手段、即ち大気ベントライン１２の一部に設け
られている。これ以外は従来と同一の構成を有している
。以下に、上記構成を有する本実施例の気相成長装置の
動作について説明する。
成図であり、主としてガス流量制御手段、即ち流量制御
機構２０の概略構成図である。尚、従来例で示した構成
要素と同一の構成要素には同一の符号を付しその説明は
省略する。同図において、２０はガス流量制御手段、即
ち複数個のマスフローコントローラ４を備えた流量制御
機構、２１はガス処理手段、例えばガスの種類に応じた
吸着剤を備えているトラップである。このトラップ２１
は、排気手段、即ち大気ベントライン１２の一部に設け
られている。これ以外は従来と同一の構成を有している
。以下に、上記構成を有する本実施例の気相成長装置の
動作について説明する。
まずバルブ２２および２３を開放し、バルブ２４．２５
および２６を閉鎖する。次に、マスフローコントローラ
４内をＮ２ガスによりパージする。
および２６を閉鎖する。次に、マスフローコントローラ
４内をＮ２ガスによりパージする。
次に、バルブ２２，２３，２°５および２６を閉鎖し、
同時にバルブ２４を開放し残留するガスを真空ベントラ
イン１１を介して除去する。その後バルブ２４を閉鎖し
、バルブ２５および２６を開放ルマスフローコントロー
ラ４内の雰囲気をソースガス、例えばジクロルシランに
切換える。そして、マスフローコントローラ４により、
ガス流量を制御し同時にヒータエレメント（図示せず）
により減圧下の反応管（図示せず）を加熱する。これに
より、気相成長処理を行なう。気相成長終了後、バルブ
２２および２３を開放し、２４．２５および２６を閉鎖
しパージ用のＮ２ガスを配管内に導入し、ソースガスを
追い出す。この時トラップ２１内の吸着剤によりソース
ガスはトラップ２１に吸着される。その後、バルブ２３
を閉鎖し、かつバルブ２４を開放し、真空ベントライン
１１からのパージを行なう。この時、トラップ２１によ
りソースガスは吸着除去され管内はＮ２ガスに置換され
ている。
同時にバルブ２４を開放し残留するガスを真空ベントラ
イン１１を介して除去する。その後バルブ２４を閉鎖し
、バルブ２５および２６を開放ルマスフローコントロー
ラ４内の雰囲気をソースガス、例えばジクロルシランに
切換える。そして、マスフローコントローラ４により、
ガス流量を制御し同時にヒータエレメント（図示せず）
により減圧下の反応管（図示せず）を加熱する。これに
より、気相成長処理を行なう。気相成長終了後、バルブ
２２および２３を開放し、２４．２５および２６を閉鎖
しパージ用のＮ２ガスを配管内に導入し、ソースガスを
追い出す。この時トラップ２１内の吸着剤によりソース
ガスはトラップ２１に吸着される。その後、バルブ２３
を閉鎖し、かつバルブ２４を開放し、真空ベントライン
１１からのパージを行なう。この時、トラップ２１によ
りソースガスは吸着除去され管内はＮ２ガスに置換され
ている。
このように本実施例の気相成長装置における流量制御機
構はトラップ２１を具備しているので、従来例のように
真空ベントライン１１を介して、真空ポンプ（図示せず
）へソースガスが流れ込んだり、マスフローコントロー
ラ内にソースガスが残留することはなくなる。よって流
量制御機構２０内および真空ポンプ等の内部にパーティ
クルである塩化物が蓄積する恐れはなくなる。
構はトラップ２１を具備しているので、従来例のように
真空ベントライン１１を介して、真空ポンプ（図示せず
）へソースガスが流れ込んだり、マスフローコントロー
ラ内にソースガスが残留することはなくなる。よって流
量制御機構２０内および真空ポンプ等の内部にパーティ
クルである塩化物が蓄積する恐れはなくなる。
第２図は本発明の他実施例である気相成長装置の概略図
である。本実施例の流量制御機構２８においては、マス
フローコントローラ４の出口側からバルブ２３，２４、
および２５間の配管距離ｄを従来より長く保つことによ
り、トラップ２１を反応管１により接近させる。さらに
、バルブ２３゜２４、および２５と反応管１との距離を
従来例と比べて短かくすることにより、Ｎ２ガスによる
パージを常時真空ベントライン１１を介して減圧状態下
で行なうことが・できる。よってマスフローコントロー
ラ４および主ガス配管２８のパージ効率をさらに上げる
こ゛とができる。
である。本実施例の流量制御機構２８においては、マス
フローコントローラ４の出口側からバルブ２３，２４、
および２５間の配管距離ｄを従来より長く保つことによ
り、トラップ２１を反応管１により接近させる。さらに
、バルブ２３゜２４、および２５と反応管１との距離を
従来例と比べて短かくすることにより、Ｎ２ガスによる
パージを常時真空ベントライン１１を介して減圧状態下
で行なうことが・できる。よってマスフローコントロー
ラ４および主ガス配管２８のパージ効率をさらに上げる
こ゛とができる。
第３図は本発明を有機系ソースガスを用いる気相成長装
置に応用した場合の実施例である。従来例においても説
明したように有機系のソースガスを使用する場合、露結
を防ぐため配管の加熱機構４０および恒温槽４１を必要
とする。この有機系ソースガスは、気化ガスに比べ真空
ポンプ（図示せず）および大気ベントライン１２等に反
応生成物が付着しやすい。特に真空ポンプ内に付着した
場合、真空ポンプの寿命を縮める原因となる。本実施例
の流量制御機構４２では、第１および第２図で示した実
施例の場合と同様に、大気ベントライン１２の途中にト
ラップ２１を設けている。これにより、真空ベントライ
ン１１における加熱機構は不要となり、その分構成は簡
単となる。 尚、上記した本実施例では、反応生成後の
ガスパージの場合に関して説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば反応管にソースガスを
流さないで、ソースガスの流量安定をマスフローコント
ローラにより計測している場合に適用してもよい。この
場合においても、高濃度のソースガスをトラップにより
除去することができる。
置に応用した場合の実施例である。従来例においても説
明したように有機系のソースガスを使用する場合、露結
を防ぐため配管の加熱機構４０および恒温槽４１を必要
とする。この有機系ソースガスは、気化ガスに比べ真空
ポンプ（図示せず）および大気ベントライン１２等に反
応生成物が付着しやすい。特に真空ポンプ内に付着した
場合、真空ポンプの寿命を縮める原因となる。本実施例
の流量制御機構４２では、第１および第２図で示した実
施例の場合と同様に、大気ベントライン１２の途中にト
ラップ２１を設けている。これにより、真空ベントライ
ン１１における加熱機構は不要となり、その分構成は簡
単となる。 尚、上記した本実施例では、反応生成後の
ガスパージの場合に関して説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば反応管にソースガスを
流さないで、ソースガスの流量安定をマスフローコント
ローラにより計測している場合に適用してもよい。この
場合においても、高濃度のソースガスをトラップにより
除去することができる。
［発明の効果］
上記説明したように、本発明の気相成長装置は、ガス流
量制御手段内の、例えば排気ベントラインの一部にガス
処理手段を設ける。これにより、ガス流量制御手段内に
残留したソースガスを効率よく除去することができる。
量制御手段内の、例えば排気ベントラインの一部にガス
処理手段を設ける。これにより、ガス流量制御手段内に
残留したソースガスを効率よく除去することができる。
よってガス流量制御手段内で複数のソースガスが反応し
てパーティクルである塩化物等の反応生成物を生じるこ
とはなくなる。よって、ガス流量制御手段内や真空ポン
プ内が反応生成物により詰まることはなくなるので良好
な気相成長処理を行なうことができる。
てパーティクルである塩化物等の反応生成物を生じるこ
とはなくなる。よって、ガス流量制御手段内や真空ポン
プ内が反応生成物により詰まることはなくなるので良好
な気相成長処理を行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例である気相成長装置の部分構
成図、 第２図は本発明の他実施例である気相成長装置の部分構
成図、 第３図は本発明の他実施例である有機系のソースガスを
用いる気相成長装置の部分構成図、第４図は従来の気相
成長装置の構成図である。 ４・・・マスフローコントローラ ２０・・・流量制御機構 ２１・・・トラップ（ガス処理手段）
成図、 第２図は本発明の他実施例である気相成長装置の部分構
成図、 第３図は本発明の他実施例である有機系のソースガスを
用いる気相成長装置の部分構成図、第４図は従来の気相
成長装置の構成図である。 ４・・・マスフローコントローラ ２０・・・流量制御機構 ２１・・・トラップ（ガス処理手段）
Claims (3)
- （１）気相成長処理を行なう処理室と、 主として所定量のガスを前記処理室に供給するガス流量
制御手段とを有する気相成長装置において、 前記ガス流量制御手段の一部に設けられた排気手段の一
部に前記ガスを除去するガス処理手段を具備しているこ
と を特徴とする気相成長装置。 - （２）前記ガス処理手段はトラップにより構成されてい
ること を特徴とする請求項（１）記載の気相成長装置。 - （３）前記トラップ内には前記ガスを吸着する吸着剤を
含んでいること を特徴とする請求項（２）記載の気相成長装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279976A JPH0686661B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 気相成長装置 |
| KR1019900017349A KR940007866B1 (ko) | 1989-10-30 | 1990-10-29 | 기상성장장치 |
| EP90120789A EP0426105B1 (en) | 1989-10-30 | 1990-10-30 | Chemical vapor growth apparatus |
| DE69010835T DE69010835T2 (de) | 1989-10-30 | 1990-10-30 | Chemischer Dampfablagerungsapparat. |
| US07/956,555 US5250323A (en) | 1989-10-30 | 1992-10-05 | Chemical vapor growth apparatus having an exhaust device including trap |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279976A JPH0686661B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 気相成長装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25888395A Division JP2905126B2 (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03146670A true JPH03146670A (ja) | 1991-06-21 |
| JPH0686661B2 JPH0686661B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=17618569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1279976A Expired - Lifetime JPH0686661B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 気相成長装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0426105B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0686661B2 (ja) |
| KR (1) | KR940007866B1 (ja) |
| DE (1) | DE69010835T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010067788A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19920332B4 (de) * | 1998-05-04 | 2010-10-21 | Infineon Technologies Ag | Prozeßreaktor zur Behandlung von Halbleitersubstraten und Verfahren zur Durchführung eines Prozesses |
| KR20190002318A (ko) * | 2017-06-29 | 2019-01-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 배기계 설비 시스템 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2008084B (en) * | 1977-11-17 | 1982-07-28 | Post Office | Growth of semiconductor compounds |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP1279976A patent/JPH0686661B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
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Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| CHEMTRONICS=1987 * |
| J APPL PHYS=1981 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010067788A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Also Published As
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