JPH03141602A - 正特性サーミスタ装置、端子及び製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、主として、カラーテレビ消磁回路に使用する
のに好適な正特性サーミスタ装置、その給電用の端子及
びその製造方法に関し、端子の構造を、電極接触部と外
部接続端子部との間に迂回部を設けた構造とすることに
より、電極接触部から端子部への熱伝導を抑制し、端子
部の温度を低く抑えることができるようにすると共に、
消磁回路の残留電流を低く押え、消磁作用を向上で籾る
ようにしたものである。

〈従来の技術〉 消磁回路に使用される正特性サーミスタ装置としては、
電流制限用の正特性サーミスタと、加熱用の正特性サー
ミスタとを、金属板でなる平板状の共通の端子を間に挟
んで瓜ね合せると共に、弾性端子で弾力的に挟持した構
造のものがもつともよく知られている。各端子は正特性
サーミスタの電極に接触する接触部と、接触部に連続す
る端子部とを備え、端子部をケースを貫通して外部に導
出する。

前述の正特性サーミスタ装置を使用した消磁回路の動作
はよく知られている。電流制限用の正特性サーミスタが
加熱用の正特性サーミスタによって加熱され、電流制限
用正特性サーミスタの動作温度が、単独で動作する温度
よりも高い温度に移行する。このため、電流制限用の正
特性サーミスタによって制御されて消磁コイルに流れる
平衡点電流が電流制限用の正特性サーミスタを単独で用
いる場合よりも低下し、消磁作用が向上する。

〈発明が解決しようとする課題〉 消磁回路において、平衡点電流を減少させるには、電流
制限用の正特性サーミスタの抵抗値をできるだけ高い値
に持ち上げる必要がある。電流制限用の正特性サーミス
タの抵抗値を上昇させるには、加熱用の正特性サーミス
タとして、抵抗値及びスイッチング温度Ｔｓの高いもの
使用することの他に、放熱量を減少させ穴ことが重要で
ある。

各種の放熱経路のうち、正特性サーミスタに直接接触す
る端子を通した放熱が最も大きくなる。

従って、放熱量を減少させるためには、端子をどのよう
な構造にするかが、極めて重要な事項となる。

端子は、また、ケースによって支持されて外部に導出さ
れ、外部回路に接続される部分である。

従って、端子の、特に外部導出部となる端子部は、ケー
ス及び外部回路に対する熱的悪影響を軽減するため、で
きるだけ低い温度となるように抑制する必要がある。

端子の放熱量を減少させることと、端子の温度を低く抑
えることとは、互いに二律背反の関係にあり、両者を同
時に満足する端子構造をとることは必ずしも容易ではな
い。

上述の放熱量減少と端子温度上昇の問題を同時に解決し
ようとする試みは、例えば、特開平１−２０８８０３号
公報、特開平１−２２０４０３号公報及び実開平１−１
３０５０２号公報等で公知である。

しかしながら、特開平１−２２０４０３号公報に記載さ
れた発明は、端子に対し、独立する複数の丸孔を間隔を
隔てて設けて伝熱狭窄部を形成する構造であり、充分な
放熱量減少及び端子温度上昇抑制作用が得られない。

特開平１−２０８８０３号公報に開示された発明は、細
長いスリットを設けである点で、特開平１−２２０４０
３号と異なり、優れた放熱ｉ′減少及び端子温度上昇抑
制の作用が得られるが、それでも、充分ではない。

実開平！−１３０５０２号に開示された考案は、熱結合
板と端子とを分離し両者間の熱抵抗部材で接続する構造
であるので、構造の複雑化、組立の困難化、部品点数の
増大等を招く。

そこで、本発明の課題は、上述する従来技術よりも優れ
た放熱量減少作用及び端子温度上昇抑制作用が得られ、
消磁回路に使用した場合の平衡点電流が小さく、ケース
及び外部回路に対する熱的悪影響の小さな正特性サーミ
スタ装置を提供することである。

く課題を解決するための手段〉 上述する課題解決のため、本発明は、正特性サーミスタ
と、前記正特性サーミスタの電極に導通する端子と、前
記正特性サーミスタを収納し前記端子を支持するケース
とを備える正特性サーミスタ装置であって、 前記端子は、前記正特性サーミスタの前記電極に接触す
る接触部と、外部との接続部分となる端子部と、迂回部
と、阻止片とを有しており、前記迂回部は、前記接触部
よりは狭幅であって、前記接触部の側方に間隔を隔てて
配置され、前記接触部及び前記端子部を直列に接続する
ように、一端部が前記接触部に連接されるとともに、他
端部が前記端子部に連接されていて、しかも前記接触部
の平面位置から浮いた位置に配置されており、 前記阻止片は、前記迂回部と対向する位置であって、前
記接触部上の前記正特性サーミスタの配置領域外に起立
して設けられていることを特徴とする。

〈作用〉 端子は迂回部を有していて、迂回部は接触部よりは狭幅
であって、接触部の側方に間隔を隔てて配置され、接触
部及び端子部を直列に接続するように、一端部が接触部
に連接されるとともに、他端部が端子部に連接されてい
るから、接触部から端子部への熱伝導が迂回部によって
抑制され、端子部の温度が低く抑えられる。このため、
正特性サーミスタの発熱温度が上昇すると共に、端子部
の温度が低くなる。消磁回路に使用した場合には、平衡
点抵抗が大きくなって、残留電流が低くなる。

しかも、迂回部は、接触部の平面位置から浮いた位置に
配置されているので、正特性サーミスタに対する迂回部
の熱的、電気的な接触を防止することができる。

また、端子は阻止片を有していて、この阻止片は、迂回
部と対向する位置であって、接触部上の正特性サーミス
タの配置領域外に起立して設けられているので、接触部
上における正特性サーミスタの移動が阻止片によって規
制され、正特性サーミスタが迂回部に接触することがな
い。

〈実施例〉 第１図は本発明に係る正特性サーミスタ装置の部分断面
図、第２図は第１図Ａ、−Ａ、線における断面図、第３
図は本発明に係る正特性サーミスタ装置の要部における
斜視図である。図において、１はケース、２及び３は正
特性サーミスタ、４〜６は端子である。ケース１は適当
な耐熱絶縁プラスチックの成形品として構成されている
。

正特性サーミスタ２．３は正特性サーミスタ素体２１．
３１の両面に電極（２２，２３）、（３２，３３）を設
けた構造となっている。これらの正特性サーミスタ２．
３のうち、正特性サーミスタ２は電流制限用として備え
られており、正特性サーミスタ３は加熱用として備えら
れている。正特性サーミスタ２．３は、金属板でなる平
板状の共通の端子５を間に挟んで重ね合せると共に、弾
力性のある端子４．６で弾力的に挟持した構造となって
いる。

端子４．６は、正特性サーミスタ２．３の電極に接触す
るバネ性の接触部４１．６１と、ケース１の外部に導出
される端子部４２．６２を有している。

端子５は、正特性サーミスタ２の電極２２及び正特性サ
ーミスタ３の電極３３に共通に接触する接触部５１と、
ケース１の底部１０１を貫通して外部に導出される端子
部５２と、迂回部５３とを有している。これらは、同一
の金属板材にプレス加工等を施して導体に形成されてい
る。

迂回部５３は、本発明の特徴部分であり、接触部５１よ
りは狭い幅の狭幅絡路となっていて、接触部５１の側方
に間隔Ｇ１を隔てて配置されている。迂回部５３の一端
部は、接触部５１の上方に連接され、他端部は端子部５
２に連接され、接触部５１及び端子部５２に対して、電
気的、熱的な直列回路を形成している。実施例において
、迂回部５３は接触部５１の面から浮かしてあり、正特
性サーミスタ２との接触を防止しである。また、上述の
ようにして浮かされた迂回部５３に正特性サーミスタ３
が接触するのを阻止するため、迂回部５３と対向する接
触部５１の端縁に阻止片５４を突設しである。

迂回部５３は細い片で構成されており、機械的強度が弱
く、その製造工程において、損傷、破損等を生じ易い。

このような問題点解決に好適な端子５の製造方法につい
て、第４図を参照して説明する。まず、第４図（ａ）に
示すように、接触部５１及び端子部５２を有する端子５
の接触部５１の側方に打抜孔Ｇｌを形成する。

次に、端子５の全体に対して、第４図（ｂ）の斜線表示
の如く、電気メッキ処理を施、す。この電気メッキによ
り、端子５の全体の機械的強度が増大する。

次に、第４図（ｃ）に示すように、打抜孔Ｇ。

を形成する枠片の一部を切断Ｇ２して、一端部が接触部
５１に連接され、他端部が端子部５２に連接された迂回
部５３を形成する。この切断工程は、電気メッキ処理に
よる強度補強後であるので、迂回部５３の破損、損傷等
を防止できる。

率５図は別の製造方法を示している。この実施例では、
複数個の端子ＣＩ　、　Ｃ２、Ｃ３、、。

を、共通のフレームＤ上で間隔ｄ、を隔てて連結して構
成されたリードフレームを使用する。複数個の端子Ｃ１
％　Ｃ２、Ｃ５，、、のそれぞれは、第４図（ａ）〜（
Ｃ）に示した工程を経ており、従って、全体に電気メッ
キ処理が施されている。

そして、複数個の端子ＣＩ％　Ｃ２、Ｃ３，、、のそれ
ぞれをフレームＤから切断位置ｘ−ｘで切断して取出す
。

第６図は第３図に示した正特性サーミスタ装置を使用し
たカラーテレビ消磁回路を示し、Ｃが当該正特性サーミ
スタ装置である。フは交流電源、８は電源投入用のスイ
ッチ、９は消磁コイルである。第７図は正特性サーミス
タ２．３の抵抗温度特性、第８図は時間−電流特性をそ
れぞれ示している。

正特性サーミスタ３による加熱作用がなく、正特性サー
ミスタ２が単独で動作している場合を仮定すると、第７
図の曲線Ａで示す抵抗温度特性なり、正特性サーミスタ
２は温度ＴＡ、抵抗値ＲＡで安定する。従って、消磁コ
イル９には第８図の曲線ＩＡに示す平衡点電流が流れる
。この正特性サーミスタ２に対して、第７図の曲線Ｂで
示すような抵抗温度特性を持つ正特性サーミスタ３を熱
結合させた場合、正特性サーミスタ２が正特性サーミス
タ３によって加熱され、正特性サーミスタ２の動作温度
が温度ＴＡよりも高い温度ＴＢに移行する。このため、
正特性サーミスタ２の安定動作時抵抗値が抵抗値ＲＡよ
りも高い抵抗値ＲＢになり、消磁コイル９に流れる平衡
点電流が第８図の曲線ＩＢで示すように低下する。

平衡点電流を減少させるには、正特性サーミスタ２の抵
抗値をできるだけ高い値に持ち上げる必要があり、正特
性サーミスタ３としては、正特性サーミスタ２よりも、
抵抗値及びキュリー温度Ｔｃの高いものが使用される。

従って、正特性サーミスタ２と正特性サーミスタ３との
間にある共通の端子５はかなり高い温度で加熱される。

ここで、本発明においては、上述の迂回部５３を有して
いるので、正特性サーミスタ２−３間において端子５の
接触部５１が高温加熱された場合でも、接触部５１から
端子部５２への熱伝導が迂回部５３によって抑制される
。このため、正特性サーミスタの発熱温度が上昇すると
共に、端子部５２の温度が低くなり、平衡点抵抗が大き
くなりて、残留電流が低くなると共に、ケース１の耐熱
設計が容易になる。

第９図は従来の正特性サーミスタ装置の時間−温度上昇
特性データを示す図、第１０図は本発明に係る正特性サ
ーミスタ装置の時間−温度特性データを示す図である。

第１０図は第１図〜第３図に示した正特性サーミスタ装
置のデータであり、第９図は第１１図に示す構造の端子
５を組込んだ以外は、第１図〜第３図と同様の構造とし
た正特性サーミスタ装置のデータである。第１１図に示
す端子は接触部５１と端子部５２とが最短の連結部５５
に連結されていて、接触部５１及び端子部５２に対して
並列回路が形成されている。

曲線り、はケース１の頭部の温度上昇特性、曲線Ｌ２は
ケース１の側面の温度上昇特性、曲線り、は端子５の温
度上昇特性、曲線Ｌ４は端子４の温度上昇特性である。

温度測定に当っては、正特性サーミスタ装置を回路基板
上に挿着して第６図に示すようなシュミレーション回路
を構成し、１００ＶＡＣを印加した。端子４．５の温度
は回路基板から突出する端子部４２．５２の先端部温度
である。

第９図に示すように、迂回部を持たない正特性サーミス
タ装置の場合、端子５は８１℃まで上昇する。これに対
して、本発明に係る正特性サーミスタ装置では、端子５
の温度は従来よりも１４℃も低い６７℃の温度に低下し
ている。

しかも、迂回部を持たない構造の場合は、端子４よりも
端子５の方が温度が高くなるが、迂回部を有する本発明
に係る正特性サーミスタ装置は、端子４よりも端子５の
方が低くなる。

〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が
得られる。

（ａ）正特性サーミスタの電極に接触する端子は迂回部
を有しており、迂回部は接触部よりは狭幅であって、接
触部の側方に間隔を隔てて配置され、一端部が接触部に
連接され、他端部か端子部に連接されており、接触部及
び端子部の間に迂回部による直列回路が形成されている
ので、接触部から端子部への熱伝導が迂回部によって抑
制される。このため、正特性サーミスタの発熱温度が上
昇し、消磁回路に使用した場合には残留電流が低く消磁
作用の優れた正特性サーミスタ装置を＃１供できる。

（ｂ）接触部から端子部への熱伝導を迂回部によって抑
制し、端子部の温度を低く抑え、ケースの熱的劣化が小
さく、耐熱設計が容易であり、省電力型で電気的特性の
優れた正特性サーミスタ装置を提供できる。

（ｃ）迂回部は、接触部の平面位置から浮いた位置に配
置されているので、正特性サーミスタに対する迂回部の
熱的、電気的な接触を防止し、信頼性の高い正特性サー
ミスタ装置を提供できる。

（ｄ）端子は阻止片を有していて、この阻止片は、迂回
部と対向する位置であって、接触部上の正特性サーミス
タの配置領域外に起立して設けられているので、正特性
サーミスタが迂回部に接触するのを阻止した高信頼度の
正特性サーミスタ装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る正特性サーミスタ装置の部分断面
図、第２図は第１図Ａ　１’ｒ　Ａ　ｌ線における断面
図、第３図は本発明に係る正特性サーミスタ装置の要部
における斜視図、第４図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係る
端子の製造工程を示す図、第５図は同じく別の製造工程
を示す図、第６図は本発明に係る正特性サーミスタ装置
を使用した消磁回路図、第７図は第６図に示した消磁回
路の動作を説明する抵抗温度特性図、第８図は同じく電
流減衰特性図、第９図は従来の正特性サーミスタ装置の
時間−温度上昇特性データを示す図、第１０図は本発明
に係名正特性サーミスタ装置の時間−温度特性データを
示す図、第１１図は第９図の特性データを得た正特性サ
ーミスタ装置に組込まれた端子の正面図である。 １・・・ケース ２．３・・・正特性サーミスタ ４〜６・・・端子 ４１．５１．６１・・・接触部 ４２．５２．６２・・□・端子部 ５３・・・迂回部 図；弓の浄コ（内容に変更なし） 第１図 第２図 第３図 ２ （０） 第４図 −ギ四 φｄ Ｉへ 手 小売 ネ甫 正 書（方式） ％式％［］ 事件の表示 平成　１年　特許願　第２７９５８１号２゜ 発明の名称　　正特性サーミスタ装置、端子及び製造方
法３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　　　東京都中央区日本橋−丁目１３番１号名称　
　　（３０６）ティーデイ−ケイ株式会社代表者　　佐
　藤　　博 ４、代理人　〒１２５　　置Ｏ３（６００）　５０９０
住所　　　東京都葛飾区東金町１丁目３７番２号（内容
に変更なし）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）正特性サーミスタと、前記正特性サーミスタの電
   極に導通する端子と、前記正特性サーミスタを収納し前
   記端子を支持するケースとを備える正特性サーミスタ装
   置であって、 前記端子は、前記正特性サーミスタの前記電極に接触す
   る接触部と、外部との接続部分となる端子部と、迂回部
   と、阻止片とを有しており、前記迂回部は、前記接触部
   よりは狭幅であって、前記接触部の側方に間隔を隔てて
   配置され、前記接触部及び前記端子部を直列に接続する
   ように、一端部が前記接触部に連接されるとともに、他
   端部が前記端子部に連接されていて、しかも前記接触部
   の平面位置から浮いた位置に配置されており、 前記阻止片は、前記迂回部と対向する位置であって、前
   記接触部上の前記正特性サーミスタの配置領域外に起立
   して設けられていること を特徴とする正特性サーミスタ装置。
2. （２）一対の正特性サーミスタと、前記正特性サーミス
   タの電極に導通する端子と、前記正特性サーミスタを収
   納し前記端子を支持するケースとを備える正特性サーミ
   スタ装置であって、 前記一対の正特性サーミスタは、互いに重ねられて熱結
   合しており、 前記端子は、前記一対の正特性サーミスタの間に介在し
   て設けられる共通端子を含み、 前記共通端子は、前記正特性サーミスタの前記電極に接
   触する接触部と、外部との接続部分となる端子部と、迂
   回部と、阻止片とを有しており、 前記迂回部は、前記接触部よりは狭幅であって、前記接
   触部の側方に間隔を隔てて配置され、前記接触部及び前
   記端子部を直列に接続するように、一端部が前記接触部
   に連接されるとともに、他端部が前記端子部に連接され
   ていて、しかも前記接触部の平面位置から浮いた位置に
   配置されており、 前記阻止片は、前記迂回部と対向する位置であって、前
   記接触部上の前記正特性サーミスタの配置領域外に起立
   して設けられていること を特徴とする正特性サーミスタ装置。
3. （３）正特性サーミスタ装置に使用される端子であって
   、 前記正特性サーミスタの前記電極に接触する接触部と、
   外部との接続部分となる端子部と、迂回部と、阻止片と
   を有しており、 前記迂回部は、前記接触部よりは狭幅であって、前記接
   触部の側方に間隔を隔てて配置され、前記接触部及び前
   記端子部を直列に接続するように、一端部が前記接触部
   に連接されるとともに、他端部が前記端子部に連接され
   ていて、しかも前記接触部の平面位置から浮いた位置に
   配置されており、 前記阻止片は、前記迂回部と対向する位置であって、前
   記接触部上の前記正特性サーミスタの配置領域外に起立
   して設けられていること を特徴とする端子。
4. （４）正特性サーミスタの電極に接触する接触部と、ケ
   ースの外部に導出される端子部とを有する端子の製造方
   法であつて、 前記接触部の側方に打抜孔を形成した後、電気メッキ処
   理をし、 次に、前記打抜孔を形成する枠片の一部を切断して、一
   端部が前記接触部に連接され、他端部が前記端子部に連
   接された迂回部を形成することを特徴とする正特性サー
   ミスタ装置用端子の製造方法。
5. （５）請求項４に記載の端子の製造方法であって、 複数個の端子を、共通のフレーム上で間隔を隔てて連結
   し電気メッキ処理を施したリードフレームを使用し、 複数個の端子のそれぞれを前記フレームから切断して取
   出すこと を特徴とする正特性サーミスタ装置用端子の製造方法。