JPH03141512A - 酸化物超伝導体 - Google Patents
酸化物超伝導体Info
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- JPH03141512A JPH03141512A JP1278580A JP27858089A JPH03141512A JP H03141512 A JPH03141512 A JP H03141512A JP 1278580 A JP1278580 A JP 1278580A JP 27858089 A JP27858089 A JP 27858089A JP H03141512 A JPH03141512 A JP H03141512A
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002595 magnetic resonance imaging Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- -1 tlo Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は蓄電・送電システム、磁気浮上列車。
磁気共鳴画像処理システム等に適用される酸化物超伝導
体に関する。
体に関する。
〔従来の技術］
高い臨界温度（以下Ｔｃという）を有する酸化物超伝導
体としてはＬｎ−Ｂａ−Ｃｕ−０系（Ｌｎ：希土類元素
、 Ｔｃ：９０ Ｋ） 、 Ｂ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系（Ｔｃ：１１０ Ｋ） 、 Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系（′ｒｃ＝１２５Ｋ）等が知られている。こ
れらの酸化物はＴｃが高いのみならず、上部臨界磁場Ｈ
ｃ２も従来の金属系材料に比べて高く、高磁場発生用マ
グネットへの適用が期待されている。
体としてはＬｎ−Ｂａ−Ｃｕ−０系（Ｌｎ：希土類元素
、 Ｔｃ：９０ Ｋ） 、 Ｂ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系（Ｔｃ：１１０ Ｋ） 、 Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系（′ｒｃ＝１２５Ｋ）等が知られている。こ
れらの酸化物はＴｃが高いのみならず、上部臨界磁場Ｈ
ｃ２も従来の金属系材料に比べて高く、高磁場発生用マ
グネットへの適用が期待されている。
従来の金属系材料では、４．２に近傍で使用する際に粒
界等がピン止め点（ローレンツ力による磁束線の動きを
抑制する）として作用するので、高磁場中でも高い臨界
電流密度を有しＮｂ５Ｓｎ等では約２０Ｔ（テスラ）の
高磁場も発生可能である。
界等がピン止め点（ローレンツ力による磁束線の動きを
抑制する）として作用するので、高磁場中でも高い臨界
電流密度を有しＮｂ５Ｓｎ等では約２０Ｔ（テスラ）の
高磁場も発生可能である。
これに対して酸化物超伝導体は、例えば金属シースに充
填し、延伸加工後熱処理を施せば超伝導性を示す線材に
できるが、ウィークリンク。
填し、延伸加工後熱処理を施せば超伝導性を示す線材に
できるが、ウィークリンク。
フラッグスフリープ等の理由により、液体窒素温度では
臨界電流密度が低く、実用化への壁となっている。そこ
で酸化物超伝導体にも新たに強いピン止め点を導入する
必要がある。
臨界電流密度が低く、実用化への壁となっている。そこ
で酸化物超伝導体にも新たに強いピン止め点を導入する
必要がある。
本発明は上記技術水準に鑑み、人工のピン止め中心を有
する酸化物超伝導体を提供しようとするものである。
する酸化物超伝導体を提供しようとするものである。
以上の問題点を解決するために、本発明者らは鋭意研究
の結果、酸化物超伝導体に微細な不純物粒子を分散させ
ることによりピン止め効果が向上し、磁場中での臨界電
流密度の改善されることを確認した。本発明はこの知見
に基いて完成されたものであって、貴金属、アルミナ、
マグネシア、窒化ホウ素、窒化ケイ素及び炭化ケイ素よ
りなる群のうちの少なくとも１種以上の微細粒子を分散
させてピン止め点として作用させてなることを特徴とす
る酸化物超伝導体である。
の結果、酸化物超伝導体に微細な不純物粒子を分散させ
ることによりピン止め効果が向上し、磁場中での臨界電
流密度の改善されることを確認した。本発明はこの知見
に基いて完成されたものであって、貴金属、アルミナ、
マグネシア、窒化ホウ素、窒化ケイ素及び炭化ケイ素よ
りなる群のうちの少なくとも１種以上の微細粒子を分散
させてピン止め点として作用させてなることを特徴とす
る酸化物超伝導体である。
本発明で対象とする酸化物超伝導体は、Ｌｎ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０系（Ｌｎ ： Ｙ、 Ｌａ、 Ｃｅ、 Ｎｄ、
Ｓｍ、 Ｂｗ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ。
ｕ−０系（Ｌｎ ： Ｙ、 Ｌａ、 Ｃｅ、 Ｎｄ、
Ｓｍ、 Ｂｗ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ。
ｔｌｏ、 Ｂｒ、 Ｔｍなどの希土類元素） 、 Ｂｉ
（Ｐｂ）−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔ Ｉｔ−Ｄａ−
Ｃａ−Ｃｕ−０系であり、不純物微細粒子としては、Ａ
ｕ、 Ａｇ、 Ｐｔなどの貴金属、アルミナ、マグネシ
ア、窒化ホウ素、窒化ケイ素及び炭化ケイ素などであり
、その粒系は１μｍ以下が好ましく、また、その添加量
は０．０１〜５ｖｏβ％が好ましい。
（Ｐｂ）−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔ Ｉｔ−Ｄａ−
Ｃａ−Ｃｕ−０系であり、不純物微細粒子としては、Ａ
ｕ、 Ａｇ、 Ｐｔなどの貴金属、アルミナ、マグネシ
ア、窒化ホウ素、窒化ケイ素及び炭化ケイ素などであり
、その粒系は１μｍ以下が好ましく、また、その添加量
は０．０１〜５ｖｏβ％が好ましい。
微細な不純物微粒子がピン止め点として作用し、高磁場
中においても高い臨界電流密度を有するようになる。微
細な不純物微粒子の粒径を１μｍ以下としたのは１μｍ
を越えるとピン止めの効果が現われないためであり、・
また添加量を０．０１〜５ ｖｏ １％としたのは、Ｏ
，０１ｗｔ％未満ではピン止め効果が現われず、５ｖｏ
Ｉ１％を越えると超伝導粒子同志の接触を妨げ、臨界電
流密度の低下を引き起こすためである。
中においても高い臨界電流密度を有するようになる。微
細な不純物微粒子の粒径を１μｍ以下としたのは１μｍ
を越えるとピン止めの効果が現われないためであり、・
また添加量を０．０１〜５ ｖｏ １％としたのは、Ｏ
，０１ｗｔ％未満ではピン止め効果が現われず、５ｖｏ
Ｉ１％を越えると超伝導粒子同志の接触を妨げ、臨界電
流密度の低下を引き起こすためである。
以下、磁化特性（ピン止め効果が大きくなると磁化曲線
のヒステリシスが大きくなる）及び磁場中での臨界電流
密度の測定を行い、実施例。
のヒステリシスが大きくなる）及び磁場中での臨界電流
密度の測定を行い、実施例。
比較例により本発明の効果を立証する。
〔実施例１〕
平均粒径１μｍのＢｉ２Ｓｒ ｔｃａｚｃｕｓ口Ｘ粉末
に、平均粒径０．１μｍの銀粉末を０．１ｖｏｆ％加え
てボールミル混合を行った。混合後、粉末を直径２０ｍ
ｍのペレットに加圧成形し、８４５℃で２０時間焼結し
た。
に、平均粒径０．１μｍの銀粉末を０．１ｖｏｆ％加え
てボールミル混合を行った。混合後、粉末を直径２０ｍ
ｍのペレットに加圧成形し、８４５℃で２０時間焼結し
た。
得られた焼結体について、試料振動式磁力計を用いて７
７にで磁化測定を行った。結果を第１図に示す。
７にで磁化測定を行った。結果を第１図に示す。
〔比較例１〕
実施例１の比較として銀粉末を添加せずに、実施例１と
同様に焼結体を作製し、磁化測定を行った。結果を第１
図に併記する。
同様に焼結体を作製し、磁化測定を行った。結果を第１
図に併記する。
第１図から銀を添加したものでは磁化のヒステリシスが
大きく、ピン止め力が向上したことは明らかである。
大きく、ピン止め力が向上したことは明らかである。
〔実施例２〕
添加する微細粒子を、金、白金、アルミナ。
マグネシア、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素とし
た以外は実施例１と同じ条件で行った。
た以外は実施例１と同じ条件で行った。
その結果、実施例１と同様に第２図に示すようなヒステ
リシスの増加が確認された。
リシスの増加が確認された。
〔実施例３〕
酸化物超伝導体をＬｎＢａ２Ｃｕ３０ｘ （Ｌｎ ：
Ｙ、 Ｌａ、 Ｃｅ。
Ｙ、 Ｌａ、 Ｃｅ。
Ｎｄ、 Ｓｍ、 Ｂｗ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈ
ｏ、 Ｂｒ、 Ｔｍ、 Ｔ Ｉｔ ２８ａ２Ｃａｘ−Ｃ
ｕｓＯｘとし、実施例１と同様に銀粉末を添加して、そ
れぞれ、９２０℃、９００℃で２０時間焼結した。得ら
れた焼結体について磁化測定（７７Ｋ）をを行った結果
、いずれについても無添加と比べて磁化のヒステリシス
の増加、が確認された。
ｏ、 Ｂｒ、 Ｔｍ、 Ｔ Ｉｔ ２８ａ２Ｃａｘ−Ｃ
ｕｓＯｘとし、実施例１と同様に銀粉末を添加して、そ
れぞれ、９２０℃、９００℃で２０時間焼結した。得ら
れた焼結体について磁化測定（７７Ｋ）をを行った結果
、いずれについても無添加と比べて磁化のヒステリシス
の増加、が確認された。
〔実施例４〕
実施例１において銀粉末の添加量を０．００５゜０．０
１． ｌ、 ５． １０ｖａ１％として焼結体を作
製し、７７にで磁化測定及び直流４端子法による臨界電
流密度測定を行った。銀粉末添加量に対する磁化のヒス
テリシス、臨界電流密度の変化（いずれも０．５Ｔにふ
ける）を第３図に示す。
１． ｌ、 ５． １０ｖａ１％として焼結体を作
製し、７７にで磁化測定及び直流４端子法による臨界電
流密度測定を行った。銀粉末添加量に対する磁化のヒス
テリシス、臨界電流密度の変化（いずれも０．５Ｔにふ
ける）を第３図に示す。
第３図より、磁化のヒステリシスは添加量の増加に伴い
増加するが、１０ｖｏＪ％では粒同志の接触を妨げるた
めか臨界電流密度が低下しており、銀粉末添加量として
は０．０１〜５ｖｏ１％が適正であると言える。
増加するが、１０ｖｏＪ％では粒同志の接触を妨げるた
めか臨界電流密度が低下しており、銀粉末添加量として
は０．０１〜５ｖｏ１％が適正であると言える。
銀粉末以外の微細粒子の添加においても同様の傾向が認
められる。
められる。
〔実施例５〕
実施例１において、銀粉末の平均粒径を１゜３μｍとし
た以外は実施例１と同様に焼結体を作製した。磁化特性
を評価した結果、平均粒径１μｍではわずかに磁化のヒ
ステリシスの増加が認められたものの、平均粒径３μｍ
では無添加に比べて磁化曲線に変化は見られなかった。
た以外は実施例１と同様に焼結体を作製した。磁化特性
を評価した結果、平均粒径１μｍではわずかに磁化のヒ
ステリシスの増加が認められたものの、平均粒径３μｍ
では無添加に比べて磁化曲線に変化は見られなかった。
銀粉末以外の微細粒子の粒径も同様の傾向が認められる
。
。
以上のように、本発明によれば酸化物超伝導体に１μｍ
以下の微細な特定の添加物を分散させることによりピン
止め効果が向上し、高磁場中でも高い臨界電流密度を有
する超伝導体の作製が可能となる。
以下の微細な特定の添加物を分散させることによりピン
止め効果が向上し、高磁場中でも高い臨界電流密度を有
する超伝導体の作製が可能となる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例としての特定の微
細粒子分散の有無による磁化特性の変化を示した図表、
第３図は本発明の一実施例としての銀粉末添加量に対す
るピン止め効果（磁化ヒステリシス、臨界電流密度）の
変化を示した図表である。
細粒子分散の有無による磁化特性の変化を示した図表、
第３図は本発明の一実施例としての銀粉末添加量に対す
るピン止め効果（磁化ヒステリシス、臨界電流密度）の
変化を示した図表である。
Claims (4)
- （１）貴金属、アルミナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒
化ケイ素及び炭化ケイ素よりなる群のうちの少なくとも
１種以上の微細粒子を分散させてピン止め点として作用
させてなることを特徴とする酸化物超伝導体。 - （２）分散させる微細粒子の粒径が１μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項（１）記載の酸化物超伝導体。 - （３）分散させる微細粒子の量が全量の０．０１〜５ｖ
ｏｌ％であることを特徴とする請求項（１）又は（２）
記載の酸化物超伝導体。 - （４）酸化物超伝導体がＬｎ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（Ｌｎ
：希土類元素）、Ｂｉ（Ｐｂ）−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ
系、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系よりなる群のうちの
いずれか１種であることを特徴とする請求項（１）〜（
３）項いずれかに記載の酸化物超伝導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1278580A JPH03141512A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 酸化物超伝導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1278580A JPH03141512A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 酸化物超伝導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141512A true JPH03141512A (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=17599244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1278580A Pending JPH03141512A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 酸化物超伝導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141512A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04170321A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-06-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ビスマス系超電導材料、ならびにそれを用いた超電導線およびその製造方法 |
| JPH04224111A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-08-13 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 希土類系酸化物超電導体及びその製造方法 |
| JPH05267726A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-10-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導フィルム用ピニング構造およびその作成方法 |
| JPH05270827A (ja) * | 1991-04-01 | 1993-10-19 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
| WO2003012888A1 (fr) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de formation de films supraconducteurs |
| JP2010146941A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属被覆超電導線材用前駆体粉末および金属被覆超電導線材前駆体粉末の製造方法、金属被覆超電導線材 |
| JP2012174565A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導体形成用の原料溶液 |
| JP2015011867A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導体及び酸化物超電導導体 |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1278580A patent/JPH03141512A/ja active Pending
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