JPH05267726A

JPH05267726A - 超伝導フィルム用ピニング構造およびその作成方法

Info

Publication number: JPH05267726A
Application number: JP4340826A
Authority: JP
Inventors: Eric Dr Courtens; クルテンス・エリック; Jochen Dr Mannhart; マンハルト・ヨーヒェン
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1992-01-28
Filing date: 1992-12-22
Publication date: 1993-10-15
Also published as: EP0553593B1; DE69211117D1; DE69211117T2; CA2081142A1; EP0553593A1

Abstract

(57)【要約】【目的】ピニング・サイトが所定数で所定の場所に分
布している超伝導デバイスを設計するため、高Ｔｃ超伝
導体用の新規なピニング構造、ならびにそのピニング構
造を作成する方法を提供すること。【構成】高Ｔｃ超伝導体用のピニング構造は、基板
と、ナノメートル級の寸法で、ナノメータ範囲の相互間
隔で上記基板の表面上に付着された複数の突起３と、上
記基板上に付着され、上記突起を超伝導マトリックス中
に埋め込んでいる超伝導フィルム４とを備える。突起
は、金属または半導体または絶縁体から構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁束線の動きを案内す
るためのピニング構造を有する、低Ｔｃおよび高Ｔｃ超
伝導材料の薄膜と、このようなピニング構造を所定の場
所に作成する方法に関する。本発明は、鉛、水銀、ニオ
ブ、アルミニウムなどの金属や、ニオブ合金たとえばＮ
ｂ₃Ｓｎなどの合金のような「従来型の」超伝導体、な
らびに、たとえばＹＢａ₂Ｃｕ₂Ｏ_7-δなどのペロブスカ
イト関連材料に適用可能である。また、たとえばＢｉ₂
Ｓｒ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ_nＯ_xやＴｌ_1...2Ｂａ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ_nＯ
_xなどのより異方性の超伝導体の場合や、有機超伝導体
やフレレンス（fullerenes）にも関係がある。

【０００２】

【従来の技術】第２種超伝導体の高磁界、高電流応用分
野では、渦をピニングし、それにより磁束のクリープま
たは磁束の流れが材料内で抵抗損失を起こすのを防止す
るのに、ピニング・サイトが必要なことがよく知られて
いる。臨界温度Ｔｃ以下では、いわゆるピニング・セン
タが、超伝導体が電気抵抗を示さずに支持できる、最大
電流密度を制御する。電流密度がこの「臨界」電流密度
Ｊｃより高い場合、超伝導材料は抵抗があり、電圧Ｖが
超伝導体に沿って発生し得る。ピニング・センタの強度
は、超伝導材料中の自由電荷キャリアの濃度に依存し、
したがってたとえば印加される電界に応じてキャリア濃
度を変化させることにより制御可能である。この効果
は、欧州特許出願第９１８１０００６．６号に記載され
ている電界効果トランジスタで用いられている。

【０００３】ピニング・センタ生成の際の欠陥の候補と
しては、点欠陥、線欠陥、面欠陥、３次元包含物があ
る。高Ｔｃ超伝導体のコヒーレンス長が短いので、後二
者の欠陥ピニング・センタは、電流の流れが使用できる
面積をかなり減少させることにより、臨界電流をひどく
低下させる可能性がある。

【０００４】超伝導体の動作が散逸的とならないために
は、熱エネルギー（ｋ_BＴ）より著しく大きなピニング
・エネルギーが必要である。高Ｔｃ超伝導体におけるピ
ニング・エネルギーの測定から、異方性（ξ_ab／ξ_c）
の増大に応じてピニング・エネルギーが減少することが
判明している。このことから、異方性高Ｔｃ超伝導体を
中庸温度（すなわちＴｃのスケールで中程度）で高磁界
中で使用することは実用的でないと結論される。（Ｔ．
Ｔ．Ｍ．パルストラ（Palstra）等の論文 "Role of ani
sotropy in the dissipative behavior of high-temper
ature superconductors"、（Phys.Rev. B. Vol. 43、N
o. 4(1991)、pp.3756〜3759参照）。この結論は、点欠
陥が主要なピニング・サイトとなっていると考えられ
る、高Ｔｃ超伝導体化合物のバルク成長単結晶における
ピニング・エネルギーの測定に基づいている。

【０００５】高Ｔｃ超伝導体のエピタキシャル・フィル
ムは、７７Ｋで約６×１０⁶Ａ／ｃｍ²という非常に大き
な臨界電流密度をもつことが知られている。チョーダリ
(Chaudhari) 等は、"Earlier and Recent Aspects of
Superconductivity"、Springer Series in Solid-State
Sciences)、Vol.90、シュプリンガー出版、ベルリン、
1990年、pp.201〜207で、このような大きさの電流密度で
は、磁束量子用の強力なピニング・センタが必要なこと
を指摘している。上記の著者達は、ピニング・センタが
転位場所に存在することを示唆した。

【０００６】エピタキシャルＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ材料を
走査型トンネル電子顕微鏡で撮影することにより、Ｃ
ｈ．ゲルバー (Gerber) 等は、"Screw dislocations in
high-Tc films" 、Nature、 Vol.350(1991)、pp279〜28
0で、密度が約１０⁹／ｃｍ²のらせん転位を観察した。
こうしたらせん転位の濃度は、基板中の濃度より３〜４
桁高く、高い転位密度が、スパッタされた高Ｔｃ超伝導
フィルムに固有の特性であることを示唆している。

【０００７】アンセルメッティ (Anselmetti) 等は、欧
州特許出願第９１８１０４７０．４号明細書で、超伝導
層の成長パラメータを適当に変えることにより、高Ｔｃ
超伝導体における転位密度を増加させる方法を教示して
いる。彼らの提案は、ピニング・サイトの数に有利な影
響を及ぼすが、形成されつつある超伝導層の特性を危険
にさらすことなく、成長パラメータを変化させることが
できるのはごく狭い範囲なので、限界がある。また、ピ
ニング・サイトの材料内での最終分布はランダムであ
り、それを所定の場所に配置する方法に関する示唆は開
示されていない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】超伝導フィルムの高い
電流密度を許容できる能力が、ピニング・サイトの数お
よび密度に依存することを考慮して、本発明の一目的
は、ピニング・サイトの数を増加させ、それを所定の場
所に位置決めして、超伝導材料の電流密度許容性を最適
にする方法を教示することにある。

【０００９】本発明のもう１つの目的は、従来技術の欠
点を克服し、ピニング・サイトが所定数で所定の場所に
分布している超伝導デバイスを設計するため、高Ｔｃ超
伝導体用の新規なピニング構造、ならびにそのピニング
構造を作成する方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、複数の
非超伝導性の突起形状を、超伝導フィルムを担持しよう
とする基板上に人工的に形成し、後で、これらの突起
を、それがピニング・サイトとして働く対象となる超伝
導薄膜に埋め込むことを提案している。これらの突起が
とる形状は特に重要ではなく、その作成方法に応じて、
球やほぼ円柱の形状をとる。いずれにせよ、それらの突
起の高さを、それを埋め込もうとする超伝導層の厚さま
でに制限することがその狙いである。これらの突起は、
埋め込んだ後は、超伝導フィルム中の包含物と見なすこ
とができる。

【００１１】適当な基板上に突起を作成することは、通
常の付着技法で行うことができる。たとえば、非常に様
々なエピタキシャル法が使用でき、当分野の専門家なら
それをリソグラフィ法と併用して、所望のどんな種類の
突起でも形成できる。走査型トンネル顕微鏡の制御下
で、またはレーザ支援技法を使って付着を行う場合に
は、寸法がナノメートル級の支柱をナノメートル範囲の
相互間隔で、すなわち非常に高密度で生成することが可
能になる。好都合なことに、有機気体化合物を含めて、
気体金属含有化合物の分解により、支柱が作成できる。

【００１２】この種の有用な技法は、たとえば、欧州特
許出願第０１６６３０８号および欧州特許出願第０１９
６３４６号ならびにＭ．Ａ．マッコード (McCord) 等の
論文"Direct Deposition of 10-nm Metallic Features
with the Scanning Tunneling Microscope"、J. Vac. S
ci. Technol. B6(6)、1988年11月/12月、pp.1877以下、
Ｅ．Ｅ．エーリッヒス (Ehrichs) 等の論文"Direct Wir
ing with the Scanning Tunneling Microscope"、J. Va
c. Sci. Technol. A6(6)、1988年3月/4月、pp.540以
下、Ｒ．Ｍ．オズグッド (Osgood) 等の論文"Laser-Ind
uced Chemistry for Microelectronics"、Science、Vo
l.277(1985)、No.4688、pp.709〜714に記載されている。

【００１３】本発明は、所定数の包含物および関連する
ピニング・センタを超伝導材料の格子内の所定の場所に
含んでいる超伝導体のピニング構造であって、結晶質基
板が結晶面を有し、上記結晶面が非超伝導材料からなる
複数の突起を所定の場所に担持し、上記突起がナノメー
トル級の寸法で、縦軸があればそれが上記結晶面に対し
て垂直の方向を向き、上記突起担持基板上に超伝導材料
のフィルムが付着され、上記複数の突起が、上記基板表
面に形成された超伝導フィルムのマトリックス中に埋め
込まれていることを特徴とする、ピニング構造を対象と
している。

【００１４】さらに、本発明は、超伝導材料中に所定数
の包含物を導入し、超伝導材料の格子内の所定の場所に
関連するピニング・センタを導入することにより、超伝
導体中にピニング構造を作成する方法であって、超伝導
材料をエピタキシャル成長させる結晶面（２）を有する
結晶質構造を設け、上記基板の所定の場所に、ナノメー
トル級の寸法をもち、縦軸があればそれが上記結晶面に
対して垂直の方向に向いた、非超伝導材料からなる複数
の突起を付着させ、上記基板上に超伝導フィルムを付着
させ、上記突起を上記基板表面上に形成しつつある超伝
導フィルムのマトリックス中に埋め込むことを特徴とす
る方法に関する。

【００１５】

【実施例】本発明は、一般に、そのうちのいくつかを上
記で挙げた、ある種の金属および若干の合金によって代
表される「従来型の」超伝導体、ならびにペロブスカイ
ト型の「高Ｔｃ」セラミック酸化物超伝導体に適用可能
であるが、以下の説明では、その現在における重要性を
鑑みて、また説明をできるだけ簡単にするために、後者
を中心に扱うことにする。超伝導技術の専門家なら、類
推するのに問題はないはずである。

【００１６】大部分の場合、格子欠陥をできるだけ避け
るため、その格子定数が超伝導材料の格子定数に妥当に
近い材料から構成されている、結晶質基板１の（１０
０）面２上に、高Ｔｃ超伝導材料をエピタキシャル成長
させる。最も普通の基板材料は、チタン酸ストロンチウ
ムＳｒＴｉＯ₃である。その他の可能な基板材料には、
ルテニウム酸ストロンチウムＳｒ₂ＲｕＯ₄、酸化マグネ
シウムＭｇＯ、酸化ランタンアルミニウムＬａＡｌ
Ｏ₃、酸化ランタンガリウムＬａＧａＯ₃などがある。

【００１７】高Ｔｃ超伝導材料は、ＹＢａ₂Ｃｕ₃０_7-δ
とより異方性のたとえばＢｉ₂Ｓｒ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ_nＯ_xや
Ｔｉ₁…₂Ｂａ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ₂Ｏ_xを含む群から選択でき
る。これらの例で、０≦δ≦１、２≦ｎ≦６、５≦ｘ≦
９である。適切な超伝導材料の他の例は、後述する表に
示す。

【００１８】図１を参照すると、本発明は、基板１の作
成から始まり、その表面２上に、まず既知のいずれかの
付着法を用いて、非超伝導材料の突起（すなわち支柱）
３を付着させる。支柱３は、金属または半導体材料また
は絶縁体材料からなるものでよい。比較的非超伝導性の
材料、すなわち上に重ねる超伝導材料と異なる臨界温度
Ｔｃをもつ超伝導材料の支柱を作成することを考えても
よい。

【００１９】支柱３を作成する好ましい方法は、鋭く尖
らせたトンネル・ティップから放出される電子ビームに
よって解離し得る、分解可能な金属含有気体で満たした
（たとえば、欧州特許出願第０１７８３３６号明細書に
記載されているような）真空チェンバに基板を入れるス
テップを含んでいる。

【００２０】金属支柱３を付着させるのに有用な気体の
例は、トリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ₃）₃、六フッ
化タングステンＷＦ₆、タングステンヘキサカルボニル
Ｗ（Ｃｏ）₆、ニッケルヘキサカルボニルＮｉ（Ｃ
Ｏ）₆、三フッ化ホウ素ＢＦ₃、ジシランＳｉ₂Ｈ₆、アル
シンＡｓＨ₃などである。これらの気体はそれぞれ特有
の解離エネルギーをもち、トンネル装置のパラメータ
は、使用する気体の解離エネルギーが妥当な近さで一致
するように調節する。もちろん、支柱３の付着に２種以
上の気体の組合せを使って、最終的には、使用する金属
の合金から支柱が構成されるようにしてもよい。使用可
能であるが、もちろん異なる付着技法を必要とする他の
金属には、金、銀、ニオブ、鉄、コバルトがある。

【００２１】走査型顕微鏡法の分野の専門家なら、気体
を充填した真空チェンバ内部で、トンネル・チップを、
基板１の表面２上の支柱３を生成しようとするスポット
の上方に配置すること、およびトンネル・ギャップの両
側に電位を印加することが分かるはずである。気相から
の付着が直径の非常に小さなチップを使って行われるた
めに、生成される支柱も非常に細く、すなわちナノメー
トルの範囲にある。チップを基板１の表面２上でＸＹ変
位させることにより、特定の応用分野で必要とされる、
支柱３の密なパターンを作成することができる。

【００２２】上記の支柱のレーザ支援付着にも、同様の
原則が有効であり、したがって、ここではそのより詳し
い説明は不要と思われる。また、当分野の専門家なら、
半導体材料や絶縁体材料の支柱を作成する方法を知って
いるはずである。

【００２３】支柱３のパターンの作成完了後、標準の成
長技法により、超伝導フィルム４を同じ基板１上に付着
させる。その結果、非超伝導体支柱３が超伝導マトリッ
クス中に埋め込まれる。支柱３は、非超伝導性であると
同時に直径が非常に小さいので、超伝導フィルム４の表
面に対し垂直な方向を向いた、磁束量子にとってすぐれ
たピニング・サイトを形成する。

【００２４】高Ｔｃ銅酸化物類の超伝導材料の発見以
来、多くの化合物が調査されて来た。これまでのところ
最良と考えられている材料は、ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δであ
る。次表に、本発明に関して使用できるその他の材料
（上記で挙げたものを含めて）を、その説明が出ている
それぞれの参照文献と共に示す。超伝導体の組成参照文献 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−ＣｕＯ欧州特許出願第０３３２３０９号明細書Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｙ−ＣｕＯ欧州特許出願第０３６８２１０号明細書Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−ＣｕＯ欧州特許出願第０３３２２９１号明細書欧州特許出願第０３６２０００号明細書欧州特許出願第０３６６５１０号明細書Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｂａ−ＣｕＯ欧州特許出願第０３４８８９６号明細書Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−ＣｕＯ欧州特許出願第０４００６６６号明細書Ｌａ−Ｙ−Ｂｉ−Ｓｒ−ＣｕＯ欧州特許出願第０２８７８１０号明細書Ｅｕ−Ｂａ−ＣｕＯ欧州特許出願第０３１０２４６号明細書Ｙｂ−Ｂａ−ＣｕＯ欧州特許出願第０３１０２４７号明細書Ｓｒ−Ｌａ−ＣｕＯ欧州特許出願第０３０１９５８号明細書

【００２５】たとえば、薄いＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δフィル
ム（０≦δ≦１）は、通常の製法、直流陰極マグネトロ
ン・スパッタリングまたはレーザ・アブレーションのい
ずれかによって成長させることが好ましい。スパッタさ
れたフィルムは、転位密度が１〜５０×１０⁵／ｃｍ²の
ドーピングなしのまたはＮｂでドープしたＳｒＴｉＯ₃
基板の（１００）面など、原子的に平坦な研磨した低屈
折率の表面上に成長させることができる。スパッタ速度
は、０．０１〜０．５ｎｍ／ｓの成長速度に対応する１
５０〜１８０Ｖおよび２６０〜５００ｍＡの間でプラズ
マ放電を調節することによって変えられるが、それ以外
のスパッタ・パラメータは、ヒータ・ブロック温度７５
０℃、全周囲圧（Ａｒ／Ｏ₂＝２：１）０．８７ミリバ
ール、成長後冷却が０．５バールのＯ₂零囲気中で約１
時間と、一定値に保つ。

【００２６】高い空間分解能が既知の技法を用いて達成
できるので、複数の基本的ピニング支柱３を非常に小さ
い面積上の磁束線用に製造し、それをよく制御された形
で所与の基板１上のどこにでも配置することが可能にな
る。このように設計された構造は、図３に示すように、
磁束線を案内することが可能である。超伝導フィルム４
を支柱３が貫通している領域では、磁束線５が、支柱３
への強いピニングによって定位置に保持される。これら
の領域の間では、磁束線５は強いピニングの領域によっ
て案内されて、自由に移動することができる。

【００２７】以上の構造は、磁束線をジョセフソン伝送
線に注入し、またはメモリ応用分野で磁束線を記憶域に
移動させるのに、あるいは他の同様な目的に使用でき
る。さらに、図４に示すように、非超伝導性の微細形状
を使って、ナノメートル規模の超伝導マイクロブリッジ
６を製造することもできる。超伝導オリフィス７の長さ
と幅を、使用する高Ｔｃ化合物の超伝導コヒーレンス長
と同程度にすることが可能なので、高Ｔｃ材料からなる
こうしたマイクロブリッジは、全ての高Ｔｃジョセフソ
ン接合としても使用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による、その上に支柱を成長させた基板
の断面図である。

【図２】図１の支柱担持基板上に付着された、超伝導フ
ィルムの断面図である。

【図３】磁束線の移動経路が本発明の支柱によって規定
される、高Ｔｃ超伝導フィルムの上面図である。

【図４】本発明のジョセフソン接合への応用例を示す図
である。

【符号の説明】

１基板２基板表面３支柱４超伝導フィルム５磁束線６超伝導マイクロブリッジ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡＺ 8728−4Ｍ (72)発明者マンハルト・ヨーヒェンドイツ連邦共和国シー・エイチ−8800、タールヴィル、アルテ・ラントシュトラーセ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定数の包含物および関連するピニング・
センタが超伝導材料の格子内の所定の場所に設けられて
いる超伝導体のピニング構造であって、結晶質基板が結晶面を有し、上記結晶面が所定の場所に
非超伝導材料からなる複数の突起を有し、上記突起が、
ナノメートル級の寸法で、縦軸があればそれが上記結晶
面に対して垂直の方向に向き、上記の突起を有する基板
上に超伝導材料のフィルムが付着され、上記の複数の突
起が上記基板表面上に形成された超伝導フィルムのマト
リックス中に埋め込まれている、上記ピニング構造。
【請求項２】上記基板が、チタン酸ストロンチウムＳｒ
ＴｉＯ₃、ルテニウム酸ストロンチウムＳｒ₂ＲｕＯ₄、
酸化マグネシウムＭｇＯ、酸化ランタンアルミニウムＬ
ａＡｌＯ₃および酸化ランタンガリウムＬａＧａＯ₃から
成る群のうちの１つの材料から構成されることを特徴と
する、請求項１のピニング構造。
【請求項３】上記突起が、金、銀、ニオブ、鉄、コバル
ト、アルミニウム、タングステン、ニッケル、ホウ素、
ヒ素およびそれらの合金から成る群のうちの１つの導電
材料から構成されることを特徴とする、請求項１のピニ
ング構造。
【請求項４】上記突起が、シリコン、セレン、テルル、
シリコン・カーバイドＳｉＣ、ガリウムヒ素ＧａＡｓ、
ガリウム・アルミニウム・ヒ素ＧａＡｌＡｓ、ガリウム
・リンＧａＰ、インジウム・リンＩｎＰ、ガリウム・ア
ンチモンＧａＳｂ、インジウム・アンチモンＩｎＳｂ、
カドミウム・セレンＣｄＳｅおよびジンク・セレンＺｎ
Ｓｅから成る群のうちの半導体材料から構成されること
を特徴とする、請求項１のピニング構造。
【請求項５】上記突起が、二酸化シリコンＳｉＯ₂、一
酸化シリコンＳｉＯ、窒化ホウ素ＢＮ、窒化シリコンＳ
ｉ₃Ｎ₄および酸化アルミニウムＡｌ₂Ｏ₃からなる群のう
ちの１つの絶縁材料から構成されることを特徴とする、
請求項１のピニング構造。
【請求項６】突起担持基板上に付着された超伝導フィル
ムが、酸化イットリウムバリウム銅ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ
（０≦δ≦１）、酸化ビスマスストロンチウムカルシウ
ム銅Ｂｉ₂Ｓｒ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ_nＯ_xおよび酸化タンタルバ
リウムカルシウム銅Ｔｌ_1...2Ｂａ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ_nＯ
_x（２≦ｎ≦６、５≦Ｘ≦９）およびＴｌＢａ₂（Ｃａ
_0.9Ｙ_0.1）₃Ｃｕ₄Ｏ₁₁からなる群のうちの１つの化合物
から構成されることを特徴とする、請求項１のピニング
構造。
【請求項７】所定数の包含物を超伝導材料中に導入し、
超伝導材料の格子内の所定の場所に関連するピニング・
センタを導入することにより、高Ｔｃ超伝導体中にピニ
ング構造を作成する方法であって、超伝導材料をその上にエピタキシャル成長させるべき結
晶面を有する結晶質構造を設けることと、上記基板の表面上の所定の場所に、ナノメートル級の寸
法で、縦軸があればそれが上記表面に対し垂直の方向に
向いた、非超伝導材料からなる複数の突起を付着するこ
とと、同じ突起担持基板上に超伝導フィルムを、上記突起が上
記基板表面上に形成されつつある超伝導フィルムのマト
リックス中に埋め込まれるように付着する上記方法。
【請求項８】基板材料が、チタン酸ストロンチウムＳｒ
ＴｉＯ₃、ルテニウム酸ストロンチウムＳｒ₂ＲｕＯ₄、
酸化マグネシウムＭｇＯ、酸化ランタンアルミニウムＬ
ａＡｌＯ₃および酸化ランタンガリウムＬａＧａＯ₃から
なる群から選択されることを特徴とする、請求項７の方
法。
【請求項９】上記突起用材料の付着が、基板表面の複数
の所定場所からトンネル距離の所に位置するトンネル・
チップを用いた、金属含有気体雰囲気の解離によること
を特徴とする、請求項７の方法。
【請求項１０】上記突起の付着材料に用いられる気体
が、トリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ₃）₃、六フッ化
タングステンＷＦ₆、タングステンヘキサカルボニルＷ
（ＣＯ）₆、ニッケルヘキサカルボニルＮｉ（ＣＯ）₆、
三フッ化ホウ素ＢＦ₃、ジシランＳｉ₂Ｈ₆およびアルシ
ンＡｓＨ₃からなる群から選択されることを特徴とす
る、請求項７の方法。
【請求項１１】上記突起の付着に用いられる材料が、シ
リコン、セレン、テルル、シリコン・カーバイドＳｉ
Ｃ、ガリウム・ヒ素ＧａＡｓ、ガリウム・アルミニウム
ヒ素ＧａＡｌＡｓ、ガリウム・リンＧａＰ、インジウム
・リンＩｎＰ、ガリウム・アンチモンＧａＳｂ、インジ
ウム・アンチモンＩｎＳｂ、カドミウム・セレンＣｄＳ
ｅおよびジンク・セレンＺｎＳｅからなる群のうちから
選択された半導体材料であることを特徴とする、請求項
７の方法。
【請求項１２】突起担持基板（１）上に付着されている
超伝導フィルムの材料が、酸化イットリウムバリウム銅
ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ（０≦δ≦１）、Ｂｉ₂Ｓｒ₂Ｃａ_n-1 Ｃｕ_nＯ_x、Ｔｌ_1...2Ｂａ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ_nＯ_x（２≦ｎ
≦６、５≦Ｘ≦９）およびＴｌＢａ₂（Ｃａ_0.9Ｙ_0.1）₃
Ｃｕ₄Ｏ₁₁からなる群のうちから選択されることを特徴
とする、請求項７の方法。