JPH0768062B2 - 酸化物超伝導体の製造法 - Google Patents

酸化物超伝導体の製造法

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JPH0768062B2
JPH0768062B2 JP2247359A JP24735990A JPH0768062B2 JP H0768062 B2 JPH0768062 B2 JP H0768062B2 JP 2247359 A JP2247359 A JP 2247359A JP 24735990 A JP24735990 A JP 24735990A JP H0768062 B2 JPH0768062 B2 JP H0768062B2
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廉 井上
久 関根
幸一 沼田
博一 山本
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は蓄電・送電システム、磁気浮上列車、磁気共鳴
画像処理システム等に適用される酸化物超伝導体の製造
方法に関する。
〔従来の技術〕
高い臨海温度(以下Tcという)を有する酸化物超伝導体
としてはLn−Ba−Cu−O系(Ln:希土類元素,Tc90
K)、Bi−Sr−Ca−Cu−O系、(Tc110K)、Tl−Ba−C
a−Cu−O系(Tc125K)等が知られている。これらの
酸化物はTcが高いのみならず、上部臨界磁場Hc2も従来
の金属系材料に比べて高く、高磁場発生用マグネットへ
の適用が期待されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の金属系材料では、4.2K近傍で使用する際に粒界等
がピン止め点(ローレンツ力による磁束線の動きを制御
する)として作用するので、高磁場中でも高い臨界電流
密度を有しNb3Sn等では約20T(テスラ)の高磁場も発生
可能である。
これに対して酸化物超伝導体は、例えば金属シースに充
填し、延伸加工後熱処理を施せば超伝導性を示す線材に
できるが、ウィークリンク,フラックスリープ等の理由
により、液体窒素温度では臨界電流密度が低く、実用化
への壁となっている。そこで酸化物超伝導体にも新たに
強いピン止め点を導入する必要がある。
本発明は上記技術水準に鑑み、人工のピン止め中心を有
する酸化物超伝導体の製造方法を提供しようとするもの
である。
〔課題を解決するための手段〕
以上の問題点を解決するために、本発明者らは鋭意研究
の結果、酸化物超伝導体に微細な不純物粒子を分散させ
ることによりピン止め効果が向上し、磁場中での臨界電
流密度の改善されること確認した。本発明はこの知見に
基づいて完成されたものであって、貴金属、アルミニウ
ム、マグネシウムよりなる群のうち少なくとも1種以上
の金属元素を含む溶液を酸化物超伝導体粉末に含浸担持
させた後、焼結を行い、生成する微粒子を酸化物超伝導
体中に分散させることからなり、その際貴金属は0、01
vol%以上1vol%未満、アルミナ又はマグネシアは0.01
〜5vol%の割合となるようにしたことを特徴とする酸化
物超伝導体の製造方法である。
本発明の上記製造方法において、製造された酸化物超伝
導体中に分散した貴金属、アルミナ、マグネシアよりな
る群のうちの少なくとも1種以上の微粒子の量が貴金属
の場合は全量0、01vol%以上、1vol%未満、アルミナ
又はマグネシアの場合は全量の0.01〜5vol%になるよう
に、貴金属(Au,Ag,Ptなど)、アルミニウム、マグネシ
ウムよりなる群のうちの少なくとも1種以上の金属元素
を含む溶液を酸化物超伝導体粉末に含浸担持させること
が好ましい。また、これらの貴金属、アルミニウム、マ
グネシウムなとの貴金属元素は、それらの塩(硝酸塩,
塩化物,酢酸塩など)、錯体及びアルコキシドの形状に
して溶液状で酸化物超伝導体粉末に含浸させるのが好ま
しい。
本発明で対象とする酸化物超伝導体としては、Ln−Ba−
Cu−O系(Ln:Y,La,Ce,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tmな
どの希土類元素)、Bi−(Pb)−Sr−Ca−Cu−O系、Tl
−Ba−Ca−Cu−O系などがあげられる。
〔作 用〕
微細な貴金属、アルミナ、マグネシアなどの不純物粒子
がピン止め点として作用し、高磁場中においても高い臨
界電流密度を有するようになる。微細な不純物の添加量
を0.01〜5vol%としたのは、0.01vol%未満でピン止め
効果が現われず、5vol%を越えると超伝導粒子同志の接
触を妨げ、臨界電流密度の低下を引き起こすためであ
る。
以下、磁化特性(ピン止め効果が大きくなると磁化曲線
のヒステリシスが大きくなる)及び磁場中での臨界電流
密度の測定を行い、実施例,比較例により本発明の効果
を立証する。
〔実施例1〕 Bi2Sr2Ca2Cu3Ox粉末に、0.01M AgNO3水溶液をAgとして
0.1vol%となるように含浸担持した後、乾燥(150℃,30
分)、熱処理(600℃,5時間)した。得られた粉末を直
径20mmのペレットに加圧成形し、845℃で20時間焼結し
た。
得られた焼結体について、振動試料式磁力計を用いて77
Kで磁化測定を行った。結果を第1図に示す。
〔比較例1〕 実施例1の比較として銀を添加せずに、実施例1と同様
に焼結体を作製し、磁化測定を行った。結果を第1図に
併記する。
第1図から銀を添加したものでは磁化のヒステリシスが
大きく、ぴん止め力が向上したことは明らかである。
〔実施例2〕 添加する物質を塩化金、クロロ白金酸、硝酸アルミニウ
ム、硝酸マグネシウムとした以外は実施例1と同じ条件
で行った。
その結果、実施例1と同様に第2図に示すようなヒステ
リシスの増加が確認された。
〔実施例3〕 酸化物超伝導体をLuBa2Cu3Ox(Lu:Y,La,Ce,Nd,Sm,Eu,G
d,Tb,Dy,Ho,Er,Tm)、Tl2Ba2Ca2−Cu3Oxとし、実施例1
と同様に銀を添加して、それぞれ、920℃,900℃で20時
間焼結した。得られた焼結体について磁化測定(77K)
を行った結果、いずれについても無添加と比べて磁化の
ヒステリシスの増加が確認された。
〔実施例4及び参考例〕 実施例1において銀の添加量を0.005,0.01vol%(以上
実施例4),1,5,10vol%(以上参考例)として焼結体を
作製し、77Kで磁化測定及び直流4端子法による臨界電
流密度測定を行った。銀添加量に対する磁化のヒステリ
シス、臨界電流密度の変化(いずれも0.5Tにおける)を
第3図に示す。
第3図により、磁化のヒステリシスは添加量の増加に伴
い増加するが、10vol%では粒同志の接触を妨げるため
か臨界電流密度が低下しており、銀添加量としては0.01
〜5vol%が適当であると言える。
銀以外の添加においても同様の傾向が認められる。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば酸化物超伝導体に含浸法
で特定の添加物を分散させることによりピン止め効果が
向上し、高磁場中でも高い電解電流密度を有する超伝導
体の作製が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の一実施例としての特定の添
加物の有無による磁化特性の変化を示した図表、第3図
は本発明の一実施例としての銀添加量に対するピン止め
効果(磁化ヒステリシス,臨界電流密度)の変化を示し
た図表である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関根 久 茨城県つくば市千現1―2―1 科学技術 庁金属材料技術研究所筑波支所内 (72)発明者 沼田 幸一 神奈川県横浜市金沢区幸浦1丁目8番地1 三菱重工業株式会社基盤技術研究所内 (72)発明者 山本 博一 神奈川県横浜市金沢区幸浦1丁目8番地1 三菱重工業株式会社基盤技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−291857(JP,A) 特開 昭64−21034(JP,A) 特開 昭63−236747(JP,A)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】貴金属、アルミニウム、マグネシウムより
    なる群のうち少なくとも1種以上の金属元素を含む溶液
    を酸化物超伝導体粉末に含浸担持させた後、焼結を行
    い、生成する微粒子を酸化物超伝導体中に分散させるこ
    とからなり、その際貴金属は0、01vol%以上の1vol%
    未満、アルミナ又はマグネシウムは0.01〜5vol%の割合
    となるようにしたことを特徴とする酸化物超伝導体の製
    造法。
  2. 【請求項2】酸化物超伝導体がLn−Ba−Cu−O系(Ln:
    希土類元素)、Bi−(Pb)−Sr−Ca−Cu−O系、Tl−Ba
    −Ca−Cu−O系よりなる群のうちの1種であることを特
    徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の酸化物超伝導
    体の製造法。
JP2247359A 1990-09-19 1990-09-19 酸化物超伝導体の製造法 Expired - Lifetime JPH0768062B2 (ja)

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CA1340569C (en) * 1987-05-05 1999-06-01 Sungho Jin Superconductive body having improved properties, and apparatus and systems comprising such a body

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