JPH0313383A - 光ディスクメモリ媒体 - Google Patents
光ディスクメモリ媒体Info
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- JPH0313383A JPH0313383A JP1148918A JP14891889A JPH0313383A JP H0313383 A JPH0313383 A JP H0313383A JP 1148918 A JP1148918 A JP 1148918A JP 14891889 A JP14891889 A JP 14891889A JP H0313383 A JPH0313383 A JP H0313383A
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- film
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- recording film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光ディスクメモリ媒体に関し、
製造が容易で、かつ、安定した樹脂膜からなる光ディス
クメモリ媒体を実現することを目的とし、ポリ弗化ビニ
リデンを重量比で３５％〜５５％含有するポリ弗化ビニ
リデンとポリメチルメタクリレートの固溶体からなる樹
脂組成物の記録膜を基板上に形成し、前記記録膜にレー
ザ光を照射して生じた光透過率低下部分を情報記録ビッ
トとなし、 前記情報記録ビットからレーザ光により記
録情報を読み出すことを特徴として光ディスクメモリ媒
体を構成する。
クメモリ媒体を実現することを目的とし、ポリ弗化ビニ
リデンを重量比で３５％〜５５％含有するポリ弗化ビニ
リデンとポリメチルメタクリレートの固溶体からなる樹
脂組成物の記録膜を基板上に形成し、前記記録膜にレー
ザ光を照射して生じた光透過率低下部分を情報記録ビッ
トとなし、 前記情報記録ビットからレーザ光により記
録情報を読み出すことを特徴として光ディスクメモリ媒
体を構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は光ディスクメモリ媒体、とくに製造容易な追記
型光ディスクメモリ媒体に関する。
型光ディスクメモリ媒体に関する。
近年、レーザ光を用いて情報の記録・再生・消去を行な
う光デイスク装置および記録媒体である光ディスクの発
達は目覚ましく、と（に、再生専用型の光ディスクはビ
デオ・ディスクやコンパクト・ディスク（ＣＤ）として
民生用光ディスクとして広く普及している。
う光デイスク装置および記録媒体である光ディスクの発
達は目覚ましく、と（に、再生専用型の光ディスクはビ
デオ・ディスクやコンパクト・ディスク（ＣＤ）として
民生用光ディスクとして広く普及している。
一方、コンピュータ周辺機器としての超大容量メモリに
対しては、ユーザ自身が情報を記録・再生できる。いわ
ゆる、追記型光ディスクが注目され一部で実用化されは
じめているが、さらに、記録・再生の安定性や低価格化
などが求められている。
対しては、ユーザ自身が情報を記録・再生できる。いわ
ゆる、追記型光ディスクが注目され一部で実用化されは
じめているが、さらに、記録・再生の安定性や低価格化
などが求められている。
再生専用型の光ディスクは、直径１μｍφ以下のビット
と呼ばれる台形の凹凸が、１．６μｍ間隔のトラックに
情報記録ビットとして、予め刻み込まれており、その記
録密度は超ＬＳＩに匹敵する微細度であるにも係わらず
、現在ビデオ・ディスクやコンパクト・ディスク（ＣＤ
）として大量に製造されている。
と呼ばれる台形の凹凸が、１．６μｍ間隔のトラックに
情報記録ビットとして、予め刻み込まれており、その記
録密度は超ＬＳＩに匹敵する微細度であるにも係わらず
、現在ビデオ・ディスクやコンパクト・ディスク（ＣＤ
）として大量に製造されている。
一方、追記型光ディスクは実用化が一部開始された段階
で、今後なお改善すべき多くの点があり種々の提案がな
されている状況である。
で、今後なお改善すべき多くの点があり種々の提案がな
されている状況である。
第５図は光デイスク装置（追記型光ディスク）の従来の
一例の基本構成図で、多くの例の中から代表的なものと
して示したものである。
一例の基本構成図で、多くの例の中から代表的なものと
して示したものである。
追記型光ディスク５０の記録面上には、光ヘッドがトラ
ックに追従するためのトラック案内溝１５が予め形成さ
れており、この上に記録膜１０（たとえばＴｅ−５ｅ系
材料）を厚さ約３０ｎｍで形成しである。
ックに追従するためのトラック案内溝１５が予め形成さ
れており、この上に記録膜１０（たとえばＴｅ−５ｅ系
材料）を厚さ約３０ｎｍで形成しである。
トラック案内溝１５は通常スパイラル状をなし、トラッ
ク１周が複数個（たとえば６４個）のセクタに分割され
ている。各セクタの先頭には、トラックおよびセクタの
アドレス信号が予め凹凸のビット（穴）としてディスク
基板上に記録されており、これを目当てに光ヘッドはア
クセスを行なう。
ク１周が複数個（たとえば６４個）のセクタに分割され
ている。各セクタの先頭には、トラックおよびセクタの
アドレス信号が予め凹凸のビット（穴）としてディスク
基板上に記録されており、これを目当てに光ヘッドはア
クセスを行なう。
光ヘッドは記録再生糸１００１焦点信号検出系３００゜
トラッキング信号検出系２００から構成されている。
トラッキング信号検出系２００から構成されている。
情報の記録・再生は１個の半導体レーザ１２０で行い、
記録時には出力的２０ｍＷで情報に応じてパルス発振さ
せ、記録膜１０に直径約０．８μｍのビットをあける。
記録時には出力的２０ｍＷで情報に応じてパルス発振さ
せ、記録膜１０に直径約０．８μｍのビットをあける。
再生時には３〜４ｍＷで連続発振させ、ビットの有無に
よる反射光量の変化を検出している。
よる反射光量の変化を検出している。
なお、焦点信号検出系３００およびトラッキング信号検
出系２００はレーザ光点をトラック上に確実に位置制御
するための制御信号を検出するのに使用している。
出系２００はレーザ光点をトラック上に確実に位置制御
するための制御信号を検出するのに使用している。
しかし、上記従来例のＴｅ系記録膜を使用する方式は、
記録膜にレーザの熱でビット（穴）をあけるプロセスな
ので、信号記録面を他の物質で密着保護することが困難
である。したがって、基板に成膜された記録面を内側に
してエア・サンドイッチ状に貼り合わせ、信号面の保護
を兼ねる構造としている。このような構造上の複雑さの
問題に加へて、これら複合金属材料自体の耐湿度特性が
よくなく長寿命を期待できないこと、さらに、膜の形成
に大規模、かつ、高価な設備を必要とするなどの問題が
あり、その解決が必要であった。
記録膜にレーザの熱でビット（穴）をあけるプロセスな
ので、信号記録面を他の物質で密着保護することが困難
である。したがって、基板に成膜された記録面を内側に
してエア・サンドイッチ状に貼り合わせ、信号面の保護
を兼ねる構造としている。このような構造上の複雑さの
問題に加へて、これら複合金属材料自体の耐湿度特性が
よくなく長寿命を期待できないこと、さらに、膜の形成
に大規模、かつ、高価な設備を必要とするなどの問題が
あり、その解決が必要であった。
上記の課題は、ポリ弗化ビニリデンを重量比で３５％〜
５５％含有するポリ弗化ビニリデンとポリメチルメタク
リレートの固溶体からなる樹脂組成物の記録膜ｌを基板
２上に形成し、前記記録膜ｌにレーザ光を照射して生じ
た光透過早低下部分を情報記録ビット３となし、前記情
報記録ピント３からレーザ光により記録情報を読み出す
ことを特徴として光ディスクメモリ媒体を構成すること
により解決することができる。
５５％含有するポリ弗化ビニリデンとポリメチルメタク
リレートの固溶体からなる樹脂組成物の記録膜ｌを基板
２上に形成し、前記記録膜ｌにレーザ光を照射して生じ
た光透過早低下部分を情報記録ビット３となし、前記情
報記録ピント３からレーザ光により記録情報を読み出す
ことを特徴として光ディスクメモリ媒体を構成すること
により解決することができる。
ポリ弗化ビニリデン（ＰＶＤＦ）とポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）の混合系についてはいくつかの報告
がなされており、その光学特性についても、たとえば、
Ｐｖ叶の含有量が３５重量％以下の組成では透明性がよ
いが、それよりＰＶＤＦが多くなると透明性が急激に低
下するとの報告がある（ＵＳＰ ３４５９８３４゜１９
６９）。
レート（ＰＭＭＡ）の混合系についてはいくつかの報告
がなされており、その光学特性についても、たとえば、
Ｐｖ叶の含有量が３５重量％以下の組成では透明性がよ
いが、それよりＰＶＤＦが多くなると透明性が急激に低
下するとの報告がある（ＵＳＰ ３４５９８３４゜１９
６９）。
本発明者らはＰＶＤＦとＰＭＭＡの混合系における透明
性とそれにおよぼす熱処理の影響について、詳細な研究
を行なった結果、上記報告とは異なった成果を得ている
（特願平０ｌ−０５８２９５）。
性とそれにおよぼす熱処理の影響について、詳細な研究
を行なった結果、上記報告とは異なった成果を得ている
（特願平０ｌ−０５８２９５）。
第１図および第２図は記録媒体用樹脂組成物膜の光透過
早特性図（そのｌ）および（その２）である。第１図は
加熱処理前、第２図は加熱処理後のデータで、いずれも
本発明者らにより試料作成透過率測定がなされたもので
ある。
早特性図（そのｌ）および（その２）である。第１図は
加熱処理前、第２図は加熱処理後のデータで、いずれも
本発明者らにより試料作成透過率測定がなされたもので
ある。
樹脂組成物はポリ弗化ビニリデン（ＰＶＤＦ）とポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）の固溶体からなり、図
の縦軸は光透過率を、横軸は上記樹脂組成物中のポリ弗
化ビニリデン（ＰＶＤＦ）の含有量を重量％で示したも
のである。試料の厚さはいずれも１５０μｍ、加熱処理
条件は１００°ｃ、 ｉｏ背分間ある。
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）の固溶体からなり、図
の縦軸は光透過率を、横軸は上記樹脂組成物中のポリ弗
化ビニリデン（ＰＶＤＦ）の含有量を重量％で示したも
のである。試料の厚さはいずれも１５０μｍ、加熱処理
条件は１００°ｃ、 ｉｏ背分間ある。
すなわち、加熱処理前はＰＶＤＦの含有量が７０χまで
は光透過率は９４％以上を保持しており、加熱処理を行
なうとＰＶＤＦの含有量が３０χ位から急激に光透過率
が低下しはじめ、含有量４５χで最低の約２５χに低下
したあと、ＰＶＤＦの含有量の増加とともに再び光透過
率が上昇する。
は光透過率は９４％以上を保持しており、加熱処理を行
なうとＰＶＤＦの含有量が３０χ位から急激に光透過率
が低下しはじめ、含有量４５χで最低の約２５χに低下
したあと、ＰＶＤＦの含有量の増加とともに再び光透過
率が上昇する。
この原因は加熱によってＰＶＤＦの結晶化が起こり光の
散乱を生じるからである。ＰＶＤＦの含有量が少ないと
きは余り影響しないが、含有量が多くなると光の散乱効
果が急激に効いてくる。しかし、含有量が６０ｚ〜７０
χになるとＰＶＤＦの結晶が粒子の大きいα型から粒子
の小さいβ型に変わって光散乱が起こらなくなって逆に
透過率が上昇し、含有率が８０χを越すと再びα型に変
化するので光透過率は減少する。
散乱を生じるからである。ＰＶＤＦの含有量が少ないと
きは余り影響しないが、含有量が多くなると光の散乱効
果が急激に効いてくる。しかし、含有量が６０ｚ〜７０
χになるとＰＶＤＦの結晶が粒子の大きいα型から粒子
の小さいβ型に変わって光散乱が起こらなくなって逆に
透過率が上昇し、含有率が８０χを越すと再びα型に変
化するので光透過率は減少する。
本発明の光ディスクメモリ媒体は以上のごとき特性を利
用し、加熱後の光透過率が７５％以下になるような組成
、すなわち、３５％〜５５％のＰＶＤＦを含有するＰＶ
ＤＦとＰＭＭＡの固溶体を、基板上に薄い膜として形成
したものを記録膜として用い、微小スポットに絞ったレ
ーザ光を照射して加熱し、その部分のＰＶＤＦを結晶化
させ光透過率を低下させることによって情報を記録する
。再生には同じくレーザ光を照射してその部分からの反
射光とその他の部分からの反射光の強度差を検出するこ
とによって情報の読み出しを行なうことができるように
したものである。
用し、加熱後の光透過率が７５％以下になるような組成
、すなわち、３５％〜５５％のＰＶＤＦを含有するＰＶ
ＤＦとＰＭＭＡの固溶体を、基板上に薄い膜として形成
したものを記録膜として用い、微小スポットに絞ったレ
ーザ光を照射して加熱し、その部分のＰＶＤＦを結晶化
させ光透過率を低下させることによって情報を記録する
。再生には同じくレーザ光を照射してその部分からの反
射光とその他の部分からの反射光の強度差を検出するこ
とによって情報の読み出しを行なうことができるように
したものである。
なお、レーザ光照射による加熱部分の光透過率が７５Ｘ
以下であれば、それ以外の透過率９４ｚの部分から光の
強度差によって十分検出できる。
以下であれば、それ以外の透過率９４ｚの部分から光の
強度差によって十分検出できる。
すなわち、本発明の情報記録ビットはビット（穴）では
なく透過率の差だけであり、さらに、この膜は耐湿度特
性が良好なので、とくに、難しい保護膜などを形成する
必要がない。
なく透過率の差だけであり、さらに、この膜は耐湿度特
性が良好なので、とくに、難しい保護膜などを形成する
必要がない。
第３図は本発明の詳細な説明する図で、同図（イ）は部
分斜視図、同図（ロ）はＡ−Ａ’断面図である。
分斜視図、同図（ロ）はＡ−Ａ’断面図である。
図中、１は記録膜、２は基板、３は情報記録ビット、４
は反射層、５は光ヘツド光学系の集光レンズである。
は反射層、５は光ヘツド光学系の集光レンズである。
先ず、基板２としては、たとえば、直径２５０ ｍｍφ
、厚さ５ｍｍのガラスまたはポリカーボネート樹脂から
なる円板を用いる。
、厚さ５ｍｍのガラスまたはポリカーボネート樹脂から
なる円板を用いる。
コノ基板２の上に、ＰＶＤＦ４５重Ｉχ、 ＰＭＭＡ５
５重量％の割合いで混合したものを、たとえば、ジメチ
ルスルフオキシドまたはアセトンを溶剤としてよく溶解
したのち、ＩＣ製造プロセスでよく知られたスピンナー
を用いてスピンコードして、厚さ１μｍ以下のＰＶＤＦ
４５χ＋ＰＭＭＡ５５χの固溶体膜を形成し、４５８Ｃ
で５時間乾燥して記録膜１とする。その後、記録膜ｌの
上にＡｌからなる反射層４を３０ｎｍの厚さに真空蒸着
すれば反射型の光ディスクメモリ媒体が形成される。
５重量％の割合いで混合したものを、たとえば、ジメチ
ルスルフオキシドまたはアセトンを溶剤としてよく溶解
したのち、ＩＣ製造プロセスでよく知られたスピンナー
を用いてスピンコードして、厚さ１μｍ以下のＰＶＤＦ
４５χ＋ＰＭＭＡ５５χの固溶体膜を形成し、４５８Ｃ
で５時間乾燥して記録膜１とする。その後、記録膜ｌの
上にＡｌからなる反射層４を３０ｎｍの厚さに真空蒸着
すれば反射型の光ディスクメモリ媒体が形成される。
情報の記録・再生は、図示したごとく基板２の方からの
レーザ光の照射によって行い、反射層４は再生時に情報
記録ピントからの反射光とその他の部分からの反射光の
強度差を検出して情報の読み出しを行なうためのもので
ある。
レーザ光の照射によって行い、反射層４は再生時に情報
記録ピントからの反射光とその他の部分からの反射光の
強度差を検出して情報の読み出しを行なうためのもので
ある。
第４図は本発明の他の実施例を説明する図で、同図（イ
）は部分斜視図、同図（ロ）はＡ−Ａ’断面図である。
）は部分斜視図、同図（ロ）はＡ−Ａ’断面図である。
図中、１は記録膜、２は基板、３は情報記録ビット、５
は光ヘツド光学系の集光レンズ、６は透明保護膜である
。
は光ヘツド光学系の集光レンズ、６は透明保護膜である
。
基板２．記録膜１は前記第３図の実施例のものと同様に
形成し、必要に応じて透明保護膜６．たとえば、Ｓｉｎ
、膜を３０ｎｍ程度にスパッタ法などで形成する。この
場合には記録・再生にはレーザ光を透過して行なう透過
型の光ディスクメモリ媒体が形成される。
形成し、必要に応じて透明保護膜６．たとえば、Ｓｉｎ
、膜を３０ｎｍ程度にスパッタ法などで形成する。この
場合には記録・再生にはレーザ光を透過して行なう透過
型の光ディスクメモリ媒体が形成される。
なお、以上の実施例の基板２１反射層４．透明保護膜６
などの材料、形成プロセスは一例を述べたものであり、
他の公知の材料、プロセスを適宜用いてよいことは勿論
である。
などの材料、形成プロセスは一例を述べたものであり、
他の公知の材料、プロセスを適宜用いてよいことは勿論
である。
また、本発明の記録膜は耐湿度特性がよいので透明保護
膜６は必ずしも用いなくともよい。
膜６は必ずしも用いなくともよい。
以上述べたように、本発明の光ディスクメモリ媒体は、
加熱後の光透過率が７５％以下になるような組成、すな
わち、３５％〜５５％のＰＶＤＦを含有するＰＶＤＦと
ＰＭＭＡの固溶体を、基板上に薄い膜として形成したも
のを記録膜として用い、微小スポットに絞ったレーザ光
を照射して加熱することによって、その部分のＰＶＤＦ
を結晶化させ光透過率を低下させることによって情報を
記録し、再生には同じくレーザ光を照射して、たとえば
、その部分からの反射光とその他の部分からの反射光の
強度差を検出することによって情報の読み出しを行なう
ことができるようにしたものである。
加熱後の光透過率が７５％以下になるような組成、すな
わち、３５％〜５５％のＰＶＤＦを含有するＰＶＤＦと
ＰＭＭＡの固溶体を、基板上に薄い膜として形成したも
のを記録膜として用い、微小スポットに絞ったレーザ光
を照射して加熱することによって、その部分のＰＶＤＦ
を結晶化させ光透過率を低下させることによって情報を
記録し、再生には同じくレーザ光を照射して、たとえば
、その部分からの反射光とその他の部分からの反射光の
強度差を検出することによって情報の読み出しを行なう
ことができるようにしたものである。
したがって、情報記録ビットはピット（穴）ではなく透
過率の差だけであり、さらに、この膜は耐湿度特性が良
好なので、とくに、難しい保護膜などを形成する必要が
なく、長期間にわたって安定であり、かつ、記録膜形成
はスピンコーティングなどの方法で極めて容易に行なう
ことができるので、追記型光ディスクメモリ媒体の性能
２品質の向上と価格の低下に寄与するところが極めて大
きい。
過率の差だけであり、さらに、この膜は耐湿度特性が良
好なので、とくに、難しい保護膜などを形成する必要が
なく、長期間にわたって安定であり、かつ、記録膜形成
はスピンコーティングなどの方法で極めて容易に行なう
ことができるので、追記型光ディスクメモリ媒体の性能
２品質の向上と価格の低下に寄与するところが極めて大
きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は記録媒体用樹脂組成物膜の光透過早特性図（そ
のｌ）、 第２図は記録媒体用樹脂組成物膜の光透過早特性図（そ
の２）、 第３図は本発明の詳細な説明する図、 第４図は本発明の他の実施例を説明する図、第５図は光
デイスク装置（追記型光ディスク）の従来の一例の基本
構成図である。 図において、 １０は記録膜、 ２０は基板５ ．３０は情報記録ビット、 は反射層１ ．１０１は集光レンズ、 は透明保護膜である。
のｌ）、 第２図は記録媒体用樹脂組成物膜の光透過早特性図（そ
の２）、 第３図は本発明の詳細な説明する図、 第４図は本発明の他の実施例を説明する図、第５図は光
デイスク装置（追記型光ディスク）の従来の一例の基本
構成図である。 図において、 １０は記録膜、 ２０は基板５ ．３０は情報記録ビット、 は反射層１ ．１０１は集光レンズ、 は透明保護膜である。
Claims (1)
- ポリ弗化ビニリデンを重量比で３５％〜５５％含有す
るポリ弗化ビニリデンとポリメチルメタクリレートの固
溶体からなる樹脂組成物の記録膜（１）を基板（２）上
に形成し、前記記録膜（１）にレーザ光を照射して生じ
た光透過率低下部分を情報記録ビット（３）となし、前
記情報記録ビット（３）からレーザ光により記録情報を
読み出すことを特徴とした光ディスクメモリ媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148918A JPH0313383A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光ディスクメモリ媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148918A JPH0313383A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光ディスクメモリ媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0313383A true JPH0313383A (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=15463573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1148918A Pending JPH0313383A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光ディスクメモリ媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0313383A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075792A (en) * | 1989-03-20 | 1991-12-24 | Hewlett-Packard Company | Low power optical transceiver for portable computing devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132689A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Canon Inc | 情報記録体 |
| JPS63153738A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体及びその製造法 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP1148918A patent/JPH0313383A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132689A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Canon Inc | 情報記録体 |
| JPS63153738A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体及びその製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075792A (en) * | 1989-03-20 | 1991-12-24 | Hewlett-Packard Company | Low power optical transceiver for portable computing devices |
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