JPH03132048A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH03132048A JPH03132048A JP1269178A JP26917889A JPH03132048A JP H03132048 A JPH03132048 A JP H03132048A JP 1269178 A JP1269178 A JP 1269178A JP 26917889 A JP26917889 A JP 26917889A JP H03132048 A JPH03132048 A JP H03132048A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路チップのワイヤボンディング
を行う際に用いられるパターン認識用マークを有する半
導体装置に関する。
を行う際に用いられるパターン認識用マークを有する半
導体装置に関する。
（従来の技術）
近年、半導体装置の製造において自動化が進み、半導体
集積回路チップのワイヤボンディングで行う際には、ワ
イヤボンダにパターン認識装置を備え、フルオート化を
可能にしている。
集積回路チップのワイヤボンディングで行う際には、ワ
イヤボンダにパターン認識装置を備え、フルオート化を
可能にしている。
そのため半導体集積回路チップの上には、パターンを識
別するための認識用マークを形成しである。
別するための認識用マークを形成しである。
第３図は従来の半導体装置のパターン認識用マークの周
囲を示す平面図であって、１は半導体集積回路チップ、
２はアルミニウム配線などからなる金属配線、３はパタ
ーン認識用マーク、４は半導体集積回路チップ１の表面
保護膜である。
囲を示す平面図であって、１は半導体集積回路チップ、
２はアルミニウム配線などからなる金属配線、３はパタ
ーン認識用マーク、４は半導体集積回路チップ１の表面
保護膜である。
同図において、パターン認識用マーク３は、通常三角形
状であり、金属配線２の一部を突出させて形成されてい
る。
状であり、金属配線２の一部を突出させて形成されてい
る。
（発明が解決しようとする課題）
上記の従来技術において１表面保護膜４が酸化膜である
場合、パターン認識用マーク３の識別は正常に行われる
。ところで、近年、二層配線あるいは高信頼性の半導体
集積回路では、表面保護膜４としてプラズマＣＶＤ（化
学的薄膜形成）法などで形成される窒化硅素膜が用いら
れるようになったが、この窒化硅素膜の場合は、光の反
射率の違いによりパターン認識用マーク３の識別が正常
に行われないという問題があった。
場合、パターン認識用マーク３の識別は正常に行われる
。ところで、近年、二層配線あるいは高信頼性の半導体
集積回路では、表面保護膜４としてプラズマＣＶＤ（化
学的薄膜形成）法などで形成される窒化硅素膜が用いら
れるようになったが、この窒化硅素膜の場合は、光の反
射率の違いによりパターン認識用マーク３の識別が正常
に行われないという問題があった。
このため第３図の一点鎖線のように、パターン認識用マ
ーク３の上の窒化硅素膜のみ除去して除去部分５を形成
し、パターン認識用マーク３の金属表面を露呈させれば
、Ｗｔ別が正常に行われる。
ーク３の上の窒化硅素膜のみ除去して除去部分５を形成
し、パターン認識用マーク３の金属表面を露呈させれば
、Ｗｔ別が正常に行われる。
しかし上記の方法では、樹脂封止された後に吸湿などに
より、除去部分５のパターン認識用マーク３の金属表面
が腐食され、徐々に腐食が拡大して、ついには金属配線
２が断線するという問題がある。
より、除去部分５のパターン認識用マーク３の金属表面
が腐食され、徐々に腐食が拡大して、ついには金属配線
２が断線するという問題がある。
本発明の目的は、パターン認識が正確に行えると共に金
属配線の保護が確実になされる半導体装置を提供するこ
とにある。
属配線の保護が確実になされる半導体装置を提供するこ
とにある。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するため、本発明は、半導体集積回路
チップの上に金属配線とパターン認識用マークとを設け
、半導体集積回路チップの表面を窒化硅素膜で保護した
半導体装置において、前記パターン認識用マークを金属
配線から分離した位置に設け、かつパターン認識用マー
クの上の領域には窒化硅素膜を設けないようにしたこと
を特徴とする。
チップの上に金属配線とパターン認識用マークとを設け
、半導体集積回路チップの表面を窒化硅素膜で保護した
半導体装置において、前記パターン認識用マークを金属
配線から分離した位置に設け、かつパターン認識用マー
クの上の領域には窒化硅素膜を設けないようにしたこと
を特徴とする。
（作 用）
上記の手段を採用したため、パターン認識用マークの上
方には窒化硅素膜がないので、パターン認識用マークが
直接外部に露呈し、マーク識別が正確になされ、またパ
ターン認識用マークから分離した位置に金属配線を設け
たので、金属配線の窒化硅素膜による保護は確実になさ
れる。
方には窒化硅素膜がないので、パターン認識用マークが
直接外部に露呈し、マーク識別が正確になされ、またパ
ターン認識用マークから分離した位置に金属配線を設け
たので、金属配線の窒化硅素膜による保護は確実になさ
れる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図、第２図は本発明の半導体装置の第１実施例と第
２実施例をそれぞれ示す平面図であって、第３図で説明
した部材に対応する部材には同一符号を付した。
２実施例をそれぞれ示す平面図であって、第３図で説明
した部材に対応する部材には同一符号を付した。
第１．第２実施例において、第３図の従来例と異なる点
は、パターン認識用マーク３を金属配線２から分離した
位置に設け、かつパターン認識用マーク３の上の領域の
み表面保護膜である窒化硅素膜４を形成せず、窒化硅素
膜４の除去部分５を設けた構成である。
は、パターン認識用マーク３を金属配線２から分離した
位置に設け、かつパターン認識用マーク３の上の領域の
み表面保護膜である窒化硅素膜４を形成せず、窒化硅素
膜４の除去部分５を設けた構成である。
従って、上記の実施例では、後工程のワイヤボンディン
グ時には、パターン認識用マーク３の金属表面が外部に
露呈しているので、パターン認識用マーク３の識別が正
確に行える。また樹脂封止組立後において、パターン認
識用マーク３の領域から腐食が発生したとしても、腐食
は窒化硅素膜４の存在によりパターン認識用マーク３の
領域で止まり、金属配線２への影響はない。
グ時には、パターン認識用マーク３の金属表面が外部に
露呈しているので、パターン認識用マーク３の識別が正
確に行える。また樹脂封止組立後において、パターン認
識用マーク３の領域から腐食が発生したとしても、腐食
は窒化硅素膜４の存在によりパターン認識用マーク３の
領域で止まり、金属配線２への影響はない。
（発明の効果）
本発明によれば、パターン認識用マークの表面が外部に
露呈するのでマーク識別が正確になされ、しかも金属配
線の保護が窒化硅素膜で確実になされるので、製造効率
が良く、かつ信頼性の向上が図れる半導体装置を提供で
きる。
露呈するのでマーク識別が正確になされ、しかも金属配
線の保護が窒化硅素膜で確実になされるので、製造効率
が良く、かつ信頼性の向上が図れる半導体装置を提供で
きる。
第１図は本発明による半導体装置の第１実施例を示す平
面図、第２図は本発明による半導体装置の第２実施例を
示す平面図、第３図は従来の半導体装置を示す平面図で
ある。 １ ・・・半導体集積回路チップ、 ２・・・金属配線
、 ３ ・・・パターン認識用マーク、４ ・・・窒化
硅素膜、 ５・・・窒化硅素膜の除去部分。
面図、第２図は本発明による半導体装置の第２実施例を
示す平面図、第３図は従来の半導体装置を示す平面図で
ある。 １ ・・・半導体集積回路チップ、 ２・・・金属配線
、 ３ ・・・パターン認識用マーク、４ ・・・窒化
硅素膜、 ５・・・窒化硅素膜の除去部分。
Claims (1)
- 半導体集積回路チップの上に金属配線とパターン認識
用マークとを設け、半導体集積回路チップの表面を窒化
硅素膜で保護した半導体装置において、前記パターン認
識用マークを金属配線から分離した位置に設け、かつパ
ターン認識用マークの上の領域には窒化硅素膜を設けな
いようにしたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269178A JPH03132048A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269178A JPH03132048A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03132048A true JPH03132048A (ja) | 1991-06-05 |
Family
ID=17468767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1269178A Pending JPH03132048A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03132048A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056521A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-03-11 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JP2012015401A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Honda Motor Co Ltd | 電子装置の製造方法および電子装置 |
| JP2016103618A (ja) * | 2014-11-29 | 2016-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5575229A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS6411337A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP1269178A patent/JPH03132048A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5575229A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS6411337A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056521A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-03-11 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JP2012015401A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Honda Motor Co Ltd | 電子装置の製造方法および電子装置 |
| JP2016103618A (ja) * | 2014-11-29 | 2016-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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