JPH03131078A - 非線形２端子素子の製造方法 - Google Patents
非線形２端子素子の製造方法Info
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- JPH03131078A JPH03131078A JP1269498A JP26949889A JPH03131078A JP H03131078 A JPH03131078 A JP H03131078A JP 1269498 A JP1269498 A JP 1269498A JP 26949889 A JP26949889 A JP 26949889A JP H03131078 A JPH03131078 A JP H03131078A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は液晶デイスプレィ等に応用可能な非線形２端子
素子に関する。
素子に関する。
［従来の技術］
非線形２端子素子は、通常Ｍ工Ｍ（Ｍｅｔａｌ−工ｎｓ
ｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ ）素子と呼ばれ、金属タン
タルの表面を陽極酸化して形成した五酸化タンタル上に
金属電極を積層した例が実用化されている。しかし、五
酸化タンタルは比誘電率が約２０と大きく、その製造方
法から膜厚を太き（できないので、Ｍ工Ｍ素子の静電容
量が大きくなりすぎてしまうという問題があった。また
、誘電率が大きな材料は、電気弁ｆａ形特性が太き（な
らないことから、素子の特性も余り良（なかった。
ｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ ）素子と呼ばれ、金属タン
タルの表面を陽極酸化して形成した五酸化タンタル上に
金属電極を積層した例が実用化されている。しかし、五
酸化タンタルは比誘電率が約２０と大きく、その製造方
法から膜厚を太き（できないので、Ｍ工Ｍ素子の静電容
量が大きくなりすぎてしまうという問題があった。また
、誘電率が大きな材料は、電気弁ｆａ形特性が太き（な
らないことから、素子の特性も余り良（なかった。
そこで、端子間の非線形電気伝導誘起層、を誘電率の小
さい有機材料で構成することが提示され、電解重合法で
有機薄膜を形成する特許（例えば特許室整理１．５５２
１８）も公開されている。比誘電率を３から４程度と小
さ（できるため、良い電気特性を示す非線形２端子素子
が試作されている。
さい有機材料で構成することが提示され、電解重合法で
有機薄膜を形成する特許（例えば特許室整理１．５５２
１８）も公開されている。比誘電率を３から４程度と小
さ（できるため、良い電気特性を示す非線形２端子素子
が試作されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の有機材料を用いた非線形２端子素子には
、上の導電層を金属の蒸着等により形成する際、有機層
が破壊されショートしてしまうという問題点があった。
、上の導電層を金属の蒸着等により形成する際、有機層
が破壊されショートしてしまうという問題点があった。
そこで本発明は、端子間の７３−トがなく、電気特性の
安定した非線形２端子素子の製造方法を提供することを
目的とするものである。
安定した非線形２端子素子の製造方法を提供することを
目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の非線形２端子素子の製造方法は、基板電極上に
電解重合法を用いて、脱ドープ可能なドーパントを含む
導電性高分子膜を形成し、その上に脱ドープできないド
ーパントを含む導電性高分子膜を積層し、その後逆電圧
の印加により中間層のドーパントのみを脱ドープし、絶
縁層または半導体層とすることを特徴とする。
電解重合法を用いて、脱ドープ可能なドーパントを含む
導電性高分子膜を形成し、その上に脱ドープできないド
ーパントを含む導電性高分子膜を積層し、その後逆電圧
の印加により中間層のドーパントのみを脱ドープし、絶
縁層または半導体層とすることを特徴とする。
［作用コ
電解重合法で得られる導電性高分子は、電解質のイオン
をドーパントとして取り込んでいる。電気化学的または
化学的にイオンを脱ドープすると電導性は低下し、高分
子は半導体または絶縁体となる。ところが、か°なり大
きなイオン、長いイオンはドーパントとしていったん入
れば、取り出されず安定である。
をドーパントとして取り込んでいる。電気化学的または
化学的にイオンを脱ドープすると電導性は低下し、高分
子は半導体または絶縁体となる。ところが、か°なり大
きなイオン、長いイオンはドーパントとしていったん入
れば、取り出されず安定である。
脱ドープ可能なイオンを含む導電性高分子膜の上に、脱
ドープできないイオンを含む導電性高分子膜を積層し、
その後逆電圧を印加すると、脱ドープ可能なアニオンの
み脱戻し、２端子素子構造をとる。脱ドープされないイ
オンは移動できないため、脱ドープにより半導体または
絶縁体となった中間層は電気的に安定であり、ショート
も発生しない。
ドープできないイオンを含む導電性高分子膜を積層し、
その後逆電圧を印加すると、脱ドープ可能なアニオンの
み脱戻し、２端子素子構造をとる。脱ドープされないイ
オンは移動できないため、脱ドープにより半導体または
絶縁体となった中間層は電気的に安定であり、ショート
も発生しない。
電極上に最初から′有機絶縁体または半導体層を形成し
てしまうと、十分な通電が得られないためその上に有機
導電体層を電解重合で形成することはできない。
てしまうと、十分な通電が得られないためその上に有機
導電体層を電解重合で形成することはできない。
［実施例コ
（実施例１）
第１図は、本発明の実施例１における非線形２端子素子
の、構造を模式的に示す断面図である。ガラス基板１上
に工Ｔｏ（工ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ０ｘｉｄｅ）電極２
をスパッタにより形成し、陽極とした。白金電極を陰極
として、ピロールとホウフッ化す） ＩＪウムをそれぞ
れ０．２規定溶解させたアセトニトリル中で、１．０ボ
ルトの電圧を印加した。２０分後、陽極にホウフッ化イ
オンをドーパントとして取り込んだポリピロール導電体
層５カ、 １． ｏ ミクロンの膜厚で形成できた。
の、構造を模式的に示す断面図である。ガラス基板１上
に工Ｔｏ（工ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ０ｘｉｄｅ）電極２
をスパッタにより形成し、陽極とした。白金電極を陰極
として、ピロールとホウフッ化す） ＩＪウムをそれぞ
れ０．２規定溶解させたアセトニトリル中で、１．０ボ
ルトの電圧を印加した。２０分後、陽極にホウフッ化イ
オンをドーパントとして取り込んだポリピロール導電体
層５カ、 １． ｏ ミクロンの膜厚で形成できた。
次に、ホウフッ化ナトリウムの替りに、重合度数百程度
のポリスチレンスルホン酸ナトリウムを０．２規定溶解
させたアセトニトリル中で、ピロールの重合を行なった
。１．０ボルトの電圧を２０分印加したところ、導電体
層６の上にポリスチレンスルホン酸イオンを取り込んだ
ポリピロールの導電体層４が、１，２ミクロンの膜厚で
積層できた。
のポリスチレンスルホン酸ナトリウムを０．２規定溶解
させたアセトニトリル中で、ピロールの重合を行なった
。１．０ボルトの電圧を２０分印加したところ、導電体
層６の上にポリスチレンスルホン酸イオンを取り込んだ
ポリピロールの導電体層４が、１，２ミクロンの膜厚で
積層できた。
−２ボルトの逆バイアス電圧を１０分間印加すると、ホ
ウフッ化イオン（ＢＰ、−）のみが脱ドープされ、有機
半導体層５となった。このようにして製造した直径１０
０ミクロンの２端子素子のＪ−■特性を第２図に示す。
ウフッ化イオン（ＢＰ、−）のみが脱ドープされ、有機
半導体層５となった。このようにして製造した直径１０
０ミクロンの２端子素子のＪ−■特性を第２図に示す。
重合条件をコントロールすることにより、この非線形特
性はかなりの精度で再現される。また、１００個の素子
を製造しても、端子間ショートは１個も発生しなかった
。
性はかなりの精度で再現される。また、１００個の素子
を製造しても、端子間ショートは１個も発生しなかった
。
（実施例２）
ガラス基板上に工ＴＯを蒸着により形成し、陰極とした
。クロム電極を陽極として、ベンゼンとＬ ｉ Ａ ｓ
Ｔ！、をそれぞれｏ、１規定溶解させたＴＨ？（テト
ラヒドロフラン）中で、１．５ボルトの電圧を印加した
。１０分後隅極にリチウムイオンをドーパントとして取
り込んだ、ポリバラフェニレン導電膜が０．８ミクロン
の膜厚で形成できた。
。クロム電極を陽極として、ベンゼンとＬ ｉ Ａ ｓ
Ｔ！、をそれぞれｏ、１規定溶解させたＴＨ？（テト
ラヒドロフラン）中で、１．５ボルトの電圧を印加した
。１０分後隅極にリチウムイオンをドーパントとして取
り込んだ、ポリバラフェニレン導電膜が０．８ミクロン
の膜厚で形成できた。
次に支持電解質の陽イオンをリチウムイオンかラテトラ
ビフェニルアンモニウムイオンに換え、先の電極間に３
ボルトの電圧を印加した。５分装テトラビフェニルアン
モニウムイオンをドーパントとして取り込んだ、ポリパ
ラフェニレン導電膜が２．０ミクロンの膜厚で積層でき
た。
ビフェニルアンモニウムイオンに換え、先の電極間に３
ボルトの電圧を印加した。５分装テトラビフェニルアン
モニウムイオンをドーパントとして取り込んだ、ポリパ
ラフェニレン導電膜が２．０ミクロンの膜厚で積層でき
た。
−５ボルトの逆バイアス電圧を５分間印加すると、リチ
ウムイオンのみが脱ドープされ、ポリバラフェニレンの
有機絶縁体層となった。このようにして製造した直径３
０ミクロンの２端子素子は、電気非線形特性を示した。
ウムイオンのみが脱ドープされ、ポリバラフェニレンの
有機絶縁体層となった。このようにして製造した直径３
０ミクロンの２端子素子は、電気非線形特性を示した。
重合条件をコントロールすることにより、この非線形特
性はかなりの精度で再現される。また、１００個の素子
を製造しても端子間ショートは１個も発生しなかった。
性はかなりの精度で再現される。また、１００個の素子
を製造しても端子間ショートは１個も発生しなかった。
以上実施例を挙げて詳細に説明して来たが、本発明は素
子の大きさ、有機物の種類や電解質の種類に何ら限定さ
れるものではない。本発明の非線形２端子素子をマ）
ＩＪソックス状配置し、液晶を制御すれば、ラップトツ
ブコンピューターのデイスプレィ等に応用することがで
きる。
子の大きさ、有機物の種類や電解質の種類に何ら限定さ
れるものではない。本発明の非線形２端子素子をマ）
ＩＪソックス状配置し、液晶を制御すれば、ラップトツ
ブコンピューターのデイスプレィ等に応用することがで
きる。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば、基板電極上に電解重
合法を用いて、脱ドープ可能なドーパントを含む導電性
高分子膜を形成し、その上に脱ドープできないドーパン
トを含む導電性高分子膜を積層し、その後逆電圧の印加
により中間層のドーパントのみを脱ドープし、絶縁層ま
たは半導体層とすることにより、端子間のショートがな
く、電気特性の安定した非線形２端子素子の製造方法を
提供することができた。
合法を用いて、脱ドープ可能なドーパントを含む導電性
高分子膜を形成し、その上に脱ドープできないドーパン
トを含む導電性高分子膜を積層し、その後逆電圧の印加
により中間層のドーパントのみを脱ドープし、絶縁層ま
たは半導体層とすることにより、端子間のショートがな
く、電気特性の安定した非線形２端子素子の製造方法を
提供することができた。
第１図は、本発明の実施例ぐにおける非線形２端子素子
の構造を模式的に示す断面図である。 １・・・・・・・・・基 板 ２、・・・・・・・・・電 極 ３・・・・・・・・・有機半導体（絶縁体）層４・・・
・・・・・・有機導電体層 第２図は本発明の実施例切における非線形２端子素子の
、Ｔ−Ｖ特性を示す図である。 以上
の構造を模式的に示す断面図である。 １・・・・・・・・・基 板 ２、・・・・・・・・・電 極 ３・・・・・・・・・有機半導体（絶縁体）層４・・・
・・・・・・有機導電体層 第２図は本発明の実施例切における非線形２端子素子の
、Ｔ−Ｖ特性を示す図である。 以上
Claims (1)
- 基板電極上に電解重合法を用いて、脱ドープ可能なド
ーパントを含む導電性高分子膜を形成し、その上に脱ド
ープできないドーパントを含む導電性高分子膜を積層し
、その後逆電圧の印加により中間層のドーパントのみを
脱ドープし、絶縁層または半導体層とすることを特徴と
する非線形２端子素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269498A JPH03131078A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 非線形２端子素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269498A JPH03131078A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 非線形２端子素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03131078A true JPH03131078A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=17473265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1269498A Pending JPH03131078A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 非線形２端子素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03131078A (ja) |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP1269498A patent/JPH03131078A/ja active Pending
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