JPH03131050A - ウェハ合成分離機構及びウェハ移載装置 - Google Patents
ウェハ合成分離機構及びウェハ移載装置Info
- Publication number
- JPH03131050A JPH03131050A JP1269484A JP26948489A JPH03131050A JP H03131050 A JPH03131050 A JP H03131050A JP 1269484 A JP1269484 A JP 1269484A JP 26948489 A JP26948489 A JP 26948489A JP H03131050 A JPH03131050 A JP H03131050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- groove
- pitch
- wafers
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 91
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims abstract 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010410 dusting Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野1
本発明は、ウェハを通常ピッチと半分ピッチとで合成分
離する機構に関する。
離する機構に関する。
〔従来の技術]
従来の技術としては第3、第4図に示すように上段に溝
ピッチが半分ピッチのウェハガイド、下段に溝ピッチは
半分ピッチだが溝深さが半分ピッチ毎に深い、ウェハガ
イド兼保持部を備え、最初のウェハ群を下段の浅い溝で
ガイド後保持し、次のウェハ群を下段の深い溝でガイド
後保持するウェハ合成分離機構が知られていた。
ピッチが半分ピッチのウェハガイド、下段に溝ピッチは
半分ピッチだが溝深さが半分ピッチ毎に深い、ウェハガ
イド兼保持部を備え、最初のウェハ群を下段の浅い溝で
ガイド後保持し、次のウェハ群を下段の深い溝でガイド
後保持するウェハ合成分離機構が知られていた。
しかし従来のウェハ合成分離機構では、二度目のウェハ
群をガイドする深い溝は充分なテーパ形状をとれず、ま
たウェハ外周よりも大部中心まで覆っていて、ウェハ表
面をすって素子損傷、発塵の課題を有していた。
群をガイドする深い溝は充分なテーパ形状をとれず、ま
たウェハ外周よりも大部中心まで覆っていて、ウェハ表
面をすって素子損傷、発塵の課題を有していた。
そこで本発明は従来のこのような課題を解決するため、
ウェハガイドとウェハとの接触面積が少ない通常ピッチ
と半分ピッチとのウェハ合成分離機構を提供することを
目的としている。
ウェハガイドとウェハとの接触面積が少ない通常ピッチ
と半分ピッチとのウェハ合成分離機構を提供することを
目的としている。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するため本発明のウェハ合成分離機構は
、二組のウェハ群を半分ピッチのウェハ群に合成、及び
半分ピッチのウェハ群を元ピッチの二組のウェハ群に分
離する機構において、ウェハをガイドする溝ピッチが半
分ピッチである上下二段のウェハガイド部と、溝ピッチ
がウェハピッチのウェハ保持部を上下段ウェハガイドの
中間に配置し、中間のウェハ保持部を開閉することによ
りウェハのガイド、保持することを特徴とする。
、二組のウェハ群を半分ピッチのウェハ群に合成、及び
半分ピッチのウェハ群を元ピッチの二組のウェハ群に分
離する機構において、ウェハをガイドする溝ピッチが半
分ピッチである上下二段のウェハガイド部と、溝ピッチ
がウェハピッチのウェハ保持部を上下段ウェハガイドの
中間に配置し、中間のウェハ保持部を開閉することによ
りウェハのガイド、保持することを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、ウェハは一定の深さの溝
でガイドされ、溝のテーパも充分とれるので素子損傷、
発塵を少なくできる。
でガイドされ、溝のテーパも充分とれるので素子損傷、
発塵を少なくできる。
[実 施 例1
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
1図は本発明の実施例をウェハ表面を正面にして示す図
、第2図はその上面図である。lは最初に下方から上方
にガイドされて持ち上げられ保持されるウェハ群、2は
次に持ち上げられ保持されるウェハ群、3は溝ピッチが
半分ピッチである上段のウェハガイドチャック、4は溝
ピッチが半分ピッチである下段のウェハガイドチャック
、5は3.4の中間に配置され、溝ピッチがウェハピッ
チである中段のウェハガイド保持チャックである。3.
4.5の各チャックの溝深さ、溝形状は同一で、溝形状
はテーパ形状として満面とウェハ端のみが接触し、ウェ
ハ表面は接触させない、まず第1図、第2図(a)の様
に中段チャック5の端面が上下段チャック3.4の溝底
より開いた状態で、上下段チャック3.4の溝が中段チ
ャック5の平端部と重なった溝部で最初のウェハ群lを
ガイドして持ち上げる0次に第1図、第2図の(b)の
様に中段チャック5の端面を上下段チャック3,4の端
面とそろえると、最初のウェハ群lは中段チャック5の
平端部によって保持され、尚、かつ半分ピッチずれた溝
では上中下段チャック3.4.5共一致する。そして一
致した溝部で次のウェハ群2をガイドして持ち上げ、第
1図、第2図(c)の様に中段チャック5の端面が上下
段チャック3.4の端面より閉じた状態にすると、最初
のウェハ群1および次のウェハ群2とも保持され、半分
ピッチでのウェハ合成が完了する。逆に半分ピッチのウ
ェハ群を通常ピッチの二組のウェハ群に分離するには、
上述と逆手順で行うことで完了し、中段チャック5の平
端部に極浅いV型の溝を施せば最初のウェハ群lの保持
がより確実となる。
1図は本発明の実施例をウェハ表面を正面にして示す図
、第2図はその上面図である。lは最初に下方から上方
にガイドされて持ち上げられ保持されるウェハ群、2は
次に持ち上げられ保持されるウェハ群、3は溝ピッチが
半分ピッチである上段のウェハガイドチャック、4は溝
ピッチが半分ピッチである下段のウェハガイドチャック
、5は3.4の中間に配置され、溝ピッチがウェハピッ
チである中段のウェハガイド保持チャックである。3.
4.5の各チャックの溝深さ、溝形状は同一で、溝形状
はテーパ形状として満面とウェハ端のみが接触し、ウェ
ハ表面は接触させない、まず第1図、第2図(a)の様
に中段チャック5の端面が上下段チャック3.4の溝底
より開いた状態で、上下段チャック3.4の溝が中段チ
ャック5の平端部と重なった溝部で最初のウェハ群lを
ガイドして持ち上げる0次に第1図、第2図の(b)の
様に中段チャック5の端面を上下段チャック3,4の端
面とそろえると、最初のウェハ群lは中段チャック5の
平端部によって保持され、尚、かつ半分ピッチずれた溝
では上中下段チャック3.4.5共一致する。そして一
致した溝部で次のウェハ群2をガイドして持ち上げ、第
1図、第2図(c)の様に中段チャック5の端面が上下
段チャック3.4の端面より閉じた状態にすると、最初
のウェハ群1および次のウェハ群2とも保持され、半分
ピッチでのウェハ合成が完了する。逆に半分ピッチのウ
ェハ群を通常ピッチの二組のウェハ群に分離するには、
上述と逆手順で行うことで完了し、中段チャック5の平
端部に極浅いV型の溝を施せば最初のウェハ群lの保持
がより確実となる。
上段チャック3と下段チャック4の間隔は、ウェハが下
段ガイド溝から上段ガイド満に移るときにはずれない間
隔とし、下段チャック幅を中段チャック5で保持された
ウェハを覆う幅にすればウェハの保護もできる。
段ガイド溝から上段ガイド満に移るときにはずれない間
隔とし、下段チャック幅を中段チャック5で保持された
ウェハを覆う幅にすればウェハの保護もできる。
また上述のウェハ合成分離機構を用いて合成されたウェ
ハ群を一括で別容器に移す装置とすれば、ウェハ合成分
離機構を備えたウェハ移載装置となる。
ハ群を一括で別容器に移す装置とすれば、ウェハ合成分
離機構を備えたウェハ移載装置となる。
〔発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、溝ピッチが半分ピッ
チの上下二段のウェハガイド部と溝ピッチがウェハピッ
チのウェハ保持部を上下段ウェハガイドの中間に配置し
、中間のウェハ保持部を開閉することでウェハのガイド
保持することにより、ウェハは一定の深さの溝でガイド
され、溝のテーパも充分とれるので素子損傷、発塵な少
なくするという効果を有する。
チの上下二段のウェハガイド部と溝ピッチがウェハピッ
チのウェハ保持部を上下段ウェハガイドの中間に配置し
、中間のウェハ保持部を開閉することでウェハのガイド
保持することにより、ウェハは一定の深さの溝でガイド
され、溝のテーパも充分とれるので素子損傷、発塵な少
なくするという効果を有する。
第1図(a)〜(C)はそれぞれ本発明の実施例をウェ
ハ表面を正面とする正面図、第2図(a)〜(c)はそ
れぞれ第1図(a)〜(c)の上面図であり、(a)(
b)(c)の順に流れを示す。 第3図(a)〜(c)はそれぞれ従来技術を示す正面図
、第4図(a)〜(c)はそれぞれの第3図(a)〜(
c)の上面図である。 1・・・最初のウェハ群 2・・・次のウェハ群 ・上段のウェハガイドチャック ・下段のウェハガイドチャック ・中段のウェハガイド保持チャック ・下段のウェハガイド保持チャック 以上
ハ表面を正面とする正面図、第2図(a)〜(c)はそ
れぞれ第1図(a)〜(c)の上面図であり、(a)(
b)(c)の順に流れを示す。 第3図(a)〜(c)はそれぞれ従来技術を示す正面図
、第4図(a)〜(c)はそれぞれの第3図(a)〜(
c)の上面図である。 1・・・最初のウェハ群 2・・・次のウェハ群 ・上段のウェハガイドチャック ・下段のウェハガイドチャック ・中段のウェハガイド保持チャック ・下段のウェハガイド保持チャック 以上
Claims (2)
- (1)同一のウェハピッチである二組のウェハ群を半分
ピッチのウェハ群に合成、及び半分ピッチのウェハ群を
元のピッチの二組のウェハ群に分離する機構において、
ウェハをガイドする溝ピッチが半分ピッチである上下二
段のウェハガイド部と、溝ピッチがウェハピッチのウェ
ハ保持部を上下段ウェハガイドの中間に配置し、中間の
ウェハ保持部を開閉することによりウェハのガイド、保
持することを特徴とするウェハ合成分離機構。 - (2)請求項1記載のウェハ合成分離機構を備えたこと
を特徴とするウェハ移載装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1269484A JPH03131050A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | ウェハ合成分離機構及びウェハ移載装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1269484A JPH03131050A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | ウェハ合成分離機構及びウェハ移載装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03131050A true JPH03131050A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=17473085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1269484A Pending JPH03131050A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | ウェハ合成分離機構及びウェハ移載装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03131050A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163501A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Sugai:Kk | 基板の洗浄方法およびその装置 |
US6818342B1 (en) | 1998-02-03 | 2004-11-16 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Method of forming protective coating on cell safety valve element, cell safety valve element coated with protective film, cell sealing plate using the element, and enclosed cell using the plate |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP1269484A patent/JPH03131050A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163501A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Sugai:Kk | 基板の洗浄方法およびその装置 |
US6818342B1 (en) | 1998-02-03 | 2004-11-16 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Method of forming protective coating on cell safety valve element, cell safety valve element coated with protective film, cell sealing plate using the element, and enclosed cell using the plate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20040043614A1 (en) | Semiconductor chip and fabrication method thereof | |
MY125591A (en) | Method for forming rows of partially separated thin film elements | |
JPS61244040A (ja) | ウエハ移載具 | |
JPH03131050A (ja) | ウェハ合成分離機構及びウェハ移載装置 | |
CN110491782A (zh) | 沟槽型双层栅mosfet的制造方法 | |
JPS6422063A (en) | Manufacture of single-tab semiconductor device | |
HUP0104948A2 (hu) | Lemezes rögzítő és/vagy lejátszó készülék | |
JP2654217B2 (ja) | ウェーハ移載方法 | |
JPH03289149A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH0376139A (ja) | 半導体素子突上げ方法 | |
JPH02103949A (ja) | 半導体基板移載装置 | |
JPH01122135A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPS5994853A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5911643A (ja) | 誘電体分離基板 | |
JPS6145860B2 (ja) | ||
JPS58102525A (ja) | スパツタ用パレツト | |
JPS62158343A (ja) | 半導体ウエハ移し替え装置 | |
JPH062273Y2 (ja) | 板状体の収納カセット | |
JPH04177862A (ja) | 半導体装置用セラミックパッケージ | |
JPS53112067A (en) | Production of semiconductor device | |
JPS6116693Y2 (ja) | ||
TW235368B (en) | Process for read only memory | |
JP2514633B2 (ja) | 一括式ウェ−ハ立替方法 | |
JPS55105343A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPS6154639A (ja) | 半導体ウエ−ハ移し換え装置 |