JPH02103949A - 半導体基板移載装置 - Google Patents
半導体基板移載装置Info
- Publication number
- JPH02103949A JPH02103949A JP63257825A JP25782588A JPH02103949A JP H02103949 A JPH02103949 A JP H02103949A JP 63257825 A JP63257825 A JP 63257825A JP 25782588 A JP25782588 A JP 25782588A JP H02103949 A JPH02103949 A JP H02103949A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pitch
- carrier
- wafers
- grooves
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 81
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
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- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造における半導体基板移載装置に関
する。
する。
従来、ピッチ変換機構を有したウェハ移載装置は、特開
昭５６−２６４２７および特開昭５８−１２３７３６に
記載される様な、リンク機構を用いて傾斜させてピッチ
変換を行うバッジ式のものと、特開昭５８−９０７３５
および特開昭５９−１００５４９に記載される様なエレ
ベータ機構を用いた枚葉式のものが知られていた。
昭５６−２６４２７および特開昭５８−１２３７３６に
記載される様な、リンク機構を用いて傾斜させてピッチ
変換を行うバッジ式のものと、特開昭５８−９０７３５
および特開昭５９−１００５４９に記載される様なエレ
ベータ機構を用いた枚葉式のものが知られていた。
〔発明が解決しようとする課題］
しかし、従来のリンク機構の傾斜を用いた装置は、構造
上ウェハが水平になるためウェハ摺動時に発生する異物
がウェハに付着するという問題点を有していた。また、
エレベータ機構を用いた装置は、枚葉式であるため処理
時間が長いという問題点を有していた。
上ウェハが水平になるためウェハ摺動時に発生する異物
がウェハに付着するという問題点を有していた。また、
エレベータ機構を用いた装置は、枚葉式であるため処理
時間が長いという問題点を有していた。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、移載中の異物の発生が少なく、またバッジ式で短時
間に確実に移載できる様なピッチ変換（ハーフピッチ）
機構を有した半導体基板移載装置を提供することを目的
とする。
め、移載中の異物の発生が少なく、またバッジ式で短時
間に確実に移載できる様なピッチ変換（ハーフピッチ）
機構を有した半導体基板移載装置を提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段１
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置移載装置
は、一方のキャリヤの溝ピッチが他方のキャリヤの溝ピ
ッチの半分（ハーフピッチ）であるような、それぞれ溝
ピッチが異なるキャリヤ間でのウェハ移載装置において
、ピッチ変換（ハーフピッチの合成と分離）をして移載
するために、ウェハホルダに交互に２段の深さのウェハ
ガイド溝を設けたことを特徴とする。
は、一方のキャリヤの溝ピッチが他方のキャリヤの溝ピ
ッチの半分（ハーフピッチ）であるような、それぞれ溝
ピッチが異なるキャリヤ間でのウェハ移載装置において
、ピッチ変換（ハーフピッチの合成と分離）をして移載
するために、ウェハホルダに交互に２段の深さのウェハ
ガイド溝を設けたことを特徴とする。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。ウェ
ハホルダｌには第２図の様に交互に２段の深さのウェハ
ガイド溝６．７が切られており、溝ピッチはキャリヤ４
の溝ピッチの半分（ハーフピッチ）であり、対向するウ
ェハホルダｌが多段階に開閉する機構を有する。ウェハ
ガイド２は溝深さは一定で、溝ピッチはキャリヤ４の溝
ピッチの半分であり、開閉機構はない。
ハホルダｌには第２図の様に交互に２段の深さのウェハ
ガイド溝６．７が切られており、溝ピッチはキャリヤ４
の溝ピッチの半分（ハーフピッチ）であり、対向するウ
ェハホルダｌが多段階に開閉する機構を有する。ウェハ
ガイド２は溝深さは一定で、溝ピッチはキャリヤ４の溝
ピッチの半分であり、開閉機構はない。
第１図において、ウェハホルダｌが全開の状態でキャリ
ヤ４に入ったウェハ３をブツシャ−５により第３図の位
置まで押し上げる。この時対向したウェハホルダｌの浅
い方のウェハガイド溝６の間隔はウェハ３の直径より広
いため、ウェハガイド溝６を通過する。
ヤ４に入ったウェハ３をブツシャ−５により第３図の位
置まで押し上げる。この時対向したウェハホルダｌの浅
い方のウェハガイド溝６の間隔はウェハ３の直径より広
いため、ウェハガイド溝６を通過する。
次に第４図の様にウェハホルダｌは１段階間じて、ブツ
シャ−５は下がる。この時対向したウェハホルダｌの浅
い方のウェハガイド溝６の間隔はウェハ３の直径より狭
いため、ウェハ３はウェハガイド溝６の上部で支持され
る。
シャ−５は下がる。この時対向したウェハホルダｌの浅
い方のウェハガイド溝６の間隔はウェハ３の直径より狭
いため、ウェハ３はウェハガイド溝６の上部で支持され
る。
さらに次のウェハ３が収納されたキャリヤ４をウェハ３
と直角方向にハーフピッチ分移動させ、第５図の様にウ
ェハ３をプッシャー５により押し上げる。この時深い方
のウェハガイド溝７の間隔はウェハ３の直径より広いた
め、ウェハガイド溝７を通過する。
と直角方向にハーフピッチ分移動させ、第５図の様にウ
ェハ３をプッシャー５により押し上げる。この時深い方
のウェハガイド溝７の間隔はウェハ３の直径より広いた
め、ウェハガイド溝７を通過する。
次に第６図の様にウェハホルダ１はさらに１段階間じて
、ブツシャ−５は下がる。この時漂い方のウェハガイド
溝７の間隔はウェハ３の直径より狭いため、ウェハ３は
ウェハガイド溝７の上部で支持される。
、ブツシャ−５は下がる。この時漂い方のウェハガイド
溝７の間隔はウェハ３の直径より狭いため、ウェハ３は
ウェハガイド溝７の上部で支持される。
このように、ウェハホルタｌでハーフピッチの合成を行
うことができる。あとはハーフピッチ用キャリヤ８にウ
ェハ３を降ろせば移載終了である。
うことができる。あとはハーフピッチ用キャリヤ８にウ
ェハ３を降ろせば移載終了である。
また上記動作と逆に、ハーフピッチ用キャリヤ８からキ
ャリヤ４へ移載する場合は、ハーフピッチ用キャリヤ８
内のウェハ３を一括してウェハホルダｌで保持し取り出
し、上記手順と逆の手順によりハーフピッチから通常ピ
ッチへの分離が行える。
ャリヤ４へ移載する場合は、ハーフピッチ用キャリヤ８
内のウェハ３を一括してウェハホルダｌで保持し取り出
し、上記手順と逆の手順によりハーフピッチから通常ピ
ッチへの分離が行える。
以上のように、ウェハホルダｌに交互に２段の深さのウ
ェハガイド溝６．７を設け、このウェハホルダ１が多段
階に開閉し、さらにキャリヤ４をウェハ３と直角方向に
ハーフピッチ分移動させることにより、ピッチ変換をし
てバッジ式で短時間で移載することができる。また構造
上ウェハの姿勢は垂直向きとなるため、移載中に発生す
る異物は少ない、さらにウェハホルダｌおよびウェハガ
イド２のウェハガイド溝６，７にテーパをっけ。
ェハガイド溝６．７を設け、このウェハホルダ１が多段
階に開閉し、さらにキャリヤ４をウェハ３と直角方向に
ハーフピッチ分移動させることにより、ピッチ変換をし
てバッジ式で短時間で移載することができる。また構造
上ウェハの姿勢は垂直向きとなるため、移載中に発生す
る異物は少ない、さらにウェハホルダｌおよびウェハガ
イド２のウェハガイド溝６，７にテーパをっけ。
ウニ八表面の接触、擦れが最小限となるような形状とす
ることにより、移載時の異物の発生量をより低減させる
ことができる。
ることにより、移載時の異物の発生量をより低減させる
ことができる。
〔発明の効果］
本発明の半導体基板移載装置は、以上説明したように、
ウェハホルダに交互に２段の深さのウェハガイド溝を設
けることにより、キャリヤ内のウェハを一括して（バッ
ジで）短時間に確実に移載することができる。
ウェハホルダに交互に２段の深さのウェハガイド溝を設
けることにより、キャリヤ内のウェハを一括して（バッ
ジで）短時間に確実に移載することができる。
また、構造上ウェハの姿勢は垂直向きとなるため、移載
中に発生する異物の量は少なく、ウェハへの付着も少な
くなるという効果がある。
中に発生する異物の量は少なく、ウェハへの付着も少な
くなるという効果がある。
第１図は、本発明の半導体基板移載装置の主要部を示す
図である。第２図は、ウェハホルタの溝形状の詳細図で
ある。第３図から第６図は、ピッチ変換の過程を示す図
である。 １・・・ウェハホルダ ２・・・ウェハガイド ３・・・ウェハ ４・・・キャリャ ・ブツシャ− ・ウェハガイド溝（浅い） ・ウェハガイド溝（深い） ・ハーフピッチ用キャリヤ
図である。第２図は、ウェハホルタの溝形状の詳細図で
ある。第３図から第６図は、ピッチ変換の過程を示す図
である。 １・・・ウェハホルダ ２・・・ウェハガイド ３・・・ウェハ ４・・・キャリャ ・ブツシャ− ・ウェハガイド溝（浅い） ・ウェハガイド溝（深い） ・ハーフピッチ用キャリヤ
Claims (1)
- 一方のキャリヤの溝ピッチが他方のキャリヤの溝ピッチ
の半分（ハーフピッチ）であるような、それぞれ溝ピッ
チが異なるキャリヤ間でのウェハ移載装置において、ピ
ッチ変換（ハーフピッチの合成と分離）をして移載する
ために、ウェハホルダに交互に２段の深さのウェハガイ
ド溝を設けたことを特徴とする半導体基板移載装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257825A JPH02103949A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体基板移載装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257825A JPH02103949A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体基板移載装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103949A true JPH02103949A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17311649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257825A Pending JPH02103949A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体基板移載装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02103949A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6138695A (en) * | 1997-03-07 | 2000-10-31 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| KR20020076819A (ko) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | (주)케이.씨.텍 | 기판을 파지하는 장치 및 이를 갖는 핸들링 장치 |
| KR100714262B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조설비의 웨이퍼 이송장치 및 그에 따른카세트 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045031A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | Tomuko:Kk | 自動ウェ−ハ移換機 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63257825A patent/JPH02103949A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045031A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | Tomuko:Kk | 自動ウェ−ハ移換機 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6138695A (en) * | 1997-03-07 | 2000-10-31 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| WO2004075285A1 (ja) * | 1997-03-07 | 2004-09-02 | Takuya Shibao | 基板処理装置 |
| KR100714262B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조설비의 웨이퍼 이송장치 및 그에 따른카세트 |
| KR20020076819A (ko) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | (주)케이.씨.텍 | 기판을 파지하는 장치 및 이를 갖는 핸들링 장치 |
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