JPH0312995A

JPH0312995A - 多層ハイブリット回路及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0312995A
Application number: JP14888089A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Takahashi; 哲生高橋; Akio Sasaki; 昭夫佐々木; Masayuki Yoshida; 政幸吉田; Eisaku Miyauchi; 宮内　栄作; Genichi Watanabe; 渡辺　源一; Toshiyuki Sasaki; 俊幸佐々木; Yoshihiro Iida; 飯田　善弘
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1989-06-12
Filing date: 1989-06-12
Publication date: 1991-01-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、Ｌ、Ｒ，Ｃ等の所望な回路パターンを一体化
する多層ハイブリット回路及びその製造方法に関するも
のである。

従来の技術従来、この種の多層ハイブリット回路を製造するのにあ
たってはセラミックグリーンシートのシート面に所定の
端縁位置まで取出し端を連続させて電極パターンを形成
すると共に、その電極パターンのパターン面にり、Ｃ，
Ｒ等の所望な回路素子を印刷形成し、この回路パターン
とセラミックグリーンシートとを交互に加圧焼結するこ
とによりセラミック基体を一体成形し、更に、そのセラ
ミック基体の側面に表出する各所望な回路パターンの取
出し端と接続する端部電極をセラミック基体の側面全面
にメツキ皮膜等の湿式法による導電膜で被着成形するこ
とが通常行なわれている。

発明が解決しようとする課題然し、この多層ハイブリット回路では端部電極を各セラ
ミック層の回路パターンと接続する必要上からセラミッ
ク基体の側面全長に亘りて設けなければならず、しかも
セラミックグリーンシートの積層枚数を増すとそれだけ
端部電極も犬ぎく形成しなければならないから小型なも
のに形成するには制約がある。また、その端部電極はメ
ツキ皮膜等の湿式法による導電膜で形成するから皮膜の
付着強度か弱くて回路パターンとの接合強度に劣ること
を免れ得ない。

なお、従来、積層セラミックコンデンサを構成する場合
でセラミック層と内部電極とを交互に積層させて加圧焼
結したセラミック基体にスルーホルを設け、そのスルー
ポールの内面にメツキ導電性ペーストの焼付は或いは真
空蒸着等で導電膜を設けてスルーホールの内面に表出す
る所望な内部電極と接続させ、更に、この導電膜が設け
られたスルーホールの径内にリード線を嵌装させて取出
し端子を設けることが知られている（実開昭５７−１２
１１２８号）。然し、それではメツキや導電性ペースト
の焼付は等で導電膜を形成するから接合強度に欠け、こ
れと共に真空蒸着で導電膜を形成するときにはスルーホ
ールの内面のみに蒸着するのが困難である。また、取出
し端子をリード線で形成するところから多層ハイブリッ
ト回路を構成するものとして適用するには好ましくない
。

芸において、本発明は端部電極を小さく形成てきしかも
その端部電極と各回路パターンとを確実に接続可能な多
層ハイブリット回路及びその製造方法を提供することを
目的とする。

課題を解決するための手段本発明に係る多層ハイブリット回路においては、セラミ
ックグリーンシートのシート面に形成した回路パターン
と当該セラミックグリーンシートとを一体に加圧焼結し
たセラミック基体に所望な各回路パターンのパターン面
を貫通するスルホールを複数個備え、その各スルーホー
ルの縁周面を含む内面に設けたスパッタ皮膜でセラミッ
ク基体内の所望な回路パターン相互を接続すると共に、
このスパッタ皮膜とセラミック基体の外表面に位置する
回路パターンとをスルーホールの縁周面で接続し、更に
、そのセラミック基体の外表面に位置する回路パターン
とを接続する端部電極をセラミック基体の下部寄り側面
に設けることにより構成されている。また、この多層ハ
イブリット回路を製造するのにあたっては各セラミック
グリンシートの所定なシート面に透孔を設け、その透孔
の縁周面を含めて回路パターンを各セラミックグリーン
シートのシート面に形成し、これら回路パターンか縁周
面に設けられた透孔を整合位置させて所定の回路パター
ンと各セラミックグリンシートとを交互に積層させ、そ
の各整合位置する透孔のスルーポールにターゲット棒を
挿通させてスルーホールの縁周面を含む内面に所望な回
路パターンを相互に接続する導電膜をスパッタリングで
形成すると共に、この導電膜と外表面に位置する回路パ
ターンとをスルーホールの縁周面で接続し、その外表面
に位置する回路パターンと接続する端部電極を各セラミ
ックグリーンシートの加圧焼結されたセラミック基体の
下部寄り側面に設けることか行なわれている。

作　　用この多層ハイブリット回路ではセラミック基体に備える
スルーポールの各内面に付着乃至は接合強度の高いスパ
ッタリング皮膜を設りてスルーポルの内面に表出する所
望な回路パターン相互を接続するから各回路パターンと
スパッタ皮膜を確実に接合できしかもパターン相互をス
パッタ皮膜で確実に接続できると共に、そのスパッタ皮
膜とセラミック基体の外表面に位置する回路パターンを
介して端部電極とを接続するから、この端部電極をセラ
ミック基体の下部寄り側面に小さく形成することができ
るようになる。また、その多層ハイブリット回路はスル
ーホールの径内にターゲット棒を挿入することにより径
内に表出する各所望な回路パターンを接続する導電膜を
スパッタリングで形成するから、この導電膜をスルーポ
ールの内面のみに極めて強固に接合させて形成できるよ
うになる。

実施例以下、添付図面を参照して説明すれば、次の通りである
。

この多層ハイブリット回路は第１図で示すような高密度
集積回路ＩＣを搭載するＣＲネッ１〜ワーク回路等とし
て構成できるものであり、そのセラミック基体１は各セ
ラミックグリーンシート１０、　１１　、　１２．　１
３−７７）シート面に：Ｃ，ＲまたはＬ等の所望な回路
素子を含む回路パターン２０．２１，２２．２３・・・
と共に印刷形成した後各セラミックグリーンシー）−１
０１１１２１３・・・と回路パターン２０，２１，２２
．２３・・・を交互に積層させて一体に加圧焼結するこ
とにより形成されている。

この多層ハイブリット回路を製造するには、まず、磁性
材料、誘電材料等の適宜なセラミック材料を用いてセラ
ミックグリーンシート１ｏ・・・を作製する。その際に
、第２図で示す如く各セラミックグリーンシート１０・
・・には後述するスルーホールを形成するための透孔３
０　３１　３２　３３・・・をシート面の所定位置に複
数個形成する。次に、この各グリーンシート１０・・・
にはメタライズ印刷等でり、Ｃ９Ｒ等の回路素子を含む
所望な回路パターン２０，２１，２２．２３・・・を形
成する。その回路パターンを形成する際に第２図で示す
如くＣ回路を形成する場合を例示すると、相積層する各
セラミックグリーンシートに設番プられた別の透孔３０
，３１．３０ａ、３１ａの縁周面に亘って内部電極Ｃ，
，Ｃ２を含む所定の回路パターンを夫々形成する。これ
ら回路パターンが別の透孔３０，３１．３１ａ、３１ｂ
の縁周面に位置するから、その各セラミックグリーンシ
ート１０．１１，１２．１３・・・を積層するときは第
３図で示す如く各所望な回路パターン２ｏ　２１２２．
２３・・・が形成された透孔３０，３０ａ。

３０ｂ、３０ｃ・・・を整合位置することにより、この
各透孔３０，３０ａ、３０ｂ、３０ｃｍで形成されるス
ルーホール４ｏの内面には所定の回路パターン２０．２
３を部分的に表出させることができる。その各セラミッ
クグリーンシート１゜１１．１２．１３・・・を積層さ
せてポットプレスで加圧圧締し、更に焼成炉で加熱処理
することによりスルーホール４０の内面に所定の回路パ
ターンを表出させてセラミックグリーンシート１゜１１
．１２．１３・・・を−株化したセラミック焼結体とし
て形成することかできる。

この焼結体をセラミック基体１とし、第４図で示す如き
スパッタ装置を用いてセラミック基体１のスルーホール
４０，４１，４２．４３にはスパッタリングで導電膜（
以下、「スパッタ皮膜」という。）を形成することがで
きる。

そのスパッタ装置としてはアルゴン等のスパッタガスＧ
か内部に導入される真空チャンバ−１００を備え、この
チャンバー１００の内部にＤＣまたはＲＦ電源に接続さ
れる加電部１０１を収容すると共に、その加電部１０１
から突出させてＣｕＡｇ等のターゲット棒１０２，１０
３．１０４１０５・・・を装備させ、また、加電部１０
１に冷却水Ｗを循環供給するよう構成したものを用いる
ことができる。このスパッタ装置では、セラミック基体
１の各スルーホール４０，４１．４２４３にターゲット
棒１０２，１０３．１０４１０５を挿通させてチャンバ
ー１００の内部にセラミック基体１を挿首することによ
りスパッタリングを行えばよい。

そのスパッタリングを行うと、第１図で示すようにスル
ーホール４０．４１・・・の縁周面を含む内面に導電性
のスパッタ皮膜５０．５１・・・が形成される。このス
パッタ皮膜４０．４１・・・はスルーホール５０．５１
・・・の径内に挿通ずるターゲット棒１０２．１０３，
１０４．．４０５・・・て形成するから極めて強固な付
着強度を持って形成できるものであり、しかもスルーホ
ール４０．４１・・・の各内面に表出する回路パターン
２０．２２・・・、２１２３・・・と確実に接合させて
形成することかできる。また、そのスパッタ皮膜ｓｏ、
ｓｔ・・・はセラミック素体１の外表面に位置する回路
パターン２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂともスルーホ
ル４０．４１・・・の縁周面で接続することかできる。

その上端面に位置する回路パターン２４ａ２４ｂと接続
させて、第１図で示すように高密度集積回路ＩＣを装着
するときには下端面に形成するＲ回路等の回路パターン
２５ａ、２５ｂを介してセラミック素体１の側面に設け
る端部電極６１２０．６１と接続することかできる。この端部電極６０．
６１は、Ｃｕ、Ａｇ等のスパッタ皮膜に重ねてＮｉ、Ｐ
ｂ−３ｎ等のメツキ皮膜を被着することにより形成でき
る。また、その端部電極６０．６１はセラミック基体１
の内部に設けた回路パターン２０，２１，２２．２３・
・・と直接接続する必要がないため、プリント基板の導
電パターンと半田付は固定するのに足る程度にセラミッ
ク基体１の側面に小さく形成することができる。

なお、上述した実施例では積層したセラミックグリーン
シートの焼結後にスパッタ皮膜５０゜５１・・・を形成
したが、その焼結時の８７０〜８９０℃程度の高温に耐
えられる材質のスパッタ皮膜を形成ずれは、セラミック
グリーンシートの焼成前で各セラミックグリーンシート
を積層後にスパッタ皮膜を形成することができる。また
、端部電極６０．６１・・・は各セラミックグリーンシ
ート１０．１１，１２．１３・・・に形成する回路バタ
ン２０　２１．２２．２３・・・に応じて複数組設けら
れるようになる。

このように構成する多層ハイブリット回路では各所定の
回路パターン２０．２２・・・、２１．２３−　２４ａ
、２４ｂ、２５ａ、２５ｂを１妾糸売する導電膜をスパ
ッタ皮膜５０．５１で形成するから、強い接合強度を持
って各回路パターン、２０２１．２２，２３．２４ａ、
２４ｂ、２５ａ２５ｂを確実に接続することがてきる。

また、端部電極６０．６１・・・は各回路パターン２０
２１．２２．２３・・・、２４ａ、２４ｂ、２５ａ２５
ｂと直接接続せず、セラミック基体１の外表面に位置す
る回路パターン２５ａ、２５ｂを介してセラミック基体
１の内部に位置する回路パターン２０　２１．２２，２
３．２４ａ、２４ｂ。

２５ａ、２５ｂと接続されたスパッタ皮膜５０゜５１・
・・で接続するから、セラミック基体１の下部寄り側面
に小さく形成するようにできる。

発明の効果以」二の如く、本発明に係る多層ハイブリット回路及び
その製造方法に依れば、セラミック基体の内部、外表面
に位置する回路パターンをスルーホ−ルの内面に形成す
るスパッタ皮膜で確実に接続でき、しかもそのスパッタ
皮膜と接続する端部電極をセラミック基体の側面に小さ
く形成できることにより高信頼性の小型な電子部品とし
て構成することを可能にするものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る多層ハイブリット回路を模式的な
断面で示す説明図、第２図は同ハイブリット回路の形成
に用いられる回路パターンを設けたセラミックグリーン
シートの平面で示す説明図、第３図は積層されたグリー
ンシートの模式的な部分拡大断面で示す説明図、第４図
は本発明に係る方法で適用するスパッタ装置の内部構造
を示す説明図である。１：セラミック基体、１０，１１，１２．１３・・・：
セラミックグリーンシート、２０，２１，２２．２３−
　２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂ：回路パターン、３
０　３０ａ　　３０ｂ、３０ｃｍ：透孔、４０．４１・
・・ニスルーホール、５０５１・・・ニスバッタ皮膜、
６０．６１・・・：端部電極、　１０２，１０３ターゲット棒。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　セラミックグリーンシート（１０、１１、１２
、１３・・・）のシート面に形成した回路パターン（２
０、２１、２２、２３・・・、２４ａ、２４ｂ、２５ａ
、２５ｂ）と当該セラミックグリーンシート（１０、１
１、１２、１３・・・）とを一体に加圧焼結したセラミ
ック基体（１）に、所望な各回路パターン（２０、２２
、２１、２３・・・）のパターン面を貫通するスルーホ
ール（４０、４１・・・）を複数個備え、その各スルー
ホール（４０、４１・・・）の縁周面を含む内面に設け
たスパッタ皮膜（５０、５１・・・）でセラミック基体
（１）内の所望な回路パターン（２０、２２、２１、２
３・・・）相互を接続すると共に、このスパッタ皮膜（
５０、５１・・・）とセラミック基体（１）の外表面に
位置する回路パターン（２４ａ、２４ｂ）２５ａ、２５
ｂ）とをスルーホール（４０、４１・・・）の縁周面で
接続し、更に、そのセラミック基体（１）の外表面に位
置する回路パターン（２５ａ、２５ｂ）とを接続する端
部電極（６０、６１・・・）をセラミック基体（１）の
下部寄り側面に設けたことを特徴とする多層ハイブリッ
ト回路。
（２）　各セラミックグリーンシート（１０、１１、１
２、１３・・・）の所定なシート面に透孔（３０、３０
ａ、３０ｂ、３０ｃ・・・）を設け、その透孔（３０、
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ・・・）の縁周面を含めて回路
パターン（２０、２１、２２、２３・・・、２４ａ、２
４ｂ、２５ａ、２５ｂ）を各セラミックグリーンシート
（１０、１１、１２、１３・・・）のシート面に形成し
、これら回路パターン（２０、２１、２２、２３・・・
）が縁周面に設けられた透孔（３０、３０ａ、３０ｂ、
３０ｃ・・・）を整合位置させて所定の回路パターン（
２０、２２、２１、２３・・・、１４ａ、１４ｂ、１５
ａ、２５ｂ）と各セラミックグリーンシート（１０、１
１、１２、１３・・・）とを交互に積層させ、その各整
合位置する透孔（３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ・・・
）のスルーホール（４０、４１・・・）にターゲット棒
（１０２、１０３、１０４、１０５・・・）を挿通させ
てスルーホール（４０、４１・・・）の縁周面を含む内
面に所望な回路パターン（２０、２２、２１、２３・・
・）を相互に接続する導電膜（５０、５１・・・）をス
パッタリングで形成すると共に、この導電膜（５０、５
１・・・）と外表面に位置する回路パターン（２４ａ、
２４ｂ、２５ａ、２５ｂ）とをスルーホール（４０、４
１・・・）の縁周面で接続し、その外表面に位置する回
路パターン（２５ａ、２５ｂ）と接続する端部電極（６
０、６１・・・）を各セラミックグリーンシート（１０
、１１、１２、１３・・・）の加圧焼結されたセラミッ
ク基体（１）の下部寄り側面に設けたことを特徴とする
多層ハイブリット回路の製造方法。