JPH03126875A - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
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- JPH03126875A JPH03126875A JP26301989A JP26301989A JPH03126875A JP H03126875 A JPH03126875 A JP H03126875A JP 26301989 A JP26301989 A JP 26301989A JP 26301989 A JP26301989 A JP 26301989A JP H03126875 A JPH03126875 A JP H03126875A
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- wafers
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- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野１
本発明は、ＬＳＩの層間絶縁膜などを形成する常圧ＣＶ
Ｄ装置に係わり、成膜前、あるいは成膜中にパーティク
ル（反応炉内部に前回までに成膜された膜などの異物を
いう）がウェハへ付着することなく均一に膜を形成でき
る常圧ＣＶＤ装置に係わる。 ［従来の技術］ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｌｌｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）は化学気相蒸着であり、半導体工業
において広く用いられている０例えば、Ｓｉ面に５ｉ０
２膜を形成する場合、５００℃前後に加熱したウェハに
Ｓｉの水素化物（モノシラン・Ｓ ｉ ｆ（４）のよう
な気体状化合物と酸素とからなる反応ガスを供給し、ウ
ェハの表面でモノシランの酸化反応を起こさせて、ウェ
ハ上に５ｉ０２膜を形成することができる。すなわち２
析出させたい物質の揮発性化合物をウェハ上に供給し、
熱分解或は反応により、反応生成物の薄膜を析出させる
技術である。 従来の常圧ＣＶＤ装置は１例えば第２図や特開昭６３−
７６３３４号および特開昭６３−１０４４号に示される
ようにウェハ載置台には、成膜されるウェハ面を上に向
けて設置するタイプが用いられていた。従来装置を第２
図により説明する。 なお、第２図（ａ）は縦断面図、第２図（ｂ）はウェハ
上のパーティクルの付着状態を示す断面図、第２図（Ｃ
）はウェハ台の平面図を示してぃる。 ウェハ１はウェハ載置台２の上にセットされ。 載置台２は回転するよう構成されている（各ウェハｌも
回転可能な装＠ちある）。３はヒ〜りであ１す、４は反
応ガス供給口、６は反応ガス排出口である。７はウェハ
表面に形成された成膜を示している。すなわち、ウェハ
ｌは成膜されるウェハ処理面を上に向けてウェハ載置台
２に設置されている。 〔発明が解決しようとする課題］ 第２図に示すような従来装置では、成膜中にウェハｌの
上部からパーティクル５が落下して膜の表面に付着した
り、また、膜の中に取り込まれるということが起こる。 これはＬＳＩ製造における後工程のアルミニューム配線
の断線やアルミニューム配線間の層間容量のばらつきが
発生し、製品の歩留低下の原因となるという課題があっ
た。 本発明はこのような課題を解決する常圧ＣＶＤ装置を提
供することを目的とするものである。 ［課題を解決するための手段１ 本発明は上述の課題を解決するちので、反応炉内部にウ
ェハ載置台を設け、気相化学反応を利用してウェハ表面
に１簿膜を形成する常圧ＣＶＤ装置に適応され、次の技
術手段を採った。すなわち、 ウェハ載置台に円形孔を穿孔すると共に、円形孔の周縁
にウェハの外周部を支持する支持部を設け、載置台に処
理面を下向に載置したウェハの下部から反応ガスを供給
することを特徴とする常圧ＣＶＤ装置である。 〔作用〕 本発明は、ウェハ載置台にウェハの処理面が下向になる
ようにセットして１反応ガスを下部から供給して成膜さ
せるので、パーティクルはウェハ表面に付着することは
なく、従って膜中へのパーティクルの混入を避けること
ができ、アルミニューム配線の断線や、アルミニューム
配線間の層間容量のばらつき等の問題を解決することが
できる６ 〔実施例］ 第１図は本発明装置の一実施例であり、第１図（ａ）は
縦断面図、第１図（ｂ）はウェハ台の平面図、第１図（
ｃ）は第１図（ａ）の部分拡大図を示す。 本発明では、ウェハ載置台２をヒータ３の下部に設置し
、ウェハ載置台２にはウェハｉより若干小さめの穴を開
け、ここにウェハｌの処理面を下に向けて載置し、反応
ガスをウェハの処理表面の下部方向から供給してウェハ
１に成膜できるように構成した。なお、第１図において
、４は反応ガス供給口、６は反応ガス排出口、７は成膜
を示している。５は載置台２の下面などに付着したパー
ティクルである。 本実施例では、第１図（ｂ）に示すようにウェハを同時
に６枚処理できるバッチ処理タイプを桟用した。 しかし１本発明はウェハの処理枚数には限定されるもの
ではなく、１枚処理の枚葉タイプの装置にも適用できる
ことは明らかである３ 本発明装置によりｔｏｏｏｏ六のＬＴＯ（ＬｏｗＴｅｍ
ｐｅｒａｔｕｒｅ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ ・−低温酸化
）膜を形成した時（炉内に約３０分放置）のパーティク
ルの数は０個だった。また、第２図に示す従来装置では
１本発明装置と同一条件でｌ ０ＯＯＯＡのＬＴＯ膜を
形成した時のパーティクルの数は１００個以上あった。 これらを作表しで第１表に示す。 第１表 １００００人のＬＴＯ膜を形成した時のウェハ上のパー
ティクルの数
Ｄ装置に係わり、成膜前、あるいは成膜中にパーティク
ル（反応炉内部に前回までに成膜された膜などの異物を
いう）がウェハへ付着することなく均一に膜を形成でき
る常圧ＣＶＤ装置に係わる。 ［従来の技術］ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｌｌｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）は化学気相蒸着であり、半導体工業
において広く用いられている０例えば、Ｓｉ面に５ｉ０
２膜を形成する場合、５００℃前後に加熱したウェハに
Ｓｉの水素化物（モノシラン・Ｓ ｉ ｆ（４）のよう
な気体状化合物と酸素とからなる反応ガスを供給し、ウ
ェハの表面でモノシランの酸化反応を起こさせて、ウェ
ハ上に５ｉ０２膜を形成することができる。すなわち２
析出させたい物質の揮発性化合物をウェハ上に供給し、
熱分解或は反応により、反応生成物の薄膜を析出させる
技術である。 従来の常圧ＣＶＤ装置は１例えば第２図や特開昭６３−
７６３３４号および特開昭６３−１０４４号に示される
ようにウェハ載置台には、成膜されるウェハ面を上に向
けて設置するタイプが用いられていた。従来装置を第２
図により説明する。 なお、第２図（ａ）は縦断面図、第２図（ｂ）はウェハ
上のパーティクルの付着状態を示す断面図、第２図（Ｃ
）はウェハ台の平面図を示してぃる。 ウェハ１はウェハ載置台２の上にセットされ。 載置台２は回転するよう構成されている（各ウェハｌも
回転可能な装＠ちある）。３はヒ〜りであ１す、４は反
応ガス供給口、６は反応ガス排出口である。７はウェハ
表面に形成された成膜を示している。すなわち、ウェハ
ｌは成膜されるウェハ処理面を上に向けてウェハ載置台
２に設置されている。 〔発明が解決しようとする課題］ 第２図に示すような従来装置では、成膜中にウェハｌの
上部からパーティクル５が落下して膜の表面に付着した
り、また、膜の中に取り込まれるということが起こる。 これはＬＳＩ製造における後工程のアルミニューム配線
の断線やアルミニューム配線間の層間容量のばらつきが
発生し、製品の歩留低下の原因となるという課題があっ
た。 本発明はこのような課題を解決する常圧ＣＶＤ装置を提
供することを目的とするものである。 ［課題を解決するための手段１ 本発明は上述の課題を解決するちので、反応炉内部にウ
ェハ載置台を設け、気相化学反応を利用してウェハ表面
に１簿膜を形成する常圧ＣＶＤ装置に適応され、次の技
術手段を採った。すなわち、 ウェハ載置台に円形孔を穿孔すると共に、円形孔の周縁
にウェハの外周部を支持する支持部を設け、載置台に処
理面を下向に載置したウェハの下部から反応ガスを供給
することを特徴とする常圧ＣＶＤ装置である。 〔作用〕 本発明は、ウェハ載置台にウェハの処理面が下向になる
ようにセットして１反応ガスを下部から供給して成膜さ
せるので、パーティクルはウェハ表面に付着することは
なく、従って膜中へのパーティクルの混入を避けること
ができ、アルミニューム配線の断線や、アルミニューム
配線間の層間容量のばらつき等の問題を解決することが
できる６ 〔実施例］ 第１図は本発明装置の一実施例であり、第１図（ａ）は
縦断面図、第１図（ｂ）はウェハ台の平面図、第１図（
ｃ）は第１図（ａ）の部分拡大図を示す。 本発明では、ウェハ載置台２をヒータ３の下部に設置し
、ウェハ載置台２にはウェハｉより若干小さめの穴を開
け、ここにウェハｌの処理面を下に向けて載置し、反応
ガスをウェハの処理表面の下部方向から供給してウェハ
１に成膜できるように構成した。なお、第１図において
、４は反応ガス供給口、６は反応ガス排出口、７は成膜
を示している。５は載置台２の下面などに付着したパー
ティクルである。 本実施例では、第１図（ｂ）に示すようにウェハを同時
に６枚処理できるバッチ処理タイプを桟用した。 しかし１本発明はウェハの処理枚数には限定されるもの
ではなく、１枚処理の枚葉タイプの装置にも適用できる
ことは明らかである３ 本発明装置によりｔｏｏｏｏ六のＬＴＯ（ＬｏｗＴｅｍ
ｐｅｒａｔｕｒｅ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ ・−低温酸化
）膜を形成した時（炉内に約３０分放置）のパーティク
ルの数は０個だった。また、第２図に示す従来装置では
１本発明装置と同一条件でｌ ０ＯＯＯＡのＬＴＯ膜を
形成した時のパーティクルの数は１００個以上あった。 これらを作表しで第１表に示す。 第１表 １００００人のＬＴＯ膜を形成した時のウェハ上のパー
ティクルの数
本発明は、成膜中へのパ
ティクルの混入、
お
よび成膜上へのパーティクルの付着を防止することがで
きるので、ＬＳＩ製造の後工程においてアルミニューム
配線の断線やアルミニューム配線間の層間容量のばらつ
きがなくなり、製品の歩留の向上を図ることができる。
きるので、ＬＳＩ製造の後工程においてアルミニューム
配線の断線やアルミニューム配線間の層間容量のばらつ
きがなくなり、製品の歩留の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の説明図であり、第１図（ａ
）は縦断面図、第１図（ｂ）はウェハ台の平面図、第１
図（ｃ）は第１図（ａ）の部分拡大図、第２図は従来例
の説明図であり、第２図（ａＪは縦断面図、第２図（ｂ
）はウェハ上のパーティクルの付着状態を示す断面図、
第２図（ｃｌはウェハ台の平面図である。 ■・・・ウェハ ２−・・ウェハ載置台３・・
−ヒータ ４・・・反応ガス供給口５・・・パ
ーティクル ６・・・反応ガス排出ロア・・・成膜
）は縦断面図、第１図（ｂ）はウェハ台の平面図、第１
図（ｃ）は第１図（ａ）の部分拡大図、第２図は従来例
の説明図であり、第２図（ａＪは縦断面図、第２図（ｂ
）はウェハ上のパーティクルの付着状態を示す断面図、
第２図（ｃｌはウェハ台の平面図である。 ■・・・ウェハ ２−・・ウェハ載置台３・・
−ヒータ ４・・・反応ガス供給口５・・・パ
ーティクル ６・・・反応ガス排出ロア・・・成膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応炉内部にウエハ載置台を設け、気相化学反応を
利用してウエハ表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置に
おいて、 前記ウエハ載置台に円形孔を穿孔すると共 に、該円形孔の周縁にウエハの外周部を支持する支持部
を設け、該載置台に処理面を下向に載置したウエハの下
部から反応ガスを供給することを特徴とする常圧ＣＶＤ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26301989A JPH03126875A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26301989A JPH03126875A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126875A true JPH03126875A (ja) | 1991-05-30 |
Family
ID=17383756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26301989A Pending JPH03126875A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03126875A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007513029A (ja) * | 2003-12-08 | 2007-05-24 | ミードウエストベコ・コーポレーション | 抜き取り防止組立体を有するパッケージ |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP26301989A patent/JPH03126875A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007513029A (ja) * | 2003-12-08 | 2007-05-24 | ミードウエストベコ・コーポレーション | 抜き取り防止組立体を有するパッケージ |
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