JPH03126227A - シリコンをエッチングする方法 - Google Patents
シリコンをエッチングする方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、シリコンのエツチングに関し、より具体的に
は単結晶シリコンの改良された異方性エツチングに関す
る。
は単結晶シリコンの改良された異方性エツチングに関す
る。
Ｂ、従来の技術及びその課題
単結晶シリコンの異方性エツチングは、超小型電子装置
の製造において長年にわたって行なわれてきた。その基
本的特徴は、エツチング液が（１００）結晶面を（１１
０）面や（１１１）面よりかなり速い速度でエッチして
、（１００）面から５４．７４度のＶ字形側壁を生ずる
ことである。
の製造において長年にわたって行なわれてきた。その基
本的特徴は、エツチング液が（１００）結晶面を（１１
０）面や（１１１）面よりかなり速い速度でエッチして
、（１００）面から５４．７４度のＶ字形側壁を生ずる
ことである。
当技術分野で周知のエツチング液の例は、次の通りであ
る。１８Ｍテクニカル・ディスクロージャ・プルテン、
Ｖｏ １．１９、Ｎｏ、９ （１９７７年２月）、１）
、３Ｂ２３には、エチレンジアミンとピロカテコールと
水を含む、単結晶シリコンを異方性エツチングするため
の溶液が開示されている。
る。１８Ｍテクニカル・ディスクロージャ・プルテン、
Ｖｏ １．１９、Ｎｏ、９ （１９７７年２月）、１）
、３Ｂ２３には、エチレンジアミンとピロカテコールと
水を含む、単結晶シリコンを異方性エツチングするため
の溶液が開示されている。
１８Ｍテクニカル・ディスクロージャ・プルテン、Ｖｏ
ｌ、１９、Ｎｏ、１０ （１９７７年３月）ｐ。
ｌ、１９、Ｎｏ、１０ （１９７７年３月）ｐ。
３９５３にも、前記論文に記載された３種の成分を含み
、さらに過酸化水素を含むエツチング液が記載されてい
る。
、さらに過酸化水素を含むエツチング液が記載されてい
る。
米国特許第４４１７９４６号明細書、及び第４３４２８
１７号明細書も参照されたい。どちらの明細書も、エチ
レンジアミン、ピロカテコール、水、及び任意選択で過
酸化水素を含むエツチング液を用いてマスクを作成する
方法を開示している。
１７号明細書も参照されたい。どちらの明細書も、エチ
レンジアミン、ピロカテコール、水、及び任意選択で過
酸化水素を含むエツチング液を用いてマスクを作成する
方法を開示している。
また米国特許第４２９３３７３号明細書、及び第４２２
９９７９号明細書を参照されたい。どちらの明細書も、
エチレンジアミンとピロカテコールと水を含むエツチン
グ液を用いて、ホウ素でドープしたシリコン・ウェハを
エツチングすることを含む、シリコン・トランスデユー
サを作成する方法を開示している。
９９７９号明細書を参照されたい。どちらの明細書も、
エチレンジアミンとピロカテコールと水を含むエツチン
グ液を用いて、ホウ素でドープしたシリコン・ウェハを
エツチングすることを含む、シリコン・トランスデユー
サを作成する方法を開示している。
米国特許第３６５０９５７号明細書にも留意されたい。
この明細書は、第二銅イオン源、水酸化カルボン酸やア
ルカノールアミンなどの第二銅イオン用の錯化剤、塩素
イオンまたは臭素イオン源、及びモリブデン、タングス
テン、またはバナジウムの可溶性化合物を含む、銅をエ
ツチングするための溶液を開示している。
ルカノールアミンなどの第二銅イオン用の錯化剤、塩素
イオンまたは臭素イオン源、及びモリブデン、タングス
テン、またはバナジウムの可溶性化合物を含む、銅をエ
ツチングするための溶液を開示している。
米国特許第３８７３２０３号明細書は、ヒドラジンとピ
ロカテコールを含む、シリコンをエツチングするための
混合物を開示している。
ロカテコールを含む、シリコンをエツチングするための
混合物を開示している。
米国特許第３１６０５３９号明細書は、ピペリジンを含
むシリコン用エツチング液に関するものである。
むシリコン用エツチング液に関するものである。
ＩＢＭテクニカル・ディスクロージャ・プルテン、Ｖｏ
ｌ、１５、Ｎｏ、１ （１９７２年６月）、ｐ、１７３
は、ピペリジンやピロリジンなどの第二汀機アミンの水
溶液からなるアルミニウム用エツチング液を開示する。
ｌ、１５、Ｎｏ、１ （１９７２年６月）、ｐ、１７３
は、ピペリジンやピロリジンなどの第二汀機アミンの水
溶液からなるアルミニウム用エツチング液を開示する。
さらに、単結晶シリコンをエツチングするために特にを
効な溶液が、米国特許出願第８７５８３３号明細吉に開
示されている。この溶液は、エタノールアミン、ピロカ
テコール、水、過酸化水素、及びピペリジンを含んでい
る。この溶液は、毎時約４０μの速度で（１００）シリ
コンをエツチングすることが判明している。
効な溶液が、米国特許出願第８７５８３３号明細吉に開
示されている。この溶液は、エタノールアミン、ピロカ
テコール、水、過酸化水素、及びピペリジンを含んでい
る。この溶液は、毎時約４０μの速度で（１００）シリ
コンをエツチングすることが判明している。
Ｃ０課題を解決するための手段
リング上に少なくとも２つの隣接した水酸基及び極性官
能基を有する芳香族化合物とアミンと水を含むエツチン
グ溶液にシリコンを接触させることを含む、シリコンを
エツチングするための改良された方法が開発された。本
発明はまた、このエツチング液それ自体をも対象とする
。
能基を有する芳香族化合物とアミンと水を含むエツチン
グ溶液にシリコンを接触させることを含む、シリコンを
エツチングするための改良された方法が開発された。本
発明はまた、このエツチング液それ自体をも対象とする
。
Ｄ、実施例
本発明を実施するに際して、エツチングされるシリコン
・ウェハは、エツチング液に浸すことが好ましい。これ
は、約１００〜１２５℃の温度で行なうことが好ましく
、約１１５〜１２５℃の温度がより好ましい。ただし、
実際の温度及び時間は、当業者には明らかなように、所
望のエツチング速度、エツチングされる微細形状、使用
する特定の処方など多くの要因に応じて変わってくる。
・ウェハは、エツチング液に浸すことが好ましい。これ
は、約１００〜１２５℃の温度で行なうことが好ましく
、約１１５〜１２５℃の温度がより好ましい。ただし、
実際の温度及び時間は、当業者には明らかなように、所
望のエツチング速度、エツチングされる微細形状、使用
する特定の処方など多くの要因に応じて変わってくる。
それに加えて、溶液のｐＨは、はとんどの場合、約１１
〜１２の範囲にあることが好ましい。
〜１２の範囲にあることが好ましい。
上記のように、本発明に従って使用するエツチング液は
、リング上に少な（とも２つの隣接した水酸基及び極性
官能基を有する芳香族化合物を含む。典型的には、極性
官能基は、Ｃ００Ｈ１ＳＯ２０ＨまたはＮＯ２であり、
ＣＯＯＨが好ましい。適当な芳香族化合物には、たとえ
ば次のものが含まれる。
、リング上に少な（とも２つの隣接した水酸基及び極性
官能基を有する芳香族化合物を含む。典型的には、極性
官能基は、Ｃ００Ｈ１ＳＯ２０ＨまたはＮＯ２であり、
ＣＯＯＨが好ましい。適当な芳香族化合物には、たとえ
ば次のものが含まれる。
１．２−ジヒドロキシベンゼン−３，５−ジスルホン酸
６．７−シヒドロキシー２−ナフタレンスルホン酸
３．４−ジヒドロキシ安息香酸
２．３−ジヒドロキシ安息香酸
２．３．４−トリヒドロキシ安息香酸
４−ニトロカテコール
ニスフレチン（６，７−シヒドロキシクマリン）特に好
ましい実施例では、芳香族化合物は没食子酸である。
ましい実施例では、芳香族化合物は没食子酸である。
比較的高い極性を有する適当などんなアミン化合物も、
本発明のエツチング液に使用できる。適当なアミンには
、たとえば次のものが含まれる。
本発明のエツチング液に使用できる。適当なアミンには
、たとえば次のものが含まれる。
（ａ） モノアミン、ジアミン、及びトリアミンを含
む第一脂肪族アミン類。これらのアミンは、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−アミ
ルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、エタノールアミン、ジ
アミノプロパン、ジアミノブタン、ペンタメチレンジア
ミン、ｍ−キシリレンジアミン、ジエチレントリアミン
など通常２〜８個、好ましくは２〜６個の炭素原子を含
む。このグループ中で特に好ましいアミンは、エチレン
ジアミンやジアミノプロパンなど、２〜４個の炭素原子
を有するアミンである。
む第一脂肪族アミン類。これらのアミンは、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−アミ
ルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、エタノールアミン、ジ
アミノプロパン、ジアミノブタン、ペンタメチレンジア
ミン、ｍ−キシリレンジアミン、ジエチレントリアミン
など通常２〜８個、好ましくは２〜６個の炭素原子を含
む。このグループ中で特に好ましいアミンは、エチレン
ジアミンやジアミノプロパンなど、２〜４個の炭素原子
を有するアミンである。
（ｂ） アルカノールアミン、すなわち脂肪族ヒドロ
キシアミン類。これらのアミンの各アルカノール基は、
通常２〜５個の炭素原子を含む。モノエタノールアミン
、ジェタノールアミン、トリエタノールアミン、モノプ
ロパツールアミン、ジブロバノールアミン、トリプロパ
ツールアミン、エタノールプロパノールアミン、ジェタ
ノールプロパノールアミン、モノブタノールアミン、ジ
ェタノールアミン、トリブタノールアミンがその実例で
ある。特に好ましいアルカノールアミンは、各アルカノ
ール基が、エタノールアミン、プロパツールアミン、エ
タノールプロパノールアミンなど２〜３個の炭素原子を
含むものである。
キシアミン類。これらのアミンの各アルカノール基は、
通常２〜５個の炭素原子を含む。モノエタノールアミン
、ジェタノールアミン、トリエタノールアミン、モノプ
ロパツールアミン、ジブロバノールアミン、トリプロパ
ツールアミン、エタノールプロパノールアミン、ジェタ
ノールプロパノールアミン、モノブタノールアミン、ジ
ェタノールアミン、トリブタノールアミンがその実例で
ある。特に好ましいアルカノールアミンは、各アルカノ
ール基が、エタノールアミン、プロパツールアミン、エ
タノールプロパノールアミンなど２〜３個の炭素原子を
含むものである。
本発明の特に好ましい実施例では、モノエタノールアミ
ンを使用する。
ンを使用する。
成分の割合は広範囲にわたって変わるが、エツチング液
は、約３〜６モル％の芳香族化合物、約３２〜５０モル
％のアミン、及び約６５〜３８モル％の水を含むことが
好ましい。より好ましくは、エツチング液は、約４〜６
モル％の芳香族化合物、約３９〜５６モル％のアミン、
及び約５７〜３８モル％の水を含む。
は、約３〜６モル％の芳香族化合物、約３２〜５０モル
％のアミン、及び約６５〜３８モル％の水を含むことが
好ましい。より好ましくは、エツチング液は、約４〜６
モル％の芳香族化合物、約３９〜５６モル％のアミン、
及び約５７〜３８モル％の水を含む。
他の種々の成分をエツチング溶液に加えることができる
。溶液のエツチング速度をさらに高めるために、少量の
、たとえば約０．２〜０．３モル％（たとえば、アミン
化合物１０００ｍＭにつき０゜５〜３ｍｍ）のピラジン
またはピペリジンまたは過酸化水素を加える。さらに、
ミネソタ・マイニング・アンド・マニファクチャリング
・カンパニー（旧ｎｎｅｓｏｔａ旧ｎｉｎｇ ＆ Ｍａ
ｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ）から市販さ
れているＦＣ−１２９″などの表面活性剤または他のフ
ッ化炭化水素表面活性剤を少量（たとえばアミン化合物
１００１００Ｏにつき０゜５〜３ｍ０）加えることがで
きる。表面活性剤が存在すると、明らかにエツチング表
面で発生する水素気泡の付着を妨げることによって、エ
ツチングの均一性を高めるので望ましい。
。溶液のエツチング速度をさらに高めるために、少量の
、たとえば約０．２〜０．３モル％（たとえば、アミン
化合物１０００ｍＭにつき０゜５〜３ｍｍ）のピラジン
またはピペリジンまたは過酸化水素を加える。さらに、
ミネソタ・マイニング・アンド・マニファクチャリング
・カンパニー（旧ｎｎｅｓｏｔａ旧ｎｉｎｇ ＆ Ｍａ
ｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ）から市販さ
れているＦＣ−１２９″などの表面活性剤または他のフ
ッ化炭化水素表面活性剤を少量（たとえばアミン化合物
１００１００Ｏにつき０゜５〜３ｍ０）加えることがで
きる。表面活性剤が存在すると、明らかにエツチング表
面で発生する水素気泡の付着を妨げることによって、エ
ツチングの均一性を高めるので望ましい。
本発明のエツチング液は、高品質のエツチング、すなわ
ち、最小ピット、ヒルロック、ファセットが極めて少な
いエツチングを非常に速い速度で実現する。したがって
、多くの用途で使用するのに望ましい。たとえば、この
エツチング液は、上記明細書の全体を、引用により本明
細書に合体する。
ち、最小ピット、ヒルロック、ファセットが極めて少な
いエツチングを非常に速い速度で実現する。したがって
、多くの用途で使用するのに望ましい。たとえば、この
エツチング液は、上記明細書の全体を、引用により本明
細書に合体する。
米国特許第４３４２８１７号明細書に記載される方式で
ｐドープ・シリコン・ウェハをエツチングするのに使用
できる。
ｐドープ・シリコン・ウェハをエツチングするのに使用
できる。
１つの好ましい適用例は、このエツチング溶液を使って
、高速度（毎時約１２５〜１４０μ）で（１００）シリ
コンをエツチングし、高濃度にドープされたホウ素界面
で停止して、厚いシリコン・ウェハの表面上に大きな薄
い、ホウ素を豊富に含む、ウィンドウを生成することが
できる。これらのシリコン製品は、Ｘ線及び電子線用マ
スクの製造に役立つ。
、高速度（毎時約１２５〜１４０μ）で（１００）シリ
コンをエツチングし、高濃度にドープされたホウ素界面
で停止して、厚いシリコン・ウェハの表面上に大きな薄
い、ホウ素を豊富に含む、ウィンドウを生成することが
できる。これらのシリコン製品は、Ｘ線及び電子線用マ
スクの製造に役立つ。
単結晶シリコンをエツチングする他に、本発明のエツチ
ング液は、多結晶シリコンやエピタキシャル・シリコン
など他のシリコンをエツチングするのにも効果がある。
ング液は、多結晶シリコンやエピタキシャル・シリコン
など他のシリコンをエツチングするのにも効果がある。
■エ
パイレックス反応容器（２５０ｍｍＸ２００ｍｍ）に、
モノエタノールアミン３Ｑ１及び脱イオン水６００ｍＱ
を入れた。没食子酸９００ｇを粉末漏斗を通して加え、
漏斗を追加の脱イオン水３００ｍＱで洗浄した。ピラジ
ン２０ｇ１表面活性剤（ＦＣ−１２９″）４．５ｍＱ、
及び３０％過酸化水素７．５ｍＱを加え、琥珀色の溶液
を冷却器の下で還流させた。
モノエタノールアミン３Ｑ１及び脱イオン水６００ｍＱ
を入れた。没食子酸９００ｇを粉末漏斗を通して加え、
漏斗を追加の脱イオン水３００ｍＱで洗浄した。ピラジ
ン２０ｇ１表面活性剤（ＦＣ−１２９″）４．５ｍＱ、
及び３０％過酸化水素７．５ｍＱを加え、琥珀色の溶液
を冷却器の下で還流させた。
（１００）結晶配向を有するシリコン・ウェハを、エツ
チング液に温度約１１８〜１２０ ’Ｃで約４〜４．５
時間浸すことによりエツチングした。
チング液に温度約１１８〜１２０ ’Ｃで約４〜４．５
時間浸すことによりエツチングした。
このエツチング液は、（１ｏｏ）シリコンを、毎時約９
４μの速度でエツチングした。下記の第１表参照。
４μの速度でエツチングした。下記の第１表参照。
■又
パイレックス反応容器（２５０ｍｍＸ２００ｍｍ）に脱
イオン水１４００ｒｒ１１没食子酸１１５０ｇ１ ピラ
ジン２５ｇ１モノエタノールアミン３８００ｍＱ、、及
び表面活性剤（”ＦＣ−１２９”）７ｍＱを入れた。溶
液を加熱して、冷却器の下で還流させた。
イオン水１４００ｒｒ１１没食子酸１１５０ｇ１ ピラ
ジン２５ｇ１モノエタノールアミン３８００ｍＱ、、及
び表面活性剤（”ＦＣ−１２９”）７ｍＱを入れた。溶
液を加熱して、冷却器の下で還流させた。
（１００）結晶配向を有するシリコン・ウェハをエツチ
ング溶液に温度約１１９°Ｃで約５．５時間浸すことに
よりエツチングした。このエツチング７＆ｌ、（１００
）シリコンを毎時約１２５μの速度でエツチングした。
ング溶液に温度約１１９°Ｃで約５．５時間浸すことに
よりエツチングした。このエツチング７＆ｌ、（１００
）シリコンを毎時約１２５μの速度でエツチングした。
下記第１表参照。
五＾
５００ｍＱのパイレックス反応容器にモノエタノールア
ミン３３５ｍ（１、及び脱イオン水７５ｍＱを入れた。
ミン３３５ｍ（１、及び脱イオン水７５ｍＱを入れた。
没食子酸１００．４ｇを、粉末漏斗を通して加えた。ピ
ペリジン２５ｍＱ、表面活性剤（” Ｆ Ｃ−１２９″
）１ｍＱ１及び３０％過酸化水素３ｍＱを加え、琥珀色
の溶液を冷却器の下で還流させた。
ペリジン２５ｍＱ、表面活性剤（” Ｆ Ｃ−１２９″
）１ｍＱ１及び３０％過酸化水素３ｍＱを加え、琥珀色
の溶液を冷却器の下で還流させた。
（１００）結晶配向を有するシリコン・ウェハをエツチ
ング溶液に温度約１２５°Ｃで約１０時間浸すことによ
りエツチングした。このエツチング液は、（１００）シ
リコン毎時約６０〜７０μの速度でエツチングした。下
記第１表参照。
ング溶液に温度約１２５°Ｃで約１０時間浸すことによ
りエツチングした。このエツチング液は、（１００）シ
リコン毎時約６０〜７０μの速度でエツチングした。下
記第１表参照。
比較例Ａ−Ｇ
比較のために、第１表に示すような処方を用いて例３の
手順を繰り返した。各比較例において、上記の説明で定
義した以外の他の芳香族化合物を、処方中で没食子酸の
代りに使用した。各場合に、（１００）シリコンに対す
るエツチング速度の結果は、受は入れられないものであ
ることが判明した。各処方、及び対応する結果を下記の
第１表にまとめて示す。
手順を繰り返した。各比較例において、上記の説明で定
義した以外の他の芳香族化合物を、処方中で没食子酸の
代りに使用した。各場合に、（１００）シリコンに対す
るエツチング速度の結果は、受は入れられないものであ
ることが判明した。各処方、及び対応する結果を下記の
第１表にまとめて示す。
第１表
モノエタノールアミン
ピやノジン
ピラジン
水
表面活性剤（ＦＣ−１２９）
過酸化水素
没食子酸
キノンヒドロン
１．２−ナフトキノン−４−スルホン酸アリサリン
キノシアリザリシ
２．３−ジヒドロキシピリジン
３．６−ジＡイド０キシビリグジン
１．２−ナフトキノン
カテコール
ＸＸ
ＸＸＸＸＸＸＸ
ＸＸＸＸＸＸＸ
ＸＸ
Ｘ Ｘ Ｘ ＸＸＸＸＸＸＸ
ＸＸＸＸＸＸ ＸＸ
Ｘ ＸＸＸＸ ＸＸ
ＸＸ
エツチングの結果宰
エツチング速度 ９４ １
２５（μ／時） ＃下記の略語を使用した。
２５（μ／時） ＃下記の略語を使用した。
Ｓ二 遅い
Ｈ：なし
ｖＳ： 非常に遅い
ＮＳ： 非選択的
６０− Ｓ ＨＮ Ｎ Ｎ Ｎ５ＶＳ０
例４−８
溶液中の水の借が変わる点以外は同じ成分を同じ相対比
で使用して、例１の手順を繰り返した。
で使用して、例１の手順を繰り返した。
その結果を下記第２表にまとめて示す。
第２表
水の量 エッチ速度
（モル％） （μ／時）
■
４ ４１
５ ４６
６ ５１
７ ５３
８ ５７
１３
３３
４０
４０
３７
Ｅ０発明の効果
本発明によれば、（１００）シリコンに対して毎時約１
２５−１４０μのエツチング速度が達成された。この速
度は、たとえば、上記の米国特許出願第８７５８３３号
明細書のエツチング液を用いることによって通常得られ
る速度の３倍以上である。さらに、このエツチング液は
、製造に使用するのに比較的安全で、環境保護の上で現
行の廃棄物処理技術に適合する。
２５−１４０μのエツチング速度が達成された。この速
度は、たとえば、上記の米国特許出願第８７５８３３号
明細書のエツチング液を用いることによって通常得られ
る速度の３倍以上である。さらに、このエツチング液は
、製造に使用するのに比較的安全で、環境保護の上で現
行の廃棄物処理技術に適合する。
Claims (28)
- （１）リング上に少なくとも２つの隣接した水酸基及び
極性官能基を有する芳香族化合物とアミンと水を含むエ
ッチング液に、シリコンを接触させることを含む、シリ
コンをエッチングする方法。 - （２）前記極性官能基がＣＯＯＨである、請求項（１）
に記載の方法。 - （３）前記芳香族成分が没食子酸である、請求項（２）
に記載の方法。 - （４）前記アミンが、２〜４個の炭素原子を有するジア
ミンと、各アルカノール基が２〜３個の炭素原子を含む
アルカノールアミンとからなる群から選択される、請求
項（１）に記載の方法。 - （５）前記アミンがモノエタノールアミンである、請求
項（４）に記載の方法。 - （６）前記エッチング液が、さらに、ピラジンまたはピ
ペリジンを含む、請求項（１）に記載の方法。 - （７）過酸化水素を前記エッチング液に加える、請求項
（１）に記載の方法。 - （８）表面活性剤を前記エッチング液に加える、請求項
（１）に記載の方法。 - （９）前記エッチング液が、約４〜６モル％の前記芳香
族化合物、約３９〜５８モル％の前記アミン、及び約５
７〜３８モル％の水を含む、請求項（１）に記載の方法
。 - （１０）前記エッチング液が、温度約１１５〜１２５℃
、ｐＨ約１１〜１２である、請求項（１）に記載の方法
。 - （１１）リング上に少なくとも２つの隣接した水酸基及
びＣＯＯＨ基を有する芳香族化合物約４〜６モル％、２
〜４個の炭素原子を有するジアミンと、各アルカノール
基が２〜３個の炭素原子を含むアルカノールアミンとか
らなる群から選択されたアミン約３９〜５６モル％、及
び水約５７〜３８モル％を含むエッチング液にシリコン
・ウェハを入れることを含む、シリコン・ウェハをエッ
チングする方法。 - （１２）前記芳香族化合物が没食子酸であり、前記アミ
ンがモノエタノールアミンである、請求項（１１）に記
載の方法。 - （１３）前記エッチング液が、温度約１１５〜１２５℃
、ｐＨ約１１〜１２である、請求項（１２）に記載の方
法。 - （１４）前記エッチング液が、さらにピラジンまたはピ
ペリジンを含む、請求項（１３）に記載の方法。 - （１５）過酸化水素を前記エッチング液に加える、請求
項（１４）に記載の方法。 - （１６）表面活性剤を前記エッチング液に加える、請求
項（１５）に記載の方法。 - （１７）リング上に少なくとも２つの隣接した水酸基及
び極性官能基を有する芳香族化合物とアミンと水を含む
、シリコン用エッチング液。 - （１８）前記極性官能基がＣＯＯＨである、請求項（１
７）に記載のエッチング液。 - （１９）前記芳香族化合物が没食子酸である、請求項（
１８）に記載のエッチング液。 - （２０）前記アミンが、２〜４個の炭素原子を有するジ
アミンと、各アルカノール基が２〜３個の炭素原子を含
むアルカノールアミンとからなる群から選択される、請
求項（１７）に記載のエッチング液。 - （２１）前記アミンがモノエタノールアミンである、請
求項（２０）に記載のエッチング液。 - （２２）さらに、ピラジンまたはピペリジンを含む、請
求項（１７）に記載のエッチング液。 - （２３）さらに表面活性剤を含む、請求項（１７）に記
載のエッチング液。 - （２４）約４〜６モル％の前記芳香族化合物、約３９〜
５８モル％の前記アミン、及び約５７〜３８モル％の水
を含む、請求項（１７）に記載のエッチング液。 - （２５）リング上に少なくとも２つの隣接した水酸基及
びＣＯＯＨ基を有する芳香族化合物約４〜６モル％、２
〜４個の炭素原子を有するジアミンと、各アルカノール
基が２〜３個の炭素原子を含むアルカノールアミンとか
らなる群から選択されたアミン約３９〜５８モル％、及
び水約５７〜３８モル％を含む、シリコン用エッチング
液。 - （２６）前記芳香族化合物が没食子酸であり、前記アミ
ンがモノエタノールアミンである、請求項（２５）に記
載のエッチング液。 - （２７）さらに、ピラジンまたはピペリジンを含む、請
求項（２６）に記載のエッチング液。 - （２８）さらに、表面活性剤を含む、請求項（２７）に
記載のエッチング液。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US416337 | 1989-10-03 | ||
| US07/416,337 US4941941A (en) | 1989-10-03 | 1989-10-03 | Method of anisotropically etching silicon wafers and wafer etching solution |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126227A true JPH03126227A (ja) | 1991-05-29 |
| JPH0713956B2 JPH0713956B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=23649545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2226819A Expired - Fee Related JPH0713956B2 (ja) | 1989-10-03 | 1990-08-30 | シリコンをエッチングする方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4941941A (ja) |
| EP (1) | EP0421093B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0713956B2 (ja) |
| KR (1) | KR940008369B1 (ja) |
| CN (1) | CN1024148C (ja) |
| AU (1) | AU636388B2 (ja) |
| DE (1) | DE69022944T2 (ja) |
| MY (1) | MY105972A (ja) |
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- 1990-09-26 CN CN90108439A patent/CN1024148C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-26 KR KR1019900015280A patent/KR940008369B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| JPH05160109A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-06-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 選ばれた触媒が加えられたエッチング剤を用いるシリコンの異方性エッチングの制御 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CN1024148C (zh) | 1994-04-06 |
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| AU636388B2 (en) | 1993-04-29 |
| US4941941A (en) | 1990-07-17 |
| EP0421093A1 (en) | 1991-04-10 |
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| KR910008852A (ko) | 1991-05-31 |
| JPH0713956B2 (ja) | 1995-02-15 |
| DE69022944T2 (de) | 1996-05-30 |
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