JPH0312465Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0312465Y2 JPH0312465Y2 JP6559585U JP6559585U JPH0312465Y2 JP H0312465 Y2 JPH0312465 Y2 JP H0312465Y2 JP 6559585 U JP6559585 U JP 6559585U JP 6559585 U JP6559585 U JP 6559585U JP H0312465 Y2 JPH0312465 Y2 JP H0312465Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- guide pin
- nut
- spot welding
- arc
- welding
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Arc Welding In General (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、スポツト溶接に用いるプロジエクシ
ヨン溶接機のガイドピンにおける絶縁性の改良に
関する。
ヨン溶接機のガイドピンにおける絶縁性の改良に
関する。
従来から、例えば自動車の組立用部品の製作に
プロジエクシヨン溶接機によるスポツト溶接が利
用されている。
プロジエクシヨン溶接機によるスポツト溶接が利
用されている。
スポツト溶接に際しては、第２図に示すよう
に、上部に環状体Ａを有する通電枠Ｂに、絶縁さ
れたプツシヤＣを介してガイドピンＤに装着した
プロジエクシヨン溶接機Ｐを使用し、定位置にあ
るプレートＥにナツトＦをセツトし、前記ガイド
ピンＤの上方をナツトＦ内に挿入して通電枠Ｂを
ナツトＦ面に押付けて、スポツト溶接部Ｇを形成
して接合する方式が採られている。
に、上部に環状体Ａを有する通電枠Ｂに、絶縁さ
れたプツシヤＣを介してガイドピンＤに装着した
プロジエクシヨン溶接機Ｐを使用し、定位置にあ
るプレートＥにナツトＦをセツトし、前記ガイド
ピンＤの上方をナツトＦ内に挿入して通電枠Ｂを
ナツトＦ面に押付けて、スポツト溶接部Ｇを形成
して接合する方式が採られている。
かかる方式においては、ガイドピンＤとナツト
Ｆ間のアーク発生によりナツトＦの内側の螺子山
Ｈに溶損部が発生するのを防止する必要がある。
このためガイドピンＤとナツトＦ間に0.1〜0.5mm
程度の間隙Ｋを設けてアーク発生を抑制していた
が、作業条件によつてはこの程度の間隙ではアー
ク発生を抑制することが出来ない。
Ｆ間のアーク発生によりナツトＦの内側の螺子山
Ｈに溶損部が発生するのを防止する必要がある。
このためガイドピンＤとナツトＦ間に0.1〜0.5mm
程度の間隙Ｋを設けてアーク発生を抑制していた
が、作業条件によつてはこの程度の間隙ではアー
ク発生を抑制することが出来ない。
これに対する対策の一つとして、ガイドピンＤ
の素材にAl2O3スケールを発生する材質を用い
て、その表面にAl2O3被膜の絶縁層を形成する試
みも行われたが、Al2O3スケールの強度が弱いた
めにその効果も満足すべきものではない。
の素材にAl2O3スケールを発生する材質を用い
て、その表面にAl2O3被膜の絶縁層を形成する試
みも行われたが、Al2O3スケールの強度が弱いた
めにその効果も満足すべきものではない。
本考案の目的は、かかるスポツト溶接用ガイド
ピンの絶縁性を完全なものとして、溶接時のアー
ク発生を無くし、製品歩留りの向上を図るもので
ある。
ピンの絶縁性を完全なものとして、溶接時のアー
ク発生を無くし、製品歩留りの向上を図るもので
ある。
上記目的は絶縁性の良い酸化物系のセラミツク
スの溶射被膜をスポツト溶接用ガイドピンの外表
面に設けることによつて達成することができる。
スの溶射被膜をスポツト溶接用ガイドピンの外表
面に設けることによつて達成することができる。
第１図は本考案の実施態様を一切切断面によつ
て示す図である。
て示す図である。
同図において、１はスポツト溶接用ガイドピン
を示し、同ガイドピン１の表面には絶縁性の良い
酸化物系のセラミツクスによる溶射被膜２が通常
の溶射処理により形成されている。
を示し、同ガイドピン１の表面には絶縁性の良い
酸化物系のセラミツクスによる溶射被膜２が通常
の溶射処理により形成されている。
同酸化物系のセラミツクスとしてはアルミナ、
ジルコニア、スピネル等があり、その厚みは溶接
電圧にもよるが、0.05〜0.3mmの厚さで十分であ
る。また、被膜層２は少なくともナツト内面との
間にアークが飛び易い側面に形成されれば良い
が、安全の為にガイドピン１の底面を含め全面に
設けても良く、通常は底面を除く全面に設けられ
る。
ジルコニア、スピネル等があり、その厚みは溶接
電圧にもよるが、0.05〜0.3mmの厚さで十分であ
る。また、被膜層２は少なくともナツト内面との
間にアークが飛び易い側面に形成されれば良い
が、安全の為にガイドピン１の底面を含め全面に
設けても良く、通常は底面を除く全面に設けられ
る。
本考案は、極めて基体との密着性が良い絶縁性
が優れた酸化物系セラミツクスの溶射被膜を形成
したものであるので、スポツト溶接に当たつても
アークが発生することがなく、溶損部がない高品
質の部材を高歩留りで製造することができる。ま
た、表面の溶射被覆層は高硬度の耐摩耗性を有す
るものであるので、高精度を長く維持でき、従来
のガイドピンに比べ数倍の耐久性を示す。
が優れた酸化物系セラミツクスの溶射被膜を形成
したものであるので、スポツト溶接に当たつても
アークが発生することがなく、溶損部がない高品
質の部材を高歩留りで製造することができる。ま
た、表面の溶射被覆層は高硬度の耐摩耗性を有す
るものであるので、高精度を長く維持でき、従来
のガイドピンに比べ数倍の耐久性を示す。
第１図は本考案のガイドピンの構成を示す図で
あり、第２図はガイドピンの使用態様を示す図で
ある。 １：ガイドピン、２：絶縁溶射被膜。
あり、第２図はガイドピンの使用態様を示す図で
ある。 １：ガイドピン、２：絶縁溶射被膜。
Claims (1)
- 少なくとも全側面に高絶縁性の酸化物系セラミ
ツクスの溶射被膜２を形成してなることを特徴と
するプロジエクシヨン溶接機のガイドピン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6559585U JPH0312465Y2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6559585U JPH0312465Y2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182683U JPS61182683U (ja) | 1986-11-14 |
| JPH0312465Y2 true JPH0312465Y2 (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=30597732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6559585U Expired JPH0312465Y2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312465Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63126682A (ja) * | 1986-11-15 | 1988-05-30 | Fuji Heavy Ind Ltd | プロジェクション溶接用位置決めピンへのセラミック皮膜の形成方法 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP6559585U patent/JPH0312465Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61182683U (ja) | 1986-11-14 |
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