JPH03113809A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、磁気ヘッド、特にメタル・イン・ギャップ（
ＭＩＧ）型の磁気ヘッドと、エンハンスト・デュアル・
ギャップ・レングス（ＥＤＧ）型の磁気ヘッドと、薄膜
磁気ヘッドとに関する。

〈従来の技術〉 フェライト製の第１および第２コアの少なくとも一方の
ギャップ部対向面にコアよりも飽和磁束密度Ｂｓの高い
センダスト等の軟磁性薄膜を有するＭＩＧ型磁気ヘッド
が知られている。

この磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜から強力な磁束を磁気
記録媒体に印加できるため、高い保磁力を有する媒体に
有効な記録が行える。

また、高密度記録や高速データ転送が可能である等の優
れた緒特性を有する浮上型の薄膜磁気ヘッドが実用化さ
れてきている。

そして、薄膜磁気ヘッドでも高密度の磁束を発生するた
め、上部および下部磁極層には、飽和磁束密度Ｂｓの高
いパーマロイ、センダスト等の軟磁性薄膜が用いられる
。

ところで、磁気ヘッドに用いられるこのような軟磁性薄
膜の飽和磁束密度Ｂｓは、高々１２０００Ｇ程度である
。

このため、従来の磁気ヘッドでは、オーバーライド特性
等の電磁変換特性が不十分であり、特に高保磁力を有す
る磁気記録媒体の場合には、より一贋高い飽和磁束密度
Ｂ１が要求されている。

ところで、Ｆｅに微量のＣを添加するとＦｅの結晶粒が
微細化し、結晶磁気異方性が減少する。

このため、センダストよりもさらに飽和磁束密度Ｂｓが
高い軟磁性薄膜、例えばＢｓが１６０００〜２００００
Ｇ程度のＦｅ−Ｃ軟磁性薄膜を得ることができる。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしＦｅ−Ｃ軟磁性薄膜は、保磁力Ｈ６が高（、透磁
率μが低い。

加えて耐熱性が低（、約４００℃程度の温度で結晶粒径
が大きくなり、保磁力Ｈ，が急激に増加してしまう、　
そして、耐食性も低い。

このためガラス溶着等の熱処理によって４５０〜６００
℃程度の温度下におかれるＭＩＧ型磁気ヘッドやＥＤＧ
型磁気ヘッド、さらには、スパッタリング等による成膜
工程で約３５０℃以上の温度下におかれる薄膜磁気ヘッ
ドに使用することは困難である。

本発明の目的は、耐熱性や耐食性が高い軟磁性薄膜を用
いることにより、保磁力Ｈｃが低く、飽和磁束密度Ｂ６
が高い軟磁性薄膜を有するＭＩＧ型磁気ヘッドやＥＤＧ
型磁気ヘッド、さらには薄膜磁気ヘッドを提供すること
にある。

く課題を解決するための手段〉 このような目的は下記の本発明（１）〜（４）によって
達成される。

（１）一対のコア間に、軟磁性薄膜を有する磁気ヘッド
であって、 前記軟磁性薄膜が、下記式で表わされる原子比組成を有
することを特徴とする磁気ヘッド。

式　　［（Ｆ　ｅ　＋−ｙ　　Ｎ　　ｌ　ｙ）　＋−４
Ｍ、］＋−，Ｃ。

（上式においてＭは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ％
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ％Ｍｏ、ＭｎおよびＢから選ばれ
る１種以上であり、０．００１≦ｘ≦０，１．０≦０．
１、０．１．０．００１≦ｚ≦０．２５である。）（２
）前記一対のコアを作業温度Ｔｗが４５０〜６００℃の
溶着ガラスにより溶着一体化した上記（１）に記載の磁
気ヘッド。

（３）上部磁極層と、下部磁極層と、保護層とを有する
薄膜磁気ヘッドであって、 前記上部磁極層および下部磁極層を形成する軟磁性薄膜
が、下記式で表わされる原子比組成を有することを特徴
とする磁気ヘッド。

式　　［（Ｆ　ｅ　＋−ｙ　　Ｎ　　ｔ　ｗ　　）ｔ−
ｘＭ＋＋　　］　　ｌ−ｘ　　Ｃｍ（上式においてＭは
、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ。

Ｚｒ、Ｈｆ％Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ１Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎおよび
Ｂから選ばれる１種以上であり、０．００１≦ｘ≦０．
１．０≦０．１、０．１、ｏ、ｏｏｉ≦ｚ≦０．２５で
ある。） （４）前記軟磁性薄膜の飽和磁束密度Ｂ３が１６０００
Ｇ以上であり、保磁力Ｈ，が２　０ｅ以下である上記（
１）ないしく３）のいずれかに記載の磁気ヘッド。

く作用〉 本発明の磁気ヘッドに用いる軟磁性薄膜は、Ｆｅ−Ｃ系
であるため、飽和磁束密度Ｂｓが非常に高い。

そして、ＦｅとＣに、Ｆｅより安定な炭素化物を形成す
る元素を適量添加することによって、飽和磁束密度Ｂ８
が約１６０００Ｇ以上のまま保磁力Ｈｅが低下し、透磁
率μが向上し、加えて耐熱性や耐食性が著しく向上する
。

ここに、熱処理によって保磁力が急激に変化する温度、
例えば、保磁力Ｈｅが２　０ｓになる熱処理温度を耐熱
温度とすると、本発明に用いる軟磁性薄膜の耐熱温度は
約５００℃以上である。

従って、本発明の磁気ヘッドの軟磁性薄膜は、飽和磁束
密度Ｂｓが高く、保磁力Ｈ１が低く、透磁率μが高い、 このため本発明の磁気ヘッドは、オーバーライド特性や
、記録・再生感度等が高く、優れた電磁変換特性を有す
る。

加えて、使用する軟磁性薄膜は、耐食性や耐摩耗性に優
れるため、信頼性の高い磁気ヘッドが実現する。

なお、特開昭６０−２１８８２０号公報や同６０−２２
０９１３号公報には、Ｆｅと、２−１０重量％のＡＪ２
と、３〜１６重量％のＳｉと、０．００５〜４重量％の
窒素とを含有する磁性薄膜が開示されている。

そして、Ｆｅの１部をＣｏと置換することによって飽和
磁束密度Ｂｓを向上させ、Ｎｉと置換することによって
Ｂｓを減少させることなく透磁率μを高い状態に保つこ
とができる旨が記載されている。

しかし、実施例に示される具体例は、耐熱温度は高いが
、飽和磁束密度Ｂｓは高々１２０００Ｇ程度である。

このように飽和磁束密度Ｂｓが高く、保磁力Ｈｅが低く
、しかも耐熱性に優れた軟磁性薄膜は知られていない。

〈発明の具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。

本発明のＭＩＧ型磁気ヘッドの好適実施例を、第１図お
よび第２図に示す。

第１図に示される磁気ヘッドは、第１コア１と、ギャッ
プ部対向面に、軟磁性薄膜４が形成されている第２コア
２とを有し、両コアがギャップ５を介して接合され、溶
着ガラス３により溶着一体化されている。

また、第２図に示される磁気ヘッドは、軟磁性薄膜４を
第１コア１１第２コア２の双方のギャップ部対向面に形
成したタイプのものである。

本発明において、コアエ、２はフェライトから構成され
ることが好ましい。

この場合、用いるフェライトに特に制限はないが、Ｍ　
ｎ　−Ｚ　ｎフェライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトを
、目的に応じて用いることが好ましい。

Ｍｎ−Ｚｎフェライトとしては、Ｆｅ２０ｓ５０〜６０
モル％程度、ｚｎＯ８〜　２５モル％程度、残部が実質
的にＭｎＯのものが好適である。

また、Ｎ　１−Ｚｎフェライトは特に高周波領域におい
て優れた特性を示すものであり、好ましい組成としては
、Ｆ　ｅ　＠　Ｏｓが３０〜６゜モル％、ＮｉＯが１５
〜５０モル％、ＺｎＯが５〜４０モル％程度のものであ
る。

コア１，２の直流での飽和磁束密度Ｂｓは、好ましくは
３０００〜６０００Ｇとする。　飽和磁束密度が前記範
囲未満であると、オーバーライド特性が低下する他、こ
のような飽和磁束密度の組成では、キュリー温度が低（
なるため熱的安定性が低下してしまう、　前記範囲をこ
えると、磁歪が増加して磁気ヘッドとしての特性が悪化
したり、着磁し易（なる。

コア１．２の直流での初透磁率ＬＬｌは１０００以上、
保磁力Ｈ，は０．３０ｅ以下であることが好ましい。

また、コア１．２のギャップ部対向面は、鏡面研磨等に
より平滑化し、後述する軟磁性薄膜４や下地膜等が形成
され易いようにすることが好ましい。

軟磁性薄膜４は、記録時に密度の高い磁束を発生させ、
高い保磁力を有する磁気記録媒体に有効な記録を行なう
ために設けられる。

本発明に用いる軟磁性薄膜４は、下記式で示される原子
比組成を有する。

式　　［（Ｆ　ｅ　＋−ｙ　　Ｎ　　ｉ　ｙ）　＋−ｘ
　　Ｍ　Ｘ１ｌ−Ｉ　　Ｃ！上式においてＭは、Ｍｇ％
Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ％Ｖ、Ｎｂ％Ｔａ％Ｃｒ、Ｍｏ
、ＭｎおよびＢから選ばれる１種以上である。

また、Ｘは０．００１〜０．１．好ましくは０．０１〜
０．０５である。

前記範囲未満では、耐熱性が不十分である。

このため熱処理等により保磁力Ｈｃが大幅に増加する傾
向にある。

前記範囲をこえると、飽和磁束密度Ｂｓが低く、オーバ
ーライド特性が悪化する傾向にある。

ｙはＯ〜０．１、好ましくはＯ〜０．０５である。

Ｎｉを添加することにより、透磁率を向上させることが
できる。

ただし前記範囲をこえると飽和磁束密度Ｂ。

が低下する傾向にある。

なお、Ｎｉを必須成分として含むときには、その含有量
ｙは０．０１〜０．１、より好ましくは０．０１〜０．
０５であることが好ましい。

２はＯ，ＯＣＭ　〜０．２５、好ましくは０．０５〜０
．２０である。

前記範囲未満では、Ｃによる結晶粒の微細化が不充分で
軟磁気特性が得られない傾向にある。

前記範囲をこえると、Ｂｓが低下する傾向にある。

また、５ａｔ％以下のＳｔおよび／または２ａｔ％以下
のＡ℃が含有されていても前記の組成範囲であれば、は
ぼ同等の効果が得られる。

ここで、磁気ヘッド完成時における軟磁性薄膜４の５０
Ｈｚでの保磁力Ｈｅは、２　０ｅ以下、より好ましくは
１．５０ｅ以下であることが好ましい。

５　ＭＨｚでの初透磁率μｍは、１０００以上であるこ
とが好ましい。

保磁力Ｈ，が前記範囲をこえると、あるいは初透磁率μ
ｍが前記範囲未満であると、記録・再生感度が低下する
傾向にある。

また、軟磁性薄膜４の飽和磁束密度Ｂｓは、１６０００
Ｇ以上であることが好ましい。

前記範囲未満であるとオーバーライド特性が悪化し、特
に高保磁力の磁気記録媒体への記録が困難である。

また、軟磁性薄膜４の結晶粒の平均粒径は、１００〜３
００人程度である程度が好ましい。

本発明では、軟磁性薄膜４の組成を前記範囲内とするこ
とにより、例えば下記に示される特性を得ることができ
る。

保磁力Ｈｃ（５０Ｈｚ）　：　０．１〜２Ｏｅ　。

特に０．　１〜１．　５　０ｅ 初透磁率μ、（５ＭＨｚ）：１０００〜３０００飽和磁
束密度Ｂｓ（ＤＣ）：１６０００〜９０００Ｇ 特に１７０００〜１８０００Ｇ 結晶粒の平均粒径：１５０〜２５０人 耐熱温度：４５０〜６００℃ ここに耐熱温度とは、熱処理を行ったとき保磁力Ｈｅが
急激に増加する温度であり、前記の場合は保磁力Ｈｅが
２　０ｅになる温度である。

なお、軟磁性薄膜４の磁気特性は、磁気ヘッドに形成す
る場合と同一条件で非磁性基板上に成膜し、同一条件の
熱処理を行った後測定すればよい。

軟磁性薄膜４の膜厚は、好ましくは０．２〜５μ、さら
に好ましくは０．５〜３μである。

膜厚が前記範囲未満であると、軟磁性薄膜４全体の体積
が不足して飽和し易（なり、ＭＩＧ型磁気ヘッドの機能
を十分に果たすことが困難となる。　また、前記範囲を
こえると、軟磁性薄膜４の摩耗が太き（なる他、渦電流
損失が増大してしまう。

このような軟磁性薄膜４を有することにより、本発明の
磁気ヘッドは保磁力８０００ｅ以上、特に９００〜１，
５０００ｅの磁気記録媒体に対し有効な記録を行なうこ
とができる。

軟磁性薄膜４は、スパッタ法により形成されることが好
ましく、例えば以下のように形成される。

ターゲットの組成は前述の式とほぼ同一とし、前記の組
成の合金鋳造体や焼結体さらには複合ターゲットを用い
ればよい。

そして、スパッタリングは、Ａｒ雰囲気下で行われる。

あるいは、Ａｒ中にＮ２を含有させて反応性スパッタを
行ってもよい。

このときには、Ｎが全体の１０ａｔ％以下、特にｌ〜１
０ａｔ％程度含有されることになる。

なお、動作圧力は０．１〜１．ＯＰａ程度とすればよい
。

この場合、スパッタ投入電圧や電流等の諸条件は、スパ
ッタ方式の種類に応じ適宜決定する。

また、前記のような軟磁性薄膜４は、スパッタ法の他、
蒸着法、ＣＶＤ法等の公知の各種気相成膜法により形成
することもできる。

コア１、コア２および軟磁性薄膜４が前述したような磁
気特性であれば、磁気ヘッドとして高い出力と分解能と
が得られる。　また、オーバーライド特性も一３５ｄＢ
以下の良好な値が得られる。

なお、分解能とは、例えば、１層信号の出力をＶａｔ、
２層信号の出力なＶａｔとしたとき、（Ｖ　ｘｔ／　Ｖ
　ｒｅ）　Ｘ　１００　［％］で表わされるものである
。

また、オーバライド特性とは、例えば、１層信号の上に
２層信号を重ね書きしたときの２層信号出力に対する１
層信号出力である。

ギャップ５は、非磁性材質から形成される。

特に、ギャップ５には、接着強度を高めるため接着ガラ
スを用いることが好ましく、例えば、特願平１−７１５
０６号等に示されるガラスが好適である。

また、ギャップ５は、接着ガラスのみで形成されていて
もよいが、ギャップ形成速度やギャップ強度を高めるた
め、図示のようにギャップ５１とギャップ５３との２層
で形成されることが好ましい。

この場合、ギャップ５１にはＳＬＯ＊を用い、ギャップ
５３には接着ガラスを用いる。

なお、後述する溶着ガラス３が、ギャップ両サイドに流
れ込むタイプの磁気ヘッドの場合は、ギャップ５を酸化
ケイ素のみで形成してもよい。

ギャップ５の形成には制限はないが、特にスパッタ法を
用いることが好ましい。

ギャップ長は、０．２〜２．０−程度である。

本発明のＭＩＧ型磁気ヘッドは、第１図や第２図に示さ
れるように、第１コア１と、第２コア２とがギャップ５
を介して接合一体化されているものである。

コアの接合は、ギャップ５３の接着ガラスにより熱圧着
すると同時に溶着ガラス３を流し込むことにより行う。

用いる溶着ガラス３の作業温度Ｔｗは４５０〜６００℃
、特に４６０〜５５０℃程度であることが好ましい。

ここに、作業温度Ｔｗとは、周知のように、ガラスの粘
度が１０　’　ｐｏｉｓｅとなる温度である。

本発明では耐熱性の高い前記の軟磁性薄膜４を用いるた
め、このよりなＴｗのガラスを用いて熱圧着しても、保
磁力Ｈｃは２　０ｅ以下、特に１．５０ｅ以下の値を保
持する。

溶着ガラス３としては、鉛ケイ酸ガラスを用いることが
好ましい。　このうち、例えば、下記に示されるガラス
が好適である。

ＰｂＯ：６７．５〜８７．５重量％程度ＢｓＯ，：４．
Ｏ〜８．１重量％程度 ＳｉＯ□　ニア、５〜１３．６重量％程度ＡＩ２＊　Ｏ
ｘ　：　０．３〜０．８重量％程度ＺｎＯ：２．２〜３
．３重量％程度 Ｂｉｇｏｔ：Ｏ〜０．１重量％程度 Ｎ　ａ　＊　０１ＫｉＯ１ＣａＯ等 ：０〜４重量％程度 Ｓ’ｂａ　Ｏｓ　　：　Ｏ””１重量％程度なお、溶着
に際しては、溶着温度を作業温度Ｔｗ近辺とし、通常の
方法により行う。

本発明の磁気ヘッドは、必要に応じスライダーと一体化
され、組立てられヘッドアセンブリーとされる。

そして、いわゆるラミネートタイプやバルクタイプ等の
トンネルイレーズ型あるいはイレーズヘッドを有しない
リードライト型などのオーバーライド記録を行なうフロ
ッピーヘッド、モノリシックタイプやコンポジットタイ
プの浮上型の計算機用ヘッド、回転型のＶＴＲ用ヘッド
やＲ−ＤＡＴ用ヘッドなどの各種磁気ヘッドとして用い
られる。

このようにして、前記の本発明の磁気ヘッドを用いて、
公知の種々の方式のオーバーライド記録を行なうことが
できる。

また、本発明においては、第３図に示されるように、第
１コア１にコアより飽和磁束密度Ｂ１の低い低飽和磁束
密度合金薄膜６を形成し、第２コア２に前述した軟磁性
薄膜４を形成したいわゆるＥＤＧ型の磁気ヘッドとする
ことができる。

そして、前述したＭＩＧ型磁気ヘッドと同様の効果を得
ることができる。

この場合、低飽和磁束密度合金薄膜６には、例えば、特
願昭６３−３１１５９１号に示される低飽和磁束密度非
晶質薄膜等を用いることができ、優れたオーバーライド
特性や高い感度が得られる。

次に、本発明の薄膜磁気ヘッドについて説明する。

第４図に、本発明の好適実施例である浮上型の薄膜磁気
ヘッドを示す。

第４図に示される薄膜磁気ヘッドは、スライダ７上に、
絶縁層８１、下部磁極層９１、ギャップ層１０、絶縁層
８３、コイル層１１、絶縁層８５、上部磁極層９５Ｊ３
よび保護層１２を順次有する。

本発明においてスライダ７は、材料として従来公知の種
々のものを用いればよく、例えばセラミックス、フェラ
イト等により構成される。

この場合、セラミックス、特にＡＱｍＯｓ−ＴｉＣを主
成分とするセラミックスｓ　Ｚ　ｒ　Ｏｚを主成分とす
るセラミックス、ＳｉＣを主成分とするセラミックスま
たはＡｌｘを主成分とするセラミックスが好適である。

　なお、これらには、添加物としてＭｇ％Ｙ　ｓ　Ｚ　
ｒ　Ｏ＊Ｔ　ｉ　Ｏｓ等が含有されていてもよい。

スライダ７の形状やサイズ等の諸条件は公知の何れのも
のであってもよく、用途に応じ適宜選択される。

スライダ７上には、絶縁層８１が形成される。

絶縁層８１の材料としては従来公知のものは何れも使用
可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法により行な
うときには、５ｉＯ＝、ガラス、Ａｌ２ｘＯｓ等を用い
ることができる。

絶縁層８１の膜厚やパターンは公知の何れのものであっ
てもよく、例えば膜厚は、５〜４０−程度とする。

磁極は、通常図示のように、下部磁極層９１と、上部磁
極層９５として設けられる。

本発明では、下部磁極層９１および上部磁極層９５には
、前述のＭＩＧ型磁気ヘッドやＥＤＧ型磁気ヘッドの場
合と同様に、前記式で表わされる原子比組成の軟磁性薄
膜を用いる。

このため、オーバーライド特性に優れ、記録・再生感度
が高い磁気ヘッドが得られる。

なお、成膜等も前記と同様に行えばよい。

下部および上部磁極層９１．９５のパターン、膜厚等は
公知のいずれのものであってもよい、　例えば下部磁極
層９１の膜厚は１〜５−程度、上部磁極Ｈ９５の膜厚は
１〜５−程度とすればよい。

下部磁極層９１および上部磁極層９５の間にはギャップ
層１０が形成される。

ギャップ層１０には、Ａｆｆｓ　Ｏｓ　、ＳｔＯ□等公
知の種々の材料を用いればよい。

また、ギャップ層１０のパターン、膜厚等は公知の何れ
のものであってもよい。　例えば、ギャップ１０の膜厚
は０．２〜１．０戸程度とすればよい。

コイル層１１の材質には特に制限はなく、通常用いられ
る。Ａｌ２．Ｃｕ等の金属を用いればよい。

コイルの巻回パターンや巻回密度についても制限はな（
、公知のものを適宜選択使用すればよい。　例えば巻回
パターンについては、図示のスパイラル型の他、積層型
、ジグザグ型等何れであってもよい。

また、コイル層１１の形成にはスパッタ法、めっき法等
の各種気相被着法を用いればよい。

図示例ではコイル層１１は、いわゆるスパイラル型とし
てスパイラル状に上部および下部磁１１ｉ１９１．９５
間に配設されており、コイル層１１と上部および下部磁
極層９１．９５間には絶縁層８３．８５が設層されてい
る。

絶縁層８３．８５の材料としては従来公知のものは何れ
も使用可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法によ
り行なうときには、５ｉｎ−、ガラス、Ａｌ２１０ｓ等
を用いることができる。

また、上部磁極層９５上には保護層１２が設層される。

　保護層１２の材料としては従来公知のものは何れも使
用可能であり、例えばＡ２□ＯＪ等を用いることができ
る。

この場合、保護層１２のパターンや膜厚等は従来公知の
ものはいずれも使用可能であり、例えば膜厚は１０〜５
０−程度とすればよい。

ところで、例えばスパッタリングにより保護ｌ１１２を
形成する際には、曝されるため、２００〜４００℃程度
の温度下におかれる。

このため、本発明では、上部および下部磁極層９１．９
５に前記の耐熱性の高い軟磁性薄膜を用いる。

なお、本発明ではさらに各種樹脂コート層等を積層して
もよい。

このような薄膜磁気ヘッドの製造工程は、通常、薄膜作
製とパターン形成とによって行なわれる。

各層の薄膜作製には、上記したように、従来公知の技術
である気相被着法、例えば真空蒸着法、スパッタ法、あ
るいはめっき法等を用いればよい。

薄膜磁気ヘッドの各層のパターン形成は、従来公知の技
術である選択エツチングあるいは選択デポジションによ
り行なうことができる。

エツチングとしてはウェットエツチングやドライエツチ
ングにより行なうことができる。

本発明の薄膜磁気ヘッドは、アーム等の従来公知のアセ
ンブリーと組み合わせて使用される。

また、前記の本発明の薄膜磁気ヘッドを用いて、種々の
方式のオーバーライド記録を行うことができる。　この
場合、保磁力Ｈ，が、８０００ｅ以上、特に１０００〜
１５０００ｅの磁気記録媒体に対し有効に、記録・再生
を行うことができる。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ 第１図に示されるように、第１コア１と、ギャップ部対
向面に軟磁性薄膜４が形成されている第２コア２とをギ
ャップ５を介して接合−体化し、ＭＩＧ型磁気ヘッドを
製造した。

コア１．２の材質はＭｎ−Ｚｎフェライトとし、直流で
の飽和磁束密度Ｂｓは５０００Ｇ、初透磁率μｍは３０
００、保磁力Ｈｃは０．１０ｅであった。

軟磁性薄膜４は、ＲＦマグネトロンスパッタにより形成
し、膜厚は１μとした。

この場合、スパッタリングは、 （Ｆ　ｅ　ｏ、＊＊Ｚ　ｒ　ｏ、ｏ＋）　ｏ、ｓ　Ｃｏ
、５（ａｔ％）の合金をターゲットとし、Ａｒ雰囲気下
で行った。　動作圧力は、０．７Ｐａとした。

軟磁性薄膜４の組成、直流での飽和磁束密度Ｂ　Ｉ　ｓ
周波数５０Ｈｚでの保磁力Ｈｃ、周波数５Ｍ）Ｉｚでの
初透磁率μ、および耐熱温度は表１に示されるとおりで
ある。

なお、Ｂｓ、Ｈ，およびμｍは溶着熱処理後の値である
。

また、耐熱温度は、６０分間の熱処理を行った後でＨ６
を測定し、Ｈ，が２Ｏｅ以上になったときの熱処理温度
である。

なお、磁気特性等の測定は、非磁性基板上に軟磁性薄膜
４をヘッド作製の際と同一の条件で形成して行った。

そして、組成分析にはＥＰＭＡ％Ｂｓ測定にはＶＳＭ、
Ｈｃ測測定はＢ−Ｈトレーサーμｍ測定には８の字コイ
ル透磁率測定器（印加磁界５　ｍ０ｅ）を用いて行った
。

ギャップ５１にはＳ　ｉ　Ｏｓを用い、スパッタにより
形成し、その膜厚は０．４−とした。

ギャップ５３には、作業温度Ｔｗが５５０℃の接着ガラ
スを用いた。

なお、ギャップ５３はスパッタにより形成し、その膜厚
は０．２−とした。

溶着ガラス３には、作業温度Ｔｗが、５００℃の７７、
５０ＰｂＯ−６，０５８ｓＯｓ−１０，５７ＳｉＯ＊−
０，５５Ａｊ＊０ｓ−２，７５ＺｎＯ−０，０５ＢＬＯ
ｓ−２，５ＯＮ８＊０−０．３０ＳｂｍＯｓ　　（重量
％）を用い、５５０℃で溶着を行った。

また、コイルターン数は２０×２ターンとした。

そして、チタン酸カルシウムスライダーに固定・封着し
て、コンポジットタイプの浮上型磁気ヘッドを得た。

このようにして製造された磁気ヘッドをサンプルＮｏ、
　　１とする。

また、軟磁性薄膜４の組成の異なる磁気ヘッドサンプル
Ｎｏ、　２〜Ｎｏ、１４や比較サンプルＮｏ、　　１５
〜Ｎｏ、　　１７も製造した。　なお、比較サンプルＮ
ｏ、１５の耐熱温度は、Ｈｅが５０ｅ以上になったとき
の熱処理温度である。

これらの各サンプルと、保磁力が１５０００ｅのハード
ディスクとを用いて、トラック幅１４脚にて下記の特性
を測定した。

なお、測定に際しては、第１コア１を、ハードディスク
リーディング側とした。

（オーバーライド特性） １．２５ＭＨｚの１ｆ信号を記録し、次いでこの上から
２．５ＭＨｚの２ｆ信号を重ね書きした。

２ｆ信号の出力に対する１ｆ信号の出力を算出し、オー
バーライド特性を評価した。

（記録・再生感度測定） ５　ＭＨｚの信号を記録し、次いで記録した信号を再生
し、その時の再生出力電圧値■’、−。

（ピーク・ツー・ピーク）を測定する。

なお、表中には測定値Ｖ　’ｐ−ｐを規格化した値Ｖｐ
−ｐが示される。

結果は表１に示されるとおりである。

表１により本発明の効果が明らかである。

なお、比較サンプルＮｏ、１５の場合、軟磁性薄膜の熱
処理前のＨｅは２．５０ｅ、μｍは８００であり、表１
中の耐熱温度はＨｃが５０ｅ以上になったときの温度で
ある。

また、サンプルを濃度５％（重量百分率）の塩化ナトリ
ウム水溶液中に１６８時間浸した後、軟磁性薄膜４の表
面を電子顕微鏡で観察したところ、比較サンプルＮｏ、
１５〜Ｎｏ、１７では、さびの発生が確認された。

これに対し、本発明のサンプルＮｏ、　　１〜Ｎｏ。

１４では、さびの発生はほとんど確認されなかった。

実施例２ 第３図に示されるように、ギャップ部対向面にコアより
飽和磁束密度Ｂｓが低い低飽和磁束密度合金薄膜６が形
成されている第１コア１と、軟磁性薄膜４が形成されて
いる第２コア２とをギャップ５を介して接合一体化し、
ＥＤＧ型磁気ヘッドを製造した。

そして、実施例１と同様の測定を行ったところ、同等の
結果が得られた。

実施例３ 第４図に示されるように、スライダ７上に順次、絶縁層
８１．下部磁極層９１、ギャップ層１０、絶縁層８３、
コイル層１１、絶縁層８５、上部磁極層９５および保護
層１２を有する薄膜磁気ヘッドを製造した。　この場合
、各層の形成には、スパッタ法を用い、パターン形成に
は、ドライエツチングを用いた。

スライダ７には、Ａｊ２イＯｌ　−Ｔ　ｉ　Ｃを用いた
。

絶縁層８１には、Ａβ２０．を用い、膜厚は３０μとし
た。

下部および上部磁極層９１．９５には、表２に示される
組成の軟磁性薄膜を用いた。

この場合、下部および上部磁極層９１．９５は、実施例
１の軟磁性薄膜４と同様にＲＦマグネトロンスパッタに
より形成し、下部および上部磁極層９１，９５の膜厚は
それぞれ３−とした。

なお、磁極層９１．９５の直流での飽和磁束密度Ｂ１、
周波数５０Ｈｚでの保磁力Ｈｃｓ周波数５　ＭＨｚでの
初透磁率μ、および耐熱温度は表２に示されるとおりで
ある。

ギャップ層１０には、５ｉＯ−を用い、膜厚は０．２５
−とした。

コイル層１１には、Ｃｕを用い、図示のようにスバイラ
イ状に形成した。

絶縁層８３．８５には、Ａｊ２．Ｏ，を用いた。

また、保護層１２には、Ａｌ２ａＯｓを用い、膜厚は４
０−とした、　なお、製造中の磁気ヘッドは、保護層１
２のスパッタリング時に、約３５０℃の温度下におかれ
た。

このように、表２に示される本発明の磁気ヘッドサンプ
ルＮｏ、１８〜Ｎｏ、３０と、比較サンプルＮｏ、　３
１−Ｎｏ、　３３とを製造した。　なお、比較サンプル
Ｎｏ、３１の耐熱温度は、軟磁性薄膜のＨｅが５０ｅ以
上になったときの温度である。

これらの各サンプルと、保磁力が１５０００ｅのハード
ディスクとを用いて、実施例１と同様の測定を行った。

結果は表２に示されるとおりである。

表２により本発明の効果が明らかである。

〈発明の効果〉 本発明の磁気ヘッドは、飽和磁束密度Ｂ１が高く、保磁
力Ｈｃが低く、透磁率μが高い軟磁性薄膜を有する。

このため、オーバーライド特性や記録・再生感度等が高
（、優れた電磁変換特性を有する。

そして、使用する軟磁性薄膜は耐食性や耐摩耗性に優れ
るため、信頼性の高い磁気ヘッドが実現する。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明のＭＩＧ型磁気ヘッドの
１例を示す部分断面図である。 第３図は、本発明のＥＤＧ型磁気ヘッドの１例を示す部
分断面図である。 第４図は、本発明の薄膜磁気ヘッドなの１例を示す部分
断面図である。 符号の説明 １・・・第１コア ２・・・第２コア ３・・・溶着ガラス ４・・・軟磁性薄膜 ５．５１．５３・・・ギャップ ６・・・低飽和磁束密度合金薄膜 ７・・・スライダ ８１．８３．８５・・・絶縁層 ９１・・・下部磁極層 ９５・・・上部磁極層 １０・・・ギャップ層 １１・・・コイル層 １２・・・保護層 願 理 同 人　ティーデイ−ケイ株式会社 人　　弁理士　　　石　　井　　陽

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）一対のコア間に、軟磁性薄膜を有する磁気ヘッド
   であって、 前記軟磁性薄膜が、下記式で表わされる原 子比組成を有することを特徴とする磁気ヘッド。 式［（Ｆｅ＿１＿−＿ｙＮｉ＿ｙ）＿１＿−＿ｘＭ＿ｘ
   ］＿１＿−＿ｚＣ＿ｚ（上式においてＭは、Ｍｇ、Ｃａ
   、Ｔｉ、 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎおよび
   Ｂから選ばれる１種以上であり、０．００１≦ｘ≦０．
   １、０≦ｙ≦０．１、０．００１≦ｚ≦０．２５である
   。）
2. （２）前記一対のコアを作業温度Ｔｗが４５０〜６００
   ℃の溶着ガラスにより溶着一体化した請求項１に記載の
   磁気ヘッド。
3. （３）上部磁極層と、下部磁極層と、保護層とを有する
   薄膜磁気ヘッドであって、 前記上部磁極層および下部磁極層を形成する軟磁性薄膜
   が、下記式で表わされる原子比組成を有することを特徴
   とする磁気ヘッド。 式［（Ｆｅ＿１＿−＿ｙＮｉ＿ｙ）＿１＿−＿ｘＭ＿ｘ
   ］＿１＿−＿ｚＣ＿ｚ（上式においてＭは、Ｍｇ、Ｃａ
   、Ｔｉ、 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎおよび
   Ｂから選ばれる１種以上であり、０．００１≦ｘ≦０．
   １、０≦ｙ≦０．１、０．００１≦ｚ≦０．２５である
   。）
4. （４）前記軟磁性薄膜の飽和磁束密度Ｂ＿ｓが１６００
   ０Ｇ以上であり、保磁力Ｈ＿ｃが２Ｏｅ以下である請求
   項１ないし３のいずれかに記載の磁気ヘッド。