JPH0311351A - 感光性ネガ型樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は．紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の放射線
に感応するレジスト機能を有し、４００ｎｍ以上の光に
対して透明なコーテイング材及び平滑用樹脂として用い
ることのできる感光性ネガ型樹脂組成物に関するもので
ある。

［従来の技術］ 近年、撮像素子を使用したカラービデオカメラの普及に
伴い高画質撮像素その需要が高まりつつある．この固体
撮像素子には基本型としてＣＣＤ型とＭ　Ｏ　Ｓ　ｆｆ
ｉがある．これらの素子を製造する時ＣＣＤ或いはＭＯ
Ｓチップ上にカラーフィルターを設ける必要がある．こ
のフィルターを設ける方法に以下の２つの方法がある．
即ち、 ｍｃｃＤ或いはＭＯＳチップ上へガラス板に形成したカ
ラーフィルターを貼り合わせる方法。

（貼り合わせ法） （２）ＣＣＤ或いはＭＯＳチップ上に染色法でカラーフ
ィルター分直接形成し積み重ねる方法．（オンチップ法
） 貼り合わせ法はカラーフィルターとＣＣＤ或いはＭＯＳ
チップとの合わせ精度を２μｍ以下にする必要が有り、
高画質化への対応が困難である。

更に，貼り合わせ面に泡が残るとの問語か多々発生ずる
ため、歩留まりがそれほど向上しないという問題点を抱
えており，最近はオンチップ法へと移行しつつある。

［発明が解決しようとする課題］ 一方、オンチップ法は貼り合わせ法に比べて精度良く製
造出来るメリットはあるが，チップ上に積み重ねていく
ため段差が生じ均一な厚みのカラー層を作りにくいとの
問題点がある．従って，平坦化のため，カラー層とカラ
ー層とのインターミキシングを避けるために中間層を設
ける必要があり、ポリグリシジルメタクリレート（ＰＧ
ＭＡ）タイプ或いは変性ＰＧＭＡタイプが代用されてい
る。これらの材料は可視光域で透明であり、加熱するこ
とにより溶剤不溶化を起こし，遠紫外光の照射でポジレ
ジストとじての特性を示すため、現在一般に保護膜、平
滑膜として使用されているが。

感度が悪い、耐ドライエツチング性も悪い、平滑性もそ
れほど良くない、更に露光部にレジストの現像残が発生
しやすいとの問題点を抱えている。

さらに、ＰＧＭＡの側鎖にシンナモイル基と導入したタ
イプは遠紫外線に対して硬化し、同様に保護膜、平滑膜
に使用できるが、耐ドライエツチング性が悪い、また、
撮像素子の表皮の保護膜には、可視光域での透明性が高
く、高感度、高ドライエツチング耐性を有した材料が要
求されているが、いまだ満足のいく材料は見出だされて
いない。

本発明の目的は上記した従来技術の問題点を克服し、可
視光域で透明で、耐ドライエツチング性を有し、高恐炭
かつ解像性に優れたレジスト８！能を有したコーテイン
グ材及び平滑用樹脂を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、このような背景をもとに鋭意研究を重ね
た結果、ペースポリマーに芳香環を有したポリマーを用
い、その芳香環に不飽和基を持つｆ、−置Ｉ＠基をつけ
、かつ添加剤を用いることにより１述の問題点を解決で
きることを見出だし本発明に到達した。

即ち、該樹脂が下記（１）式においてＲが不飽和二重結
合を含む基からなる構造単位を含有することを特徴とす
る樹脂と添加剤とからなるネガ型感光性樹脂組成物を提
供することにある。

Ｃ）（２−Ｃ− （１） （Ａはベンゼン環及び、／又はナフタレン環、ＢはＨ，
Ｃ１〜４のアルキル基？示す、） 特に、下式（２）に示すように、不飽和二重結合かシン
ナモイル基、カルコン基あるいはシンナミリデン基を基
本とする骨格であり、添加剤を加んることを特徴とする
もグ）て゛ある。

（２） Ａ　＋　　　　　　　　　　　　　　Ａ　ｚＩ Ｒ１Ｒ２ （Ａ＋、Ａｉはベンゼン環及び７′又はナフタレン環、
Ｂｌ、Ｂ２はＨ，Ｃ１〜４のアルキル基を示し、Ｒ１は 及び／又は 及び／又は ハロゲンを示す、ｍ／　＜ｍ＋ｎ）＝０．０１〜及び／
又は ／ ／ ／ 基、ブトキシ基等を挙げることができる。

本発明における芳香環に不飽和基を有する樹脂の合成方
法には、特に限定はないが１例えば以下の方法で合成で
きる。

ハロゲノメチル化ポリスチレンあるいはハロゲノメチル
化スチレン、／スチレン共重合体と一般式％式％（４） ドのような非プロトン性格性ｌａ媒中にて、３０〜１０
　（１℃で２〜２０時間反応した後、メタノール／水中
にてポリマーを？Ａ：屏させることによって得られる。

また、ポリスチレン及びＸ′又はポリα−メチルスチレ
ンと一般式（５）及び／又は（６）（ＸはＨ，Ｃ１〜Ｃ
４のアルキル基、シアノ基、ハロゲンを示し、ＹはＨ，
（１〜Ｃ４のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、
ニトロ基、アミノ基を示す、ＭはＮ　ａ　、　Ｋのアル
カリ金属塩、アンモニウム塩を示す、） （ＸはＨ，Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、シアノ基。

ハロゲンを示し、ＹはＨ，Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、Ｃ
１〜Ｃ４のアルコキシ基、二ｌ・四基、アミノ基を示す
、Ｚはハロゲンを示す、） とを二硫化炭素、ニトロベンゼン、クロロホルム等の溶
媒中にて塩化アルミニウム、塩化第二鉄等を触媒として
、フリーデルクラフッ反応を行うことによっても合成で
きる。

本発明における二重結合の導入率には特に限定はないが
、スチレンに対して１〜１００ｍｏ１％、好ましくは５
〜５０ｍｏ　１％の導入の場合、特性が優れている。ま
た、分子量に関しても、特に限定はないが、重量平均分
子量が５０００〜１００００００　（ポリスチレン換算
）が好ましい、さらに、反応の原料になるポリスチレン
、ポリα−メチルスチレン、ハロゲノメチル化ポリスチ
レンの重合方法は公知のラジカル重合、イオン重合の手
法によって得られる。特に、リビングアニオン重合によ
って、原料ポリマーを合成した場合には。

本発明の最終生成物の特性が一段と向上する。

本発明の添加剤は本発明の樹脂と均一に溶解し。

紫外線、遠紫外線、１子線、Ｘ！ＩＩＦの放射線に対し
て感応し、４００ｎｍ以上の可視光域で透明である必要
があり、例えば、ジメチルアニリン、〇ニトロジメチル
アニリン、ｍ−ニトロジメチルアニリン、ｐ−二トロジ
メナルアニリン、ビクラミド、２−クロロ−・４−ニト
ロジメチルアニリン、１１−ジメチルアミノベンゾフェ
ノン、４．４テ１−ラメチルジアミノベンゾフェノン、
・１．４テトラエチルジアミノベンゾフエノン、２−ジ
メチルアミノ安居、香酸エチル、４〜ジメチルアミノ安
息香酸（ｎ−ブトキシ）エチル、４−ジメチルアミノ安
息香酸イソアミル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−エ
チルヘキシルのうち少なくとも１種以上に有しているこ
とが望ましい、また、上記の添加剤に増感剤等の他の添
加剤を加えてもよい０本添加剤の特徴は酸素ＨＷの影響
が極めて小さいことにあり、酸素雰囲気での露光に適し
ている。特に、４−ジメチルアミノベンゾフェノン。

４．４゛−テトラメチｌレジアミノベンゾフェノン゛。

４．４″−テトラエチルジアミノベンゾフェノンは、現
在露光装置の中で最も一般的に使用されている縮小投影
露光装置で露光する際に、極めて優れた効果を発揮する
。また、これらの添加剤とべ〉″シフエノンとの組み合
わせも非常に効果的な添加削である。添加剤の添加量は
特に限定はないが、４００ｎｍ以上の可視光に対して透
明な範囲内で添加する必要があり、ｌｆｆ１’ｆ１００
ｆｉ量部に対して。

０．１〜３０Ｊ１１部が好ましい。

本発明の感光性ネガ型樹脂組成物は、樹脂及び添加剤を
固形分が５〜３０重量部になるように適当な溶剤に溶解
して得られる。溶剤としては、例えば、エチレングリコ
ールモノアルキルエーテル及びそのアセテート項、プロ
ピレングリコールモノアルキルエーテル及びそのアセテ
ート票、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の
酢酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素類、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、
Ｎ−メチルピロリドン等が挙げられる。これらの溶剤は
単独あるいは２Ｐ１以上混合して用いることができる。

また、必要に応じて、塗布性を改良するために、ノニオ
ン系、フッ素系、シリコン系等の界面活性剤を添加する
ことができる、さらに、ゼ・要があれば他の相溶性のあ
る添加物を配合することができる。

ｔｒ−ｍＪ 本発明の芳香環に不飽和基を有する樹脂と添加剤とから
なる感光性ネガ型樹脂組成物は、可視光域で透明であり
、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等によるレジストパ
ターン形成のために用いることができ、感度、解像度、
耐ドライエツチング性に優れている。特に、酸素障害の
影響が極めて小さく、縮小投影露光装置の露光に適して
いる。

本発明の芳香環に不飽和基を有する樹脂と添加剤とから
なる感光性ネガ型ＦＭ脂組成物を用いて放射線照射によ
るレジストパターンを形成する際の使用法には格別の限
定はなく慣用の方法に従って行うことができる。

１列えば１本発明の感光性ネガｆｆｉ樹脂組成物は、芳
香環に不飽和基を有する樹脂と添加剤とを溶剤に溶解し
、０．２μｍのフィルターで一過することにより調整さ
れる。感光性樹脂溶液をシリコンウェハー等の基板上あ
るいはシリコンウェハー上にハードベークした樹脂上に
スピンコードし、プしベークすることによって恐光性樹
ＦｒＭ膜が得られる。その後、縮小投影露光装置、プロ
キシミテイーアライナー、ミラー１０ジエクシヨン、電
子線露光装置等にて露光を行い、現像することによって
レジストパターンを形成できる。現像液としては、エチ
レングリコールモノアルキルエーテル及びそのアセテー
ト票、プロピレングリコールモノアルキルエーテル及び
そのアセテート顕５ジエチレングリコールジアルキルエ
ーテル類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸
ブチル算の酢酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類及びエタノール、イン１０パノール等の
アルコール類の単独あるいは２種以上の混合溶媒を用い
ることができる。塗布、プレベーク、露光、現像等その
池の手法は常法に従うことができる。

［実施Ｍｌ 以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本
発明はこれらに閘定されるものではない。

合ｆ友例１ １ｇの４ツロフラスコに、クロロメチル化ボリスナレン
（重量子均分−１ｔ１．３Ｘ１０’　、分散度（重量平
均分子量／数平均分子量）＝１．１５、クロロメチル化
率４５％＞３１．５ｇ、クイ皮酸カリウム１８．９ｇ及
びジメチルスルホキシド５００ｍ１を仕込み、５０℃に
て、１０時間攪拌した０反応後、沈澱物をＰ別し、Ｐ液
を水／メタノール（１／１を量比）中に添加し、樹脂を
沈澱させ、−過、水洗を行った。その後、再度、樹脂を
テトラヒドロフランに溶解し、メタノール中に沈澱させ
、Ｐ通、洗浄、乾燥を行った。収量は３５゜０ｇであっ
た。ＧＰＣによる分析を行うと、重量平均分子量は１．
６Ｘ１０’　＋分散度１２８であった。また、ゲル成分
に由来するピークは検出出来なかった０元素分析値はＣ
；８４．８％。

Ｈ：　６　、６９（Ｃ１；　ｌ　、　Ｏ％テアッｆｚ。

合成例２ １ｐの４ツロフラスコに、２０ロメチル化ポリスチレン
（重量平均分子量１．３Ｘ１０ゝ、分散度（重置平均分
子１／数平均分ｔＪｉ＞＝１．１５゜クロロメチル化率
４５％）３１．５ｇ、ケイ皮酸カリウム９．５ｇ及びジ
メチルスルホキシド５００　ｍｌを仕込み、５０℃にて
、６時間攪拌した。

反応後、沈澱物をｒ別し、炉液を水／メタノール（１／
１重量比）中に添加し、樹脂を沈澱させ。

２通、水洗を行った。その後、再度、樹脂をテトラヒド
ロフランに溶解し、メタノール中に沈澱させ、濾過、洗
浄、乾燥を行った。収量は２９．５ｇであった。ＧＰＣ
による分析を行うと１重量平均分子量は１．５Ｘ１０’
　、分散度１．２５であった。また、ゲル成分に由来す
るピークは検出出来なかった３元素分析値はＣ；８３．
０％、Ｈ：５．９％、Ｃに６．０％であった 合成例３ １９の４ツロフラスコに、クロロメチル化ポリスチレン
（重量平均分子量２．４Ｘ１０’　、分散度（重置平均
分子１／数平均分子量）＝１．２０、りＵ７　＋コメチ
ル化率４０％）３１ｇ、ケイ皮酸アンモニウム８．３ｇ
及びジメチルスルホキシド５００ｍ１を仕込み、５０℃
にて、６時ｍ１攪拌した９反応後、沈澱物をＰ別し、炉
液と水／メタノール（ｉ’１ｆｆｉＪｔ比）中に添加し
、樹脂を沈澱させ、濾過、水洗を行った。その後、再度
、樹脂をテトラヒドロフランに溶解し、メタノール中に
沈澱させ、濾過、洗浄、乾燥を行った。収量は２７．５
ｇであった。ＧＰＣによる分析を行うと、重量平均分子
量は２．７Ｘ］０’、分散度１，２６であった。また、
ゲル成分に由来するピークは検出出来なかった０元素分
析値はＣ；８３．８％、Ｈ１６，７％、ＣＪＩ　；　５
．４％であった。

合成例４ １９の４ツロフラスコに、クロロメチル化ポリスチレン
（重量平均分子量２．４Ｘ１０’　、分散度（重量平均
分子量／′数平均分子量）＝１２０、クロロメチル化率
４０％）３１ｇ、α−シアノゲイ皮酸アンモニウム９．
６ｇ及びジメチルスルホキシド５　（１０ｍｌを仕込み
、５０℃にて、６時間撹拌した０反応ｔ★、沈澱物をＦ
別し、炉液を水／メタノール（１／１ｆｆｌｉｔ比）中
に添加し、樹脂を沈澱させ、−過、水洗を行った。その
後、再度、樹脂とテトラヒドロフランに溶解し、メタノ
ール中に沈澱させ、２通、洗浄、乾燥を行った。収量は
２９．０ｇであった。ＧＰＣによる分析を行うと、重量
平均分子量は２．８Ｘ１０’　、分散度１．３０であっ
た。また、ゲル成分に由来するピークは検出出来なかっ
た０元素分析値はＣ；８２．７％、Ｈ，６，４％、Ｎ：
１．７％、Ｃｊ：５．３％であった。

合成例５ ５００ｍｌの４ツロフラスコに、ポリスチレン（重量平
均分子量９．６Ｘ１０’　、分散度（重量平均分子量／
数平均分子量）＝１．０６＞２０ｇ、ケイ皮酸クロライ
ド１０．Ｏｇ、塩化アルミニウム８．０ｇ及び二硫化炭
素３００ｍ１を仕込み、１５℃にて、２００時間撹拌た
０反応後、溶液を水／メタノール（１／１重量比）中に
添加し、樹脂を沈澱させ、−過、水洗を行った。そのｔ
＆、樹脂？う一トうしドロフランに溶解し、メタノール
中に沈Ｅ（ｉ容Ｍ／再沈を２度繰り返す）させ、ＱｊＪ
過。

洗浄、乾燥を行った。収量は２０　、５　ｇであった、
Ｇ　Ｐ　Ｃによる分析を行うと、重量平均分子量は１ｌ
ＸＩＯ’−分散度１．２０であった。また、ゲル成分に
由来するピークは検出出来なかった３元素分析暁はＣ：
９１．８％、Ｈ，７，５％であった。

合成ｆＭ６ ３００ｍｌの４ツロフラスコに、常法に従い合成したク
ロロメチル化ポリビニル−１−ナフタレン〈重量平均分
子量１．５：＜１０’、分散度（Ｖ量子゛均分子量７／
数乎均分子量＞＝１．２５、クロロメチル化率４０％）
５．０ｇ、ケイ皮酸カリウム２．１ｇ及びジメチルスル
ホキシド１００ｎ＋ｌを（１込み、５０℃ニテ、６時ｒ
：１ｆＩｉＬ拌した０反応後、沈澱物をＰ別し、炉液を
水／メタノール（１／　１重量比）中に添加し、樹脂を
沈澱させ、濾過、水洗を行った。その後、再度、樹脂を
テトラヒドロフランに溶解し、メタノール中に沈澱させ
、−過、洗浄、乾燥を行った。収量は４．７ｇであった
。

ＧＰＣによる分析を行うと、重量平均分子量は１．８Ｘ
ｌＯ％、分散度１．２８であった。また、ゲル成分に由
来するピークは検出出来なかった。

元素分析値はＣ，８７，７％、Ｈ，６，０％。

Ｃｊ：１．２％であった。

実施例１ 合成例１で得られた樹脂３．０ｇと４．＝４−テトラエ
チルジアミノベンゾフェノン０．０９ｇとをキシレン２
０ｇに溶解し、０．２μｒｎのミクロフィルターにて一
過を行い、感光性樹脂溶液とした。この感光性樹脂溶液
を用いてスピナーで４インチウェファ−上に塗布し、８
０℃、２５分間循環恒温槽にてプリベークを行い１．０
μｍＭ厚のレジスト膜を得た１次に５対１ｉｔａｉ小投
影露光装置（Ｎ、Ａ、＝０．４２＞を用いて、レチクル
を通して露光した。現像液として、酢酸イソアミルを用
いて、２５℃、１分閏振とう現像を行った。

３．０μｍライン／′スペースを１対１に現像する露光
量はＬ　２０　＋ｎ　Ｊ　／　ｃ　ｍ　”であった、ま
た。

解像度は１．’３ｉｔｒロライン、′スペースまで解は
できた。

また、１μｍ１ｌｌで、塗布、ベータ、露光後の４００
ｎｍにおける透過率は９５．０％であった。

さらに、ドライエツチング装置ＤＥＭ−’４５１型（日
電アネルバ社製）を用いてＣＦ、ガスによる反応性スパ
ッタリングに対するドライエツチング耐性試験を行った
ところ、エツチング速度６０１）　Ａ　／　ｍ　ｉ　ｎ
　、であった、比較として、タロロメチル化ポリスチレ
ンについて５同様の試験を行ったところ、そのエツチン
グ速度は５５０Ａ／ｍｉｎ、であった。

実施例２ 合成ｆＮ　２　テｆ％られた樹脂３．０ｇと４．４　’
テトラメチルジアミノベンゾフェノン０．０９ｇととキ
シレン２０ｇに溶解し、０．２μｍのミクロフィルター
にて濾過を行い、感光性樹脂溶液とした。実施例１に従
い、レジスト機能評価を行ったところ、３．０μｍライ
ン／スペースを１対１に″現像する露光量は１６０　ｍ
　Ｊ　／　ｃ　ｍ　”であった。

また、解像度は１．５μｍライン７／スペースまで解像
できた。

実施例３ 合成例３で得られた樹脂３、Ｏｇ、４゜４テトラメチル
ジアミノベンゾフエノン０．０９ｇ、ベンゾフェノン０
．０９ｇをキシレン２５ｇに溶解し、０２μｍのミクロ
フィルターにて濾過を行い、感光性樹脂溶液とした。実
施例１に従い、レジスト機能評価を行ったところ、３．
０μｍライン／スペースを１対１に現像する露光量は１
００ｍＪ／ｃｍズであった。また、解像度は２．０μｍ
ライン／スペースまで解像できた。

実施例４ 合成例４で得られた樹脂３．Ｏｇと４．４゛テトラメチ
ルジアミノベンゾフエノン０．０５ｇとをキシレン２０
ｇに溶解し、０．２μｒｎのミクロフィルターにて１通
を行い、感光性樹脂溶液とした。実施例１に従い、レジ
スト機能評価を行ったところ、３．０μｍライン／スペ
ースを１対１に現像する露光量は１００　ｍ　、１　、
／　ｃ　ｍ　２であった。

また、解像度は２０μｍライン／′スペースまで解１笈
できた。

実施例５ 合成ｆＭ５ｒ得らレタ樹脂３．０ｇ、４．４　’テトラ
エチルジアミノベンゾフェノン０．０９ｇ。

ベンゾフェノン００９ｇをキシレン２０　ｇに溶解し、
０．２μｍのミクロフィルターにて一過を行い、感光性
樹脂溶液とした。実施例１に従い、レジスト機能評価と
行ったところ、３．０μｍライン／スペースを１対１に
現像する露光量は２００　＋ｎ　Ｊ　／　ｃ　ｍ　２で
あった。また、解像度は２．０μｎｌライン／スペース
まで解像できた。

実施例６ 合成例６で得られた樹脂３．Ｏｇと４，４゛テトラメチ
ルジアミノベンゾフヱノン０．０９ｇとごキシレン２０
ｇに溶解し、０．２μｒ１のミクロフィルターにて濾過
を行い、感光性樹脂溶液としな、実施例１に従い、レジ
スト機能評価を行ったところ、３．０μｍライン／スペ
ースを１対１に現像する露光量は１４０　ｍ　Ｊ　／’
　ｃ　ｍ　２で４６つな。

また、解像度は２．０１１＋ｎライン２′スペースまで
解像できた。

［発明の効果］ 本発明の芳香環に不飽和基を有する樹脂と添加剤とから
なる感光性ネガ型樹脂組成物は、可視光域で透明で、露
光時の酸累障害の影響が極めて小さく７ｍドライエツチ
ング性を有し、高感度かつ解像性に優れたレジストｌ１
ｉ１能を有するため、固体撮像素子及び半導体気積回路
素子等に使用されるコーテイング材及び平滑用樹脂とし
て好適である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）ポリマーと添加剤とからなる感光性ネガ型樹脂組
   成物において該ポリマーが下記〔１〕式においてＲが不
   飽和二重結合を含む基からなる構造単位を含有すること
   を特徴とする感光性ネガ型樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔１〕 （Ａはベンゼン環及び／又はナフタレン環、ＢはＨ、Ｃ
   １〜４のアルキル基を示す。）
2. （２）請求項１記載の該ポリマーが下記〔２〕式に示さ
   れろ不飽和二重結合からなる構造単位を含有することを
   特徴とする感光性ネガ型樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔２〕 （Ａ＿１、Ａ＿２はベンゼン環及び／又はナフタレン環
   、Ｂ＿１、Ｂ＿２はＨ、Ｃ１〜４のアルキル基を示し、
   Ｒ＿１は ▲数式、化学式、表等があります▼ 及び／又は ▲数式、化学式、表等があります▼ 及び／又は ▲数式、化学式、表等があります▼ 及び／又は ▲数式、化学式、表等があります▼ を、Ｒ＿２はＨ、ＣＨ＿２Ｚを示す、ＸはＨ、Ｃ１〜Ｃ
   ４のアルキル基、シアノ基、ハロゲンを示し、ＹはＨ、
   Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、
   ニトロ基、アミノ基を示し、ｚはハロゲンを示す、ｍ／
   （ｍ＋ｎ）＝０．０１〜１．０である。）
3. （３）添加剤が下記に示される化合物を少なくとも１種
   以上含むことを特徴とする請求項１記載の感光性ネガ型
   樹脂組成物。 ジメチルアニリン、ｏ−ニトロジメチルアニリン、ｍ−
   ニトロジメチルアニリン、ｐ−ニトロジメチルアニリン
   、ピクラミド、２−クロロ−４−ニトロジメチルアニリ
   ン、４−ジメチルアミノベンゾフェノン、４、４′−テ
   トラメチルジアミノベンゾフェノン、４、４′−テトラ
   エチルジアミノベンゾフェノン、２−ジメチルアミノ安
   息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸（ｎ−ブト
   キシ）エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル
   、４−ジメチルアミノ安息香酸２−エチルヘキシル。
4. （４）添加剤が４−ジメチルアミノベンゾフェノン及び
   、／又は４、４′−テトラメチルジアミノベンゾフェノ
   ン及び／又は４、４′−テトラエチルジアミノベンゾフ
   ェノンであることを特徴とする請求項１記載の感光性ネ
   ガ型樹脂組成物。
5. （５）添加剤が４−ジメチルアミノベンゾフェノン及び
   ／又は４、４′−テトラメチルジアミノベンゾフェノン
   及び／又は４、４′−テトラエチルジアミノベンゾフェ
   ノンとベンゾフェノンとの組み合わせからなることを特
   徴とする請求項１記載の感光性ネガ型樹脂組成物。