JPH0311305A - 光導波路と光ファイバの結合構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光導波路と光ファイバの結合構造に関する。

〔従来の技術〕

光導波路は、第５図にその一例を示したように、ＧａＡ
ｓ基機上心機上ＡｌＡｓのクラッド層を更にその上にＧ
ａＡｓの導波層を設けてなる光導波路基体３の上記導波
層に線状突起部を設け、この突起部を光導波路４となし
て構成したものである。

而して上記の光導波路と光ファイバとの従来の結合構造
は、第６図にその組立説明図を示したように、光ファイ
バ６を端面を露出して基板２１上に固定し、この基板２
１の上に先端を突出させて押え板８を被せ、この押え板
８の光ファイバ６を挟む両側にガイド溝１４を設け、−
力光導波路４の基体３側に上記ガイド溝１４と嵌合する
ガイド突起１５を設け、双方を嵌合しスライドさせて光
ファイバ６と光導波路４とを双方の端面を突き合わせて
光結合する構造のものであった。

〔発明が解決しようとする！ｌ！題〕

しかしながら、上記のような従来の結合構造にあっては
、光結合の為の位置合わせを光ファイバを固定載置する
基板と光導波路の基体とにそれぞれ溝又は突起を設けこ
れらを嵌合して行う為に光導波路と光ファイバとの正確
な位置決めが困難で光軸にズレを起こし易く、更に従来
の光ファイバの固定状態は、第７図に示したように、光
ファイバ６は、基板２１及び基板２１と一体の２本の突
起１７及び押え板８からなるスペースの広い断面矩形の
溝内に固定される為に定位置に固定し難く、このような
ことから良好な光結合が得られないという問題があった
。

〔課題を解決する為の手段及び作用〕

本発明は、かかる状況に鑑みなされたものでその目的と
するところは、高晴度な光結合が容易に得られる光導波
路と光ファイバの結合構造を提供することにある。

即ち本発明は、基板上に少なくとも１本の直線状のＶ溝
が形成され、このＶ溝内に、光導波路基体上に形成され
た光導波路と光ファイバとを、双方の端面を光結合させ
固定してなる光導波路と光ファイバの結合構造であって
、上記光導波路が形成された光導波路基体上に前記基板
上のＶ溝の内壁に接触して光導波路を所定位置に固定す
る為の固定用ガイドが光導波路の両側に設けられている
ことを特徴とするものである。

本発明の結合構造にあっては、１枚の基板上に形成した
Ｖ溝に光ファイバと光導波路とを配置し、上記Ｖ溝内に
配置した光ファイバの位置にあわせて、上記光導波路の
■溝内の配置位置を、上記光導波路が形成された光導波
路基体面上の上記光導波路の両側に固定ガイドを設け、
この固定用ガイドをＶ溝内壁に接触させて光導波路を位
置決めし、光ファイバと光結合させる構造からなるもの
で、光導波路と光ファイバとの光結合が精度よく且つ容
易になされる。

（実施例〕 以下に本発明を実施例により、図を参照して詳細に説明
する。

第１図イ〜ハは、本発明の結合構造を構成するＳｉ基板
、光導波路基体及び双方の組立て状態のそれぞれ一実施
例を示す斜視図である。１はＳｉ基板で、Ｓｌ基板には
■溝２が直線状に形成されている（１図イ）、３は光導
波路基体で、この光導波路基体３には、断面８μ口の光
導波路４が突出して直線状に形成されており、この光導
波路４の両側に上記光導波路４に平１テして固定用ガイ
ド５が１本ずつ所定位置に設けられている（１図口）、
上記のＳｉ基板１と光導波路基体３とは、基板１のＶ溝
２内壁に光導波路基体３の固定用ガイド５を接触させて
、光導波路４がＶ溝２内の中央部上方の所定部位に位置
するようにして組立てられている（１図ハ）。

第２図イ〜ハは、本発明の結合構造の一実施例を示すそ
れぞれ斜視図、平面図及び側面透視図である０図におい
て、６はコア径１０μ外径１２５μのシングルモード光
ファイバである。

Ｓｉ基板ｌ上にＶ溝２が直線状に設けられており、この
Ｖ溝２の中央部分に光導波路基体３が、又上記光導波路
基体３を挟んで光ファイバ６、　１６がそれぞれ光導波
路４とコア７．１７とを光結合して■溝２に平行に配置
されている（２図イ）。

上記結合構造にあっては、第３図に示したように光ファ
イバ６．１６上に押え板８．１８を被せ、これを接着剤
で固着し、更に光導波路基体３及び押え板８．１８を基
板ｌに、固定具９を左右両側から押しつけ固着して用い
られる。

而して上記結合構造の光ファイバ６に光ビームを伝送し
たところ、光ビームは光導波路を介してもう一方の光フ
ァイバ１６へ効率よく伝播され良好な光通信がなされた
。

次にＳｉ基板上に■溝を形成する方法の一実施例を図を
参照して説明する。第４図イ２口はＳｉ基板にＶ溝を形
成する方法の一実施例を示すそれぞれ平面及び側面説明
図である０図において１０はレジスト膜である。

表面が（１００）面の単結晶のＳｉ基板１上に＜１１０
＞方向に向けて１６０μ幅の線状領域１１をマークし、
次いで上記線状領域１１を残してＳｉ基板１表面をレジ
スト膜１０によりマスキングしく４図イ）、シかるのち
これを２０゛ｃに保持した、１０％ＫＯＨ水溶液中に所
定時間浸漬し、前記線状領域１１部分を所定深さ食刻し
たのち、これを上記水溶液から引上げ、水洗し、レジス
ト膜ｌＯを除去してＳｉ基板１上に■溝２を形成した（
４図口）。

上記において最稠密面の（１１１）面が遅れて食刻され
る為、溝の内面には、（１１１）面が露出し、その結果
基板表面の（１００）面と（１１１）面のなす角５４．
７°を傾斜角となす■溝２が形成された。上記■溝２の
深さは、ＫＯＨ水溶液の濃度、温度及び上記水溶液中へ
の浸漬時間を予備実験により決めた所定条件に保持する
ことにより正確にコントロールできた。

上記実施例では、Ｓｉ基板上に、被覆を除去した裸光フ
ァイバ部分だけを載置したが、被覆部分も載置して固定
を強化することも可能で、この場合は、光ファイバの被
覆部分を載置する溝を太く形成するので、Ｓｉ基板上の
Ｖ溝は溝は２段に構成される。

上記実施例においては、一対の光導波路と光ファイバの
結合構造について説明したが、本発明は複数対の結合構
造にも適用し得るものである。

〔効果〕

以上述べたように本発明によれば、光導波路と光ファイ
バの結合が高精度に且つ容易になし得るので、工業上顕
著な効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図イ〜ハは本発明の結合構造を構成するＳｌ基板、
光導波路基及び双方の組立て状態のそれぞれ一実施例を
示す斜視図、第２図イ〜ハは本発明の結合構造の一実施
例を示すそれぞれ斜視図、平面図及び側面透視図、第３
図は上記結合構造の光フアイバ上に押え板を被せた状態
及び上記押え板及び光導波路基体を基板上に固定する為
の固定具を示す斜視図、第４図イ、口は上記結合構造に
用いるＳｔ基板に■溝を形成する方法の一実施例を示す
それぞれ平面及び側面説明図、第５図は光導波路の一例
を示す斜視図、第６図は従来の結合構造を示す組立説明
図、第７図は従来の結合構造における光ファイバの固定
状態を示す断面説明図である。 １．２１・・・基板、　２・・・Ｖ溝、　３・・・光導
波路基体、　４・・・光導波路、　５・・・固定用ガイ
ド、６．１６・・・光ファイバ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に少なくとも１本の直線状のＶ溝が形成され、こ
   のＶ溝内に、光導波路基体上に形成された光導波路と光
   ファイバとを、双方の端面を光結合させ固定してなる光
   導波路と光ファイバの結合構造であって、上記光導波路
   が形成された光導波路基体上に前記基板上のＶ溝の内壁
   に接触して光導波路を所定位置に固定する為の固定用ガ
   イドが光導波路の両側に設けられていることを特徴とす
   る光導波路と光ファイバの結合構造。