JPH03111570A - 堆積膜形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、堆積膜形成法に関し、特に半導体集積回路装
置等の配線に好ましく適用できるＭＯ堆積膜の形成法に
関するものである。

［従来の技術］ 従来、半導体を用いた電子デバイスや集積回路において
、電極や配線には主にアルミニウム（八１）もしくはへ
１−５１等が用いられてきた。ここで、＾℃は廉価で電
気伝導度が高く、また表面に緻密な酸化膜が形成される
ので、内部が化学的に保護されて安定化することや、Ｓ
ｉとの密着性が良好であることなど、多くの利点を有し
ている。

しかし一方で高集積化に伴いゲート電極と拡散層とのマ
スク合せなどが不要なセルファライン（自己位置決め）
技術が不可欠である。このプロセスでは高温を要するた
め、八１などの融点の低い金属は使用できない。従来の
ＭＯＳ　ＬＳＩでけセルファラインが可能なゲート電極
配線として、高濃度に不純物ドープされた多結晶Ｓｔが
広く使われてきた。ところがさらに高集積化が進むにつ
れて微細な多結晶Ｓｔ配線等の電気抵抗が高くなるとい
う問題が生じてくる。これはデバイスの高速動作に致命
的である。そこで多結晶ＳＮよりも体積抵抗率が低い、
しかもセルファライン可能な高融点金属が必要とされて
いる。また基本的に＾１が使用できる場合でもＳｔ層と
のコンタクト電極部で熱処理時にＳｉと配線Ａ１が反応
して断線や配線の高抵抗化が起きる。このため高融点で
電気抵抗の低い金属が電極配線材料として、またコンタ
クト部のＳｌと　Ａｊ２の反応を防止するバリアーメタ
ルとして使われるようになフてきた。特にＭＯは融点が
充分高いこと（２６２０℃）、電気抵抗が低いこと（４
，９μΩ・ｃｍ）などのために注目されている。

従来のＭＯ電極や配線等に用いられるＭｏ膜は電子ビー
ム蒸着やスパッタ法により堆積させる方法が使われてき
た。特にスパッタ法は成膜の制御性が良く、良質の膜が
得られるので最もよく使用されてきた。しかしスパッタ
法はターゲットからスパッタされた粒子の真空中での飛
来を基礎とする物理的堆積法であるので、段差部や絶縁
膜側壁での膜厚が極端に薄くなり、甚だしい場合には断
線も生じる。そして、膜厚の不均一や断線は１．５１の
信頼性を著しく低下させることになる。

上記のような問題点を解決するため、様々なタイプのＣ
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法が提案されている。これらの方法では成膜過
程で何らかの形で原料ガスの化学反応を利用する。プラ
ズマＣＶＤや光ＣＶＤでは原料ガスの分解が気相中で起
き、そこでできた活性種が基板上でさらに反応して膜形
成が起きる。これらのＣＶＤ法では気相中での反応があ
るので、基板表面の凹凸に対する表面被覆性がよい。し
かし、原料ガス分子中に含まれる炭素原子が膜中に取り
込まれる。また特にプラズマＣＶＤではスパッタ法の場
合のように荷電粒子による損傷（いわゆるプラズマダメ
ージ）があるなどの問題点かあフた。

熱ＣＶＤ法は主に基体表面での表面反応により膜が成長
するために表面の段差部などの凹凸に対する表面被覆性
が良い。また、ピアホール内での堆積が起き易いと期待
できる。さらに段差部での断線なども避けられる。

このためＭｏ膜の形成方法としても熱ＣＶＤ法が種々研
究されている。例えば半導体研究第２０巻（工業調査会
、　１９１１３年）の第４章で紹介されているような常
圧ＣＶＤないし減圧ＣＶＤによるＭｏＣｌ２．の水素還
元法やＭｏＦ６のＳｉ還元法などがある。しかしＭｏＣ
ｌ３．５の水素還元法では成膜装置内の加熱された基板
表面以外の部分でＭＯ以外にＭｏＣｌ２３その他の複数
のモリブデンハロゲン化物が生成してしまうという問題
点がある。従って成膜の制御は難しい。ＭｏＦ、のＳｉ
還元法ではＳｔの存在化でＭｏＦ、が反応してＭｏを析
出させるが、このときＳｉがエツチングされてしまう。

従ってＳｔウェハ上の電子回路がダメージを受ける。ま
た５ｉｎ２もエツチングされる。

ただし、このためＭｏＦ、のＳｉ還元法ではＳｉ基板上
に堆積が起き、ＳｉＯ□上には堆積しない。従ってこの
まｔでは↓田ト聞顆がある一士か他のナシ力と１．てＴ
ｈ１ｎ　５ｏｌｉｄ　Ｆｉ１ｍｓ第６３巻（１９７９年
）第１６９ページに述べられているようなＭｏ　（Ｃｏ
）　ｅの常圧ＣＶＤ法の例がある。この方法ではＡｒを
キャリアガスとして常圧ＣＶＤでＭｏ膜を基板上に堆積
することができる。しかしこの方法ではかなり多量の酸
素や炭素がＭｏ膜中に不純物として取り込まれるという
問題がある。このため堆積膜の電気抵抗が増加してしま
うという問題点がある。

以上のように従来のＭｏ膜の堆積法はＬＳＩ表面の段差
の被覆性が悪かったり、５ｉＬＳＩ表面を不必要にエツ
チングしてしまったり、ＳｉＯ□にダメージを与えたり
、堆積反応の制御が困難だったり、あるいはＭｏ膜への
多量の不純物混入があったりするなどの問題があフた。

［発明が解決しようとする課題］ 以上のように、近年より高集積化が望まれている半導体
の技術分野において、高集積化され、かつ高性能化され
た半導体装置を廉価に提供するためζは、２ケ簿オペλ
全抽が冬〈ｈ左１７でいた従って本発明の目的はＳｔウ
ェハや５ｉ０２にダメージを与えずにＭｏ膜の堆積法を
提供することにある。

本発明の他の目的はＬＳＩ表面の段差被覆性の高いＭｏ
膜の堆積法を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は低抵抗のＭｏ膜を制御性良く
堆積できるＭｏ膜の堆積法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ かかる目的を達成するために本発明堆積膜形成方法は、
（ａ）電子供与性の表面に有機モリブデン化合物分子と
水素ガスとを供給する工程、および （ｂ）前記有機モリブデン化合物の分解温度以下で、か
つ８００℃以下の範囲内に前記電子供与性の表面の温度
を維持し、モリブデン膜を該電子供与性の表面に形成す
る工程を有することを特徴とする。

［作　用］ 本発明のＭｏ膜堆積法においては原料ガスとして有機Ｍ
Ｏ化合物と■２ガスを用いる。有機ＭＯ化合物としては
常温で固体のＭｏ（Ｃｏ）６やＭｏ　（ＣＨｓ）　ｓな
どをＨ２ガスやＡｒ等のキャリアガス中で昇華させ、加
熱基板上で反応させることによりＭｏ膜が堆積する。反
応の詳細なメカニズムは必ずしも明らかではないが、加
熱された金属や半導体のような電子供与性基体表面でＭ
ｏ　（ｃｏ）、などがＨ２ガスと反応してＭＯが生成さ
れていると考えられる。基体表面が電子供与性でないと
この反応が進行し難いために、非電子供与性表面での膜
の堆積が起き難いと考えられる。Ｍｏ　（ＧＯ）　ａ　
単体での熱分解は４００℃前後で起き、　３００℃でも
部分的な分解が起きる。もし圧力が高く、しかも！（２
がないとこれらの分解生成物は完全に反応しないまま基
体上へ堆積してしまう。

しかもこのときＭｏ膜中にはかなり多量の炭素や酸素が
取り込まれてしまい、電気抵抗が高くなってしまう。従
って不純物の膜への混入を防止するためにもＨ２ガスは
反応の際に不可欠である。基体温度３００℃以上で反応
ガスの圧力が高い場合には膜の堆積はＳＩＯ□やＡＬＬ
２０．などの非電子供与性表面にも起きるようになり、
堆積の選択性が低下してくる。反応圧力は１００Ｔｏｒ
ｒ以下でなければ選択堆積は起きず、実用上は１０Ｔｏ
ｒｒ以下が望ましい。基体の温度が高すぎるとＭＯ（ｃ
ｏ）　ｅはＨ２や電子供与性表面の助けを借りずにさか
んに熱分解していくため、再び膜中の不純物が増加する
。８００℃以上の基体温度は使用できず、望ましくは６
００℃以下が適当である。最も望ましい温度範囲は４５
０〜５５０℃である。　ＭＯＣＪ２ｓやＭｏＦ、などを
Ｈ２やＳｔで還元する方法が知られているが、これらの
方法では膜中にハロゲン元素が混入したり、Ｓｉ基板や
５ｉ（ｈ膜のエツチングなどのダメージがあり、基体の
特性を劣化させる。このためこれを用いたデバイスの特
性まで低下することがある。本発明の方法によればハロ
ゲン元素は一切用いないので、上記のような問題は全く
なしにＭｏ膜の堆積が可能である。原料ガスとしてはＭ
ｏ　（Ｇｏ）　６の他にＭｏ　（ＣＨ３）　６でもよい
。ＭＯ（ＣＩＬｄ　ａは高純度の膜を得る上ではＭｏ　
（Ｇｏ）　。

よりもむしろ望ましい、　Ｍｏの有機化合物はこれらに
限定される訳ではない。

［実施例〕 以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施態様につ
いて説明する。

第１図は本発明を適用可能な堆積膜形成装置を示す模式
図である。

ここで、１はＭｏ膜を形成するための基体である。基体
１は、同図に対して実質的に閉じられた堆積膜形成用の
空間を形成するための反応管２の内部に設けられた基体
ホルダ３上に載置される。

反応管２を構成する材料としては石英が好ましいが、金
属製であってもよい。この場合には反応管を冷却するこ
とが望ましい。また、基体ホルダ３は金属製であり、載
置される基体を加熱できるようにヒータ４が設けられて
いる。そしてヒータ４の発熱温度を制御して基体温度を
制御することができるよう構成されている。

ガスの供給系は以下のように構成されている。

５はガスの混合器であり、原料ガスと反応ガスとを混合
させて反応管２内に供給する。６は原料ガスとして有機
金属を気化させるために設けられた原料ガス気化器であ
る。

本発明において用いる有機金属は室温で固体状であるの
で、気化器６内でキャリアガスを有機金属の表面近くに
通して昇華させて飽和蒸気となし、混合器５へ導入する
。この時ガスまたは有機金属そのものを加熱することは
昇華を大いに促進する。

排気系は以下のように構成される。

７はゲートバルブであり、堆積膜形成前に反応管２内部
を排気する時など大容量の排気を行う際に開かれる。８
はスローリークバルブであり、堆積膜形成時の反応管２
内部の圧力を調整する時など小容量の排気を行う際に用
いられる。９は排気ユニットであり、ターボ分子ポンプ
等の排気用のポンプ等で構成される。

基体１の搬送系は以下のように構成される。

ｌＯは堆積膜形成前および堆積膜形成後の基体を収容可
能な基体搬送室であり、バルブ１１を開いて排気される
。１２は搬送室を排気する排気ユニットであり、ターボ
分子ポンプ等の排気用ポンプで構成される。

バルブ１３は基体１を反応室と搬送空間で移送する時の
み開かれる。

第１図に示すように、原料ガスを生成するためのガス生
成室６においては、室温に保持されるか、または加熱さ
れた固体状の有機Ｍｏ化合物に対しキャリアガスとして
のＨ２もしくはＡｒ（もしくは他の不活性ガス）を通し
、気体状有機ＭＯ化合物を生成し、これを混合器５に輸
送する。反応ガスとしてのＨ２は別経路から混合器５に
輸送される。ガスはそれぞれその分圧が所望の値となる
ように流量が調整されている。

原料ガスとしては、Ｍｏ　（ＧＯ）　ａやＭｏ　（ＣＨ
ｓ）　ａが良い。また、Ｍｏ　（（１：０）、とＭｏ　
（にＨ３）　８を混合させて用いてもよい。

このような原料ガスおよび反応ガスを用いて形成された
膜は、オーシュ電子分光法や光電子分光法による分析の
結果、この膜には炭素や酸素のような不純物の混入が認
められない。

また、形成された堆積膜の抵抗率は、膜厚６００人では
室温で８〜３０μΩ・ＣＩＩＩとＭＯバルクの抵抗率に
かなり近く、多結晶ｓｉより低く、連続かつ平坦な膜と
なる。可視光波長領域における反射率も７０〜８０％で
あり、表面平坦性にすぐれた薄膜を堆積させることがで
きる。

基体温度としては、ＭＯを含む原料ガスの分解温度以上
（例えば３５０℃）、かつ８００℃以下が望ましいこと
は前述した通りであるが、具体的にはＭ。

（ＣＯ）３の場合基体温度４００〜６００℃、　Ｍｏ　
（ＣＨｓ）　ｅの場合３５０〜５５０℃が望ましい。

さらに好ましくは基体温度Ｍｏ　（ｃｏ）　６の場合４
５０℃〜５５０℃、　Ｍｏ　（ＣＨ３）　６の場合４０
０〜５００℃であり、この条件で堆積したＭＯ膜は炭素
、酸素を含まず、抵抗も充分低い。

第１図示の装置では、１回の堆積において１枚の基体に
しかＭＯを堆積することができない。略々１００人／分
の堆積速度は得られるが、多数枚の堆積を短時間で行う
ためには不十分である。

この点を改善する堆積膜形成装置としては、多数枚のク
エへを同時に装填してＭＯを堆積することのできる減圧
ＣＶＤ装置がある。本発明によるＭＯ堆積は加熱された
電子供与性基体表面での表面反応を用いているため、基
体のみが加熱されるホットウォール型減圧ＣＶＤ法であ
ればＭｏ　（Ｇｏ）　ａとＨ２によりＭｏを堆積させる
ことができる。

反応管圧力は１０−’〜７６０Ｔｏｒｒ、望ましくは０
．１〜５Ｔｏｒｒ　、基体温度は３５０℃〜８００℃、
望ましくは４００℃〜６００℃、Ｍｏ　（ｃｏ）　６分
圧は反応管内圧力の１×ｌＯ′″５倍〜１．５　Ｘｌ０
−”倍であり、ＭＯが電子供与性基体上にのみ堆積する
。

第２図はかかる本発明を適用可能な堆積膜形成装置を示
す模式図である。

５７はＭｏＭを形成するための基体である。５０は周囲
に対して実質的に閉じられた堆積膜形成用の空間を形成
する石英製の外側反応管、５１は外側反応管５０内のガ
スの流れを分離するために設置される石英製の内側反応
管、５４は外側反応管５０の開口部を開閉するための金
属製のフランジであり、基体５７は内側反応管５１内部
に設けられた基体保持具５６内に設置される。なお、基
体保持具５６は石英製とするのが望ましい。

また、本装置はヒータ部５９により基体温度を制御する
ことができる。反応管５０内部の圧力は、ガス排気口５
３を介して結合された排気系によって制御でざるように
構成されている。

また、原料ガスは第１図に示す装置と同様に、第１のガ
ス系、第２のガス系および混合器を有しくいずれも図示
せず）、原料ガスは原料ガス導入口５２より反応管５０
内部に導入される。原料ガスは、第２図中矢印５８で示
すように、内側反応管５１内部を通過する際、基体５７
の表面において反応し、Ｍｏを基体表面に堆積する。反
応後のガスは、内側反応管５１と外側反応管５０とによ
って形成される間隙部を通り、ガス排気口５３から排気
される。

基体の出し入れに際しては、金属製フランジ５４をエレ
ベータ（図示せず）により基体保持具５６゜基体５７と
ともに降下させ、所定の位置へ移動させて基体の着脱を
行う。

かかる装置を用い、前述した条件で堆積膜を形成するこ
とにより、装置内の総てのウェハにおいて良質なＭｏ膜
を同時に形成することができる。

上述したように、本発明にもとづ＜Ｍｏ成膜法によって
得られる膜は炭素等の不純物が少なく、充分電気抵抗が
低い。また基板表面のダメージもなく、制御性も良いな
どの顕著な利点がある。

（実施例１） まずＭｏ成膜の手順は次の通りである。第１図に示した
装置を用い、排気設備９により、反応管２内を略々１　
ｘ　１０−’Ｔｏｒｒに排気する。ただし反応管２内の
真空度はＩ　Ｘ　１Ｏ−８Ｔｏｒｒより悪くてもＭｏ膜
は成膜する。

５ｊウエ八などの基体を洗浄後、搬送室１０を大気圧に
解放しＳｉウェハを搬送室に装填する。搬送室を略々１
　ｘ　１０””Ｔｏｒｒに排気し、その後ゲートバルブ
】３を開は基体をウェハホルダ３に装着する。

基体をウェハホルダ３に装着した後、ゲートバルブ１３
を閉じ、反応室２の真空度が略々ｌＸ１Ｏ−６Ｔｏｒｒ
になるまで排気する。

本実施例では第１のガスラインからＭｏ　（ＣＯ）　ｅ
を昇華させて供給する。Ｍｏ　（Ｇｏ）　ａラインのキ
ャリアガスはＨ２を用いた。第２のガスラインはＨ２用
とする。

第２ガスラインからＨ２を流し、スローリークバルブ８
の開度を調整して反応管２内の圧力を所定の値にする。

その後ヒータ４に通電し基体を加熱する。基体温度が所
定の温度に到達した後、Ｍｏ　（ＧＯ）　ａラインより
Ｍｏ　（ＣＯ）　ｓを反応管内へ導入する。全圧は略々
１．５　Ｔｏｒｒであり、Ｍｏ　（Ｇｏ）　６分圧を略
々１．５　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒとする。Ｍｏ　（ＧＯ）
　６を反応管２に導入するとＭＯが堆積する。所定の堆
積時間が経過した後、Ｍｏ　（ｃｏ）、の供給を停止す
る。次にヒータ４の加熱を停止し、基体を冷却する。Ｈ
２ガスの供給を止め反応管内を排気した後、基体を搬送
室に移送し、搬送室のみを大気圧にした後基体を取り出
す。以上がＭＯ成膜手順の概略である。

単結晶ｓｉ基板左試料として用意し、基板温度を変化さ
せて、各基板温度で前述した手順に従って 全圧　　　　１．５　Ｔｏｒｒ Ｍｏ　（ｃｏ）、分圧　　１．５　ｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒなる条件で３℃膜を堆積した。

基板温度を変化させて堆積したＭｏ膜を各種の評価方法
を用いて評価した。その結果を表１に示す。

上記試料で４００℃〜６００℃の温度範囲において良質
のＮｏが堆積した。

（実施例２） まずＭｏ成膜の手順は次の通りである。排気設備９によ
り、反応管２内を略々Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒに排気
する。反応管２内の真空度が１　ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ
より悪くてもＭＯは成膜する。

Ｓｉウェハなどの基体を洗浄後、搬送室ｌＯを大気圧に
解放してＳｉウェハを搬送室に装填する。搬送室を略々
Ｉ　Ｘ　１Ｏ−８Ｔｏｒｒに排気してその後ゲートバル
ブ１３を開はウェハをウェハホルダ３に装着する。

ウェハをウェハホルダ３に装着した後、ゲートバルブ１
３を閉じ反応室２の真空度が略々ｌＸｌ０’″８Ｔｏｒ
ｒになるまで排気する。

本実施例では第１のガスラインをＭｏ　（ｃｏ）　、用
とする。Ｍｏ　（ＣＯ）　ｓラインのキャリアガスはＡ
ｒを用いた。第２ガスラインはＨ２用である。

第２ガスラインからＨ２を流し、スローリークバルブ８
の開度を調整して反応管２内の圧力を所望の値にする。

本実施例における典型的圧力は略々１．５Ｔｏｒｒとす
る。その後ヒータ４に通電しクエへを加熱する。ウェハ
温度が所望の温度に到達した後、Ｍｏ　（Ｃｏ）　ａラ
インよりＭｏ　（Ｃｏ）、を反応管内へ導入する。全圧
は略々１．５Ｔｏｒｒであり、Ｍｏ　（（：Ｏ）　６分
圧を略々１．５　ｘ　１０−’Ｔｏｒｒとする。Ａ「分
圧は略々０．５Ｔｏｒｒである。Ｍｏ　（ｃｏ）　、を
反応管２に導入するとＭＯが堆積する。所望の堆積時間
が経過した後Ｎｏ　（（：０）　６の供給を停止する。

次にヒータ４の加熱を停止し、ウェハを冷却する。Ｈ２
ガスの供給を止め反応管内を排気した後クエへを搬送室
に穆送し搬送室のみを大気圧にした後ウェハを取り出す
。以上が勤成膜の概略である。

このようにしてキャリアガスとしてＡｒを用いた場合に
も形成された堆積膜は抵抗率、炭素含有率が若干高かり
たものの、実用上問題ないレベルであり、実施例１と大
体同様の結果を得た。

（実施例３） 第２図に示した減圧ＣＶＤ装置を用いて以下に述べるよ
うな構成の基体（サンプル８−１〜Ｂ−１７９）にＭｏ
膜を形成した。

電子供与性の基体表面材料として単結晶シリコン（単結
晶Ｓｔ）　、多結晶シリコン（多結晶Ｓｔ）、タングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）　
。

タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、チタンシリサイド
（ＴｉＳｉ）、アルミニウム（１）、アルミニウムシリ
コン（ＡＩｌ−５ｔ）　、チタンアルミニウム（ＡＩＬ
−Ｔｉ）　、チタンナイトライド（Ｔｉ−Ｎ）　、銅（
Ｃｕ）　、アルミニウムシリコン銅（Ａｌ１−５ｉ−Ｃ
ｕ）　、アルミニウムパラジウム（ＡＩｌ、−Ｐｄ）　
、チタン（Ｔｉ）、モリブデンシリサイド（Ｍｏ−５ｔ
）タンタルシリサイド（Ｔａ−５ｉ）を使用した。これ
らのサンプルおよびへ℃２０３基板、　ＳｉＯ□ガラス
基板を第２図に示した減圧ＣＶＤ装置に入れ、同一バッ
ヂ内でＭｏ膜を成膜した。成膜条件は反応管圧力０．２
Ｔｏｒｒ　、　Ｍｏ　（ＣＯ）　６分圧１．ＯＸ　１０
−’Ｔｏｒｒ、基体温度４５０℃である。

このような条件で成膜した結果、電子供与性である上記
基体表面にのみＭｏ膜の堆積が起こった。

Ｍｏ膜の膜質は実施例１で示した基体温度４５０℃のも
のとほぼ同一の性質を示し非常に良好であつた。これに
対し、非電子供与性である＾、Ｑ２０．基板およびＳｉ
ｎ、ガラス基板にはＭｏ膜は全く堆積しなかった。

（実施例４） 原料ガスにＭｏ　（ＣＨｓ）　ｓを用いて、全圧力　　
　　　２．ＯＴｏｒｒ Ｍｏ　（Ｃ）＋３）　ａ分圧　　２　Ｘ　１０−’Ｔｏ
ｒｒと設定し、実施例１と同様の手順で堆積を行なった
ところ、基体温度３５０℃から５５０℃の温度範囲にお
いて、実施例１と同様な炭素不純物をほとんど含まない
電気抵抗が低く基体表面材料による選択性に優れたＭｏ
薄膜が堆積した。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、低抵抗、緻密な
Ｍｏ膜を基体上に選択的に堆積させることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用可能な堆積膜形成装置の一例を示
す模式図、 第２図は本発明を適用可能な堆積膜形成装置の他の例を
示す模式図である。 １・・・基体、 ２・・・反応管、 ３・・・基体ホルダ、 ４・・・ヒータ、 ５・・・混合器、 ６・・・気化器、 ７・・・ゲートバルブ、 ８・・・スローリークバルブ、 ９・・・排気ユニット、 １０・・・搬送室、 １１・・・バルブ、 １２・・・排気ユニット、 ５０・・・石英製外側反応管、 ５１・・・石英製内側反応管、 ５２・・・原料ガス導入口、 ５３・・・ガス排気口、 ５４・・・金属製フランジ、 ５６・・・基体保持具、 ５７・・・基体、 ５８・・・ガスの流れ、 ５９・・・ヒータ部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）（ａ）電子供与性の表面に有機モリブデン化合物分
   子と水素ガスとを供給する工程、および（ｂ）前記有機
   モリブデン化合物の分解温度以下で、かつ８００℃以下
   の範囲内に前記電子供与性の表面の温度を維持し、モリ
   ブデン膜を該電子供与性の表面に形成する工程を有する
   ことを特徴とする堆積膜形成法。 ２）前記有機モリブデン化合物がＭｏ（ＣＯ）＿３であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成法。 ３）前記有機モリブデン化合物がＭｏ（ＣＨ＿３）＿６
   であることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成法
   。