JPH03109389A - ビス(3,4―ジメチルフエニル)ジメチルシランの製造法 - Google Patents
ビス(3,4―ジメチルフエニル)ジメチルシランの製造法Info
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- JPH03109389A JPH03109389A JP24771089A JP24771089A JPH03109389A JP H03109389 A JPH03109389 A JP H03109389A JP 24771089 A JP24771089 A JP 24771089A JP 24771089 A JP24771089 A JP 24771089A JP H03109389 A JPH03109389 A JP H03109389A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ポリイミド樹脂の原料等として有用な式〔■
〕 で示されるビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメ
チルフェニ無水物の前駆体であるビス(3゜4−ジメチ
ルフェニル)ジメチルシランの製造法に関する。
〕 で示されるビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメ
チルフェニ無水物の前駆体であるビス(3゜4−ジメチ
ルフェニル)ジメチルシランの製造法に関する。
(従来の技術)
従来1式(1)
で示されるビス(3,4−ジメチルフェニル)ジメチル
シランの製造方法としてジャーナルオブオーガニyり
ケミストリー(J、 Qrg、 Chem、 )第38
巻4271ページ(1973年)に記載されているPr
att らの方法が知られておυ、これは1次の反応式
〔■〕によって示される。
シランの製造方法としてジャーナルオブオーガニyり
ケミストリー(J、 Qrg、 Chem、 )第38
巻4271ページ(1973年)に記載されているPr
att らの方法が知られておυ、これは1次の反応式
〔■〕によって示される。
Hs
すなわち、4−プロモーオルトーキシレンヲn −ブチ
ルリチウムと反応させ、リチウム化合物とし。
ルリチウムと反応させ、リチウム化合物とし。
これにジクロロジメチルシランを反応させ、ビス(3,
4−ジメチルフェニル)ジメチルシラントスる方法であ
る。
4−ジメチルフェニル)ジメチルシラントスる方法であ
る。
(発明が解決しようとする課題)
上述のPratt らの方法では、リチウム化合物を用
いてビス(亀4−ジメチルフェニル)ジメチルシランを
得ているが、この時用いるn−ブチルリチウムは、水分
等に対して反応性が非常に大きく9発火性が高いため通
常n−ヘキサンに希釈した溶液として用いることが多い
。このため、工業的利用には制限がありあつかいにくい
材料である。
いてビス(亀4−ジメチルフェニル)ジメチルシランを
得ているが、この時用いるn−ブチルリチウムは、水分
等に対して反応性が非常に大きく9発火性が高いため通
常n−ヘキサンに希釈した溶液として用いることが多い
。このため、工業的利用には制限がありあつかいにくい
材料である。
本発明は、高価であつかいにくいリチウム化合物を用い
ることなく0代わりに汎用の安価な原料を用いて作業性
よく、高純度高収率でビス(λ4−ジメチルフェニル)
ジメチルシランを得る方法を提供するものである。
ることなく0代わりに汎用の安価な原料を用いて作業性
よく、高純度高収率でビス(λ4−ジメチルフェニル)
ジメチルシランを得る方法を提供するものである。
(課題を解決するための手段)
本発EAは1式CI〕
で示されるビス(3,4−ジメチルフェニル)ジメチル
シランを製造するに当り。
シランを製造するに当り。
一般式〔H〕
(ただし1式中Xは、ハロゲンを示し、MgXは。
3又Fi4位に結合している)で示されるノーロゲノオ
ルトキシレ/のグリニヤール試薬と 一般式(nl) Hs (ただし9式中X′及びX″は、ハロゲンを示す)で示
されるジメチルジハロゲノシランとをカップリング反応
させることを特徴とするビス(λ4−ジメチルフェニル
)ジメチルシランの製造法に関する。
ルトキシレ/のグリニヤール試薬と 一般式(nl) Hs (ただし9式中X′及びX″は、ハロゲンを示す)で示
されるジメチルジハロゲノシランとをカップリング反応
させることを特徴とするビス(λ4−ジメチルフェニル
)ジメチルシランの製造法に関する。
また2本発明は、上記のカップリング反応させた後、さ
らに災素原子数1〜4のアルコールを用いて再結晶分離
することを特徴とするビス(3,4−ジメチルフェニル
)ジメチルシランの製造法に関する。
らに災素原子数1〜4のアルコールを用いて再結晶分離
することを特徴とするビス(3,4−ジメチルフェニル
)ジメチルシランの製造法に関する。
本発明を以下、詳細に説明する。
ハログノーオルトーキシレントシテは、4−ヨード−オ
ルト−キシレン# 4−プロモーオルト−キシレン、4
−クロロ−オルト−キシレン’41)’ Gい。なお、
4−プロモーオルト−キシレンは0合成上単品で得るこ
とは不可能であり、所望しない3−プロモーオルト−キ
シレンを含むものである。
ルト−キシレン# 4−プロモーオルト−キシレン、4
−クロロ−オルト−キシレン’41)’ Gい。なお、
4−プロモーオルト−キシレンは0合成上単品で得るこ
とは不可能であり、所望しない3−プロモーオルト−キ
シレンを含むものである。
ハロゲノ−オルト−キシレンをグリニヤール試薬とする
方法は、常法により行なうことができる。
方法は、常法により行なうことができる。
例えば、ハロゲノ−オルト−キシレン1.0モルに対し
て、1.0グラム原子以上の金属マグネシウムを用いて
グリニヤール試薬とする。金属マグネシウムが1゜θグ
ラム原子未満の場合、未反応のハロゲノ−オルト−キシ
レンが残存するので好ましくない。グ+7 二ヤール試
薬とする際の反応温度は0℃以上で溶媒のり7ラツクス
温度以下で行ない。
て、1.0グラム原子以上の金属マグネシウムを用いて
グリニヤール試薬とする。金属マグネシウムが1゜θグ
ラム原子未満の場合、未反応のハロゲノ−オルト−キシ
レンが残存するので好ましくない。グ+7 二ヤール試
薬とする際の反応温度は0℃以上で溶媒のり7ラツクス
温度以下で行ない。
反応時間は通常1−10時間である。
反応に用い次金属マグネシウムの量が、ノ10グノーオ
ルトーキシレy1.0モルに対して、1.0グラム原子
を越える場合、未反応の金属マグネシウムが残るが、こ
れは濾過して除く。このときに使用される溶媒としては
エチルエーテル、テトラヒドロフラン等がある。
ルトーキシレy1.0モルに対して、1.0グラム原子
を越える場合、未反応の金属マグネシウムが残るが、こ
れは濾過して除く。このときに使用される溶媒としては
エチルエーテル、テトラヒドロフラン等がある。
ジメチルハロゲノシランとしては、ジメチルジクロロシ
ラン、ジメチルジクロロシラン等があげられ、これをグ
リニヤール試薬に加えることでカップリング反応が進行
する。
ラン、ジメチルジクロロシラン等があげられ、これをグ
リニヤール試薬に加えることでカップリング反応が進行
する。
ジメチルジハロゲノシランの使用量は、ハロゲノ−オル
ト−キシレンのグリニヤールE薬1.0モルに対して0
.4〜0.5モル用いることが好ましい。
ト−キシレンのグリニヤールE薬1.0モルに対して0
.4〜0.5モル用いることが好ましい。
0.4モル未滴の場合、カップリング反応における収率
が低下しやすくなる。
が低下しやすくなる。
0.5モルを超える場合、キシレニルジメチルノーロゲ
ノシランが生成し、i&終的にジシロキサン化合物とな
り2式〔l〕化合物を精製する際に不純物として混入す
る。
ノシランが生成し、i&終的にジシロキサン化合物とな
り2式〔l〕化合物を精製する際に不純物として混入す
る。
このような欠点を少なくするためには、ジメチルハロゲ
ノシランの使用量は、ハロゲノ−オルト−キシレンのグ
リニヤール試薬1.0モルに対して0.45〜0.50
モルがより好ましく、0.5モルが最も好ましい。
ノシランの使用量は、ハロゲノ−オルト−キシレンのグ
リニヤール試薬1.0モルに対して0.45〜0.50
モルがより好ましく、0.5モルが最も好ましい。
カップIJ yグ反応は、20〜60℃で行なうのが好
ましく9反応時間は通常1〜5時間である。
ましく9反応時間は通常1〜5時間である。
反応温度が低い場合は反応時間が長くなるだけで。
本質的問題とはならないが9反応温度が60℃を超えて
高い場合、ポリシラン化合物などの高沸点成分などの副
生物が多くカリやすい。
高い場合、ポリシラン化合物などの高沸点成分などの副
生物が多くカリやすい。
カップリング反応終了後、水を加える仁とによって、カ
ップリング反応で生成したノ10ゲン化マグネシウムを
、水に溶解させ、有機層と分離することにより容易に除
去することができる。
ップリング反応で生成したノ10ゲン化マグネシウムを
、水に溶解させ、有機層と分離することにより容易に除
去することができる。
その後、エチルエーテル、テトラヒドロフラン等を溶媒
とする有機層を水洗してノ)ロゲン化マグネシウムを完
全に除き、エバポレーターによって有機溶媒を除去する
ことによって式CI]で示されるビス(3,4−ジメチ
ルフェニル)ジメチルシランを含む下記一般式CIV)
で示される異性体混合物を得る。
とする有機層を水洗してノ)ロゲン化マグネシウムを完
全に除き、エバポレーターによって有機溶媒を除去する
ことによって式CI]で示されるビス(3,4−ジメチ
ルフェニル)ジメチルシランを含む下記一般式CIV)
で示される異性体混合物を得る。
Hs
(ただし9式中、ケイ素は、各々独立して3又は4位に
結合している) 式[1)で示されるビス(3,4−ジメチルフェニル)
ジメチルシランを含む一般式〔lV)で示される異性体
混合物から目的の式[1)で示されるビス(3,4−ジ
メチルフェニル)ジメチルシランを分離する九めに、炭
素原子数1〜4のアルコールを用いて再結晶を行なう。
結合している) 式[1)で示されるビス(3,4−ジメチルフェニル)
ジメチルシランを含む一般式〔lV)で示される異性体
混合物から目的の式[1)で示されるビス(3,4−ジ
メチルフェニル)ジメチルシランを分離する九めに、炭
素原子数1〜4のアルコールを用いて再結晶を行なう。
用いるアルコールとしては、メタノール、エタノール、
プL】パノール、インプロパノール。ブタノール、イン
ブタノール。
プL】パノール、インプロパノール。ブタノール、イン
ブタノール。
ターシャリ−ブタノール等があり、メタノールが好まし
い。アルコールの量は、混合物の2〜4倍重量の範囲が
好ましく、3倍重量がより好ましい。
い。アルコールの量は、混合物の2〜4倍重量の範囲が
好ましく、3倍重量がより好ましい。
アルコールが少ない場合、目的の式〔■〕で示されるビ
ス(λ4−ジメチルフェニル)ジメチルシラン(理論量
56.25%)以外に、その異性体である(2.3−ジ
メチルフェニル)(亀4−ジメチルフェニル)ジメチル
シラン(理論量37.5%)及びビス(ス3−ジメチル
フェニル)ジメチルシラン(理論量6.25%)が析出
する。また、アルコールが多すぎると、溶解性が高くな
りすぎて、再結晶で析出する目的物の式〔I〕の化合物
のビス(3,4−ジメチルフェニル)ジメチルシランの
量が少なくなる。
ス(λ4−ジメチルフェニル)ジメチルシラン(理論量
56.25%)以外に、その異性体である(2.3−ジ
メチルフェニル)(亀4−ジメチルフェニル)ジメチル
シラン(理論量37.5%)及びビス(ス3−ジメチル
フェニル)ジメチルシラン(理論量6.25%)が析出
する。また、アルコールが多すぎると、溶解性が高くな
りすぎて、再結晶で析出する目的物の式〔I〕の化合物
のビス(3,4−ジメチルフェニル)ジメチルシランの
量が少なくなる。
本発明におけるビス(3,4−ジメチルフェニル)ジメ
チルシランは、ビス(へ4−ジカルボキシフェニル)ジ
メチルシラ/二無水物(前記式〔v〕で示される)の前
駆体である。該二無水物は、ポリイミド樹脂その他樹脂
の原料等として有用である。
チルシランは、ビス(へ4−ジカルボキシフェニル)ジ
メチルシラ/二無水物(前記式〔v〕で示される)の前
駆体である。該二無水物は、ポリイミド樹脂その他樹脂
の原料等として有用である。
(実施例)
(1)グリニヤール試薬の製造
アリ−7冷却器9滴下ロート、温度計及び攪拌装置を取
付けた2I!四つロフラスコをアルゴンガス雰囲気下で
十分乾燥させたのち、金属ナトリウムで脱水したテトラ
ヒドロフラyloo−,金属マグネシウム9.729及
びプロモーオルト−キシレン(4−プロモーオルト−キ
シレン75%及ヒ3−プロモーオルト−キシレン25%
混合物)10.09を加えた。反応液かにとり始めて、
グリニヤール試薬が生成し始めたとき9滴下ロートから
上記と同一のプロモーオルト−キシレン64.09を1
時間かけて滴下した。この間9発熱反応であるので水浴
で冷却しながら反応温度を40℃に保った。滴下終了後
も金属マグネシウムが残っているので、オイルバスで加
熱し、温度40℃のまま5時間攪拌し、金属マグネシウ
ムを完全に反応させグリニヤール試薬とした。
付けた2I!四つロフラスコをアルゴンガス雰囲気下で
十分乾燥させたのち、金属ナトリウムで脱水したテトラ
ヒドロフラyloo−,金属マグネシウム9.729及
びプロモーオルト−キシレン(4−プロモーオルト−キ
シレン75%及ヒ3−プロモーオルト−キシレン25%
混合物)10.09を加えた。反応液かにとり始めて、
グリニヤール試薬が生成し始めたとき9滴下ロートから
上記と同一のプロモーオルト−キシレン64.09を1
時間かけて滴下した。この間9発熱反応であるので水浴
で冷却しながら反応温度を40℃に保った。滴下終了後
も金属マグネシウムが残っているので、オイルバスで加
熱し、温度40℃のまま5時間攪拌し、金属マグネシウ
ムを完全に反応させグリニヤール試薬とした。
(2)カップリング反応
次に滴下ロートからジメチルジクロロ7ラン25.81
9(0,20モル)を20分間かけて滴下した。この間
反応温度を20℃に保ち9滴下終了後もさらに5時間2
0℃に保ったままカップリング反応を完結させた。
9(0,20モル)を20分間かけて滴下した。この間
反応温度を20℃に保ち9滴下終了後もさらに5時間2
0℃に保ったままカップリング反応を完結させた。
上記の反応液にトルエン300meを加え、攪拌しなが
らイオン交換水250艷を1時間かけて徐々に加え次。
らイオン交換水250艷を1時間かけて徐々に加え次。
下層の水層を分液ロートで除去したのち、上層のテトラ
ヒドロ7う/とトルエンを溶媒とする有機層を2重量%
の炭酸す) IJウム水溶液100m1!で3回洗浄し
たのち、エバポレーターで溶媒を除去し、51gのビス
(ジメチルフェニル)ジメチルシランヲ得た。
ヒドロ7う/とトルエンを溶媒とする有機層を2重量%
の炭酸す) IJウム水溶液100m1!で3回洗浄し
たのち、エバポレーターで溶媒を除去し、51gのビス
(ジメチルフェニル)ジメチルシランヲ得た。
これを示差屈折計を取付けたゲルパーメーションクロマ
トグラフイーで分析したところビス(ジメチルフェニル
)ジメチルシランが945面積チ含まれ、他に副生成物
として、高沸点成分が5.5面積チ含まれていた。
トグラフイーで分析したところビス(ジメチルフェニル
)ジメチルシランが945面積チ含まれ、他に副生成物
として、高沸点成分が5.5面積チ含まれていた。
(3)分離精製
上記で得られたビス(ジメチルフェニル)ジメチルシラ
ン51g(理論的には56.25重量%(プロモーオル
ト−キシレン中の4−プロモーオルト−キシレンは75
チであり0.75 X 0.75 X100=56.2
5)のビス(3,4−ジメチルフェニル)ジメチルシラ
ンを含む)を500mgナス型フラスコに入れ、これに
メタノール153gを加え、加熱リフラックスさせて溶
解した後、熱時r過してP液を冷却したところ白色の結
晶が析出し虎。
ン51g(理論的には56.25重量%(プロモーオル
ト−キシレン中の4−プロモーオルト−キシレンは75
チであり0.75 X 0.75 X100=56.2
5)のビス(3,4−ジメチルフェニル)ジメチルシラ
ンを含む)を500mgナス型フラスコに入れ、これに
メタノール153gを加え、加熱リフラックスさせて溶
解した後、熱時r過してP液を冷却したところ白色の結
晶が析出し虎。
この結晶をr過して取υ出し、乾燥させたところ重量は
26.59であシ1分離精製の収率は92.4チであっ
た[:26.59/(51gXo、5625)]。
26.59であシ1分離精製の収率は92.4チであっ
た[:26.59/(51gXo、5625)]。
また、融点は58〜59℃であった。この値は。
ジャーナルオブオーガニツク ケミストリー(J、 O
rg、 Chem、 l第38巻4271ページ(19
73年)に記載されている値(54〜56℃)にほぼ一
致した。また、プロトンNMR分析し、前記白色の結晶
がビス(3,4−ジメチルフェニル)ジメチルシランで
あることを確認し7た。
rg、 Chem、 l第38巻4271ページ(19
73年)に記載されている値(54〜56℃)にほぼ一
致した。また、プロトンNMR分析し、前記白色の結晶
がビス(3,4−ジメチルフェニル)ジメチルシランで
あることを確認し7た。
また、このものの純度は99.Oモルチ以上であった(
デュポン社製9900型熱分析装置でDSC測定を行な
いファウントホッフの式により算出)。
デュポン社製9900型熱分析装置でDSC測定を行な
いファウントホッフの式により算出)。
(発明の効果)
本発明によれば、ビス(入4−ジメチルフェニル)ジメ
チルシランを安価な汎用原料を用いて。
チルシランを安価な汎用原料を用いて。
作業性よく、高純度高収率で得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 で示されるビス(3,4−ジメチルフエニル)ジメチル
シランを製造するに当り、 一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (ただし、式中Xはハロゲン原子を示し、MgXは、3
又は4位に結合している)で示されるハロゲノオルトキ
シレンのグリニヤール試薬と 一般式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 (ただし、式中X′及びX″はハロゲン原子を示す)で
示されるジメチルジハロゲノシランとをカップリング反
応させることを特徴とするビス(3,4−ジメチルフエ
ニル)ジメチルシランの製造法。 2、カップリング反応後、さらに炭素原子数1〜4のア
ルコールを用いて再結晶分離する請求項1記載のビス(
3,4−ジメチルフエニル)ジメチルシランの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24771089A JPH03109389A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | ビス(3,4―ジメチルフエニル)ジメチルシランの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24771089A JPH03109389A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | ビス(3,4―ジメチルフエニル)ジメチルシランの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03109389A true JPH03109389A (ja) | 1991-05-09 |
Family
ID=17167514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24771089A Pending JPH03109389A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | ビス(3,4―ジメチルフエニル)ジメチルシランの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03109389A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7084206B2 (en) * | 2002-04-04 | 2006-08-01 | Dow Corning Corporation | Process for preparing phenylorganosilicon intermediates |
US7351847B2 (en) | 2004-01-06 | 2008-04-01 | Dow Corning Corporation | Grignard processes with increased content of diphenylchlorosilanes |
US7456308B2 (en) | 2004-01-06 | 2008-11-25 | Dow Corning Corporation | Grignard processes with improved yields of diphenylchlorosilanes as products |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP24771089A patent/JPH03109389A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7084206B2 (en) * | 2002-04-04 | 2006-08-01 | Dow Corning Corporation | Process for preparing phenylorganosilicon intermediates |
US7351847B2 (en) | 2004-01-06 | 2008-04-01 | Dow Corning Corporation | Grignard processes with increased content of diphenylchlorosilanes |
US7456308B2 (en) | 2004-01-06 | 2008-11-25 | Dow Corning Corporation | Grignard processes with improved yields of diphenylchlorosilanes as products |
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