JPH03109383A - 2,3―ジデオキシリボース誘導体の製造法 - Google Patents
2,3―ジデオキシリボース誘導体の製造法Info
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- JPH03109383A JPH03109383A JP1246455A JP24645589A JPH03109383A JP H03109383 A JPH03109383 A JP H03109383A JP 1246455 A JP1246455 A JP 1246455A JP 24645589 A JP24645589 A JP 24645589A JP H03109383 A JPH03109383 A JP H03109383A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Furan Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエイズ関連等で特に注目されつつあるジデオキ
シリボヌクレオシドの研究を進める上で有用な2.3−
ジデオキシリボース誘導体の製造法に関する。
シリボヌクレオシドの研究を進める上で有用な2.3−
ジデオキシリボース誘導体の製造法に関する。
近年、ヌクレオシド類が種々の生理活性を示すことから
注目を集めている。
注目を集めている。
特に、最近の遺伝子レベルでの研究の進展にともない、
合成ヌクレオシド類の果たす役割も増大してきている。
合成ヌクレオシド類の果たす役割も増大してきている。
そのような中で、ジデオキシリボヌクレオシドは、生理
活性等において特に注目されるヌクレオシドの一つであ
る。
活性等において特に注目されるヌクレオシドの一つであ
る。
該ジデオキシリボヌクレオシドの合成には糖部分の原料
として、2,3−ジデオキシリボースが必要である。
として、2,3−ジデオキシリボースが必要である。
従って、2,3−ジデオキシリボースの簡便な合成法を
確立することはジデオキシリボヌクレオシドの研究を進
めていくうえで、極めて重要な意義を持つと考えられる
。
確立することはジデオキシリボヌクレオシドの研究を進
めていくうえで、極めて重要な意義を持つと考えられる
。
また、最近、光学純度の違いにより活性の程度が異なる
ことが知られ、光学純度の高い2,3ジデオキシリボー
スが求められている。
ことが知られ、光学純度の高い2,3ジデオキシリボー
スが求められている。
従来、2,3−ジデオキシリボースの製造法としては、
出発原料としてグルタミン酸を用いる方法が知られてい
た[J、Org、Chem、Vol、53+ N112
0.4780−4786(1988)) 。
出発原料としてグルタミン酸を用いる方法が知られてい
た[J、Org、Chem、Vol、53+ N112
0.4780−4786(1988)) 。
該従来方法は、グルタミン酸を環化しラクトン環を形成
する工程、還元反応を行い5−ヒドロキシラクトンを得
る工程、水酸基を保護したラクトンを得る工程、還元反
応を行う工程を順次経ることで、2.3−ジデオキシリ
ボース誘導体を製造する。
する工程、還元反応を行い5−ヒドロキシラクトンを得
る工程、水酸基を保護したラクトンを得る工程、還元反
応を行う工程を順次経ることで、2.3−ジデオキシリ
ボース誘導体を製造する。
しかしながら、従来のグルタミン酸を用いる方法は、反
応工程が複雑であり、2.3−ジデオキシリボースを簡
便に得ることはできない。
応工程が複雑であり、2.3−ジデオキシリボースを簡
便に得ることはできない。
また、反応の途中で不斉点の関与する反応が含まれてお
り、一部ラセミ化がおこるため、光学純度が高いものを
得るには何らかのかたちで光学純度を高める操作が必要
となる。
り、一部ラセミ化がおこるため、光学純度が高いものを
得るには何らかのかたちで光学純度を高める操作が必要
となる。
この場合、この操作が困難で、非常に複雑であり、光学
純度の高いものを得ることは容易でない。
純度の高いものを得ることは容易でない。
加えて、上記のように収率が低いうえに、原料のグルタ
ミン酸が比較的高価であるために、製品原価が高くなる
問題がある。
ミン酸が比較的高価であるために、製品原価が高くなる
問題がある。
従って、2.3−ジデオキシリボースを簡便、安価に得
ることができ、しかも、光学純度の高いものを容易に得
ることができる方法が望まれていた。
ることができ、しかも、光学純度の高いものを容易に得
ることができる方法が望まれていた。
本発明者らは、テトラヒドロフルフリルアルコールを用
い、ラクトン環の形成にテトラヒドロフラン環による酸
化反応を利用すると、意外にも簡単な工程で2,3−ジ
デオキシリボース誘導体を合成でき、しかも光学純度の
高いものでも容易に得ることができることを見い出し、
本発明を完成した。
い、ラクトン環の形成にテトラヒドロフラン環による酸
化反応を利用すると、意外にも簡単な工程で2,3−ジ
デオキシリボース誘導体を合成でき、しかも光学純度の
高いものでも容易に得ることができることを見い出し、
本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
式(IV)
で示されるテトラヒドロフルフリルアルコールの水酸基
を保護し、式(III) (式中、Rは一般的な水酸基の保護基を表す、)で示さ
れる化合物を得た後、酸化反応を行い、弐(II) (式中、Rは一般的な水酸基の保護基を表す。)で示さ
れるラクトンを得、その後、還元反応を行うことにより
、式(1) (式中、Rは一般的な水酸基の保護基を表す、)で示さ
れる2、3−ジデオキシリボース誘導体を得る、2.3
−ジデオキシリボース誘導体の製造法である。
を保護し、式(III) (式中、Rは一般的な水酸基の保護基を表す、)で示さ
れる化合物を得た後、酸化反応を行い、弐(II) (式中、Rは一般的な水酸基の保護基を表す。)で示さ
れるラクトンを得、その後、還元反応を行うことにより
、式(1) (式中、Rは一般的な水酸基の保護基を表す、)で示さ
れる2、3−ジデオキシリボース誘導体を得る、2.3
−ジデオキシリボース誘導体の製造法である。
本発明方法において、出発原料としては、テトラヒドロ
フルフリルアルコールを用いる。
フルフリルアルコールを用いる。
光学純度100%のテトラヒドロフルフリルアルコール
(rV)は、J、 Chew、 Soc、 、 313
(1951)の手法により光学分割することができ、
3体とR体とを得ることができる。
(rV)は、J、 Chew、 Soc、 、 313
(1951)の手法により光学分割することができ、
3体とR体とを得ることができる。
水酸基の保護は、通常水酸基の保護基として用いられる
L−ブチルジメチルシリル基、ベンゾイル基、アセチル
基、トシル基などにより行えばよい。
L−ブチルジメチルシリル基、ベンゾイル基、アセチル
基、トシル基などにより行えばよい。
また、酸化反応は、ルテニウムオキシドによる酸化反応
、またはクロム酸系酸化剤により行えばよい。
、またはクロム酸系酸化剤により行えばよい。
ルテニウムオキシドによる酸化反応は、過ヨウ素酸ナト
リウム、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、
臭素酸ナトリウムなどを共成化剤として、四酸化ルテニ
ウム、二酸化ルテニウムまたは三塩化ルテニウム触媒に
より行う。
リウム、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、
臭素酸ナトリウムなどを共成化剤として、四酸化ルテニ
ウム、二酸化ルテニウムまたは三塩化ルテニウム触媒に
より行う。
また、クロム酸系酸化剤としては二酸化クロム、クロム
酸も一ブチルなとである。
酸も一ブチルなとである。
還元反応は、水素化ジイソブチルアルミニウム、ジシア
ミルボラン、水素化ホウ素ナトリウムなどの水素化ホウ
素酸、または、水素化リチウムアルミニウムにより行え
ばよい。
ミルボラン、水素化ホウ素ナトリウムなどの水素化ホウ
素酸、または、水素化リチウムアルミニウムにより行え
ばよい。
なお、本発明によると、出発原料として5体や8体のテ
トラヒドロフルフリルアルコールを用いることで2,3
−ジデオキシリボース誘導体の両鏡検体が得られるので
、生理活性等をみる有用な原料となる。
トラヒドロフルフリルアルコールを用いることで2,3
−ジデオキシリボース誘導体の両鏡検体が得られるので
、生理活性等をみる有用な原料となる。
このようにして得られた2、3−ジデオキシリボース誘
導体は、例えば、核酸の合成に使用することができる(
Farina、 v、;Ben1gn1.口、A、、T
etrahe−dron Lett、、Vol、29.
1239(1988) ) 。
導体は、例えば、核酸の合成に使用することができる(
Farina、 v、;Ben1gn1.口、A、、T
etrahe−dron Lett、、Vol、29.
1239(1988) ) 。
以下実施例により説明する。
出発原料として、テトラヒドロフルフリルアルコールを
用い、J、Chem、Soc、、313(1951)の
手法により光学分割して、5体と8体とを得る。
用い、J、Chem、Soc、、313(1951)の
手法により光学分割して、5体と8体とを得る。
分割前後のテトラヒドロフルフリルアルコールを、H,
S9Mosherらの手法[J、A+w、Chem、S
oc、、95,512(1973);J、Org、Ch
es+、、34,2543. (1969)]に従って
、それぞれ、R−(+)−α−メトキシ−α−トリフル
オロメチルフェニル酢酸エステルとして、これをガスク
ロマトグラフィーにて分析した。
S9Mosherらの手法[J、A+w、Chem、S
oc、、95,512(1973);J、Org、Ch
es+、、34,2543. (1969)]に従って
、それぞれ、R−(+)−α−メトキシ−α−トリフル
オロメチルフェニル酢酸エステルとして、これをガスク
ロマトグラフィーにて分析した。
その結果、光学分割前では11.9分と12゜4分の2
本のピークが観測されたのに対し、光学分割後では5体
については10.9分、8体については12.2分の巾
−ピークがそれぞれ観測された。
本のピークが観測されたのに対し、光学分割後では5体
については10.9分、8体については12.2分の巾
−ピークがそれぞれ観測された。
従って、上記観測結果より、光学分割後のテトラヒドロ
フルフリルアルコールの光学純度は両鏡検体ともに10
0%であると決定した。
フルフリルアルコールの光学純度は両鏡検体ともに10
0%であると決定した。
以下の工程について、5体と8体とを同一条件下で用い
た結果、各工程について得られた化合物は同一スペクト
ルデータを示した。
た結果、各工程について得られた化合物は同一スペクト
ルデータを示した。
各工程のデータに示すように、5体を原料に用いた場合
に得られた化合物は5体を示し、8体を原料に用いた場
合に得られた化合物は8体を示した。
に得られた化合物は5体を示し、8体を原料に用いた場
合に得られた化合物は8体を示した。
無水条件下、テトラヒドロフルフリルアルコール15.
3g (150+i*ol)の無水ピリジン250d溶
液に、水浴上、塩化ベンゾイル25.3g(180s+
5ol)を、反応溶液の温度が10’C以上に上がらな
いように、ゆっ(り滴下した。
3g (150+i*ol)の無水ピリジン250d溶
液に、水浴上、塩化ベンゾイル25.3g(180s+
5ol)を、反応溶液の温度が10’C以上に上がらな
いように、ゆっ(り滴下した。
滴下終了後、周囲温度で3.7時間攪拌した。
反応終了後、反応溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
にあけ、酢酸エチルで抽出、有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、減圧上溶媒を留去した。
にあけ、酢酸エチルで抽出、有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、減圧上溶媒を留去した。
得られた残留物を酢酸エチルに溶解した後、0゜IN水
酸化ナトリウム水溶液で、3回洗浄した。
酸化ナトリウム水溶液で、3回洗浄した。
次いで、5%硫酸水溶液で3回、さらに飽和重曹水にて
3回洗浄した。
3回洗浄した。
有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧上溶
媒を留去し、さらに、残留物を減圧上蒸留した。
媒を留去し、さらに、残留物を減圧上蒸留した。
表記化合物は、圧力3鋪lagで、112−115℃で
留出し、21.6g(収率70%)得られた。
留出し、21.6g(収率70%)得られた。
’HNMR(CDCh) :δ8.07(d、J=7.
1Hz、2H,II−o)。
1Hz、2H,II−o)。
7.56(L、J−7,4Hz、IH,H−p)。
7.43(t、J−7,5Hz、2H,H−一)。
4.38(m、IH,H−4>、4.29(m、2■、
1l−5) 。
1l−5) 。
3.92(m、18.H−1a)、3.84(+w、l
H,1l−1b)。
H,1l−1b)。
2.06(m、II、H−3a)、1.95(m、2F
IJ−2)。
IJ−2)。
1.73(m、IH,H−3b)
rR(NaCI) : v 1720(C=0) 、
1270(C−0) 、 1110(C−0)3体: 1α]:’+27.O° (C−1,05,CHCl5
)8体: [ffl:” 27.5° (C=1.11.ClI
Cl5)(3)5−ベンゾイルオキシ−4−第1 ■
の立底 (2)で得たテトラヒドロフルフリルベンゾエート10
.8 g (52,4mmol)の四塩化炭素100I
I11・アセトニトリル100d・水150mの二相系
混合溶液に、粉末状過よう素酸ナトリウム44.2 g
(207@mol)、塩化ルテニウム水和物0.31g
(2,6solχ)を加え、周囲温度で、7時間激しく
攪拌した。
1270(C−0) 、 1110(C−0)3体: 1α]:’+27.O° (C−1,05,CHCl5
)8体: [ffl:” 27.5° (C=1.11.ClI
Cl5)(3)5−ベンゾイルオキシ−4−第1 ■
の立底 (2)で得たテトラヒドロフルフリルベンゾエート10
.8 g (52,4mmol)の四塩化炭素100I
I11・アセトニトリル100d・水150mの二相系
混合溶液に、粉末状過よう素酸ナトリウム44.2 g
(207@mol)、塩化ルテニウム水和物0.31g
(2,6solχ)を加え、周囲温度で、7時間激しく
攪拌した。
反応終了後、水で希釈した後、クロロホルムで抽出、有
機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上溶媒を留
去した。
機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上溶媒を留
去した。
得られた残留物をエーテルに溶解し不溶物を濾別する。
濾液を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、有機層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上溶媒を留去し
た。
を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上溶媒を留去し
た。
得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(n−へキサン:酢酸エチル=1:1v/V)で精製し
、表記化合物を4.71g(収率41%)得た。
(n−へキサン:酢酸エチル=1:1v/V)で精製し
、表記化合物を4.71g(収率41%)得た。
’HNMR(CHCl3): δ8.04(d、J−
7,0Hz、2H,II−o)7.59(t、J=7.
51仕、 l II 、 It−p) 。
7,0Hz、2H,II−o)7.59(t、J=7.
51仕、 l II 、 It−p) 。
7.76(t、J−7,6+1z、211.H−s+)
。
。
4.88(m、IH,II−4)。
4.56(dd、J=12.3&3.2Hz、IH,H
−5a)。
−5a)。
4.45 (dd、 J=12.2&5.31[z、
III、 II−5b) 。
III、 II−5b) 。
2.62(m、2H,H−2)、2.43(+w、IH
,lト3a)。
,lト3a)。
2.15(m、l)1,1l−3b)
夏R(NaCI): y 1780(C=O)、1
720(C=O)、1270(C−0)。
720(C=O)、1270(C−0)。
1170(C−0)、1110(C−0)3体:
[crl:”+49.6” (C−1,00,EtO
H)融点 60〜61°C 8体: [αl:” 49.5° (C−1,00,EtOH
)融点 60〜61℃ アルゴン雰囲気下、5−ベンゾイルオキシ−4オリド4
.59g(20,8s■ol)の無水テトラヒドロフラ
ン60di液に、ドライアイス−アセトン浴上、1.5
M水素化ジイソブチルアルミニウムのトルエン溶液16
.0 d (24,0+mol)をゆっくり滴下し、滴
下終了後、さらにその温度で、3時間攪拌した。
H)融点 60〜61°C 8体: [αl:” 49.5° (C−1,00,EtOH
)融点 60〜61℃ アルゴン雰囲気下、5−ベンゾイルオキシ−4オリド4
.59g(20,8s■ol)の無水テトラヒドロフラ
ン60di液に、ドライアイス−アセトン浴上、1.5
M水素化ジイソブチルアルミニウムのトルエン溶液16
.0 d (24,0+mol)をゆっくり滴下し、滴
下終了後、さらにその温度で、3時間攪拌した。
反応終了後、2dの水を加え、周囲温度まで昇温した後
、無水硫酸マグネシウムを加え、生成する固体を濾別す
る。
、無水硫酸マグネシウムを加え、生成する固体を濾別す
る。
濾液の溶媒を減圧下留去し、残留物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー(n−ヘキサン:酢酸エチル−1:
lv/v)でffl製し、表記化合物をシス(cis)
体とトランス(trans)体の55=45の混合物と
して3.86g(収率83%)得た。
クロマトグラフィー(n−ヘキサン:酢酸エチル−1:
lv/v)でffl製し、表記化合物をシス(cis)
体とトランス(trans)体の55=45の混合物と
して3.86g(収率83%)得た。
’HNMR(CDCh) :
δ8.07(quasi−t、J=8.2)[z、28
.1l−o)。
.1l−o)。
7.57(t、J=7.41仕、IHlIt−p) +
7.44(t、J=7.5セ+2H+H−m)+5.6
4(g+、o、5511.cis H−1)+5.56
(m、0.45H,trans H−1)4.61(m
、0.55+1.cjs H−4)。
7.44(t、J=7.5セ+2H+H−m)+5.6
4(g+、o、5511.cis H−1)+5.56
(m、0.45H,trans H−1)4.61(m
、0.55+1.cjs H−4)。
4.43(g++ 1.911+cis L5a+
trans H−4,transト5)。
trans H−4,transト5)。
4.27(dd、J=11.6&6.1Hz、0.55
H,cjs 1l−5b)。
H,cjs 1l−5b)。
2.9Hm、0.4511.trans OH)。
2.82(m、0.55H,cis OH)。
2.27(+w、0.5511.cis ll−3a)
。
。
2.02(s+2.9H,It−2+trans H−
3)+1.80(m、o、55H,cis H−3b
)IR(NaC1) : y 3420(0−tl)
、 1720(C=O) 、 1270(C−0)3体
: [α]二3÷31’ (C=0.094.CllC
l、)8体: [αl:333° (C=0.12.CllCl、)
〔発明の効果〕 本発明によれば2 3−ジデオキシリポース誘 導体を前便かつ安価に得ることができ、しかも光 学純度の高いものを容易に得ることができる。
3)+1.80(m、o、55H,cis H−3b
)IR(NaC1) : y 3420(0−tl)
、 1720(C=O) 、 1270(C−0)3体
: [α]二3÷31’ (C=0.094.CllC
l、)8体: [αl:333° (C=0.12.CllCl、)
〔発明の効果〕 本発明によれば2 3−ジデオキシリポース誘 導体を前便かつ安価に得ることができ、しかも光 学純度の高いものを容易に得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) で示されるテトラヒドロフルフリルアルコールの水酸基
を保護し、式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、Rは一般的な水酸基の保護基を表す。)で示さ
れる化合物を得た後、酸化反応を行い、式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Rは一般的な水酸基の保護基を表す。)で示さ
れるラクトンを得、その後、還元反応を行うことを特徴
とする、式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは一般的な水酸基の保護基を表す。)で示さ
れる2,3−ジデオキシリボース誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1246455A JPH03109383A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 2,3―ジデオキシリボース誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1246455A JPH03109383A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 2,3―ジデオキシリボース誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03109383A true JPH03109383A (ja) | 1991-05-09 |
Family
ID=17148687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1246455A Pending JPH03109383A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 2,3―ジデオキシリボース誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03109383A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5703325A (en) * | 1995-02-16 | 1997-12-30 | Yazaki Corporation | Waterproof casing |
JP2009043773A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Nok Corp | 電子装置用密封構造 |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1246455A patent/JPH03109383A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5703325A (en) * | 1995-02-16 | 1997-12-30 | Yazaki Corporation | Waterproof casing |
JP2009043773A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Nok Corp | 電子装置用密封構造 |
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