JPH03105955A - 半導体装置の放熱構造体 - Google Patents
半導体装置の放熱構造体Info
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- JPH03105955A JPH03105955A JP1242188A JP24218889A JPH03105955A JP H03105955 A JPH03105955 A JP H03105955A JP 1242188 A JP1242188 A JP 1242188A JP 24218889 A JP24218889 A JP 24218889A JP H03105955 A JPH03105955 A JP H03105955A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 61
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 17
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000003562 lightweight material Substances 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置より発生する熱を効率良く除去す
るための放熱構造体及びそれを用いた半導体実装構造に
関する。
るための放熱構造体及びそれを用いた半導体実装構造に
関する。
近年、コンピュータにおいては、高速データ処理が要求
されるため、ＬＳＩチップの高集積化が進みチップ当り
の発熱量も飛躍的に増大してきた。
されるため、ＬＳＩチップの高集積化が進みチップ当り
の発熱量も飛躍的に増大してきた。
このため、従来は問題とされなかったＬＳＩチップの過
剰な温度上昇が懸案され、この抑制がコンピュータにお
ける重要な技術課題となってきた。
剰な温度上昇が懸案され、この抑制がコンピュータにお
ける重要な技術課題となってきた。
ＬＳＩチップから発生した熱を放熱するために従来様々
の手段が行われてきている。
の手段が行われてきている。
コンピュータシステムの放熱構造体に関する従来技術ｌ
を第８図により説明する。配線基板工の中心付近にはＬ
ＳＩチツプ６を収納できる大きさの貫通孔が形成されて
おり、その周辺部の下面にはＬＳＩチップと結線するた
めの複数個の端子パッド２ならびに複数個の入出力ピン
３が形成されている。端子パッド２と入出力ピン３とは
配線基板１の表面あるいは内層を通して電気的接続が威
されている。配線基板ゴの上面には熱拡散板４が接着剤
５により一体的に固着されている。さらに、熱拡散板４
上にはフイン９が装着されている。
を第８図により説明する。配線基板工の中心付近にはＬ
ＳＩチツプ６を収納できる大きさの貫通孔が形成されて
おり、その周辺部の下面にはＬＳＩチップと結線するた
めの複数個の端子パッド２ならびに複数個の入出力ピン
３が形成されている。端子パッド２と入出力ピン３とは
配線基板１の表面あるいは内層を通して電気的接続が威
されている。配線基板ゴの上面には熱拡散板４が接着剤
５により一体的に固着されている。さらに、熱拡散板４
上にはフイン９が装着されている。
ＬＳＩチップ６は、配線基板の貫通孔と熱拡散板とで形
成する窓部の熱拡散板面上に直接接続され、貫通孔の周
囲下部のバツド２とＬＳＩチップ端子とがボンデイング
ワイヤで電気的に接続され入出力ピンに結ばれる。した
がって、このＬＳＩチップの発生する熱は直接熱拡散板
４に伝わり、さらにフイン９より効率よく放熱される。
成する窓部の熱拡散板面上に直接接続され、貫通孔の周
囲下部のバツド２とＬＳＩチップ端子とがボンデイング
ワイヤで電気的に接続され入出力ピンに結ばれる。した
がって、このＬＳＩチップの発生する熱は直接熱拡散板
４に伝わり、さらにフイン９より効率よく放熱される。
第９図に示される従来技術２は、複数個のＬＳＩチップ
６と、ＬＳＩチップ６を塔載した半導体取り付け用ブロ
ック１２と、ヒートパイプＪ１と、ヒートパイプ１１か
らの熱を放出するフイン９によって構成される。これら
の構或を取ることにより、ＬＳＩチップ６からの発熱は
ヒートパイプ１１により効率よくフ，イン９に伝えられ
、フイン９より大気中へ放出される。
６と、ＬＳＩチップ６を塔載した半導体取り付け用ブロ
ック１２と、ヒートパイプＪ１と、ヒートパイプ１１か
らの熱を放出するフイン９によって構成される。これら
の構或を取ることにより、ＬＳＩチップ６からの発熱は
ヒートパイプ１１により効率よくフ，イン９に伝えられ
、フイン９より大気中へ放出される。
上記従来技術１は、熱拡散板によりＬＳＩチップからの
発熱をフィンに伝え放熱を行っている。
発熱をフィンに伝え放熱を行っている。
しかし、従来技術１では熱拡散板として熱伝導率の大き
な材料を用いる必要があり、しかも良好に伝熱を行うた
めに十分な厚みを確保する必要がある。このため例えば
、従来技術１のように熱拡散板として銅モリブデンを用
いた場合熱拡散板が重くなり、実装構造体全体としても
重くなるという問題がある。また，配線基板、熱拡散板
、フィンにそれぞれ異なる材料を用いているため、実装
構造体の熱応力による破壊を防止するためそれぞれの材
料の線膨張係数を一致させる，あるいはそれぞれの部材
の固着部において応力を緩和させるなどの処置が必要と
なり装置を複雑化させるという問題があった。
な材料を用いる必要があり、しかも良好に伝熱を行うた
めに十分な厚みを確保する必要がある。このため例えば
、従来技術１のように熱拡散板として銅モリブデンを用
いた場合熱拡散板が重くなり、実装構造体全体としても
重くなるという問題がある。また，配線基板、熱拡散板
、フィンにそれぞれ異なる材料を用いているため、実装
構造体の熱応力による破壊を防止するためそれぞれの材
料の線膨張係数を一致させる，あるいはそれぞれの部材
の固着部において応力を緩和させるなどの処置が必要と
なり装置を複雑化させるという問題があった。
また、上記従来技術２は熱拡散板の代わりにヒートパイ
プによってＬＳＩチップからの発熱を放熱フィンに伝え
ている。しかし、ヒートパイプ、半導体取り付け用ブロ
ック、放熱フィンを別個に形成した後、それらを接続す
るために、装置が大型化するという問題がある。また、
それぞれの部材の接続部で熱抵抗が増大するという問題
があった。
プによってＬＳＩチップからの発熱を放熱フィンに伝え
ている。しかし、ヒートパイプ、半導体取り付け用ブロ
ック、放熱フィンを別個に形成した後、それらを接続す
るために、装置が大型化するという問題がある。また、
それぞれの部材の接続部で熱抵抗が増大するという問題
があった。
本発明の目的は、小型軽量でかつ優れた放熱性能を持つ
半導体装置の放熱構造体を提供することにある。
半導体装置の放熱構造体を提供することにある。
本発明は、工個または複数個のＬＳＩチップを塔載した
配線基板と．ＬＳＩチップから発生する熱を大気中に放
熱する放熱フィンとから成る半導体装置の放熱構造体に
おいて、前記配線基板のＬＳＩチップ塔載面の反対面と
前記放熱フィンの底面との間に板状ヒートパイプを一体
的に形成することにより達成される。
配線基板と．ＬＳＩチップから発生する熱を大気中に放
熱する放熱フィンとから成る半導体装置の放熱構造体に
おいて、前記配線基板のＬＳＩチップ塔載面の反対面と
前記放熱フィンの底面との間に板状ヒートパイプを一体
的に形成することにより達成される。
以上の構或を取ることにより、ＬＳＩチップから発生し
た熱を効果的に放熱することができ、ＬＳＩチップの過
度の温度上昇を抑制することができる。また，構成材料
の制約がないため軽量の材料を選択することができ、装
置を小型軽量化する作用がある。
た熱を効果的に放熱することができ、ＬＳＩチップの過
度の温度上昇を抑制することができる。また，構成材料
の制約がないため軽量の材料を選択することができ、装
置を小型軽量化する作用がある。
以下、本発明の一実施例を第１図から第５図を用いて説
明する。
明する。
第１図は本発明に依る放熱構造体の一実施例の側面図で
ある。第２図は第１図の等価熱回路図。
ある。第２図は第１図の等価熱回路図。
第３図は第１図の性能曲線。第４図は第１図の放熱部の
分解組み立て図。第５図は本発明に依る放熱構造体の他
の実施例の分解組み立て図である。
分解組み立て図。第５図は本発明に依る放熱構造体の他
の実施例の分解組み立て図である。
第１図において、半導体装置の放熱構造体は、ＬＳＩチ
ップ６と、ＬＳＩチツプ６を塔載する配線基板１と、Ｌ
ＳＩチツプ６のリードを接着するための端子パツド２と
、入出力ピン３と、配線基板９に固着される放熱フイン
９から構或される。
ップ６と、ＬＳＩチツプ６を塔載する配線基板１と、Ｌ
ＳＩチツプ６のリードを接着するための端子パツド２と
、入出力ピン３と、配線基板９に固着される放熱フイン
９から構或される。
配線基板９には、ＬＳＩチツプ６が接着剤５により固着
されており、その周辺部にはＬＳＩチツプ６の端子数に
等しい複数個の端子パッド２、ならびに、外部との接続
用の複数個の入出力ピン３が形成されている。端子パッ
ド２と入出力ビン３とは配線基板１の表面、あるいは、
内層を通して電気的接続が成されている。また、端子パ
ッド２とＬＳＩチツプ６はボンデングワイヤ８により接
続される。放熱フイン９には、フィン底部の配線基板１
との接着面側に直方体状のくぼみが設けてあり，くぼみ
の底部には細かな溝であるウィック１１が機械加工等に
より形成されている。また、放熱フィンに形成されたく
ぼみの中心部には多孔質材料からなる液戻し１２が固着
されている。配線基板１のＬＳＩチップ６塔載面の反対
面上には放熱フイン９がろう付け等により固着されてい
る。
されており、その周辺部にはＬＳＩチツプ６の端子数に
等しい複数個の端子パッド２、ならびに、外部との接続
用の複数個の入出力ピン３が形成されている。端子パッ
ド２と入出力ビン３とは配線基板１の表面、あるいは、
内層を通して電気的接続が成されている。また、端子パ
ッド２とＬＳＩチツプ６はボンデングワイヤ８により接
続される。放熱フイン９には、フィン底部の配線基板１
との接着面側に直方体状のくぼみが設けてあり，くぼみ
の底部には細かな溝であるウィック１１が機械加工等に
より形成されている。また、放熱フィンに形成されたく
ぼみの中心部には多孔質材料からなる液戻し１２が固着
されている。配線基板１のＬＳＩチップ６塔載面の反対
面上には放熱フイン９がろう付け等により固着されてい
る。
また、放熱フィン９に設けられたくぼみと配線基板上面
からなる閉空間には水、メチルアルコール等の作動流体
が封止されている。これにより，配線基板１と放熱フイ
ン９の間には板状ヒートパイプ４が形成される。
からなる閉空間には水、メチルアルコール等の作動流体
が封止されている。これにより，配線基板１と放熱フイ
ン９の間には板状ヒートパイプ４が形成される。
ＬＳＩチップ６発熱時、板状ヒートパイブ４において、
配線基板１のＬＳＩチップの反対側付近で封止流体の蒸
発が生じる。発生した蒸気は板状ヒートパイプ４中心部
から外周部へと移動する。
配線基板１のＬＳＩチップの反対側付近で封止流体の蒸
発が生じる。発生した蒸気は板状ヒートパイプ４中心部
から外周部へと移動する。
外周部に到達した蒸気は放熱フィン９のくぼみ部分底部
において冷却され凝縮する。この時に、潜熱をフィンに
伝える。封止流体はくぼみ底部に形成されたウイツク１
１における毛細管現象により板状ヒートバイプ４中心部
に戻される。さらに、液戻し１２により配線基板ｌのＬ
ＳＩチツプ６の反対面付近に運ばれる。この板状ヒート
パイプにおける熱輸送によりＬＳＩチップの発熱を効率
的に放熱フィンに伝え、ＬＳＩチップの過度の温度上昇
を抑制できる６ 実施例１での性能計算結果を第２図及び第３図を用いて
説明する。第２図は放熱構造体を１次元等価熱回路によ
り表したものである。Ｒは１枚のフィンの内部熱抵抗と
フィンから大気への熱伝達の際の熱抵抗を加えたもので
ある。ｒは板状ヒートバイプにおけるフィン間の熱抵抗
である。ΔＴはＬＳＩチップと大気との間の温度差であ
る。また、ＱはＬＳＩチップの発熱量である。同回路を
用いることより放熱構造体の熱抵抗を推定することがで
きる。第３図ま放熱構造体の予測性能を表したものであ
り、板状ヒートバイプにおけるフィン間の部分の熱抵抗
ｒと放熱体の全熱抵抗Ｒｔとの関係を異なるフィン数に
ついて表したものである。第３図はフィン間の熱抵抗ｒ
を減少させると放熱体の全熱抵抗Ｒｔが減少することを
示しており，この傾向はフィン数の増加と共に強くなる
ことを示している。このフィン間を板状ヒートバイプと
することにより熱抵抗ｒは著しく低減され、全熱抵抗Ｒ
ｔを低減することができる。
において冷却され凝縮する。この時に、潜熱をフィンに
伝える。封止流体はくぼみ底部に形成されたウイツク１
１における毛細管現象により板状ヒートバイプ４中心部
に戻される。さらに、液戻し１２により配線基板ｌのＬ
ＳＩチツプ６の反対面付近に運ばれる。この板状ヒート
パイプにおける熱輸送によりＬＳＩチップの発熱を効率
的に放熱フィンに伝え、ＬＳＩチップの過度の温度上昇
を抑制できる６ 実施例１での性能計算結果を第２図及び第３図を用いて
説明する。第２図は放熱構造体を１次元等価熱回路によ
り表したものである。Ｒは１枚のフィンの内部熱抵抗と
フィンから大気への熱伝達の際の熱抵抗を加えたもので
ある。ｒは板状ヒートバイプにおけるフィン間の熱抵抗
である。ΔＴはＬＳＩチップと大気との間の温度差であ
る。また、ＱはＬＳＩチップの発熱量である。同回路を
用いることより放熱構造体の熱抵抗を推定することがで
きる。第３図ま放熱構造体の予測性能を表したものであ
り、板状ヒートバイプにおけるフィン間の部分の熱抵抗
ｒと放熱体の全熱抵抗Ｒｔとの関係を異なるフィン数に
ついて表したものである。第３図はフィン間の熱抵抗ｒ
を減少させると放熱体の全熱抵抗Ｒｔが減少することを
示しており，この傾向はフィン数の増加と共に強くなる
ことを示している。このフィン間を板状ヒートバイプと
することにより熱抵抗ｒは著しく低減され、全熱抵抗Ｒ
ｔを低減することができる。
次に第４図により本放熱構造体の板状ヒートパイプ部分
を製作する組立方法を説明する。（ａ）図は放熱フイン
９のフィン部と、フィン形戊部と相対する側にくぼみ部
分を状態である。さらに、くぼみ部分底にウイツク１１
を形成した状態が（ｂ）図である。最後に、くぼみ部分
の中心部に液戻し１２を固着した後、配線基板ユと放熱
フイン９の底部周辺部をろう付け等により固着する。
を製作する組立方法を説明する。（ａ）図は放熱フイン
９のフィン部と、フィン形戊部と相対する側にくぼみ部
分を状態である。さらに、くぼみ部分底にウイツク１１
を形成した状態が（ｂ）図である。最後に、くぼみ部分
の中心部に液戻し１２を固着した後、配線基板ユと放熱
フイン９の底部周辺部をろう付け等により固着する。
この時同時に、配線基板ｌと放熱フイン９のくぼみ部分
から成る閉空間に作動流体を封止する。
から成る閉空間に作動流体を封止する。
第５図は本発明の実施例２を示したのもである。
板状ヒートバイプに封止される作動流体は単位で封止さ
る。このため、板状ヒートパイプ内部の空間はその時の
温度の飽和状気圧と等しい蒸気で満たされる。この圧力
は常温では大気圧より低い。
る。このため、板状ヒートパイプ内部の空間はその時の
温度の飽和状気圧と等しい蒸気で満たされる。この圧力
は常温では大気圧より低い。
本実施例では放熱構造体が常温中に放置される場合に大
気圧による破壊を防止するために板状ヒートパイプ内部
に補強のための仕切り板１６を設けた例である（（ａ）
図）。仕切り板１６は板状ヒートパイプの中心部と外周
部との間の作動流体の循環を阻害しないように放射状に
設置される（（ｂ）図）。また、本例ではウィック１１
は放熱フイン９に形成するのではなく板状の多孔質体を
仕切り板１６と放熱フィン９の間に挟み込み加工の簡略
化を図っている。
気圧による破壊を防止するために板状ヒートパイプ内部
に補強のための仕切り板１６を設けた例である（（ａ）
図）。仕切り板１６は板状ヒートパイプの中心部と外周
部との間の作動流体の循環を阻害しないように放射状に
設置される（（ｂ）図）。また、本例ではウィック１１
は放熱フイン９に形成するのではなく板状の多孔質体を
仕切り板１６と放熱フィン９の間に挟み込み加工の簡略
化を図っている。
第６図は本発明の実施例３を示したものである．本例で
は．放熱フィン９のウィックエ１を形成したくぼみ部分
をキャップ１０により閉じることにより板状ヒートパイ
プ４を形成する。これにより、配線基板１とは独立に板
状ヒートパイプ４を内包した放熱フイン９が得られる。
は．放熱フィン９のウィックエ１を形成したくぼみ部分
をキャップ１０により閉じることにより板状ヒートパイ
プ４を形成する。これにより、配線基板１とは独立に板
状ヒートパイプ４を内包した放熱フイン９が得られる。
さらに配線基板のＬＳＩチツプ６搭載面の反対面上に板
状ヒートバイプ４を内包した放熱フィン９を接着剤５に
より固着する。配線基板１と独立に板状ヒートパイプ４
を形成することにより加工及び修理の簡略化を図ってい
る． 第７図は本発明の実施例４を示したものである。
状ヒートバイプ４を内包した放熱フィン９を接着剤５に
より固着する。配線基板１と独立に板状ヒートパイプ４
を形成することにより加工及び修理の簡略化を図ってい
る． 第７図は本発明の実施例４を示したものである。
本例は、半田ボール１３に依って配線基板１とＬＳＩチ
ツブ６の電気的接続を行う場合に板状ヒートパイプを適
用した例である。キャップ１０の板状ヒートパイプ側と
相対する面上にＬＳＩチップ６をチップ接着剤７に依っ
て固着している。また、前記面上に凸部を形成し、凸部
と配線基板１とを固着することによりハーメチックシー
ル構造にしてある。
ツブ６の電気的接続を行う場合に板状ヒートパイプを適
用した例である。キャップ１０の板状ヒートパイプ側と
相対する面上にＬＳＩチップ６をチップ接着剤７に依っ
て固着している。また、前記面上に凸部を形成し、凸部
と配線基板１とを固着することによりハーメチックシー
ル構造にしてある。
第８図は本発明の実施例５を示したものである。
本例は、放熱フイン９と配線基板上との接続をネジ止め
により行った例である。放熱フイン９はくぼみ部分の外
周部にＯリング溝と複数個のネジ穴を有する。また、配
線基板１は外周部に複数個のネジ穴を有する。前記放熱
フイン９と前記配線基板ｌはボルト１５によって接続さ
れる。また、前記くぼみ部分は○リング１４によって密
閉され板状ヒートパイプ４を形成する。本構造により、
配線基板１と放熱フイン９の材質が異なる場合において
も両者の接続部における熱応力による破壊を防止するこ
とができる。また、修理の簡素化を図ることができる。
により行った例である。放熱フイン９はくぼみ部分の外
周部にＯリング溝と複数個のネジ穴を有する。また、配
線基板１は外周部に複数個のネジ穴を有する。前記放熱
フイン９と前記配線基板ｌはボルト１５によって接続さ
れる。また、前記くぼみ部分は○リング１４によって密
閉され板状ヒートパイプ４を形成する。本構造により、
配線基板１と放熱フイン９の材質が異なる場合において
も両者の接続部における熱応力による破壊を防止するこ
とができる。また、修理の簡素化を図ることができる。
第９図は本発明の実施例６を示したものである。
本例は、板状ヒートパイプ４に傾斜部を設けた例である
。本例では、板状ヒートパイプ部分が重力方向に対し垂
直になるように設置された場合に、作動流体の還流を重
力により行うことができる。
。本例では、板状ヒートパイプ部分が重力方向に対し垂
直になるように設置された場合に、作動流体の還流を重
力により行うことができる。
これによりウィックが不必要となり加工の簡略化を図る
ことができる。
ことができる。
本発明によればＬＳＩチップから発生した熱を効果的に
放熱することができ，ＬＳＩチップの過度の温度上昇を
抑制することができる。また、放熱フイン構或材料の制
約がないため軽量の材料を選択することができ、装置を
小型軽量化することができる。
放熱することができ，ＬＳＩチップの過度の温度上昇を
抑制することができる。また、放熱フイン構或材料の制
約がないため軽量の材料を選択することができ、装置を
小型軽量化することができる。
第１図は本発明に依る放熱構造体の一実施例の側面図、
第２図は第１図の等価熱回路図、第３図は第１図の性能
曲線図、第４図は第１図の放熱部の分解組み立て図、第
５図は本発明に依る放熱構造体の他の実施例の分解組み
立て図、第６図から第９図は本発明に依る放熱構造体の
他の実施例の側面図，第１０図及び第１１図は従来の放
熱構造体の側面図及び斜視図である。 ｌ・・・配線基板、２・・・端子パッド、３・・・入出
力ピン、４・・・板状ヒートパイプ、５・・・接着剤、
６・・・ＬＳＩチップ、７・・・チップ接着剤、８・・
・ボンデイングワイヤ，９・・・フィン、１０・・・キ
ャップ、１１・・・ウイツク、ｌ２・・・液戻し、１３
・・・半田ボール、１４・・・Ｏリング，１５・・・ボ
ルト，１６・・・仕切り板．１７・・・熱拡散板，１８
・・・ヒートシンク接着剤、１９・・・第２図 第１図 看ａ物同１ 第３図 フイ；／間つ亭；シｊＱ４Ａニト （ド／Ｉ〆ノ第４図 第６図 第７図 第５図 第８図 縞９図
第２図は第１図の等価熱回路図、第３図は第１図の性能
曲線図、第４図は第１図の放熱部の分解組み立て図、第
５図は本発明に依る放熱構造体の他の実施例の分解組み
立て図、第６図から第９図は本発明に依る放熱構造体の
他の実施例の側面図，第１０図及び第１１図は従来の放
熱構造体の側面図及び斜視図である。 ｌ・・・配線基板、２・・・端子パッド、３・・・入出
力ピン、４・・・板状ヒートパイプ、５・・・接着剤、
６・・・ＬＳＩチップ、７・・・チップ接着剤、８・・
・ボンデイングワイヤ，９・・・フィン、１０・・・キ
ャップ、１１・・・ウイツク、ｌ２・・・液戻し、１３
・・・半田ボール、１４・・・Ｏリング，１５・・・ボ
ルト，１６・・・仕切り板．１７・・・熱拡散板，１８
・・・ヒートシンク接着剤、１９・・・第２図 第１図 看ａ物同１ 第３図 フイ；／間つ亭；シｊＱ４Ａニト （ド／Ｉ〆ノ第４図 第６図 第７図 第５図 第８図 縞９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＬＳＩチップを塔載した配線基板と、前記ＬＳＩチ
ップから発生する熱を大気中に放熱する放熱フィンとか
ら成る半導体装置の放熱構造体において、 前記配線基板の前記ＬＳＩチップの塔載面の反対面と前
記放熱フィンの底面との間に板状ヒートパイプを一体的
に形成したことを特徴とする半導体装置の放熱構造体。 ２、ＬＳＩチップを塔載した配線基板と、前記ＬＳＩチ
ップから発生する熱を大気中に放熱するフィンとから成
る半導体装置の放熱構造体において、 前記配線基板の前記ＬＳＩチップの塔載面の反対面と、
前記放熱フィンの底面とをそれぞれ板状ヒートパイプの
側面としたことを特徴とする半導体装置の放熱構造体。 ３、ＬＳＩチップを塔載した配線基板と、前記ＬＳＩチ
ップから発生する熱を大気中に放熱する放熱フィンとか
ら成る半導体装置の放熱構造体において、 前記配線基板の前記ＬＳＩチップの塔載面の反対面と前
記放熱フィンの底面との間に板状ヒートのパイプを一体
的に形成し、前記ＬＳＩチップからの発熱を前記板状ヒ
ートパイプにより前記フィンに伝熱することを特徴とす
る半導体装置の放熱構造体。 ４、ＬＳＩチップを塔載した配線基板と、前記ＬＳＩチ
ップから発生する熱を大気中に放熱する放熱フィンとか
ら成る半導体装置の放熱構造体において、 前記配線基板のＬＳＩチップ塔載面の反対面に板状ヒー
トパイプ用のウイツクを形成したことを特徴とする配線
基板。 ５、ＬＳＩチップを塔載した配線板と、前記ＬＳＩチッ
プから発生する熱を大気中に放熱する放熱フィンとから
成る半導体装置の放熱構造体において、 前記放熱フィンの底面に板状ヒートパイプを形成するた
めのウイツクを形成したことを特徴とする放熱フィン。 ６、ＬＳＩチップを塔載した配線基板と、前記ＬＳＩチ
ップから発生する熱を大気中に放熱する放熱フィンとか
ら成る半導体装置の放熱構造体において、 前記配線基板の前記ＬＳＩチップの塔載面の反対面と前
記放熱フィンの底面との間に板状ヒートパイプを一体的
に形成し、前記板状ヒートパイプ内部に放射状の仕切り
板を設けたことを特徴とする半導体装置の放熱構造体。 ７、ＬＳＩチップを塔載した配線基板と、前記ＬＳＩチ
ップから発生する熱を大気中に放熱する放熱フィンとか
ら成る半導体装置の放熱構造体において、 前記放熱フィンの底部に板状ヒートパイプを一体的に形
成し、前記配線基板と前記放熱フィンとを接合したこと
を特徴とする半導体装置の放熱構造体。 ８、ＬＳＩチップを塔載した配線基板と、前記ＬＳＩチ
ップから発生する熱を大気中に放熱する放熱フィンとか
ら成る半導体装置の放熱構造体において、 前記配線基板、前記放熱フィンの両者またはいずれかに
ヒートパイプを構成するための空間とウイツクとを形成
し、両者をＯリングにより封止することにより板状ヒー
トパイプを形成したことを特徴とする半導体装置の放熱
構造体。 ９、ＬＳＩチップを塔載した配線基板と、前記ＬＳＩチ
ップから発生する熱を大気中に放熱する放熱フィンとか
ら成る半導体装置の放熱構造体において、 前記配線基板の前記ＬＳＩチップの塔載面の反対面と前
記放熱フィンの底面との間に板状ヒートパイプを一体的
に形成し、さらに、前記板状ヒートパイプは前記反対面
に対し傾斜部を設けたことを特徴とする半導体装置の放
熱構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242188A JPH03105955A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 半導体装置の放熱構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242188A JPH03105955A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 半導体装置の放熱構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105955A true JPH03105955A (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=17085613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1242188A Pending JPH03105955A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 半導体装置の放熱構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03105955A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123547A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Nakamura Mfg Co Ltd | 液冷熱交換器を備えた電子部品用パッケージ、およびその形成方法 |
| US7457118B1 (en) * | 2003-12-19 | 2008-11-25 | Emc Corporation | Method and apparatus for dispersing heat from high-power electronic devices |
| KR20140114578A (ko) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | 허승환 | 휴대용 효자손 |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP1242188A patent/JPH03105955A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7457118B1 (en) * | 2003-12-19 | 2008-11-25 | Emc Corporation | Method and apparatus for dispersing heat from high-power electronic devices |
| JP2007123547A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Nakamura Mfg Co Ltd | 液冷熱交換器を備えた電子部品用パッケージ、およびその形成方法 |
| KR20140114578A (ko) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | 허승환 | 휴대용 효자손 |
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