JPH1197592A - 熱消散装置 - Google Patents

熱消散装置

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JPH1197592A
JPH1197592A JP10210486A JP21048698A JPH1197592A JP H1197592 A JPH1197592 A JP H1197592A JP 10210486 A JP10210486 A JP 10210486A JP 21048698 A JP21048698 A JP 21048698A JP H1197592 A JPH1197592 A JP H1197592A
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emi
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JP10210486A
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Danieru Kuromuueru Suteiibun
スティーブン・ダニエル・クロムウエル
Beradeii Kurisuteian
クリスティアン・ベラディー
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HP Inc
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Hewlett Packard Co
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    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】プロセッサとプロセッサへの供給電圧を所定値
に設定する電力変換モジュールの放熱を、プリント基板
の面積をあまり必要とせずかつ効率良く行う。 【構成・作用】熱伝導体板１の表裏に電力変換モジュー
ル３とＣＰＵモジュール5をそれぞれ取り付ける。熱伝
導体板からヒートパイプなどによりヒートシンクへ熱を
逃がす。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に半導体モジ
ュール及び電力変換器モジュールのためのヒートシンク
及びファラデーケージに関する。更に具体的には、本発
明は、半導体モジュールと電力変換器モジュールの双方
から熱を消散するために協働するところの、熱伝導板、
複数のヒートパイプ及びフィンスタックを有するヒート
シンクに関する。そのパッケージングは、モジュール及
びそれらに関連する電力ケーブルとセンス線がともにフ
ァラデーケージ内で接続されるように統合されている。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】半導体部品の発展状況が高
集積化に進むにつれて、これらのデバイスが発生する熱
の量がかなり増大してきている。電力トランジスタ及び
集積回路のような大量の電流を扱う部品は大量の熱を発
生する。たとえば、米国特許第5,598,320号に示されて
いるように、インテル・コーポレーションのPentium Pr
oマイクロセッサのような、Ｐ5マイクロプロセッサチッ
プの現在の世代は、かなりな量の熱を発生することがよ
く知られている。この熱を適切に除去しなければ、半導
体部品によりもたらされる温度の上昇によりこれらの部
品が損傷するであろう。コンピュータ産業がこれらの部
品の集積度をなおも増大する方向に動いているため、こ
の事態は業界にとって共通の問題であり続けるであろ
う。
【０００３】熱消散の問題を解決する一つの方法は、熱
消散板、フィンスタック及びヒートパイプなどのヒート
シンクを用いて熱を伝達するかまたは消散する部品を設
けることである。これらの装置は、マイクロプロセッサ
チップ及びそれに関連する回路を、熱をチップ及び関連
する回路から遠くに伝達しまたは消散することにより、
最大推奨動作温度より低い温度に維持する。
【０００４】通常のヒートシンク部品は、半導体部品か
らの熱を、部品との熱接触を維持することにより消散す
る。熱消散の効率をよくするため、熱接触面積を最大に
する。ヒートシンクは、伝導材料から作られた板及び熱
的インターフェースを備えて、半導体部品からの伝熱を
最適にしている。ヒートシンクは、半導体部品からの熱
をあまり熱に敏感でない場所に移す。通常のヒートシン
クは、熱伝導板と半導体部品との間の熱接触を維持して
熱を効率良く消散する。
【０００５】通常のヒートシンクはフィンという複数の
突起を備え、このフィンがヒートシンクの全体としての
表面積を大きくして熱消散容量を大きくし、その結果、
一層効率良い伝熱システムを作っている。フィン組立体
は板状放射フィンまたはピン状放射フィンを設けること
ができ、、ヒートシンク本体から突出して効率良く熱を
消散する。熱消散表面積を大きくするとヒートシンク部
品の熱消散効率が向上する。フィンスタックは、表面積
が大きいため熱を消散するときの効率が特によい。フィ
ンにより作られる大きい表面積は、半導体部品が発生す
る熱をヒートシンクの熱プレート単独の場合よりも効率
良く消散する。
【０００６】ヒートパイプは、半導体部品及びそれに関
連する回路の問題領域から熱を熱フィンに移すための、
別の有効な方法である。米国特許第5,598,320号に説明
されているように、ヒートパイプは一般に、熱を、マイ
クロプロセッサ部品及びそれに関連する回路から、熱を
有効に消散するに十分な空気流が存在する区域に運ぶこ
とにより、ヒートシンクの熱消散の特性を改善してい
る。
【０００７】ヒートパイプは、熱が半導体部品を取り囲
む区域からフィンスタックに移されるように、半導体部
品と熱接触して設置されている。ヒートパイプを、水の
ような流体が一部充填された中空管としてよい。米国特
許第4,675,783号に記されているように、ヒートパイプ
は一般に熱消散板の付いたヒートシンクより効率良く冷
やすことが解っている。最近、比較的多数のコンピュー
タ販売業者が、ヒートシンク法とヒートパイプ法を組合
せて、半導体装置に関する全体としての熱消散の効率を
増大させた。
【０００８】コンピュータシステムの価格を下げようと
する止むことのない圧力が存在している。この圧力は、
半導体部品の集積度の増大と結びついて、多様な熱状態
の制御を低価格パッケージで行う必要性をもたらした。
【０００９】電力変換器は、エネルギーの一つの形態を
他の形態に変換する。米国特許第5,621,635号に説明さ
れているように、ヒートシンクは、電力変換器を備えた
プリント回路板の外側に取付けられて、熱消散を補助し
てきた。これまでの電力変換器及びヒートシンクの技術
が取扱っている問題には以下のようなものがある：回路
板に大きな空間が必要であること；多数の熱インターフ
ェースを使用するときの熱消散が一般的に非能率である
こと；セラミック基板または熱特性を向上させた(therm
ally enhanced)板を使用すると製造費用が高くなる可能
性のあること；及び高度の信頼性を保持することが困難
であること。電力変換器からの熱消散を最大にしなけれ
ばならないという問題に対する通常の一つの解決法は、
電力変換器とヒートシンクとの間に密接な物理的接触を
確実に達成することである。
【００１０】業界におけるパッケージングの他の問題に
は、半導体部品が発生する電磁周波数（ＥＭＩ）妨害ま
たは無線周波数（ＲＦＩ）妨害がある。以下では、ＥＭ
Ｉ妨害及びＲＦＩ妨害を「ＥＭＩ」と称する。ＥＭＩの
問題に対するファラデーケージ解決法は、ＥＭＩ放出を
減衰させる容器(enclosure)である。ファラデーケージ
は、熱の消散のための空気を流しながらＥＭＩ妨害を効
率良く遮蔽するように設計される。米国特許第5,398,82
2号に説明されているように、ＥＭＩは、ＥＭＩ放出を
防止するために半導体モジュールを取巻く区域を包囲す
ることにより抑制される。これは、熱の消散のため半導
体モジュールを取巻く区域を開放させておかなければな
らないというもう一方の要件との見合いで機能する。Ｅ
ＭＩ容器は、通気用の複数の小さい孔のある金属シート
で作られることが多い。ＥＭＩ容器はしばしば、ファン
とともに使用して、熱消散を加速するために空気を小さ
い通気孔を通して移動させる。
【００１１】従来技術にかかる問題は、半導体モジュー
ル及び出力変換モジュールがかなりの熱を発生し、この
熱を効率良く消散せねばならないということである。ま
た、これらのモジュールは遮蔽しなければならないＥＭ
Ｉも発生する。これは、熱消散及びＥＭＩ減少を効率良
く制御すべき半導体モジュールの廉価なパッケージング
を設計する際に困難をきたしていた。
【００１２】
【概要】本発明は、熱を効率良く消散しまたＥＭＩ放出
を遮蔽するように、ＣＰＵモジュール及び電力変換器モ
ジュールをパッケージする。本発明はまた、ＣＰＵモジ
ュールと電力変換器モジュールの間を接続する電力ケー
ブルの長さを極小にすることにより、新しいＣＰＵモジ
ュールに関する制約も満たしている。本発明の好適実施
例においては、伝熱層を電力変換器モジュールとＣＰＵ
モジュールとの間に挟んでいる。伝熱層は、蒸発器とし
てのヒートパイプと熱的に連絡し、ヒートパイプは凝縮
器として働くフィンスタックと熱的に連絡し、熱を効率
良く消散する。このパッケージは、熱を効率良く伝達し
消散する他に、ＥＭＩも減少させる。
【００１３】あるＣＰＵでは、電力変換器モジュールと
ＣＰＵモジュールとの間の電力ケーブルの長さが制限さ
れるという電力供給上の要請がある。本発明の好適実施
例は、上述の構成に加えて、電力変換器モジュールをプ
リント回路板から離して設置しながら、ＣＰＵモジュー
ルを電力変換器モジュールに密接して設置している。伝
熱層は、ＣＰＵモジュールを電力変換器モジュールに接
続する電力ケーブルのための通路を備えることができ
る。伝熱層はＣＰＵモジュールと電力変換器モジュール
の双方に接続され、また、電力変換器モジュールとＣＰ
Ｕモジュールの間及び電力変換器モジュールとプリント
回路板の間、の双方で電力伝送及び信号伝送を行う通路
を備えている。
【００１４】ヒートシンク組立体は、好適には、ＣＰＵ
モジュール及び電力変換器モジュールに熱的に結合して
いる伝熱層を備えている。ヒートシンク組立体は、好適
には、熱消散表面積を増大させるためのフィンスタック
を備えている。ヒートシンク組立体はまた、好適には、
伝熱層に差込まれて熱をマイクロプロセッサ部品及びそ
れに関連する回路から熱を効率良く消散するに十分な空
気流が存在する区域に運ぶ一連のヒートパイプを備えて
いる。
【００１５】伝熱層は、好適には、電力変換器モジュー
ルの下側及びＣＰＵモジュールの上側に結合されてい
る。伝熱層との接触は、伝熱グリース(thermal greas
e)、伝熱パッド(thermal pad)、または他のどんな種類
の熱インターフェース材料によってでも行われる。ＣＰ
ＵモジュールとＣＰＵ取付けブラケットの組合せは、伝
熱層に緊密に接続されている。ＣＰＵモジュール、電力
ケーブル及び電力変換器モジュールは、ファラデーケー
ジの中に納められている。
【００１６】ファラデーケージは、電力変換器モジュー
ルのＥＭＩ遮蔽用のＥＭＩ缶(EMI can)を備えることが
できる。これに加えて、ファラデーケージは、ＣＰＵモ
ジュール、電力ケーブル及びセンス線のＥＭＩの遮蔽用
ＥＭＩ減衰スリーブも備えることができる。ＥＭＩ減衰
スリーブは、プリント回路板と伝熱層の間に設置され、
プリント回路板に取付けられて良好な電気接続を確保し
ている。ＥＭＩ缶、ＥＭＩ減衰スリーブ、伝熱層及びプ
リント回路板の接地面で、ファラデーケージが完成され
る。電力変換器の一次電力は回路板から発し、伝熱層の
スロットを通って電力変換器モジュールに伝えられる。
【００１７】以下の説明及び図面は本発明の他の局面及
び長所を与えるであろう。これらは、一緒に考え合わせ
ることにより、本発明の原理を例示する。
【００１８】
【実施例】本発明は、いくつかのＣＰＵによって課され
る長さの制約を守りながら、熱を効率良く消散すると共
にＥＭＩを遮蔽するように半導体モジュール及び電力変
換器モジュールをパッケージングする。このパッケージ
を半導体モジュールと電力変換器モジュールとの間に挟
まれた等温層(isothermal layer)の入っているファラデ
ーケージに入れる。この等温層はヒートパイプに熱的に
連絡し、ヒートパイプはフィンスタックと熱的に連絡し
て熱を効率良く消散する。
【００１９】半導体モジュール及び電力変換器モジュー
ルはいずれも、効率良く消散しなければならないかなり
の熱を発生し、また遮蔽して低減しなければならないＥ
ＭＩを発生する。これらのモジュール及び電力ケーブル
をパッケージして効率良い熱消散及びＥＭＩ遮蔽を行う
必要性があった。これらの要求事項は、本発明が扱うパ
ッケージングの設計に相反する制約を課す。
【００２０】本発明の好適実施例は、半導体（ＣＰＵ）
モジュールを電力変換器モジュールに密接して設置する
が、電力変換器モジュールを回路板に設置することあ必
要としない。ＣＰＵモジュールを回路板上に設置する
が、電力変換器モジュールを回路板から取り外すこと
で、回路板で約１５２．４ｍｍ（６インチ）節約でき
る。更に、全体の構成がより簡単になるので、線路が短
くなり製造費用が少なくなる。好適実施例は、従来のフ
ァラデーケージの構成よりも部品の少ない、厳重なファ
ラデーケージを備えた構成である。
【００２１】本発明により解決される他の問題は、いく
つかのＣＰＵにより課されるところのケーブル長を短く
しなければならないという要請である。ＣＰＵモジュー
ルと電力変換器モジュールの間のケーブル長を短くする
と、ＣＰＵモジュールと電力変換器モジュールの間を近
接させることができるため、電力変換器からＣＰＵモジ
ュールまでに電圧降下の起こる可能性が小さくなる。
【００２２】熱消散層や伝熱層を等温層と呼ぶが、等温
層という用語は限定的な用語としては使用しない。ＣＰ
Ｕモジュールは、それに関連する電源モジュールからの
電力及び余分の熱の除去を必要とするどんな形式の半導
体モジュールであってもよいことが認識されよう。
【００２３】
【実施例】以下の詳細な説明及び図面の幾つかの図で
は、類似した要素を類似した参照数字で示している。
【００２４】図１は、等温層１の上の電力変換器モジュ
ール３の新規なパッケージングの斜視図を示しており、
ここにおいて、電力変換器モジュール３からＣＰＵモジ
ュール５までの電力接続９（想像線で示す）が等温層１
にあるスロット７を横断している。等温層１は、電力変
換器モジュール３とＣＰＵモジュール５との間に挟まれ
て、電力変換器モジュール３とＣＰＵモジュール５の双
方のための熱消散を行う。この新規な、積み重ねモジュ
ールパッケージングにおいて、等温層１の上面は電力変
換器モジュールの下面３Ｃ（図５）に取付けられ、等温
層１の下面はＣＰＵモジュールの上面５Ａに取付けられ
ている。
【００２５】図２は、（図１に示すような）電力ケーブ
ル９のためのスロット７が設けられた等温層１の斜視図
である。スロット７は、等温層１の上面から下面まで等
温層１の中に切り込まれ、等温層１の側縁に平行に走っ
ている。スロット７はＣＰＵモジュール５に電力を分配
する新規な方法である、（図１に示すような）電力変換
器モジュール３とＣＰＵモジュール５との間で電力ケー
ブル及びセンス線９のための通路を与える。スロット７
はまた、回路板１９から（後に説明し、また図３に示
す）電力変換器モジュール３（図１に示す）まで（図１
に示すように）電力ケーブル及びセンス線９のための通
路を与える。
【００２６】図３に示すファラデーケージ１０には、Ｅ
ＭＩがファラデーケージ１０の中に閉じ込めるようにシ
ールが必要である。ＥＭＩの抑制は単にＥＭＩを減らす
ことでよいことが認識されよう。ファラデーケージ１０
は、ＣＰＵモジュール５、電力ケーブル及びセンス線
９、及び（図１に示してある）電力変換器モジュール３
を囲んでいる。ＣＰＵモジュール５及び電力変換器モジ
ュール３の積み重ねパッケージングを行うことにより、
各モジュール及びケーブルに対してＥＭＩの抑制を別々
に扱う場合に比べてより厳重なファラデーケージ１０が
存在するという点で、ＥＭＩの抑制を解決しなければな
らないという問題の解決が容易になる。
【００２７】ファラデーケージ１０は、（図１に示すよ
うに）電力変換器モジュール３の上に嵌まって電力変換
器モジュール３からのＥＭＩのためのシールドであるＥ
ＭＩ缶１７を備えている。ファラデーケージ１０は更に
ＥＭＩ減衰スリーブ２１及び等温層１を備えている。等
温層１のうちのＥＭＩ缶１７及びＥＭＩ減衰スリーブ２
１と同じ面内にある側縁は、ファラデーケージ１０の一
部である。ＥＭＩ減衰スリーブ２１は、等温層１と回路
板１９の間に接続されている。ＥＭＩ減衰スリーブ２１
は、ＣＰＵモジュール５、電力ケーブル及びセンス線９
（図１に示す）の周りであって回路板１９の上に嵌ま
り、ＣＰＵモジュール５、電力ケーブル９及びセンス線
９から放出されるＥＭＩを減衰させる。回路板１９の底
面上の接地面によってファラデーケージ１０が完成す
る。
【００２８】等温層１はＥＭＩ缶１７とＥＭＩ減衰スリ
ーブ２１の共通取付け点として動作することが解るだろ
う。ＣＰＵモジュール５の取り付けの態様は、図４に示
すように等温層１の一方の側に接触するだけであり、し
たがって、等温層１の他の側は他のモジュールとの接触
のために残されている。ＣＰＵモジュール５は回路板１
９と等温層１の間に挟まれ、等温層１との必要な熱的接
触を維持している。ＥＭＩ減衰スリーブ２１は回路板１
９の正面に取付けられている。この取付けにより（図３
に示す）ファラデーケージ１０及びヒートシンク組立体
チャンバ１８（このチャンバ１８については後に説明
し、また図５に示してある）からＥＭＩ減衰スリーブ２
１に負荷をかけることにより、ＣＰＵモジュール５及び
回路板１９にかかる圧力は確実に最小限になる。この取
付けによりＥＭＩシールが形成され、また回路板１９に
剛性が与えられる。
【００２９】（図３に示す）ファラデーケージ１０は、
図５に示すようにヒートシンク組立体チャンバ１８とし
て働きながらＥＭＩの抑制を行う。ＥＭＩの抑制、熱制
御及びケーブル長制限という背反する設計要求事項は、
本発明でそのパッケージングにより解決された。ヒート
シンク組立体１８は、共に等温層１に取付けられている
ＣＰＵモジュール５及び電力変換器モジュール３から成
る熱消散装置である。等温層１の上面は電力変換器モジ
ュールの下面３Ｃに取付けられ、等温層１の下面は（図
４に示すように）ＣＰＵモジュールの上面５Ａに取付け
られている。等温層１は、これらのモジュールからの熱
を消散する目的で、電力変換器モジュール３及びＣＰＵ
モジュール５の双方と熱的に連絡している。等温層１の
ＣＰＵモジュール５及び電力変換器モジュール３への取
付けは、熱伝導グリースまたは熱伝導パッド２３のよう
な熱接触積層材料による熱インターフェースにより行わ
れる。
【００３０】図６に示す露出したヒートパイプ１１の透
明斜視図は、等温層１を効率よく冷却するフィンスタッ
ク１３及びヒートパイプ１１をパッケージするための革
新的方法を示す。ヒートシンク組立体１８は、熱消散表
面積を大きくするためのフィンスタック１３及び熱を問
題となる部品から離してフィンスタック１３の方へ持っ
ていく一連のヒートパイプ１１から構成されている。フ
ィンスタック１３の底面はＥＭＩ缶１７の上面の上に設
置されている。フィンスタック１３は等温層１の上に層
状に設けられた一連のフィン１２である。フィン１２は
ＥＭＩ缶１７の縁の両側の上に広がり、したがってＥＭ
Ｉ缶１７の側面に位置する。
【００３１】ヒートパイプ１１の底部は等温層１の平行
な両側面縁１Ａに挿入まれ、等温層１を出るとき約９０
度の角度で曲がる。ヒートパイプ１１は、熱を発生する
問題となる部品から上方にまたそこから離れる向きに伸
びる。ヒートパイプ１１はフィンスタック１３を貫いて
突出し、図６に示すようにフィンスタック１３の上面の
外側で終わっている。
【００３２】本発明は、電力変換器モジュールを回路板
上に設置しなくてもＣＰＵモジュールを電力変換器モジ
ュールと共に密接して設置できるようにするパッケージ
ングを与えるという点で、従来技術に比較して改善され
ている。これは、部分的には、電力ケーブル及びセンス
線を等温層を貫いて通すことにより達成される。電力ケ
ーブル及びセンス線は、電力変換器モジュールとＣＰＵ
モジュールの間及び電力変換器モジュールと回路板の間
の双方に接続されている。電力変換器モジュールを回路
板上から除去して回路板上の空間を節約する他に、この
構成によって、線路が短くなってシステム性能が改善さ
れ、また、全体構成が小さくなるので製造費用も少なく
なる。この簡潔な構成によって、ファラデーケージ容器
のＥＭＩシールも改善される。これに加えて、本構成
は、電力変換器モジュールとＣＰＵモジュールの間のケ
ーブル長を極小にしなければならないという新たな問題
を解決し、電力変換器モジュールからＣＰＵモジュール
までの電圧降下を低減する。
【００３３】本発明の好適実施例を説明し例証してきた
が、本発明をこのように説明し例証した特定の形態また
は部品の構成に限定すべきではない。本発明は、本願特
許請求の範囲によってのみ限定される。
【００３４】以下に本発明の実施の態様の例を列挙す
る。
【００３５】［実施態様１］以下の(a)及び(b)を設け、
半導体モジュール及び電力変換器モジュールに用いる熱
消散装置： (a) 前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュー
ルに熱的に結合されている伝熱層； (b) 前記伝熱層に接続されたヒートシンク。
【００３６】［実施態様２］前記ヒートシンクは以下の
(b-1)及び(b-2)を有することを特徴とする実施態様１記
載の熱消散装置： (b-1) 一連のヒートパイプ； (b-2) 前記ヒートパイプと協働して熱を前記伝熱層から
移すフィンスタック。
【００３７】［実施態様３］前記伝熱層は前記ＣＰＵモ
ジュールと前記電力変換器モジュールの間の電力接続の
ための通路を備えていることを特徴とする実施態様１記
載の熱消散装置。
【００３８】［実施態様４］以下の(a)及び(b)を設け、
電力ケーブルとセンス線により電気的に接続されている
半導体モジュール及び電力変換器モジュールに用いるヒ
ートシンク組立体： (a) 前記半導体モジュールに及び前記電力変換器モジュ
ールに結合され、前記電力変換器モジュールと前記半導
体モジュールとの間で電力を伝達するための前記接続の
ための通路を備えている伝熱層； (b) 前記半導体モジュール、前記電力ケーブル及び前記
センス線を取り囲み、ＥＭＩ放出を減衰させるチャン
バ。
【００３９】［実施態様５］前記伝熱層は以下の(a-1)
及び(a-2)と熱的に連絡していることを特徴とする実施
態様４記載のヒートシンク組立体： (a-1) ヒートパイプ； (a-2) 前記ヒートパイプ及び前記伝熱層と協働して熱を
消散するフィンスタック。
【００４０】［実施態様６］前記伝熱層は熱伝導性イン
ターフェースにより前記半導体モジュール及び前記電力
変換器モジュールに接触していることを特徴とする実施
態様４記載のヒートシンク組立体。
【００４１】［実施態様７］前記半導体モジュールはマ
イクロプロセッサモジュールであり、前記電力変換器モ
ジュールは前記通路を通して電力を前記半導体モジュー
ルに供給する、ことを特徴とする実施態様４記載のヒー
トシンク組立体。［実施態様８］以下の(a)及び(b)を設
け、電力変換器モジュールに電気的に接続されている半
導体モジュールのＥＭＩ放出を減らすための組立体： (a) 通路を有する共有取付け点； (b) 前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュー
ルを取り囲むＥＭＩ容器。
【００４２】［実施態様９］前記共有取付け点は、前記
半導体モジュール及び前記電力変換器モジュールのため
の熱消散を行なう伝熱層であることを特徴とする実施態
様８記載の組立体。
【００４３】［実施態様１０］前記伝熱層は以下の(a-
1)及び(a-2)と熱的に連絡していることを特徴とする実
施態様８記載の組立体： (a-1) 一連のヒートパイプ； (a-2) 前記ヒートパイプと協働して熱を消散するフィン
スタック。
【００４４】［実施態様１１］前記ＥＭＩ容器は以下の
(b-1)ないし(b-3)を有することを特徴とする実施態様８
記載の組立体：(b-1) 前記電力変換器モジュールを取り
囲む前記共有取付け点に接続されたＥＭＩ缶； (b-2) 接地平面を有するプリント回路板； (b-3) 前記プリント回路板の前記接地平面と前記半導体
モジュールを取り囲む前記共有取付け点との間に接続さ
れたＥＭＩ減衰スリーブ。
【００４５】［実施態様１２］前記半導体モジュールは
マイクロプロセッサモジュールを備えていることを特徴
とする実施態様８記載の組立体。
【００４６】［実施態様１３］前記電力変換器モジュー
ルは前記半導体モジュール用電力変換器モジュールを備
えていることを特徴とする実施態様８記載の組立体。
【００４７】［実施態様１４］以下の(a)ないし(e)を設
け、ＣＰＵモジュール、前記ＣＰＵモジュールが取り付
けられているプリント回路板、電力コネクタ、センス線
及び前記ＣＰＵモジュール用電力変換器モジュールに用
いるヒートシンクとＥＭＩ容器の組立体： (a) 前記電力変換器モジュールに熱的に接続され、前記
ＣＰＵモジュールに熱的に接続され、前記電力変換器モ
ジュールと前記ＣＰＵモジュールとの間に挟まれている
等温層； (b) 前記等温層内にあり、前記ＣＰＵモジュールと前記
電力変換器モジュールの間の前記電力コネクタ用の通路
を有するスロット； (c) 前記等温層に挿入され、前記等温層と熱的に連絡し
ている一連のヒートパイプ； (d) 前記一連のヒートパイプと熱的に連絡しているフィ
ンスタック； (e) 前記プリント回路板に接続され、それによりファラ
デーケージを形成しているＥＭＩ容器。
【００４８】［実施態様１５］前記電力変換器モジュー
ル及び前記ＣＰＵモジュールは、熱接触積層材料により
前記等温層に接続されていることを特徴とする実施態様
１４記載のヒートシンクとＥＭＩ容器の組立体。
【図面の簡単な説明】
【図１】電力変換器モジュールとＣＰＵモジュールの間
に挟み込まれ、電力ケーブル及び電力ケーブル用通路を
備えている等温層の斜視図。
【図２】電力ケーブル用スロットのある等温層の破断
図。
【図３】ファラデイケージの斜視図。
【図４】ＣＰＵモジュール、回路板に取付けられ接続さ
れている等温層及びＥＭＩ減衰スリーブを示す斜視図。
【図５】ヒートシンク組立体の斜視図。
【図６】伝熱層内のヒートパイプを露出した状態のヒー
トシンク組立体の透明斜視図。
【符号の説明】
１：等温層 ３：電力変換器モジュール ５：半導体モジュール ７：スロット ９：電力ケーブル １０：ファロデーケージ １１：ヒートパイプ １３：フィンスタック １８：ヒートシンク １９：回路板 ２１：ＥＭＩスリーブ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】以下の(a)及び(b)を設け、半導体モジュー
    ル及び電力変換器モジュールに用いる熱消散装置： (a) 前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュー
    ルに熱的に結合されている伝熱層； (b) 前記伝熱層に接続されたヒートシンク。
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