JPH10173114A - マルチチップモジュールの冷却構造 - Google Patents
マルチチップモジュールの冷却構造Info
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- JPH10173114A JPH10173114A JP33338896A JP33338896A JPH10173114A JP H10173114 A JPH10173114 A JP H10173114A JP 33338896 A JP33338896 A JP 33338896A JP 33338896 A JP33338896 A JP 33338896A JP H10173114 A JPH10173114 A JP H10173114A
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- heat sink
- air
- wiring board
- chip module
- cooling structure
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】空冷ヒートシンクの温度が高い場合でも，空冷
ヒートシンクと多層配線基板の熱膨張差によって多層配
線基板内に割れや回路配線の断線などを生じることがな
い信頼性に優れたマルチチップモジュールの冷却構造を
提供する。 【解決手段】ＬＳＩチップを多数搭載したマルチチップ
モジュールのハウジングが，多層配線基板の熱膨張率に
整合する熱膨張率を持つ材料から成る枠部材と蓋部材と
から構成され，多層配線基板と枠部材とを相互に固着せ
しめる手段と，蓋部材と枠部材を相互に係合せしめる手
段を備え，蓋部材上に搭載された空冷ヒートシンクが，
互いに分離して配置された複数のフィン群から構成され
る。
ヒートシンクと多層配線基板の熱膨張差によって多層配
線基板内に割れや回路配線の断線などを生じることがな
い信頼性に優れたマルチチップモジュールの冷却構造を
提供する。 【解決手段】ＬＳＩチップを多数搭載したマルチチップ
モジュールのハウジングが，多層配線基板の熱膨張率に
整合する熱膨張率を持つ材料から成る枠部材と蓋部材と
から構成され，多層配線基板と枠部材とを相互に固着せ
しめる手段と，蓋部材と枠部材を相互に係合せしめる手
段を備え，蓋部材上に搭載された空冷ヒートシンクが，
互いに分離して配置された複数のフィン群から構成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ＬＳＩチップを搭
載したマイクロキャリアを配線基板上に多数実装し，一
括して封止したマルチチップモジュールの冷却構造に係
わり，特に高集積化，高発熱密度化，大寸法化したマル
チチップモジュールを空気冷却するための冷却構造に関
するものである。
載したマイクロキャリアを配線基板上に多数実装し，一
括して封止したマルチチップモジュールの冷却構造に係
わり，特に高集積化，高発熱密度化，大寸法化したマル
チチップモジュールを空気冷却するための冷却構造に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年，コンピュータにおける性能向上は
著しく，特に大型汎用コンピュータやスーパコンピュー
タなどにおいては，処理速度の高速化が強く要求されて
いる。
著しく，特に大型汎用コンピュータやスーパコンピュー
タなどにおいては，処理速度の高速化が強く要求されて
いる。
【０００３】演算処理速度の高速化のためには，各演算
素子間の信号伝搬速度を向上させることが不可欠であ
り，そのためには各演算素子間の配線距離をできるだけ
短くする必要がある。
素子間の信号伝搬速度を向上させることが不可欠であ
り，そのためには各演算素子間の配線距離をできるだけ
短くする必要がある。
【０００４】そこで，多数のＬＳＩを高密度に実装する
方法として，ＬＳＩを高速高密度な多層配線基板上に一
括して多数搭載し，冷却構造を組込んだハウジングで封
止するマルチチップモジュール方式が用いられるように
なってきた。
方法として，ＬＳＩを高速高密度な多層配線基板上に一
括して多数搭載し，冷却構造を組込んだハウジングで封
止するマルチチップモジュール方式が用いられるように
なってきた。
【０００５】マルチチップモジュール内には，ＬＳＩで
発生する熱をマルチチップモジュール上のヒートシンク
に伝え，同時にＬＳＩの高さや傾きのばらつきを吸収し
うる柔軟性のある熱伝導体が設けられる。
発生する熱をマルチチップモジュール上のヒートシンク
に伝え，同時にＬＳＩの高さや傾きのばらつきを吸収し
うる柔軟性のある熱伝導体が設けられる。
【０００６】例えば，特開平２−２８１７４７号公報に
は，図７に示すようなマルチチップモジュールの冷却構
造が開示されている。図中で，複数の半導体デバイス１
０２がムライトセラミックからなる多層配線基板１０１
上に搭載されている。ムライトセラミックは半導体デバ
イス１０２の熱膨張率と整合し，低誘電率のため高速信
号伝送に優れた材料である。半導体デバイス１０２はＬ
ＳＩチップまたはＬＳＩチップを封じ込めたチップキャ
リアである。多層配線基板１０１の裏面には入出力ピン
１０３が設けられている。この冷却封止構造は，高熱伝
導率で熱膨張率が多層配線基板１０１と整合する材料で
ある窒化アルミニウムセラミックから成るキャップ板１
０４と，熱膨張率が多層配線基板１０１と整合する材料
である鉄−ニッケル合金から成るフレーム１０５と，こ
の両者を半田接合して構成されるキャップ内に形成され
る上くし歯１０６ａと下くし歯１０６ｂとによる熱伝導
体と，キャップ板１０４の上に熱伝導グリス１０８を介
して設けられる水冷ヒートシンク１０７とにより構成さ
れる。キャップ板１０４とフレーム１０５とから成るキ
ャップが多層配線基板１０１にかぶせられ，周辺部で半
田封止されている。半導体デバイス１０２で発生した熱
は，上くし歯１０６ａと下くし歯１０６ｂから成る柔軟
生のある熱伝導体を介してキャップ板１０４に伝導され
る。また，熱伝導体の熱伝導効率を高めるために，マル
チチップモジュールの内部にはＨｅガスが充填されてい
る。
は，図７に示すようなマルチチップモジュールの冷却構
造が開示されている。図中で，複数の半導体デバイス１
０２がムライトセラミックからなる多層配線基板１０１
上に搭載されている。ムライトセラミックは半導体デバ
イス１０２の熱膨張率と整合し，低誘電率のため高速信
号伝送に優れた材料である。半導体デバイス１０２はＬ
ＳＩチップまたはＬＳＩチップを封じ込めたチップキャ
リアである。多層配線基板１０１の裏面には入出力ピン
１０３が設けられている。この冷却封止構造は，高熱伝
導率で熱膨張率が多層配線基板１０１と整合する材料で
ある窒化アルミニウムセラミックから成るキャップ板１
０４と，熱膨張率が多層配線基板１０１と整合する材料
である鉄−ニッケル合金から成るフレーム１０５と，こ
の両者を半田接合して構成されるキャップ内に形成され
る上くし歯１０６ａと下くし歯１０６ｂとによる熱伝導
体と，キャップ板１０４の上に熱伝導グリス１０８を介
して設けられる水冷ヒートシンク１０７とにより構成さ
れる。キャップ板１０４とフレーム１０５とから成るキ
ャップが多層配線基板１０１にかぶせられ，周辺部で半
田封止されている。半導体デバイス１０２で発生した熱
は，上くし歯１０６ａと下くし歯１０６ｂから成る柔軟
生のある熱伝導体を介してキャップ板１０４に伝導され
る。また，熱伝導体の熱伝導効率を高めるために，マル
チチップモジュールの内部にはＨｅガスが充填されてい
る。
【０００７】ところで，ここ数年，大型汎用コンピュー
タやスーパコンピュータで用いられるＬＳＩチップは，
従来主流であった比較的発熱量の大きいバイポーラ型の
半導体から，比較的発熱量の小さいＣ−ＭＯＳ型の半導
体へと移行する傾向にある。これらＣ−ＭＯＳ型半導体
のＬＳＩチップを搭載したマルチチップモジュールで
は，一般に空冷方式が用いられる。それは，空気冷却が
水冷却に比べて冷却能力で劣るものの，信頼性，保守
性，設置性等に優れる冷却方式であるからである。図７
で示した従来例では，マルチチップモジュール上に搭載
するヒートシンクとして水冷ヒートシンクの例が示され
ているが，従来例ではヒートシンクの構造については特
に言及しておらず，例えば空冷フィンで構成されるよう
な空冷ヒートシンクを搭載した従来例も考えられる。そ
こで，空冷ヒートシンクを搭載した従来例を図８に示
す。図８中では，マルチチップモジュールの構造は，図
７で説明したものと同一であるので番号を省略してあ
る。空冷ヒートシンクを用いた場合，水冷ヒートシンク
に比べ，ヒートシンクの温度が高くなる傾向がある。こ
れは，空冷ヒートシンクの冷却性能が水冷ヒートシンク
に比べて低いためである。空冷ヒートシンクの冷却性能
が低いのは，空気の熱容量が水の熱容量に比較して極端
に小さいため，ヒートシンク中での空気の温度上昇が大
きくなることに起因している。
タやスーパコンピュータで用いられるＬＳＩチップは，
従来主流であった比較的発熱量の大きいバイポーラ型の
半導体から，比較的発熱量の小さいＣ−ＭＯＳ型の半導
体へと移行する傾向にある。これらＣ−ＭＯＳ型半導体
のＬＳＩチップを搭載したマルチチップモジュールで
は，一般に空冷方式が用いられる。それは，空気冷却が
水冷却に比べて冷却能力で劣るものの，信頼性，保守
性，設置性等に優れる冷却方式であるからである。図７
で示した従来例では，マルチチップモジュール上に搭載
するヒートシンクとして水冷ヒートシンクの例が示され
ているが，従来例ではヒートシンクの構造については特
に言及しておらず，例えば空冷フィンで構成されるよう
な空冷ヒートシンクを搭載した従来例も考えられる。そ
こで，空冷ヒートシンクを搭載した従来例を図８に示
す。図８中では，マルチチップモジュールの構造は，図
７で説明したものと同一であるので番号を省略してあ
る。空冷ヒートシンクを用いた場合，水冷ヒートシンク
に比べ，ヒートシンクの温度が高くなる傾向がある。こ
れは，空冷ヒートシンクの冷却性能が水冷ヒートシンク
に比べて低いためである。空冷ヒートシンクの冷却性能
が低いのは，空気の熱容量が水の熱容量に比較して極端
に小さいため，ヒートシンク中での空気の温度上昇が大
きくなることに起因している。
【０００８】図７，図８で示した構造では，封止に必要
な部分の面積が小さいためマルチチップモジュールのサ
イズを小さくできる。そのため，多数のマルチチップモ
ジュールを平面上に搭載する場合の実装密度を高くする
ことができること，材料費を低減できることなどの利点
がある。
な部分の面積が小さいためマルチチップモジュールのサ
イズを小さくできる。そのため，多数のマルチチップモ
ジュールを平面上に搭載する場合の実装密度を高くする
ことができること，材料費を低減できることなどの利点
がある。
【０００９】さらに別の従来例として，特開昭５９−６
５４５７号公報には，図９に示すようなマルチチップモ
ジュールの冷却構造が開示されている。図中で，ＬＳＩ
チップ１１０が実装されたモジュール基板１１１上にフ
ランジ１１２の一端を固定し，ヒートシンク１１３とフ
ランジ１１２間にガスケット１１５を挟み込み，ネジ１
１４で気密封止する。熱伝導性の良い金属板１１６をＬ
ＳＩチップ１１０の裏面に半田１１７で接合し，ヒート
シンク１１３の取付け時に各ＬＳＩチップ１１０に機械
的圧力が加わらないようにヒートシンク１１３と金属板
１１６との間に，僅かな間隙１１８を設け，Ｈｅ等の熱
伝導性の良い気体１１９を封止している。
５４５７号公報には，図９に示すようなマルチチップモ
ジュールの冷却構造が開示されている。図中で，ＬＳＩ
チップ１１０が実装されたモジュール基板１１１上にフ
ランジ１１２の一端を固定し，ヒートシンク１１３とフ
ランジ１１２間にガスケット１１５を挟み込み，ネジ１
１４で気密封止する。熱伝導性の良い金属板１１６をＬ
ＳＩチップ１１０の裏面に半田１１７で接合し，ヒート
シンク１１３の取付け時に各ＬＳＩチップ１１０に機械
的圧力が加わらないようにヒートシンク１１３と金属板
１１６との間に，僅かな間隙１１８を設け，Ｈｅ等の熱
伝導性の良い気体１１９を封止している。
【００１０】図９で示した構造では，マルチチップモジ
ュールの開封，封止作業が容易であり，開封，封止作業
を短時間で行うことができる。
ュールの開封，封止作業が容易であり，開封，封止作業
を短時間で行うことができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】特開平２−２８１７４
７号公報開示の構造（図７，８）では，マルチチップモ
ジュールを半田接合により封止する。半田による封止
は，多層配線基板周辺部に接合半田層を隙間なく作る必
要があるため，Ｈｅ雰囲気中でマルチチップモジュール
内外の圧力差を精確にコントロールする必要がある。そ
のため，マルチチップモジュールの組み立て作業が複雑
になるという問題点がある。また，保守時等の開封，再
封止作業の手間がかかり，短時間での作業が困難である
という問題点もある。
７号公報開示の構造（図７，８）では，マルチチップモ
ジュールを半田接合により封止する。半田による封止
は，多層配線基板周辺部に接合半田層を隙間なく作る必
要があるため，Ｈｅ雰囲気中でマルチチップモジュール
内外の圧力差を精確にコントロールする必要がある。そ
のため，マルチチップモジュールの組み立て作業が複雑
になるという問題点がある。また，保守時等の開封，再
封止作業の手間がかかり，短時間での作業が困難である
という問題点もある。
【００１２】上記のような問題点を解決する構造の一つ
が，特開昭５９−６５４５７号公報開示の構造（図９）
である。ヒートシンク１１３とフランジ１１２間にガス
ケット１１５を挟み込みネジ１１４で気密封止する構造
なので，マルチチップモジュールの組み立て作業が容易
になり，また保守時等の開封，再封止作業が単純になる
ため短時間での作業が可能となる。
が，特開昭５９−６５４５７号公報開示の構造（図９）
である。ヒートシンク１１３とフランジ１１２間にガス
ケット１１５を挟み込みネジ１１４で気密封止する構造
なので，マルチチップモジュールの組み立て作業が容易
になり，また保守時等の開封，再封止作業が単純になる
ため短時間での作業が可能となる。
【００１３】図９の構造では，マルチチップモジュール
のキャップ部は，空冷のヒートシンク１１３が兼ねてい
る。空冷のヒートシンク１１３は，アルミニウムや銅の
ように熱伝導率が大きく安価で加工性が良い材質で構成
される場合が多いが，ここで空冷ヒートシンクを上記の
ような材料で構成した場合，以下の問題が生じる。つま
り，アルミニウムや銅の熱膨張率はＬＳＩや多層配線基
板の熱膨張率より数倍大きく，特にヒートシンクが空冷
式の場合，前述したようにヒートシンクの温度が高くな
るので，多層配線基板と空冷ヒートシンクの熱膨張差に
より多層配線基板に大きな応力をかけることとなり，最
悪の場合，多層配線基板内に割れや回路配線の断線が生
じることとなる。ヒートシンクの温度が高くなる要因
は，前述したように空冷ヒートシンクの冷却性能が水冷
ヒートシンクに比べて低いこと以外に，コンピュータの
設置環境の変化が挙げられる。最近，コンピュータは設
置性が重要視されつつあり，特別な床下空調設備のある
コンピュータルームでなく，通常のオフィスでの使用を
前提に設計されるようになってきた。この場合，筐体へ
供給される冷却空気の温度は専用のコンピュータルーム
の温度に比べて高く，それにより空冷ヒートシンク自体
の温度も高くなるのである。水冷式のようにヒートシン
クの温度が低い場合は，多層配線基板との熱膨張率の整
合性は，比較的問題となりにくいが，空冷式のようにヒ
ートシンクの温度が高くなる場合には，多層配線基板と
の熱膨張率の整合性は，信頼性の面から非常に重要にな
る。
のキャップ部は，空冷のヒートシンク１１３が兼ねてい
る。空冷のヒートシンク１１３は，アルミニウムや銅の
ように熱伝導率が大きく安価で加工性が良い材質で構成
される場合が多いが，ここで空冷ヒートシンクを上記の
ような材料で構成した場合，以下の問題が生じる。つま
り，アルミニウムや銅の熱膨張率はＬＳＩや多層配線基
板の熱膨張率より数倍大きく，特にヒートシンクが空冷
式の場合，前述したようにヒートシンクの温度が高くな
るので，多層配線基板と空冷ヒートシンクの熱膨張差に
より多層配線基板に大きな応力をかけることとなり，最
悪の場合，多層配線基板内に割れや回路配線の断線が生
じることとなる。ヒートシンクの温度が高くなる要因
は，前述したように空冷ヒートシンクの冷却性能が水冷
ヒートシンクに比べて低いこと以外に，コンピュータの
設置環境の変化が挙げられる。最近，コンピュータは設
置性が重要視されつつあり，特別な床下空調設備のある
コンピュータルームでなく，通常のオフィスでの使用を
前提に設計されるようになってきた。この場合，筐体へ
供給される冷却空気の温度は専用のコンピュータルーム
の温度に比べて高く，それにより空冷ヒートシンク自体
の温度も高くなるのである。水冷式のようにヒートシン
クの温度が低い場合は，多層配線基板との熱膨張率の整
合性は，比較的問題となりにくいが，空冷式のようにヒ
ートシンクの温度が高くなる場合には，多層配線基板と
の熱膨張率の整合性は，信頼性の面から非常に重要にな
る。
【００１４】本発明は，上記のような問題点を克服する
ことを目的としており，マルチチップモジュールの組み
立て作業が容易になり，また保守時等の開封，再封止作
業が短時間で行え，かつ，多層配線基板の割れ等に対す
る信頼性に優れたマルチチップモジュールの冷却構造を
提供することにある。
ことを目的としており，マルチチップモジュールの組み
立て作業が容易になり，また保守時等の開封，再封止作
業が短時間で行え，かつ，多層配線基板の割れ等に対す
る信頼性に優れたマルチチップモジュールの冷却構造を
提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め，本発明では，（１）ＬＳＩチップ等を含むマイクロ
キャリアと，マイクロキャリアを複数搭載する多層配線
基板と，多層配線基板を覆うハウジングと，ハウジング
上に搭載された空冷ヒートシンクとを備え， ＬＳＩチ
ップの発生熱をハウジングに導くための熱伝導体が，マ
イクロキャリアとハウジングの間に設けられたマルチチ
ップモジュールの冷却構造であることを前提とし，
（２）ハウジングは，多層配線基板の熱膨張率に整合す
る熱膨張率を持つ材料から成る枠部材と蓋部材とから構
成され，（３）多層配線基板と枠部材とを相互に固着せ
しめる手段と，蓋部材と枠部材を相互に係合せしめる手
段を備え，（４）空冷ヒートシンクが，互いに分離して
配置された複数のフィン群から構成される構造とした。
め，本発明では，（１）ＬＳＩチップ等を含むマイクロ
キャリアと，マイクロキャリアを複数搭載する多層配線
基板と，多層配線基板を覆うハウジングと，ハウジング
上に搭載された空冷ヒートシンクとを備え， ＬＳＩチ
ップの発生熱をハウジングに導くための熱伝導体が，マ
イクロキャリアとハウジングの間に設けられたマルチチ
ップモジュールの冷却構造であることを前提とし，
（２）ハウジングは，多層配線基板の熱膨張率に整合す
る熱膨張率を持つ材料から成る枠部材と蓋部材とから構
成され，（３）多層配線基板と枠部材とを相互に固着せ
しめる手段と，蓋部材と枠部材を相互に係合せしめる手
段を備え，（４）空冷ヒートシンクが，互いに分離して
配置された複数のフィン群から構成される構造とした。
【００１６】また，（５）（１）〜（４）の構造であっ
て，さらに蓋部材と枠部材を相互に係合せしめる手段
を，Ｏリング，Ｃリング等のパッキンを含む機械的締結
手段とした。
て，さらに蓋部材と枠部材を相互に係合せしめる手段
を，Ｏリング，Ｃリング等のパッキンを含む機械的締結
手段とした。
【００１７】また，（６）（１）〜（４）の構造であっ
て，さらに空冷ヒートシンクが格子状配列で配置された
複数のフィン群から構成されることとした。
て，さらに空冷ヒートシンクが格子状配列で配置された
複数のフィン群から構成されることとした。
【００１８】また，（７）（６）の構造であって，さら
に空冷ヒートシンクの格子状配列が３行３列であり，空
冷ヒートシンクが９個のフィン群から構成されることと
した。
に空冷ヒートシンクの格子状配列が３行３列であり，空
冷ヒートシンクが９個のフィン群から構成されることと
した。
【００１９】さらに，（８）空冷ヒートシンクを構成す
るフィン群の中の周辺部分に配置されるフィンが，空冷
ヒートシンクと蓋部材との接合部より突出して構成され
るオーバーハング構造を含むこととした。
るフィン群の中の周辺部分に配置されるフィンが，空冷
ヒートシンクと蓋部材との接合部より突出して構成され
るオーバーハング構造を含むこととした。
【００２０】さらに，（９）前記蓋部材が，機械強度に
優れた材料から成るフランジ部と，熱伝導率と電気絶縁
性に優れた材料から成るキャップ部とから構成され，両
者を相互に固着せしめる手段を備えることとした。
優れた材料から成るフランジ部と，熱伝導率と電気絶縁
性に優れた材料から成るキャップ部とから構成され，両
者を相互に固着せしめる手段を備えることとした。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下本発明の第一の実施例につい
て図１，図２を用いて詳細に説明する。図１は，第一の
実施例のＸ-Ｚ断面図である。図２は，第一の実施例の
Ｙ-Ｚ断面図である。 多層配線基板１上にＬＳＩチップ
３を搭載したマイクロキャリア２が複数搭載されてい
る。ＬＳＩチップ３は半田ボールによってマイクロキャ
リア２を構成する小型基板に電気的に接合されている。
さらにマイクロキャリア２も半田ボール１７によって多
層配線基板１上に電気的に接合されている。さらに多層
配線基板１はピン１５によって，ここでは図示しない大
型配線基板に電気的に接合されている。
て図１，図２を用いて詳細に説明する。図１は，第一の
実施例のＸ-Ｚ断面図である。図２は，第一の実施例の
Ｙ-Ｚ断面図である。 多層配線基板１上にＬＳＩチップ
３を搭載したマイクロキャリア２が複数搭載されてい
る。ＬＳＩチップ３は半田ボールによってマイクロキャ
リア２を構成する小型基板に電気的に接合されている。
さらにマイクロキャリア２も半田ボール１７によって多
層配線基板１上に電気的に接合されている。さらに多層
配線基板１はピン１５によって，ここでは図示しない大
型配線基板に電気的に接合されている。
【００２２】マイクロキャリア２上には，ＬＳＩチップ
３で発生する熱をマルチチップモジュール上面に伝導
し，同時にＬＳＩチップ３やマイクロキャリア２の高さ
や傾きのばらつきを吸収しうる柔軟性のある熱伝導体が
設けられる。ここでは，くし歯状の二つのマルチフィン
を互いに噛み合わせた構造を備える熱伝導体が用いられ
ている。第一のマルチフィン４は各ＬＳＩチップ３上に
個別に接触して搭載されている。第二のマルチフィンは
天板５の内面に構成されている。二つのマルチフィンの
間には，バネ６が設けられ，第一のマルチフィン４を適
当な荷重でＬＳＩチップ３に押し付けている。ここで，
下側のくし歯４の底面寸法がＬＳＩチップ３の寸法より
大きいと好適である。
３で発生する熱をマルチチップモジュール上面に伝導
し，同時にＬＳＩチップ３やマイクロキャリア２の高さ
や傾きのばらつきを吸収しうる柔軟性のある熱伝導体が
設けられる。ここでは，くし歯状の二つのマルチフィン
を互いに噛み合わせた構造を備える熱伝導体が用いられ
ている。第一のマルチフィン４は各ＬＳＩチップ３上に
個別に接触して搭載されている。第二のマルチフィンは
天板５の内面に構成されている。二つのマルチフィンの
間には，バネ６が設けられ，第一のマルチフィン４を適
当な荷重でＬＳＩチップ３に押し付けている。ここで，
下側のくし歯４の底面寸法がＬＳＩチップ３の寸法より
大きいと好適である。
【００２３】マルチチップモジュール全体から見ると，
マルチチップモジュールは，多層配線基板１と，空冷ヒ
ートシンク１３を搭載したハウジング部（５，７，９か
ら構成）と，ＬＳＩチップ３を搭載したマイクロキャリ
ア２と，ＬＳＩチップ３の発生熱をハウジング部に導く
ための熱伝導体である前述のマルチフィン４，５とから
構成される。前記ハウジング部は多層配線基板１あるい
はＬＳＩチップ３の熱膨張率に整合する熱膨張率を持つ
材料から構成され，かつ，ハウジング部は枠部材９と蓋
部材（５，７，から構成）とから構成される。
マルチチップモジュールは，多層配線基板１と，空冷ヒ
ートシンク１３を搭載したハウジング部（５，７，９か
ら構成）と，ＬＳＩチップ３を搭載したマイクロキャリ
ア２と，ＬＳＩチップ３の発生熱をハウジング部に導く
ための熱伝導体である前述のマルチフィン４，５とから
構成される。前記ハウジング部は多層配線基板１あるい
はＬＳＩチップ３の熱膨張率に整合する熱膨張率を持つ
材料から構成され，かつ，ハウジング部は枠部材９と蓋
部材（５，７，から構成）とから構成される。
【００２４】前記蓋部材は，マルチフィンを内面に備え
る天板５と，その周囲に取り付けられるフランジ７とか
ら構成される。ここで，天板５は熱伝導率と電気絶縁性
に優れ，かつ熱膨張率が多層配線基板１と整合する材
料，例えば窒化アルミニウムセラミック等から構成され
る。フランジ７は機械強度に優れ，かつ熱膨張率が多層
配線基板１と整合する材料，例えば鉄−ニッケル合金等
から構成される。天板５とフランジ７は半田あるいは接
着剤等により固着される。
る天板５と，その周囲に取り付けられるフランジ７とか
ら構成される。ここで，天板５は熱伝導率と電気絶縁性
に優れ，かつ熱膨張率が多層配線基板１と整合する材
料，例えば窒化アルミニウムセラミック等から構成され
る。フランジ７は機械強度に優れ，かつ熱膨張率が多層
配線基板１と整合する材料，例えば鉄−ニッケル合金等
から構成される。天板５とフランジ７は半田あるいは接
着剤等により固着される。
【００２５】前記枠部材９は，フランジ７と同様に，機
械強度に優れ，かつ熱膨張率が多層配線基板１と整合す
る材料である鉄−ニッケル合金等から構成される。蓋部
材９と多層配線基板１とは半田あるいは接着剤等により
固着される。
械強度に優れ，かつ熱膨張率が多層配線基板１と整合す
る材料である鉄−ニッケル合金等から構成される。蓋部
材９と多層配線基板１とは半田あるいは接着剤等により
固着される。
【００２６】前記枠部材９とフランジ７は，Ｏリング，
Ｃリング等のパッキン１０を介し，ボルト１１により機
械的に締結されている。以上のような構造とすることに
より，マルチチップモジュールの内部は気密封止される
と同時に，マルチチップモジュールの組み立て作業が容
易になり，また保守時等の開封，再封止作業が単純にな
るため短時間での作業が可能となる。気密封止されるマ
ルチチップモジュール内部の封入流体１６は，窒素，空
気，ヘリウム，ネオンなどの不活性の気体でもよいし，
より伝熱性能を向上させるにはオイルなどの液体でもよ
い。
Ｃリング等のパッキン１０を介し，ボルト１１により機
械的に締結されている。以上のような構造とすることに
より，マルチチップモジュールの内部は気密封止される
と同時に，マルチチップモジュールの組み立て作業が容
易になり，また保守時等の開封，再封止作業が単純にな
るため短時間での作業が可能となる。気密封止されるマ
ルチチップモジュール内部の封入流体１６は，窒素，空
気，ヘリウム，ネオンなどの不活性の気体でもよいし，
より伝熱性能を向上させるにはオイルなどの液体でもよ
い。
【００２７】本実施例では，ＬＳＩチップ３がマイクロ
キャリア２上に搭載されて発熱体を構成する例について
示したが，発熱体はベアチップが直接多層配線基板上に
搭載されていても，また，ベアチップを気密封止したマ
イクロキャリアの構造であっても構わない。
キャリア２上に搭載されて発熱体を構成する例について
示したが，発熱体はベアチップが直接多層配線基板上に
搭載されていても，また，ベアチップを気密封止したマ
イクロキャリアの構造であっても構わない。
【００２８】天板５上には空冷ヒートシンク１３が接着
剤１４で固着して搭載される。１４は接着剤以外にグリ
ス等のサーマルコンパウンドであってもよい。ここで，
空冷ヒートシンク１３は図１に示したＸ方向に３分割，
図２に示したＹ方向に３分割，つまり上方から見ると格
子状に３行３列配列に９分割されている。空冷ヒートシ
ンク１３はアルミニウムまたは銅などのように熱伝導率
が大きく，安価で加工性に優れた材質で構成される。Ｌ
ＳＩチップ３で発生した熱は，第一のマルチフィン４，
第二のマルチフィンが構成された天板５，接着剤１４，
空冷ヒートシンク１３，空気，の経路を経て放熱され
る。
剤１４で固着して搭載される。１４は接着剤以外にグリ
ス等のサーマルコンパウンドであってもよい。ここで，
空冷ヒートシンク１３は図１に示したＸ方向に３分割，
図２に示したＹ方向に３分割，つまり上方から見ると格
子状に３行３列配列に９分割されている。空冷ヒートシ
ンク１３はアルミニウムまたは銅などのように熱伝導率
が大きく，安価で加工性に優れた材質で構成される。Ｌ
ＳＩチップ３で発生した熱は，第一のマルチフィン４，
第二のマルチフィンが構成された天板５，接着剤１４，
空冷ヒートシンク１３，空気，の経路を経て放熱され
る。
【００２９】本実施例では空冷ヒートシンク１３が分割
構造となっておりヒートシンク全体としての熱膨張が小
さくなるので，マルチチップモジュールの発熱量が大き
く空冷ヒートシンク１３の温度が高くなってしまう場
合，または設置環境から供給される空気の温度が高くな
ることにより空冷ヒートシンク１３の温度が高くなって
しまう場合でも，空冷ヒートシンク１３と多層配線基板
１の熱膨張差によって多層配線基板１内に割れや回路配
線の断線などを生じさせることがなく，信頼性に優れた
マルチチップモジュールの冷却構造が実現できる。ま
た，空冷ヒートシンク１３が分割構造で冷却フィンが冷
却空気の流れ方向に分断されているので，フィン間流路
内で発達する温度境界層がフィンの分断ごとに更新さ
れ，結果としてフィンの熱伝達率を向上でき，冷却性能
の高いヒートシンクを実現できる。
構造となっておりヒートシンク全体としての熱膨張が小
さくなるので，マルチチップモジュールの発熱量が大き
く空冷ヒートシンク１３の温度が高くなってしまう場
合，または設置環境から供給される空気の温度が高くな
ることにより空冷ヒートシンク１３の温度が高くなって
しまう場合でも，空冷ヒートシンク１３と多層配線基板
１の熱膨張差によって多層配線基板１内に割れや回路配
線の断線などを生じさせることがなく，信頼性に優れた
マルチチップモジュールの冷却構造が実現できる。ま
た，空冷ヒートシンク１３が分割構造で冷却フィンが冷
却空気の流れ方向に分断されているので，フィン間流路
内で発達する温度境界層がフィンの分断ごとに更新さ
れ，結果としてフィンの熱伝達率を向上でき，冷却性能
の高いヒートシンクを実現できる。
【００３０】本発明の第二の実施例について図３を用い
て説明する。図３は第二の実施例のＸ−Ｚ断面図であ
る。本実施例では，空冷ヒートシンク１８の構造以外は
第一の実施例と全く同じ構造であり，作用，効果も同様
である。本実施例では，Ｘ方向に３分割された空冷ヒー
トシンク１８のうち，周辺部分に配置されるヒートシン
クが，空冷ヒートシンクと天板５との接合部より外側に
突出しているフィン部を備えるオーバーハング構造とな
っている。これにより，フィンの表面積を増加させるこ
とができ，空冷ヒートシンクの冷却性能を向上させるこ
とができる。図中のＸ方向（フィンの枚数が増える方
向）にフィンを増加させるのは，Ｙ方向（フィンの長さ
方向，紙面垂直方向），あるいはＺ方向（フィン高さ方
向）にフィンを延長するより冷却性能向上に効果が大き
い。
て説明する。図３は第二の実施例のＸ−Ｚ断面図であ
る。本実施例では，空冷ヒートシンク１８の構造以外は
第一の実施例と全く同じ構造であり，作用，効果も同様
である。本実施例では，Ｘ方向に３分割された空冷ヒー
トシンク１８のうち，周辺部分に配置されるヒートシン
クが，空冷ヒートシンクと天板５との接合部より外側に
突出しているフィン部を備えるオーバーハング構造とな
っている。これにより，フィンの表面積を増加させるこ
とができ，空冷ヒートシンクの冷却性能を向上させるこ
とができる。図中のＸ方向（フィンの枚数が増える方
向）にフィンを増加させるのは，Ｙ方向（フィンの長さ
方向，紙面垂直方向），あるいはＺ方向（フィン高さ方
向）にフィンを延長するより冷却性能向上に効果が大き
い。
【００３１】本発明の第三の実施例について図４を用い
て説明する。図４は第三の実施例のＸ−Ｚ断面図であ
る。本実施例では，マイクロキャリア２上に搭載された
ＬＳＩチップ３がキャップ２３で覆われている。キャッ
プ２３の内面はＬＳＩチップ３の背面と半田あるいは接
着剤等により固着されている。同時に，キャップ２３は
マイクロキャリア２とも半田あるいは接着剤等により固
着され，ＬＳＩチップ３を気密封止した構造となってい
る。キャップ２３と天板２１との間には，柔軟な熱伝導
体としてグリス等のサーマルコンパウンド１９が適量充
填されている。天板２１はフランジを兼ねた構造となっ
ており，多層配線基板に接合されたフレーム２２と，パ
ッキンであるＣリングを介してボルトにより締結されて
いる。天板２１上にはＸ方向４分割構造の空冷ヒートシ
ンク２４が接着剤等により接合されている。本実施例で
は，柔軟な熱伝導体としてグリス等のサーマルコンパウ
ンド１９を用いているので，非常に簡素かつ安価に冷却
構造を実現できる。また，ＬＳＩチップ３を気密封止し
た構造としており，ＬＳＩチップ３が直接サーマルコン
パウンド１９に接触しないため，サーマルコンパウンド
１９によるＬＳＩチップ３の腐食等，信頼性上の心配が
ない。
て説明する。図４は第三の実施例のＸ−Ｚ断面図であ
る。本実施例では，マイクロキャリア２上に搭載された
ＬＳＩチップ３がキャップ２３で覆われている。キャッ
プ２３の内面はＬＳＩチップ３の背面と半田あるいは接
着剤等により固着されている。同時に，キャップ２３は
マイクロキャリア２とも半田あるいは接着剤等により固
着され，ＬＳＩチップ３を気密封止した構造となってい
る。キャップ２３と天板２１との間には，柔軟な熱伝導
体としてグリス等のサーマルコンパウンド１９が適量充
填されている。天板２１はフランジを兼ねた構造となっ
ており，多層配線基板に接合されたフレーム２２と，パ
ッキンであるＣリングを介してボルトにより締結されて
いる。天板２１上にはＸ方向４分割構造の空冷ヒートシ
ンク２４が接着剤等により接合されている。本実施例で
は，柔軟な熱伝導体としてグリス等のサーマルコンパウ
ンド１９を用いているので，非常に簡素かつ安価に冷却
構造を実現できる。また，ＬＳＩチップ３を気密封止し
た構造としており，ＬＳＩチップ３が直接サーマルコン
パウンド１９に接触しないため，サーマルコンパウンド
１９によるＬＳＩチップ３の腐食等，信頼性上の心配が
ない。
【００３２】本発明の第四の実施例について図５を用い
て説明する。図５は第四の実施例のＹ−Ｚ断面図であ
る。本実施例では，空冷ヒートシンク１３への通風方法
を説明しており，マルチチップモジュールの構造は第一
の実施例と全く同じであり，その作用，効果も同様であ
る。本実施例では，３分割構造の空冷ヒートシンク１３
の中の中央に配置されたヒートシンクの上部に，ノズル
ダクト２５をシール部材２６を挟んで取り付けている。
ノズルダクト２５は先端に行くほど内部断面積が小さく
なる先細ノズル形状である。冷却空気はファンやブロア
等の送風機（図示せず）により加圧されて２７のように
供給され，先細断面形状のノズルダクト内で２８のよう
に加速されて空冷ヒートシンク１３内に流入する。ノズ
ルダクト２５は先細ノズル形状であるので，ノズルダク
ト２５内での通風抵抗が小さい。空冷ヒートシンク１３
内に流入した冷却空気は，２９のように左右に分かれて
噴流状にフィン間流路内を通過し，ヒートシンクを冷却
した後に流出する。本実施例の通風構造では，噴流によ
りフィン間の熱伝達率が向上されるので，空冷ヒートシ
ンク１３の高さを小さくでき，コンパクトなマルチチッ
プモジュールを実現できる。
て説明する。図５は第四の実施例のＹ−Ｚ断面図であ
る。本実施例では，空冷ヒートシンク１３への通風方法
を説明しており，マルチチップモジュールの構造は第一
の実施例と全く同じであり，その作用，効果も同様であ
る。本実施例では，３分割構造の空冷ヒートシンク１３
の中の中央に配置されたヒートシンクの上部に，ノズル
ダクト２５をシール部材２６を挟んで取り付けている。
ノズルダクト２５は先端に行くほど内部断面積が小さく
なる先細ノズル形状である。冷却空気はファンやブロア
等の送風機（図示せず）により加圧されて２７のように
供給され，先細断面形状のノズルダクト内で２８のよう
に加速されて空冷ヒートシンク１３内に流入する。ノズ
ルダクト２５は先細ノズル形状であるので，ノズルダク
ト２５内での通風抵抗が小さい。空冷ヒートシンク１３
内に流入した冷却空気は，２９のように左右に分かれて
噴流状にフィン間流路内を通過し，ヒートシンクを冷却
した後に流出する。本実施例の通風構造では，噴流によ
りフィン間の熱伝達率が向上されるので，空冷ヒートシ
ンク１３の高さを小さくでき，コンパクトなマルチチッ
プモジュールを実現できる。
【００３３】本発明の第五の実施例について図６を用い
て説明する。図６は第五の実施例のＹ−Ｚ断面図であ
る。本実施例では，第四の実施例と同様，空冷ヒートシ
ンク１３への通風方法を説明しており，マルチチップモ
ジュールの内部構造は第一の実施例と全く同じであり，
その作用，効果も同様である。本実施例は，空冷ヒート
シンク３０に冷却空気を３１のように側面から供給する
平行流送風方法の例である。ここで，空冷ヒートシンク
３０はＹ方向に２分割された構造であり，さらに高さ方
向（Ｚ方向）にフィンを延長してある。フィンの高さを
高くして横から送風することにより，フィン間の風速は
低下させることができる。それにより圧力損失を大きく
低減することができ，さらに騒音も低下させられる。フ
ィン間風速の低下による冷却性能の低下は，フィンの高
さを高くしたことによるフィン表面積の増加によりある
程度補えるので，大きな送風動力が確保できない場合に
は有効な空冷構造となる。
て説明する。図６は第五の実施例のＹ−Ｚ断面図であ
る。本実施例では，第四の実施例と同様，空冷ヒートシ
ンク１３への通風方法を説明しており，マルチチップモ
ジュールの内部構造は第一の実施例と全く同じであり，
その作用，効果も同様である。本実施例は，空冷ヒート
シンク３０に冷却空気を３１のように側面から供給する
平行流送風方法の例である。ここで，空冷ヒートシンク
３０はＹ方向に２分割された構造であり，さらに高さ方
向（Ｚ方向）にフィンを延長してある。フィンの高さを
高くして横から送風することにより，フィン間の風速は
低下させることができる。それにより圧力損失を大きく
低減することができ，さらに騒音も低下させられる。フ
ィン間風速の低下による冷却性能の低下は，フィンの高
さを高くしたことによるフィン表面積の増加によりある
程度補えるので，大きな送風動力が確保できない場合に
は有効な空冷構造となる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
第一に，マルチチップモジュールの組み立て作業が容易
になり，また保守時等の開封，再封止作業が単純になる
ため短時間での作業が可能となる。
第一に，マルチチップモジュールの組み立て作業が容易
になり，また保守時等の開封，再封止作業が単純になる
ため短時間での作業が可能となる。
【００３５】第二に，空冷ヒートシンクの温度が高くな
ってしまう場合でも，空冷ヒートシンクと多層配線基板
の熱膨張差によって多層配線基板内に割れや回路配線の
断線などを生じさせることがなく，信頼性に優れたマル
チチップモジュールの冷却構造が実現できる。
ってしまう場合でも，空冷ヒートシンクと多層配線基板
の熱膨張差によって多層配線基板内に割れや回路配線の
断線などを生じさせることがなく，信頼性に優れたマル
チチップモジュールの冷却構造が実現できる。
【００３６】第三に，フィン間流路内で発達する温度境
界層がフィンの分断ごとに更新され，フィンの熱伝達率
を向上でき，冷却性能の高いヒートシンクを実現でき
る。
界層がフィンの分断ごとに更新され，フィンの熱伝達率
を向上でき，冷却性能の高いヒートシンクを実現でき
る。
【００３７】第四に，ヒートシンク上部から空気を供給
して，噴流によりフィン間の熱伝達率が向上されるの
で，空冷ヒートシンクの高さを小さくでき，コンパクト
なマルチチップモジュールを実現できる。
して，噴流によりフィン間の熱伝達率が向上されるの
で，空冷ヒートシンクの高さを小さくでき，コンパクト
なマルチチップモジュールを実現できる。
【００３８】第五に，フィンの高さを高くしてヒートシ
ンク側面から空気を供給することにより，圧力損失を大
きく低減することができ，さらに騒音も低下させられ
る。
ンク側面から空気を供給することにより，圧力損失を大
きく低減することができ，さらに騒音も低下させられ
る。
【００３９】
【図１】図１は第一の実施例のＸ−Ｚ断面図である。
【図２】図２は第一の実施例のＹ−Ｚ断面図である。
【図３】図３は第二の実施例のＸ−Ｚ断面図である。
【図４】図４は第三の実施例のＸ−Ｚ断面図である。
【図５】図５は第四の実施例のＹ−Ｚ断面図である。
【図６】図６は第五の実施例のＹ−Ｚ断面図である。
【図７】図７は従来の冷却装置の例（その１）
【図８】図８は従来の冷却装置の例（その２）
【図９】図９は従来の冷却装置の例（その３）
１，１０１ 多層配線基板 ２ マイクロキャリア ３，１１０ ＬＳＩチップ ４ 第一のマルチフィン ５，２１ 天板 ６ バネ ７ フランジ ８，１２，１１７ 半田 ９，２２，１０５，１１２ フレーム １０ Ｏリング １１ ボルト １３，１８，２４，３０，１０９，１１３ 空冷ヒート
シンク １４ 接着剤 １５，１０３ ピン １６ 封入流体 １７ 半田ボール １９ サーマルコンパウンド ２０ Ｃリング ２３ キャップ ２５ ノズルダクト ２６ シール部材 ２７，２８，２９，３１，３２ 空気流 １０２ 半導体デバイス １０４ キャップ板 １０６ａ 上くし歯 １０６ｂ 下くし歯 １０７ 水冷ヒートシンク １０８ 熱伝導グリス １１１ モジュール基板 １１４ ネジ １１５ ガスケット １１６ 金属板 １１８ 間隙 １１９ 熱伝導の良い気体
シンク １４ 接着剤 １５，１０３ ピン １６ 封入流体 １７ 半田ボール １９ サーマルコンパウンド ２０ Ｃリング ２３ キャップ ２５ ノズルダクト ２６ シール部材 ２７，２８，２９，３１，３２ 空気流 １０２ 半導体デバイス １０４ キャップ板 １０６ａ 上くし歯 １０６ｂ 下くし歯 １０７ 水冷ヒートシンク １０８ 熱伝導グリス １１１ モジュール基板 １１４ ネジ １１５ ガスケット １１６ 金属板 １１８ 間隙 １１９ 熱伝導の良い気体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇田 隆之 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 笠井 憲一 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内
Claims (6)
- 【請求項１】ＬＳＩチップ等を含むマイクロキャリア
と，該マイクロキャリアを複数搭載する多層配線基板
と，前記多層配線基板を覆うハウジングと，前記ハウジ
ング上に搭載された空冷ヒートシンクとを備え，前記
ＬＳＩチップ等の発生熱を前記ハウジングに導くための
熱伝導体を前記マイクロキャリアと前記ハウジングの間
に設けた，マルチチップモジュールの冷却構造におい
て，前記ハウジングは，前記多層配線基板の熱膨張率に
整合する熱膨張率を持つ材料から成る枠部材と，前記多
層配線基板の熱膨張率に整合する熱膨張率を持つ材料か
ら成る蓋部材とから構成され，前記多層配線基板と前記
枠部材とを相互に固着せしめる手段と，前記蓋部材と前
記枠部材を相互に係合せしめる手段を備え，前記空冷ヒ
ートシンクが，互いに分離して配置された複数のフィン
群から構成されることを特徴とするマルチチップモジュ
ールの冷却構造。 - 【請求項２】前記蓋部材と前記枠部材を相互に係合せし
める手段が，Ｏリング，Ｃリング等のパッキンを含む機
械的締結手段であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のマルチチップモジュールの冷却構造。 - 【請求項３】前記空冷ヒートシンクが格子状配列で配置
された複数のフィン群から構成されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のマルチチップモジュールの
冷却構造。 - 【請求項４】前記格子状配列が３行３列であり，９個の
フィン群により前記空冷ヒートシンクを構成することを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載のマルチチップモ
ジュールの冷却構造。 - 【請求項５】前記空冷ヒートシンクを構成するフィン群
の中の周辺部分に配置されるフィンが，フィンと前記蓋
部材との係合部より突出して構成されるオーバーハング
構造を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１から第
４項記載のマルチチップモジュールの冷却構造。 - 【請求項６】前記蓋部材が，機械強度に優れた材料から
成るフランジ部と，熱伝導率と電気絶縁性に優れた材料
から成るキャップ部とから構成され，両者を相互に固着
せしめる手段を備えることを特徴とする特許請求の範囲
第１から第５項記載のマルチチップモジュールの冷却構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33338896A JPH10173114A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | マルチチップモジュールの冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33338896A JPH10173114A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | マルチチップモジュールの冷却構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173114A true JPH10173114A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18265566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33338896A Pending JPH10173114A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | マルチチップモジュールの冷却構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10173114A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7154751B2 (en) | 2003-08-19 | 2006-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interface module-mounted LSI package |
| US7288839B2 (en) * | 2004-02-27 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Apparatus and methods for cooling semiconductor integrated circuit package structures |
| KR101187916B1 (ko) * | 2011-01-24 | 2012-10-05 | 삼성테크윈 주식회사 | 내부에 기판을 구비하는 전자 기기 및 기판 조립체 |
| JP3179086U (ja) * | 2011-07-27 | 2012-10-18 | クールイット システムズ インク | 流体熱交換システム |
| WO2014148026A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 日本電気株式会社 | ヒートシンク構造、半導体装置及びヒートシンク搭載方法 |
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