JPH0298636A - 基板温度測定機構 - Google Patents
基板温度測定機構Info
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- JPH0298636A JPH0298636A JP63252814A JP25281488A JPH0298636A JP H0298636 A JPH0298636 A JP H0298636A JP 63252814 A JP63252814 A JP 63252814A JP 25281488 A JP25281488 A JP 25281488A JP H0298636 A JPH0298636 A JP H0298636A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 21
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 9
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910004337 Ti-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910011209 Ti—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
隔離された領域に配置された基板表面に温度センサーを
必要に応じて簡便に接触させて、該基板の表面温度を測
定する基板温度測定機構に関し、隔離された領域に配置
された基板表面に温度センサーを必要に応じて簡便に接
触させて、該基板の表面温度を容易に、かつ正確に測定
できることを目的とし、 熱的に形状が変化する熱変形部材の一端を所定位置に固
定し、かつその先端に温度センサーを設けると共に、該
温度センサーを表面温度を測定すべき基板表面の近傍に
配置してなり、前記熱変形部材を熱的に変形させて温度
センサーを前記基板の表面に接触させ、基板表面温度を
測定するようにした構成とする。
必要に応じて簡便に接触させて、該基板の表面温度を測
定する基板温度測定機構に関し、隔離された領域に配置
された基板表面に温度センサーを必要に応じて簡便に接
触させて、該基板の表面温度を容易に、かつ正確に測定
できることを目的とし、 熱的に形状が変化する熱変形部材の一端を所定位置に固
定し、かつその先端に温度センサーを設けると共に、該
温度センサーを表面温度を測定すべき基板表面の近傍に
配置してなり、前記熱変形部材を熱的に変形させて温度
センサーを前記基板の表面に接触させ、基板表面温度を
測定するようにした構成とする。
本発明は隔離された領域に配置された基板表面に温度セ
ンサーを必要に応じて簡便に接触させて、該基板の表面
温度を測定する基板温度測定機構に関するものである。
ンサーを必要に応じて簡便に接触させて、該基板の表面
温度を測定する基板温度測定機構に関するものである。
真空蒸着装置やスパッタリング装置などにおいて大気と
隔離したチ中ンバー内に配置された薄膜を形成すべき基
板を所定温度に加熱した場合、その加熱制御指示温度と
加熱された基板の表面温度との間に数十°C以上の温度
差が生じる傾向があり、そのような基板の表面温度を所
定温度に制御するために、該基板表面に温度センサーを
必要に応じて簡便に接触させて、その表面温度を実測し
得る機構が必要とされる。
隔離したチ中ンバー内に配置された薄膜を形成すべき基
板を所定温度に加熱した場合、その加熱制御指示温度と
加熱された基板の表面温度との間に数十°C以上の温度
差が生じる傾向があり、そのような基板の表面温度を所
定温度に制御するために、該基板表面に温度センサーを
必要に応じて簡便に接触させて、その表面温度を実測し
得る機構が必要とされる。
(従来の技術)
従来、第4図に示すように、例えばスパッタリング装置
において大気と隔離したチャンバー11内のターゲラ目
2と対向して配置されている薄膜を形成するために加熱
され、かつ回転機構15により回転する基板13の温度
を測定する方法としては、図示のように該基板13を保
持する基板ホルダー14に内蔵した熱電対等の温度セン
サー16によって検出し、温度制御回路17にて測定し
ている。
において大気と隔離したチャンバー11内のターゲラ目
2と対向して配置されている薄膜を形成するために加熱
され、かつ回転機構15により回転する基板13の温度
を測定する方法としては、図示のように該基板13を保
持する基板ホルダー14に内蔵した熱電対等の温度セン
サー16によって検出し、温度制御回路17にて測定し
ている。
ところが上記したような基板13の温度測定にあっては
、該基板13及び基板基板ホルダー14の形状、或いは
これら両者間に介在する取付は治具(図示省略)等の熱
放散により、前記熱電対等の温度センサー16による加
熱制御指示温度と薄膜を被着させる基板の表面温度の実
測値とでは数十°Cの差があり、基板表面の温度を所定
温度に制御するためには、薄膜形成を妨げることなく基
板の表面温度を実測する手段が必要となる。
、該基板13及び基板基板ホルダー14の形状、或いは
これら両者間に介在する取付は治具(図示省略)等の熱
放散により、前記熱電対等の温度センサー16による加
熱制御指示温度と薄膜を被着させる基板の表面温度の実
測値とでは数十°Cの差があり、基板表面の温度を所定
温度に制御するためには、薄膜形成を妨げることなく基
板の表面温度を実測する手段が必要となる。
従って、前記温度センサー16とは別の温度センサーを
、例えば外部よりチャンバー11内へ気密に導入し、そ
の温度センサーを基板表面に接触させて表面温度を実測
する方法、或いは前記別の温度センサーをフレキシブル
ベローズ等の可動シールを介してチャンバー11内へ導
入し、該温度センサーを機械的手段により基板表面に接
触させてその表面温度を実測する方法が試みられている
。
、例えば外部よりチャンバー11内へ気密に導入し、そ
の温度センサーを基板表面に接触させて表面温度を実測
する方法、或いは前記別の温度センサーをフレキシブル
ベローズ等の可動シールを介してチャンバー11内へ導
入し、該温度センサーを機械的手段により基板表面に接
触させてその表面温度を実測する方法が試みられている
。
しかしながら、前者の方法では基板13上の温度センサ
ー接触表面に薄膜が形成されず、また薄膜を基板13上
に均一に被着させるために、該基板13を回転機構15
により回転させる場合にはこの方法が適用できないとい
った問題があった。更に後者の方法では該基板表面への
温度センサーの接触、或いは離間させる操作が容易でな
く、その上、可動シール部分での気密漏洩が発生し易い
欠点があった。
ー接触表面に薄膜が形成されず、また薄膜を基板13上
に均一に被着させるために、該基板13を回転機構15
により回転させる場合にはこの方法が適用できないとい
った問題があった。更に後者の方法では該基板表面への
温度センサーの接触、或いは離間させる操作が容易でな
く、その上、可動シール部分での気密漏洩が発生し易い
欠点があった。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、隔離された領域
に配置された基板表面に温度センサーを必要に応じて簡
便に接触させて、該基板の表面温度を容易に、かつ正確
に測定し得る新規な基板温度測定機構を提供することを
目的とするものである。
に配置された基板表面に温度センサーを必要に応じて簡
便に接触させて、該基板の表面温度を容易に、かつ正確
に測定し得る新規な基板温度測定機構を提供することを
目的とするものである。
本発明は上記した目的を達成するため、熱的に形状が変
化する熱変形部材の一端を所定位置に固定し、かつその
先端に温度センサーを設けると共に、該温度センサーを
表面温度を測定すべき基板表面の近傍に配置してなり、
前記熱変形部材を熱的に変形させて温度センサーを前記
基板の表面に接触させ、基板表面温度を測定するように
した構成とする。
化する熱変形部材の一端を所定位置に固定し、かつその
先端に温度センサーを設けると共に、該温度センサーを
表面温度を測定すべき基板表面の近傍に配置してなり、
前記熱変形部材を熱的に変形させて温度センサーを前記
基板の表面に接触させ、基板表面温度を測定するように
した構成とする。
本発明の基板温度測定機構では、一端が固定された熱的
に形状の変化する熱変形部材、例えばヒーターによる加
熱手段を付設したバイメタル(熱膨張率の異なる2つの
異種金属を張り合わせたバイメタル)の先端に表面温度
測定用の温度センサーを設けて、その温度センサーを表
面温度を測定すべき基板の表面近傍に配置し、前記加熱
手段によりバイメタルを加熱することにより、該バイメ
タルがその2つの異種金属の熱膨張率差により熱膨張率
の小さい金属側へ湾曲することを利用して、該温度セン
サーを前記基板表面に接触させ、その表面温度を測定す
る。測定後はバイメタルの加熱を止めてその温度を下げ
ることにより前記温度センサーは基板表面より離間され
て非接触状態となる。即ち、前記加熱手段に対してヒー
ター電流を0N10FFすることにより、基板表面の近
傍に配置した温度センサーを該基板表面に接触、または
非接触とすることが可能となる。この結果、必要に応じ
て基板の表面温度を簡便に測定することができる。
に形状の変化する熱変形部材、例えばヒーターによる加
熱手段を付設したバイメタル(熱膨張率の異なる2つの
異種金属を張り合わせたバイメタル)の先端に表面温度
測定用の温度センサーを設けて、その温度センサーを表
面温度を測定すべき基板の表面近傍に配置し、前記加熱
手段によりバイメタルを加熱することにより、該バイメ
タルがその2つの異種金属の熱膨張率差により熱膨張率
の小さい金属側へ湾曲することを利用して、該温度セン
サーを前記基板表面に接触させ、その表面温度を測定す
る。測定後はバイメタルの加熱を止めてその温度を下げ
ることにより前記温度センサーは基板表面より離間され
て非接触状態となる。即ち、前記加熱手段に対してヒー
ター電流を0N10FFすることにより、基板表面の近
傍に配置した温度センサーを該基板表面に接触、または
非接触とすることが可能となる。この結果、必要に応じ
て基板の表面温度を簡便に測定することができる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明に係る基板温度測定機構の一実施例をス
パッタリング装置に適用した場合の例で概念的に示す側
断面図であり、第4図と同等部分には同一符号を付して
いる。
パッタリング装置に適用した場合の例で概念的に示す側
断面図であり、第4図と同等部分には同一符号を付して
いる。
図において、21は一端がスパッタリング装置のチャン
バー11内の所定箇所に固定された熱的に形状の変化す
る熱変形部材、例えば熱膨張率の異なる2つの異種金属
を張り合わせたバイメタルであり、該バイメタル21に
はヒーター22からなる加熱手段が付設され、かつその
先端には表面温度センサー23が取付けられている。
バー11内の所定箇所に固定された熱的に形状の変化す
る熱変形部材、例えば熱膨張率の異なる2つの異種金属
を張り合わせたバイメタルであり、該バイメタル21に
はヒーター22からなる加熱手段が付設され、かつその
先端には表面温度センサー23が取付けられている。
そしてこのようなバイメタル21の先端の表面温度セン
サー23は、ターゲット12と対向配置されている基板
ホルダー14に保持された基板13の表面近傍に図示の
ように配置する。
サー23は、ターゲット12と対向配置されている基板
ホルダー14に保持された基板13の表面近傍に図示の
ように配置する。
次に、スパッタリング法により前記基板13表面に薄膜
を形成するに際しては、該基板13は基板ホルダー14
に内蔵された図示しない加熱手段により加熱され、かつ
回転機構15により回転されているが、その基板13の
表面温度を測定するには、該基板28の回転を一時停止
した状態で前記バイメタル21に付設したヒーター22
に加熱制御回路25より所定電流を通電して該バイメタ
ル21を所定温度に加熱することにより、該バイメタル
21は鎖線で示すようにその2つの異種金属の熱膨張率
差により熱膨張率の小さい金属側へ湾曲して、その先端
の表面温度センサー23が近傍の基板13表面に筒便に
接触させることができる。
を形成するに際しては、該基板13は基板ホルダー14
に内蔵された図示しない加熱手段により加熱され、かつ
回転機構15により回転されているが、その基板13の
表面温度を測定するには、該基板28の回転を一時停止
した状態で前記バイメタル21に付設したヒーター22
に加熱制御回路25より所定電流を通電して該バイメタ
ル21を所定温度に加熱することにより、該バイメタル
21は鎖線で示すようにその2つの異種金属の熱膨張率
差により熱膨張率の小さい金属側へ湾曲して、その先端
の表面温度センサー23が近傍の基板13表面に筒便に
接触させることができる。
従って、該表面温度センサー23により基板13の表面
温度を直接検出することが容易となり、その温度センサ
ー23よりバイメタル21に沿って導出する出力リード
(図示省略)が接続された測定回路24により正確な表
面温度を測定することが可能となる。
温度を直接検出することが容易となり、その温度センサ
ー23よりバイメタル21に沿って導出する出力リード
(図示省略)が接続された測定回路24により正確な表
面温度を測定することが可能となる。
なお、その測定後は前記ヒーター22への通電を停止し
て前記バイメタル21の温度を下げることにより、該バ
イメタル21の湾曲形状が元の実線で示す形状に戻り、
前記基板13の表面より表面温度センサー23が自動的
に離間されるので、該基板13を再び回転させてその基
板表面にスパッタリング法により薄膜を形成することが
できる。
て前記バイメタル21の温度を下げることにより、該バ
イメタル21の湾曲形状が元の実線で示す形状に戻り、
前記基板13の表面より表面温度センサー23が自動的
に離間されるので、該基板13を再び回転させてその基
板表面にスパッタリング法により薄膜を形成することが
できる。
第2図は本発明に係る基板温度測定機構の他の実施例を
スパッタリング装置に通用した場合の例で概念的に示す
側断面図であり、第1図と同等部分には同一符号を付し
ている。
スパッタリング装置に通用した場合の例で概念的に示す
側断面図であり、第1図と同等部分には同一符号を付し
ている。
この図の実施例が第1図の例と異なる点は、−端がスパ
ッタリング装置のチャンバー11内の所定箇所に固定さ
れた熱的に形状の変化する熱変形部材として、例えばヒ
ーターなどの加熱手段を内蔵したTi−Niなどからな
る形状記憶合金部材31を用いたことである。即ち、か
かる形状記憶合金部材31は、例えば予め記憶させた形
状の材料を、塑性変形させた状態でその変態温度以上に
加熱すると、予め記憶させた元の形状に戻る機能材であ
り、本実施例では図示のように予め実線で示すように変
形した形状を記憶させた形状記憶合金部材31の一端を
スパッタリング装置のチャンバー11内の所定箇所に固
定し、その先端に表面温度センサー23を取付ける。
ッタリング装置のチャンバー11内の所定箇所に固定さ
れた熱的に形状の変化する熱変形部材として、例えばヒ
ーターなどの加熱手段を内蔵したTi−Niなどからな
る形状記憶合金部材31を用いたことである。即ち、か
かる形状記憶合金部材31は、例えば予め記憶させた形
状の材料を、塑性変形させた状態でその変態温度以上に
加熱すると、予め記憶させた元の形状に戻る機能材であ
り、本実施例では図示のように予め実線で示すように変
形した形状を記憶させた形状記憶合金部材31の一端を
スパッタリング装置のチャンバー11内の所定箇所に固
定し、その先端に表面温度センサー23を取付ける。
そしてこのような形状記憶合金部材31を鎖線で示す形
状に引き伸ばしてその先端の表面温度センサー23を、
ターゲット12と対向配置している基板ホルダー14に
保持された基板13の表面に接触させておく。
状に引き伸ばしてその先端の表面温度センサー23を、
ターゲット12と対向配置している基板ホルダー14に
保持された基板13の表面に接触させておく。
次にこの状態でチャンバー11内を真空排気系等により
所定真空度にし、前記基板13を基板ホルダー14に内
蔵した図示しない加熱手段により加熱すると共に、その
表面温度を表面温度センサー23と測定回路24により
測定する。そして該基板13表面が所定温度となり、ス
パッタリング法により基板13表面に薄膜を形成する際
に、前記形状記憶合金部材31に内蔵した図示しないヒ
ーターからなる加熱手段に加熱制御回路25より所定電
流を通電して該形状記憶合金部材31を、その変態温度
以上に加熱することにより、形状記憶合金部材31の変
形形状が予め記憶させた元の実線で示す形状に戻り、前
記基板13表面より表面温度センサー23が簡単に離間
される。
所定真空度にし、前記基板13を基板ホルダー14に内
蔵した図示しない加熱手段により加熱すると共に、その
表面温度を表面温度センサー23と測定回路24により
測定する。そして該基板13表面が所定温度となり、ス
パッタリング法により基板13表面に薄膜を形成する際
に、前記形状記憶合金部材31に内蔵した図示しないヒ
ーターからなる加熱手段に加熱制御回路25より所定電
流を通電して該形状記憶合金部材31を、その変態温度
以上に加熱することにより、形状記憶合金部材31の変
形形状が予め記憶させた元の実線で示す形状に戻り、前
記基板13表面より表面温度センサー23が簡単に離間
される。
このような実施例の測定機構によっても加熱した基板温
度を直接検出することが容易となり、正確な表面温度を
測定することが可能となる。また基板表面より接触させ
た表面温度センサー23を簡便に取り去ることができる
等、第1図の実施例と同様の目的が達成できる。
度を直接検出することが容易となり、正確な表面温度を
測定することが可能となる。また基板表面より接触させ
た表面温度センサー23を簡便に取り去ることができる
等、第1図の実施例と同様の目的が達成できる。
なお、以上の本実施例では熱的に形状の変化する熱変形
部材として、熱膨張率の異なる2つの異種金属を張り合
わせたバイメタル、或いは予め記憶させた形状の材料を
、塑性変形させた状態でその変態温度以上に加熱すると
、予め記憶させた元の形状に戻る形状記憶合金部材31
を用いた場合の例について説明したが、本発明はそのよ
うな熱変形部材に限定されるものではなく、例えば内蔵
するヒーターからなる加熱手段により変態温度以上に加
熱すると、屈折した形状が予め記憶させた直線形状にな
るA形状記憶合金部材と、同じく内蔵した加熱手段によ
り変態温度以上に加熱すると、直線形状が予め記憶させ
た屈折形状になるB形状記憶合金部材とを組合わせた構
成の熱変形部材を適用してもよい。
部材として、熱膨張率の異なる2つの異種金属を張り合
わせたバイメタル、或いは予め記憶させた形状の材料を
、塑性変形させた状態でその変態温度以上に加熱すると
、予め記憶させた元の形状に戻る形状記憶合金部材31
を用いた場合の例について説明したが、本発明はそのよ
うな熱変形部材に限定されるものではなく、例えば内蔵
するヒーターからなる加熱手段により変態温度以上に加
熱すると、屈折した形状が予め記憶させた直線形状にな
るA形状記憶合金部材と、同じく内蔵した加熱手段によ
り変態温度以上に加熱すると、直線形状が予め記憶させ
た屈折形状になるB形状記憶合金部材とを組合わせた構
成の熱変形部材を適用してもよい。
即ち、を記A形状記憶合金部材とB形状記憶合金部材と
を組合わせた構成の熱変形部材を適用した場合は、第3
図の側断面図によって示されるように、前記A形状記憶
合金部材41に内蔵した図示しないヒーターからなる加
熱手段に加熱制御回路25より所定電流を通電して変態
温度以上に加熱することにより、該A形状記憶合金部材
41はB形状記憶合金部材42を引き連れて予め記憶さ
せた実線で示される形状になってその先端に設けた表面
温度センサー23を基板13表面に接触させることがで
き、第2図による実施例と同様にその基板表面の温度を
容易に測定することができる。
を組合わせた構成の熱変形部材を適用した場合は、第3
図の側断面図によって示されるように、前記A形状記憶
合金部材41に内蔵した図示しないヒーターからなる加
熱手段に加熱制御回路25より所定電流を通電して変態
温度以上に加熱することにより、該A形状記憶合金部材
41はB形状記憶合金部材42を引き連れて予め記憶さ
せた実線で示される形状になってその先端に設けた表面
温度センサー23を基板13表面に接触させることがで
き、第2図による実施例と同様にその基板表面の温度を
容易に測定することができる。
また表面温度の測定後は、B形状記憶合金部材42に内
蔵した図示しないヒーターからなる加熱手段に加熱制御
回825より所定電流を通電して変態温度以上に加熱す
ることにより、咳B形状記憶合金部材42はA形状記憶
合金部材41を引き連れて予め記憶させた鎖線で示され
る形状にとなって基板13表面より表面温度センサー2
3を引き離すことができ、このような実施例の測定機構
によっても前記第1図及び第2図による実施例と同様の
目的を達成することができる。
蔵した図示しないヒーターからなる加熱手段に加熱制御
回825より所定電流を通電して変態温度以上に加熱す
ることにより、咳B形状記憶合金部材42はA形状記憶
合金部材41を引き連れて予め記憶させた鎖線で示され
る形状にとなって基板13表面より表面温度センサー2
3を引き離すことができ、このような実施例の測定機構
によっても前記第1図及び第2図による実施例と同様の
目的を達成することができる。
更に、前記A形状記憶合金部材41とB形状記憶合金部
材42とを組合わせた構成の熱変形部材の代わりに、例
えば変態温度以上の高温で高温側の記憶形状に、また変
態温度以下の低温で低温側の記憶形状に変化する2方向
性形状記憶合金部材を用いることもでき、この場合には
該2方向性形状記憶合金部材に加熱冷却手段を付設した
構成とすることにより第3図の実施例と同様な目的を達
成することができる。
材42とを組合わせた構成の熱変形部材の代わりに、例
えば変態温度以上の高温で高温側の記憶形状に、また変
態温度以下の低温で低温側の記憶形状に変化する2方向
性形状記憶合金部材を用いることもでき、この場合には
該2方向性形状記憶合金部材に加熱冷却手段を付設した
構成とすることにより第3図の実施例と同様な目的を達
成することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る基板温度
測定機構によれば、スパッタリング装置などにおける大
気と隔離したチャンバー内に配置された基板の表面に、
隔離環境をt員なうことなく表面温度センサーを必要に
応じて簡便に接触させることができ、その基板表面温度
を容易にかつ正確に測定することが可能となる等、実用
上優れた効果が発揮され、スパッタリング装置や真空蒸
着装置等の各種成膜装置、或いは真空装置の大気と隔離
したチャンバー内の基板表面の温度測定に適用して極め
て有利である。
測定機構によれば、スパッタリング装置などにおける大
気と隔離したチャンバー内に配置された基板の表面に、
隔離環境をt員なうことなく表面温度センサーを必要に
応じて簡便に接触させることができ、その基板表面温度
を容易にかつ正確に測定することが可能となる等、実用
上優れた効果が発揮され、スパッタリング装置や真空蒸
着装置等の各種成膜装置、或いは真空装置の大気と隔離
したチャンバー内の基板表面の温度測定に適用して極め
て有利である。
第1図は本発明に係る基板温度測定機構の一実施例をス
パッタリング装置に適用した 場合の例を概念的に示す側断面図、 第2図は本発明に係る基板温度測定機構の他の実施例を
スパッタリング装置に適用し た場合の例を概念的に示す側断面図、 第3図は本発明に係る基板温度測定機構の他の実施例の
変形例をスパッタリング装置 に適用した場合の例を概念的に示す側 断面図、 第4図は従来の基板温度の測定方法をスパッタリング装
置のチャンバー内の基板の温 度測定を例にして説明するための概略 側断面図である。 第1図〜第3図において、 11はチャンバー、12はターゲット、13は基板、1
4は基板ホルダー、15は回転機構、21はバイメタル
、22はヒーター、23は表面温度センサー、24は温
度測定回路、25は加熱制御回路、31は形状記憶合金
部材、41はA形状記憶合金部材、42はB形状記憶合
金部材をそれぞれ示す。
パッタリング装置に適用した 場合の例を概念的に示す側断面図、 第2図は本発明に係る基板温度測定機構の他の実施例を
スパッタリング装置に適用し た場合の例を概念的に示す側断面図、 第3図は本発明に係る基板温度測定機構の他の実施例の
変形例をスパッタリング装置 に適用した場合の例を概念的に示す側 断面図、 第4図は従来の基板温度の測定方法をスパッタリング装
置のチャンバー内の基板の温 度測定を例にして説明するための概略 側断面図である。 第1図〜第3図において、 11はチャンバー、12はターゲット、13は基板、1
4は基板ホルダー、15は回転機構、21はバイメタル
、22はヒーター、23は表面温度センサー、24は温
度測定回路、25は加熱制御回路、31は形状記憶合金
部材、41はA形状記憶合金部材、42はB形状記憶合
金部材をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 熱的に形状が変化する熱変形部材(21)の一端を所定
位置に固定し、かつその先端に温度センサー(23)を
設けると共に、該温度センサー(23)を表面温度を測
定すべき基板(13)表面の近傍に配置してなり、前記
熱変形部材(21)を熱的に変形させて温度センサー(
23)を前記基板(13)の表面に接触させ、基板表面
温度を測定するようにしたことを特徴とする基板温度測
定機構。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63252814A JPH0298636A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 基板温度測定機構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63252814A JPH0298636A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 基板温度測定機構 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0298636A true JPH0298636A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17242579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63252814A Pending JPH0298636A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 基板温度測定機構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0298636A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100387449B1 (ko) * | 1999-09-03 | 2003-06-18 | 하야시 덴코 가부시키가이샤 | 온도분포 계측용 웨이퍼 센서 |
JP2008096349A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Tlv Co Ltd | 温度センサ |
-
1988
- 1988-10-05 JP JP63252814A patent/JPH0298636A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100387449B1 (ko) * | 1999-09-03 | 2003-06-18 | 하야시 덴코 가부시키가이샤 | 온도분포 계측용 웨이퍼 센서 |
JP2008096349A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Tlv Co Ltd | 温度センサ |
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