JPH0298175A - 超高周波ダイオード - Google Patents
超高周波ダイオードInfo
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- JPH0298175A JPH0298175A JP25129388A JP25129388A JPH0298175A JP H0298175 A JPH0298175 A JP H0298175A JP 25129388 A JP25129388 A JP 25129388A JP 25129388 A JP25129388 A JP 25129388A JP H0298175 A JPH0298175 A JP H0298175A
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- Japan
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- junction
- layer
- high frequency
- semiconductor substrate
- frequency
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超高周波ダイオードに関し、特に準ミリ波やミ
リ波のように非常に高い周波数領域における特性改善に
関する。
リ波のように非常に高い周波数領域における特性改善に
関する。
近年、マイクロ波帯、準ミリ波帯、ミリ波帯の無線通信
装置の大容量化の要求が強い。このためには送信波の周
波数を高くする必要があり、大容量化のため準ミリ波、
ミリ波帯の非常に高い周波数が使われている。
装置の大容量化の要求が強い。このためには送信波の周
波数を高くする必要があり、大容量化のため準ミリ波、
ミリ波帯の非常に高い周波数が使われている。
高い周波数で使用されている例えば周波数てぃ借用可変
容量ダイオードはプレーナ型であるため表皮効果のため
動作層に直列の抵抗が大きくなり、てい倍の変換効率を
減少させてしまう。表皮効果とは非常に高い周波数では
表面に近い層にのみ電流が流れる現象で準ミリ波帯やミ
リ波帯のような超高周波領域で顕著になってくる。
容量ダイオードはプレーナ型であるため表皮効果のため
動作層に直列の抵抗が大きくなり、てい倍の変換効率を
減少させてしまう。表皮効果とは非常に高い周波数では
表面に近い層にのみ電流が流れる現象で準ミリ波帯やミ
リ波帯のような超高周波領域で顕著になってくる。
また、表皮効果のため表面の薄い層しか電流が流れない
領域が高抵抗の半導体結晶であると例えばてい借用の可
変容量ダイオードではこの表皮効果のため著しく性能を
劣化させてしまう。
領域が高抵抗の半導体結晶であると例えばてい借用の可
変容量ダイオードではこの表皮効果のため著しく性能を
劣化させてしまう。
第３図は従来のブレーナ型の高周波てい借用可変容量ダ
イオードの縦断面図である。ここで１は導体に近い抵抗
率の非常に小さいｎ＋型基板であり、２は比較的抵抗率
の大きいｎ型エピタキシャル層、３は導体に近い抵抗率
の非常に小さいｐ＋拡散層、４はｐｎ接合である。この
ｐｎ接合４の近傍が動作層であるので、超高周波領域で
は表皮効果のため高周波電流は矢印８のように、ｎ型エ
ピタキシャル層２０表面近傍を流れる。従って従来の周
波数てい借用可変容量ダイオードでは高周波電流の通路
が長くなり、超高周波での抵抗が大きくなり、変換効率
を著しく損ってしまう欠点を有している。
イオードの縦断面図である。ここで１は導体に近い抵抗
率の非常に小さいｎ＋型基板であり、２は比較的抵抗率
の大きいｎ型エピタキシャル層、３は導体に近い抵抗率
の非常に小さいｐ＋拡散層、４はｐｎ接合である。この
ｐｎ接合４の近傍が動作層であるので、超高周波領域で
は表皮効果のため高周波電流は矢印８のように、ｎ型エ
ピタキシャル層２０表面近傍を流れる。従って従来の周
波数てい借用可変容量ダイオードでは高周波電流の通路
が長くなり、超高周波での抵抗が大きくなり、変換効率
を著しく損ってしまう欠点を有している。
本発明の目的は高周波電流の通路を短くして、表皮効果
による超高周波領域での高周波抵抗を減少させ、変換効
率等の高周波特性を向上させた超高周波ダイオードを得
ることにある。
による超高周波領域での高周波抵抗を減少させ、変換効
率等の高周波特性を向上させた超高周波ダイオードを得
ることにある。
本発明によれば高濃度半導体基板上の低濃度半導体層に
形成したｐｎ接合やショットキー接合の回りに、低濃度
半導体層の表面より高濃度半導体基板に到達する溝を有
した超高周波ダイオードを得る。
形成したｐｎ接合やショットキー接合の回りに、低濃度
半導体層の表面より高濃度半導体基板に到達する溝を有
した超高周波ダイオードを得る。
従って、本発明による超高周波ダイオードでは、高周波
電流は接合近傍の動作層より溝の表面を通って導体に近
い抵抗率の非常に小さい半導体基板に流れ込む。このた
め高周波電流の通路が従来の超高周波ダイオードに比べ
極端に小さくなるという利点を有している。
電流は接合近傍の動作層より溝の表面を通って導体に近
い抵抗率の非常に小さい半導体基板に流れ込む。このた
め高周波電流の通路が従来の超高周波ダイオードに比べ
極端に小さくなるという利点を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す超高周波ダイオードの
一つであるてい借用可変容量ダイオードの縦断面である
。１は導体に近い低抵抗率のｎ＋＋半導体基板、２はｎ
型エピタキシャル層、３は導体に近い低抵抗率のｐ＋型
型数散層４はｐｎ接合、５は例えば酸化膜のような絶縁
性の被膜、６および７はｐ側およびｎ側の金属電極、８
は高周波電流の流れを示す矢印である。９はｐｎ接合４
の回りにエピタキシャル層２０表面より半導体基板１に
到達するように形成された溝である。ｐｎ接合４の回り
の溝９は、ｎ型エピタキシャル層２にｐ＋＋散層３を形
成した後に、写真蝕刻法により容易に形成できる。
一つであるてい借用可変容量ダイオードの縦断面である
。１は導体に近い低抵抗率のｎ＋＋半導体基板、２はｎ
型エピタキシャル層、３は導体に近い低抵抗率のｐ＋型
型数散層４はｐｎ接合、５は例えば酸化膜のような絶縁
性の被膜、６および７はｐ側およびｎ側の金属電極、８
は高周波電流の流れを示す矢印である。９はｐｎ接合４
の回りにエピタキシャル層２０表面より半導体基板１に
到達するように形成された溝である。ｐｎ接合４の回り
の溝９は、ｎ型エピタキシャル層２にｐ＋＋散層３を形
成した後に、写真蝕刻法により容易に形成できる。
第１図よりわかるように、高周波電流は矢印８で示され
るように、表皮効果によりｐｎ接合４より溝９の面に沿
って半導体基板１まで流れるため、高周波電流の通路の
長さは、はぼエピタキシャル層２の厚さに等しくなるた
め、従来のてい借用可変容量ダイオードに比べ極端に短
かくすることができる。従って、高周波における動作層
に直列の抵抗を著しく減少させることができる。
るように、表皮効果によりｐｎ接合４より溝９の面に沿
って半導体基板１まで流れるため、高周波電流の通路の
長さは、はぼエピタキシャル層２の厚さに等しくなるた
め、従来のてい借用可変容量ダイオードに比べ極端に短
かくすることができる。従って、高周波における動作層
に直列の抵抗を著しく減少させることができる。
第２図は本発明の他の実施例である超高周波ダイオード
の一つであるショットキーダイオードの縦断面図である
。可変容量ダイオードにおけるようなｐ＋＋散層がなく
、オーミック性の金属電極のかわりにショットキー接合
金属電極１０がｎ型エピタキシャル層２の表面に被着さ
れ、ショットキー接合１１を形成している。ショットキ
ー接合１１の回りには半導体基板１に到達する溝９が形
成されている。
の一つであるショットキーダイオードの縦断面図である
。可変容量ダイオードにおけるようなｐ＋＋散層がなく
、オーミック性の金属電極のかわりにショットキー接合
金属電極１０がｎ型エピタキシャル層２の表面に被着さ
れ、ショットキー接合１１を形成している。ショットキ
ー接合１１の回りには半導体基板１に到達する溝９が形
成されている。
ショットキーダイオードは送信用のアップコンバータや
受信用のミキサダイオードとして使用されるが、溝９を
形成するこ２により、可変容量ダイオードと同様に高周
波抵抗を減少することができ、送信出力や雑音を改善す
ることができる。
受信用のミキサダイオードとして使用されるが、溝９を
形成するこ２により、可変容量ダイオードと同様に高周
波抵抗を減少することができ、送信出力や雑音を改善す
ることができる。
以上説明したように本発明はｐｎ接合やショットキー接
合等の整流接合の回りに、ｎ型エピタキシャル層の表面
から高濃度の半導体基板に到達する溝を形成することに
より、表皮効果による高周波抵抗を極端に小さくするこ
とができる効果がある。
合等の整流接合の回りに、ｎ型エピタキシャル層の表面
から高濃度の半導体基板に到達する溝を形成することに
より、表皮効果による高周波抵抗を極端に小さくするこ
とができる効果がある。
高周波抵抗を小さくすることにより例えばてい借用の可
変容量ダイオードの場合てい倍の変換効率を著しく大き
く向上させることができる。
変容量ダイオードの場合てい倍の変換効率を著しく大き
く向上させることができる。
てい倍の変換効率を大きくすることができれば、可変容
量ダイオードからの高周波出力を大きくすることができ
、このてい借用可変容量ダイオードを使用する通信装置
の送信出力を大きくすることができ大きな利点となる。
量ダイオードからの高周波出力を大きくすることができ
、このてい借用可変容量ダイオードを使用する通信装置
の送信出力を大きくすることができ大きな利点となる。
第１図は本発明の一実施例による超高周波ダイオードを
示す縦断面図である。第２図は本発明の他の実施例によ
るショットキーダイオードを示す縦断面である。第３図
は従来のてい借用可変容量ダイオードの縦断面図である
。 １・・・・・・ｎ＋型基板、２・・・・・・ｎ型エピタ
キシャル層、３・・・・・・ｐ＋拡散層、４・・・・・
・ｐｎ接合、５・・・・・・絶縁性被膜、６，７・・・
・・・金属電極、８・・・・・・高周波電流の流れを示
す矢印、９・・・・・・溝、１０・・・・・・ショット
キー金属電極、１１・・・・・・ショットキー接合。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１０ 謂３図
示す縦断面図である。第２図は本発明の他の実施例によ
るショットキーダイオードを示す縦断面である。第３図
は従来のてい借用可変容量ダイオードの縦断面図である
。 １・・・・・・ｎ＋型基板、２・・・・・・ｎ型エピタ
キシャル層、３・・・・・・ｐ＋拡散層、４・・・・・
・ｐｎ接合、５・・・・・・絶縁性被膜、６，７・・・
・・・金属電極、８・・・・・・高周波電流の流れを示
す矢印、９・・・・・・溝、１０・・・・・・ショット
キー金属電極、１１・・・・・・ショットキー接合。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１０ 謂３図
Claims (1)
- 高濃度半導体基板上の低濃度半導体層に形成したｐｎ接
合またはショットキー接合の回りに該低濃度半導体層の
表面より前記高濃度半導体基板に到達する溝を有するこ
とを特徴とする超高周波ダイオード
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25129388A JPH0298175A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 超高周波ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25129388A JPH0298175A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 超高周波ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298175A true JPH0298175A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17220653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25129388A Pending JPH0298175A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 超高周波ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298175A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000005767A1 (en) * | 1998-07-23 | 2000-02-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for fabricating the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922087A (ja) * | 1972-06-16 | 1974-02-27 | ||
| JPS5533075A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-08 | Nec Corp | Mesa semiconductor device |
| JPS6328075A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シヨツトキ接合形バリキヤツプダイオ−ド |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP25129388A patent/JPH0298175A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922087A (ja) * | 1972-06-16 | 1974-02-27 | ||
| JPS5533075A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-08 | Nec Corp | Mesa semiconductor device |
| JPS6328075A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シヨツトキ接合形バリキヤツプダイオ−ド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000005767A1 (en) * | 1998-07-23 | 2000-02-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| US6307246B1 (en) | 1998-07-23 | 2001-10-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor resurf devices formed by oblique trench implantation |
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