JPH0298092A - 白色薄膜エレクトロルミネッセント素子 - Google Patents
白色薄膜エレクトロルミネッセント素子Info
- Publication number
- JPH0298092A JPH0298092A JP63249100A JP24910088A JPH0298092A JP H0298092 A JPH0298092 A JP H0298092A JP 63249100 A JP63249100 A JP 63249100A JP 24910088 A JP24910088 A JP 24910088A JP H0298092 A JPH0298092 A JP H0298092A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- white light
- luminescent
- electroluminescent device
- film electroluminescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N strontium;sulfide Chemical compound [S-2].[Sr+2] ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
- -1 Si3N4 Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は白色に発光する薄膜エレクトロルミネッセント
素子（以下薄膜ＥＬ素子という）、すなわち、薄膜ＥＬ
パネルデイスプレィに関する。
素子（以下薄膜ＥＬ素子という）、すなわち、薄膜ＥＬ
パネルデイスプレィに関する。
［従来の技術］
最近、カラー薄膜ＥＬの分野において、アルカリ土類硫
化物を母体材料とした薄膜ＥＬ素子の研究が盛んに行わ
れている。その中でも特に、白色発光を示すＳｒＳ：Ｃ
ｅ、Ｅｕｉ膜ＥＬ素子（セリウムおよびユウロピウムを
発光中心とし、硫化ストロチンラムを発光母体とする薄
膜エレクトロルミネッセント素子）は、従来に比べて高
輝度で色調も良く、ティスプレィとして有用である白黒
表示の材料として、また、カラーフィルターの使用によ
り、フルカラー化が容易に行われるなどの点で注目され
ている。
化物を母体材料とした薄膜ＥＬ素子の研究が盛んに行わ
れている。その中でも特に、白色発光を示すＳｒＳ：Ｃ
ｅ、Ｅｕｉ膜ＥＬ素子（セリウムおよびユウロピウムを
発光中心とし、硫化ストロチンラムを発光母体とする薄
膜エレクトロルミネッセント素子）は、従来に比べて高
輝度で色調も良く、ティスプレィとして有用である白黒
表示の材料として、また、カラーフィルターの使用によ
り、フルカラー化が容易に行われるなどの点で注目され
ている。
ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｅｕ薄膜ＥＬが白色発光を示す理由は、
母体材料であるＳｒＳに添加した場合、青緑発光を示す
Ｃｅと赤色発光を示すＥｕの２種類の発光中心を添加す
ることで、それぞれの発光色が加色され白色発光を示す
というものである。また、２種類の発光中心を添加させ
ているにも関わらず発光輝度が従来よりも高い理由とし
ては、Ｃｅ３＋イオンからＥｕ２＋イオンへのエネルキ
ー伝達が原因と考えられている。
母体材料であるＳｒＳに添加した場合、青緑発光を示す
Ｃｅと赤色発光を示すＥｕの２種類の発光中心を添加す
ることで、それぞれの発光色が加色され白色発光を示す
というものである。また、２種類の発光中心を添加させ
ているにも関わらず発光輝度が従来よりも高い理由とし
ては、Ｃｅ３＋イオンからＥｕ２＋イオンへのエネルキ
ー伝達が原因と考えられている。
一方、添加される発光中心としては従来、ハロゲン化物
、特に塩化物 （ＣｅＣ１３とＥｕＣ１３）が用いられ
ているが、この場合、膜中に塩素（Ｃ１）が含まれる。
、特に塩化物 （ＣｅＣ１３とＥｕＣ１３）が用いられ
ているが、この場合、膜中に塩素（Ｃ１）が含まれる。
効率よくエネルギー伝達を行うためには、このような塩
素の存在が問題となる。またＣｅ３＋イオンおよびＥｕ
２＋イオンいずれの材料も結晶用の影響により発光色が
変化するとうことを考慮すると、塩素の存在により、発
光色の色調が損われることが考えられる。
素の存在が問題となる。またＣｅ３＋イオンおよびＥｕ
２＋イオンいずれの材料も結晶用の影響により発光色が
変化するとうことを考慮すると、塩素の存在により、発
光色の色調が損われることが考えられる。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、従来技術の上記問題点を解決し、色調の良い
白色を示し、かつ、高輝度を示す薄膜ＥＬ索子を提供し
ようとするものである。
白色を示し、かつ、高輝度を示す薄膜ＥＬ索子を提供し
ようとするものである。
［課題を解決するための手段］
上述のような改善をするために本発明では、発光中心で
あるＣｅ及びＥｕの硫化物を用いることで、従来よりも
特性の優れた薄膜ＥＬ素子が得られた。
あるＣｅ及びＥｕの硫化物を用いることで、従来よりも
特性の優れた薄膜ＥＬ素子が得られた。
すなわち、本発明の構成は、白色発光ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｅ
ｕ薄膜ＥＬ索子において、発光中心であるＣｅおよびＥ
ｕを何れも硫化物として含有している白色薄膜ＥＬ索子
である。
ｕ薄膜ＥＬ索子において、発光中心であるＣｅおよびＥ
ｕを何れも硫化物として含有している白色薄膜ＥＬ索子
である。
発光中心を硫化物として含をとする得られた薄膜ＥＬ素
子の特性が向上する理由は、先に述べた塩素のような、
母体材料の構成元素とは異なる元素が発光層中に含まれ
ていないためと考えられる。
子の特性が向上する理由は、先に述べた塩素のような、
母体材料の構成元素とは異なる元素が発光層中に含まれ
ていないためと考えられる。
本発明の素子を作成する際、発光層の作製方法は、特に
限定する必要はなく、また発光層以外のＥＬ水素子構成
材料である透明電極や絶縁層、背面電極については、本
発明の効果を得るために、特に材料を限定する必要がな
い。そのため、透明電極には、Ｉ Ｔ Ｏ（１＋＋ｄｉ
ｕｍ Ｔ１ｎ０ｘｉｄｅ）やＺｎＯ：Ａ１等を用いるこ
とができる。
限定する必要はなく、また発光層以外のＥＬ水素子構成
材料である透明電極や絶縁層、背面電極については、本
発明の効果を得るために、特に材料を限定する必要がな
い。そのため、透明電極には、Ｉ Ｔ Ｏ（１＋＋ｄｉ
ｕｍ Ｔ１ｎ０ｘｉｄｅ）やＺｎＯ：Ａ１等を用いるこ
とができる。
また、絶縁層の材料としては、Ｙ２Ｏコ、５ｉＯｚ、Ｔ
ａ２ｅｓ等の酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＢＮ、ＡＩＮ等の窒
化物及びそれらの混合物または複合膜などを用いること
ができ、また、ＰｂＴｉＯ３等のペロブスカイト型や ＢａＴａ２Ｏ６等のタングステンブロンズ型のような強
誘電体材料を用いることもできる。
ａ２ｅｓ等の酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＢＮ、ＡＩＮ等の窒
化物及びそれらの混合物または複合膜などを用いること
ができ、また、ＰｂＴｉＯ３等のペロブスカイト型や ＢａＴａ２Ｏ６等のタングステンブロンズ型のような強
誘電体材料を用いることもできる。
以下、実施例によって、本発明を具体的に説明する。
［実施例］
ここでは、第１図に示したようなＭＩＳ構造を有するＳ
ｒＳ：Ｃｅ薄膜素子を作製した。
ｒＳ：Ｃｅ薄膜素子を作製した。
ガラス基板ｌ上に透明電極２としてＺｎＯ：Ａｌを形成
し、次に発光層３である ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｅｕ薄膜を電
子ビーム蒸着法を用いて、基板温度５００℃で形成した
。この際、発光中心にはＣｅ２ＳコとＥｕＳを用いた。
し、次に発光層３である ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｅｕ薄膜を電
子ビーム蒸着法を用いて、基板温度５００℃で形成した
。この際、発光中心にはＣｅ２ＳコとＥｕＳを用いた。
発光層形成後、絶縁層４としてＹ２Ｏ３薄膜を電子ビー
ム蒸着で形成し、最送に背面電極５として、ＡＩ薄膜を
形成した。
ム蒸着で形成し、最送に背面電極５として、ＡＩ薄膜を
形成した。
このようにして得られたＳｒＳ：Ｃｅ、Ｅｕ薄膜ＥＬ素
子の発光輝度−印加電圧（Ｌ−Ｖ）特性を第２図に示す
。素子の励起には、１ ｋｌｌｚ、１００！ｌｓの両極
性パルス波電圧を印加した。
子の発光輝度−印加電圧（Ｌ−Ｖ）特性を第２図に示す
。素子の励起には、１ ｋｌｌｚ、１００！ｌｓの両極
性パルス波電圧を印加した。
また比較のために、同じ作製条件で発光中心に硫化物を
用いて作製した素子についても示す。
用いて作製した素子についても示す。
曲線１が本発明の薄膜ＥＬ素子の特性曲線で、曲線２が
塩化物を用いた従来の薄膜ＥＬ索子の特性曲線である。
塩化物を用いた従来の薄膜ＥＬ索子の特性曲線である。
この第２図からもわかるように、発光中心にＣｅ２Ｓ３
とＥｕＳを用いた素子のほうが塩化物を用いた素子に比
べ、良好な特性が得られていることがわかる。
とＥｕＳを用いた素子のほうが塩化物を用いた素子に比
べ、良好な特性が得られていることがわかる。
次に、それぞれの素子の発光の色調についてＣＩＥ色度
点を第３図に示す。比較のためＣＩＥで定められた標準
の先山色光ＣとＤ６５についても示す。
点を第３図に示す。比較のためＣＩＥで定められた標準
の先山色光ＣとＤ６５についても示す。
この第３図からもわかるように、発光中心に硫化物を用
いた素子のほうが塩化物を用いた素子に比べ、より色調
の良い白色を示していることがわかる。
いた素子のほうが塩化物を用いた素子に比べ、より色調
の良い白色を示していることがわかる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明により従来技術に比さ輝度
特性および発光の色調が優れた素子が提供される。
特性および発光の色調が優れた素子が提供される。
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の一例の構造を説明する
ための断面の模式図、 第２図は本発明と従来例の薄膜ＥＬ素子の特性を示すグ
ラフ、 第３図は、各素子の色調についてのＣＩＥ色度点を示す
グラフである。 Ｉ・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、３・・
・発光層、 ４・・・絶縁層、５・・・背面電
極。
ための断面の模式図、 第２図は本発明と従来例の薄膜ＥＬ素子の特性を示すグ
ラフ、 第３図は、各素子の色調についてのＣＩＥ色度点を示す
グラフである。 Ｉ・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、３・・
・発光層、 ４・・・絶縁層、５・・・背面電
極。
Claims (1)
- セリウムおよびユウロピウムを発光中心とし、硫化ス
トロンチウムを発光母体とする白色薄膜エレクトロルミ
ネッセント素子において、発光中心であるセリウムおよ
びユウロピウムを何れも硫化物として含有していること
を特徴とする白色薄膜エレクトロルミネッセント素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63249100A JPH0298092A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 白色薄膜エレクトロルミネッセント素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63249100A JPH0298092A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 白色薄膜エレクトロルミネッセント素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298092A true JPH0298092A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17187964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63249100A Pending JPH0298092A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 白色薄膜エレクトロルミネッセント素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298092A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049984A1 (fr) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Murata Manufacturing Co.,Ltd. | Ceramique transparente, procede de production de celle-ci et element optique |
| WO2006077864A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | T. Chatani & Co., Ltd. | 発光体の製造方法、発光体、及び発光装置 |
| JP4673452B1 (ja) * | 2010-06-10 | 2011-04-20 | バルチラジャパン株式会社 | シールリングおよび船尾管シール装置 |
| CN109326743A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-02-12 | 苏州大学 | 一种基于纳米钨青铜的发光二极管的制备方法 |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP63249100A patent/JPH0298092A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049984A1 (fr) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Murata Manufacturing Co.,Ltd. | Ceramique transparente, procede de production de celle-ci et element optique |
| GB2376230A (en) * | 2000-12-20 | 2002-12-11 | Murata Manufacturing Co | Transparent ceramic and method for production thereof, and optical element |
| GB2376230B (en) * | 2000-12-20 | 2004-11-24 | Murata Manufacturing Co | Transparent ceramic, method of producing the same, and optical devices |
| US6908872B2 (en) | 2000-12-20 | 2005-06-21 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Transparent ceramic and method for production thereof, and optical element |
| WO2006077864A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | T. Chatani & Co., Ltd. | 発光体の製造方法、発光体、及び発光装置 |
| JP4673452B1 (ja) * | 2010-06-10 | 2011-04-20 | バルチラジャパン株式会社 | シールリングおよび船尾管シール装置 |
| CN109326743A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-02-12 | 苏州大学 | 一种基于纳米钨青铜的发光二极管的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101263497B1 (ko) | 연색평가수가 높은 전계발광 램프 | |
| JPS63224190A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JP2005026224A (ja) | 発光素子、表示デバイス及び表示デバイスの制御方法 | |
| US7749405B2 (en) | White-emitting phosphor blend and electroluminescent lamp containing same | |
| JPH0298092A (ja) | 白色薄膜エレクトロルミネッセント素子 | |
| US8323529B2 (en) | Fluorescent material and light emitting diode using the same | |
| WO1992008333A1 (en) | Thin-film el element | |
| JP3442918B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンスパネル | |
| Wu et al. | Color‐by‐Blue: A novel method to achieve full‐color inorganic EL displays | |
| JP3574829B2 (ja) | 無機エレクトロルミネッセンス材料およびそれを用いた無機エレクトロルミネッセンス素子ならびに画像表示装置 | |
| JP4516390B2 (ja) | 蛍光体 | |
| JP2001267073A (ja) | フルカラー薄膜ｅｌディスプレイパネル | |
| JPH07263147A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| KR100198803B1 (ko) | 청색 발광 효율 개선을 위한 백색 교류 구동형 박막 전계 발광 소자의 구조 | |
| KR970009736B1 (ko) | 백색 전계발광소자 | |
| JPH0459759B2 (ja) | ||
| JPH02272087A (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JPS58175293A (ja) | 電場発光素子 | |
| JPH01146288A (ja) | 多色薄膜エレクトロルミネッセント素子 | |
| RB et al. | Beynəlxalq Konfrans “Fizika-2005” | |
| JPH07240278A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2000012231A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH03219593A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH04366593A (ja) | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JPH07119405B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 |