JPH0294655A

JPH0294655A - リードフレーム

Info

Publication number: JPH0294655A
Application number: JP24666288A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Horii; 堀井　和之; Kenichi Aizawa; 相沢　賢一
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1988-09-30
Filing date: 1988-09-30
Publication date: 1990-04-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は樹脂封止型半導体素子搭載用のリードフレーム
に関する。

（従来の技術）一般に、樹脂封止型半導体素子用のリードフレームは、
フォトリソグラフィー法により製作され、第２図に示す
ように、半導体素子がマウントされるマウント部２２、
その周囲に配置されて互いに所定間隔を何して伸びてい
る、半導体素子の各々の電極とワイヤボンド可能な複数
のインナーリード２４、及びインナーリードが伸びてモ
ールドの外側に配置される複数のアウターリード２６と
により構成されている。

そして、このマウント部２２に半導体素子チップをマウ
ントし、そのチップの各電極とインナーリード２４の先
端を金、アルミニウム等の金属でワイヤボンディングし
た後に、チップ及びワイヤボンディング部を保護するた
めに、トランスファー成形によりモールドして半導体素
子部品となる。

トランスファー成形の際に樹脂はアウターリード２６の
間にも注入される。このアウターリード間の樹脂（パリ
）は、接触不良等を起こすため除去する必要がある。

フォトリソグラフィー法によるリードフレームの製造方
法では、第３図に示すように、まず４２−アロイ、銅、
及びステンレス等の金属材料の板３０の両面に例えばネ
ガ型の感光性レジスト３１を塗布し、次に半導体素子搭
載側（以下表側とする）及び半導体素子を搭載しない側
（以下裏側とする）に各々マスクとして使用する表鈑３
２及び裏板３３を密着させて露光する。この時、表鈑３
２及び裏板３３の透光部３４は同一である。現像により
、第４図に示すように、露光された部分のレジストが残
り、レジストパターン４０を形成する。最後に板の両面
に塩化第２鉄等の腐蝕液を噴霧して金属露出部をエツチ
ングしてリードフレームを形成する。この場合、露光時
に使用される版が表裏間じものなので、各々の面にエツ
チング液を噴霧する噴霧条件（噴霧圧）〕、噴霧ｆｆ１
）が同じ場合は、第５図のようにリードフレーム５０の
断面が疑六角形形状となり、表側５１のフレーム面積と
裏側５２のフレーム面積がほぼ等しいものとなる。

（発明が解決しようとする課題）第５図に示すような断面形状のインナーリードにおいて
、半導体素子搭載側の幅が狭いとボンダビリティ−に影
響を及ぼし、確実なボンディングができない。このため
に、前記幅を一定の値以上にする必要がある。一方、イ
ンナーリード相互の短絡を防止するために、インナーリ
ード間の間隔も一定値以上にする必要がある。この結果
、両要望を満足するためには、マウント部を大型にする
かインナーリードの端子数を少なくしなければならなず
、装置設計に大きな制約を与える。

又、第５図の形状のアウターリードは、樹脂封止後にパ
リを除去しにくいという欠点を有する。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
インナーリードの端子数を少なくすることなく、インナ
ーリードの半導体素子搭載側に確実なボンディングをす
るのに必要な幅を確保するとともに、インナーリード相
互の間隔を充分に取ることができ、さらに樹脂封止後の
樹脂パリ除去が容易であるようなリードフレームを提供
することを目的とする。

（課題を解決するための手段）本発明にかかるリードフレームは、全域にわたり、半導
体素子搭載側のフレーム面積を、半導体素子を搭載しな
い側のフレーム面積より大きくしたことを特徴とする。

本発明のリードフレームを得るには、ネガ又はポジ型感
光性レジストのパターンを形成するためのマスクとして
表側と裏側とで透光面積の異なるものを用いればよい。

具体的には、例えば、ネガ型感光性レジストを使用する
場合は、表側の版の透光面積を裏側の版の透光面積より
大きくし、逆にポジ型感光性レジストを使用する場合は
表側の版の透光面積を裏側の版の透光面積より小さくす
ればよい。

表側のフレーム面積と裏側のフレーム面積を異なるよう
にする他の方法として、両面に施すエツチング条件に差
をつけることが挙げられる。例えば、表側に施すエツチ
ング液のスプレー圧を裏側に施すスプレー圧より低めに
したり、表側に施すエツチング液のスプレーのノズル数
を裏側に施すスプレーのノズル数より少なめにして、表
側を相対的に少なくエツチングしてもよい。上記二つの
方法を組合わせて行なっても目的のリードフレームを得
ることができる。

表側のフレーム面積と裏側のフレーム面積との差は、版
の透光面積を目出に設計すること及びエツチング装置の
条件を操作することで自由に選択されるが、その差が約
１０ないし４０μｍであることが好ましい。

（作用）上記のような方法によって得られるリードフレームは、
断面が疑台形であり、これは従来のもののようなボンデ
ィングエリアの確保及び樹脂封止後の樹脂パリの除去に
対して非常に有利である。

（実施例）以下、本発明の実施例を示し、本発明をより具体的に説
明する。

実施例１第１ａ図に示すように、金属板（鉄−ニッケル合金であ
る４２アロイ、４２６アロイ、並びに銅等）１０にネガ
型感光性レジスト１１をコーターで両側に塗布する。そ
の後、ガラス又はフィルムでできている版を金属板の表
側と裏側の両側に密着させる。この場合、第１ｂ図に示
すように表側の版１２の透光面積１３を裏側の版１５の
透光面！：！１６より大きくした。この二つの版を位置
合せをして、紫外線（２，ＯＯＯｍＪ）で露光した。

その後、レジストを現１象すると、第１ｃ図に示すよう
に露光された部分のレジストが残って（１８゜１９）パ
ターンが得られる。

次に第１Ｃ図のように表側と裏側とで面積の異なるレジ
ストパターン（１８，１９）が形成された金属板の両側
に塩化第２銖溶液（液温５７℃、比ｆｆｆｌ、４６２）
を２　ｋｇ　／　ｃｄの圧力で噴霧してエツチングを施
した。

第１ｄ図に示すように、得られたリードフレーム１００
は、表側の幅１０１と裏側の幅１０２の差が１０μｍな
いし４０μｍであった。

実施例２実施例１と同様にして金属板にネガ型の感光性レジスト
を塗布する。その後、ガラス又はフィルムでできている
版を金属板の表側と裏側の両側に密告させる。この場合
、表側の版の透光面積と裏側の版の透光面積が同じもの
を使用した。この二つの版を位置合せをして、紫外線（
２，ＯＯＯｍＪ）で露光した。その後、レジストを現像
して第４図に示すようなレジストパターンを得た。

次に前記のようにレジストパターンが形成された金属板
の両側に塩化第２鉄溶液（液温５７℃、比重１．４６２
）を２　ｋｇ　／　ｃｌｉの圧力で噴霧してエツチング
を施した。但し、エツチング装置中のスプレーのうち、
金属板の表側に噴霧するスプレーのノズル数の１／３程
度を停止させてエツチングを行なった。

その結果得られたリードフレームは、表側の幅と裏側の
幅の差が１０μｍないし４０μｍであった。

（効果）本発明によるリードフレームは、インナーリードの端子
数を少なくすることなく、インナーリードの半導体素子
搭載側に確実なボンディングをするのに必要なフレーム
面積を確保でき、インナーリード相互の間隔が小さくな
っても短絡の心配がなく、さらに樹脂封止後の樹脂パリ
除去を容易に行うことを可能とする。

【図面の簡単な説明】

第１８図ないし第１ｄ図は本発明の実施例に係るリード
フレームの製造方法におけるリードフレムの断面図、第
２図はリードフレームの平面図、第３図ないし第５図は
従来のリードフレームの製造方法の各工程におけるリー
ドフレームの断面図である。１０．３０・・・金属板、１１．３１・・・感光性レジ
スト、１２．３２・・・表鈑、１３．１６゜３４・・・
透光部、１４，１７．３５・・・遮光部、１５．３３・
・・裏板、１８，１９．４０・・・露光後残留レジスト
、２０，５０，１００・・・リードフレーム、２２・・
・マウント部、２４・・・インナーリード、２６・・・
アウターリード、５１．１０１・・・表側、５２，１０
２・・・裏側。出願人代理人　弁即士　鈴江武彦第　５凶

Claims

【特許請求の範囲】

　半導体素子を搭載するリードフレームにおいて該リー
ドフレームの全域にわたり、半導体素子搭載側のフレー
ム面積を、半導体素子を搭載しない側のフレーム面積よ
り大きくしたことを特徴とするリードフレーム。