JPH0294614A - 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 - Google Patents
酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法Info
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- JPH0294614A JPH0294614A JP24683388A JP24683388A JPH0294614A JP H0294614 A JPH0294614 A JP H0294614A JP 24683388 A JP24683388 A JP 24683388A JP 24683388 A JP24683388 A JP 24683388A JP H0294614 A JPH0294614 A JP H0294614A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法、
特には２インチ以上の基板上に液相エピタキシャル法で
磁気共鳴半値巾ΔＨが小さく、したがって光アイソレー
ターおよびマイクロ波素子用として有用とされる酸化物
ガーネット単結晶およびこれをヒビやクラックなどの発
生なしに製造する方法に関するものである。
特には２インチ以上の基板上に液相エピタキシャル法で
磁気共鳴半値巾ΔＨが小さく、したがって光アイソレー
ターおよびマイクロ波素子用として有用とされる酸化物
ガーネット単結晶およびこれをヒビやクラックなどの発
生なしに製造する方法に関するものである。
（従来の技術）
Ｙ、 Ｆ ｅ、Ｏ□２（Ｙ Ｉ Ｇ）で示される酸化物
ガーネット単結晶は最近における通信の高周波化に伴っ
て光アイソレータ−、マイクロ波素子用としての需要が
高まってきているが５このＹＩＧ膜については通信に用
いる波長との関係で１０〜１００μｓ程度の厚膜が必要
とされるし、静磁波伝搬の損失を少なくするために磁気
共鳴半値巾ΔＨの値の小さいことが要求される。
ガーネット単結晶は最近における通信の高周波化に伴っ
て光アイソレータ−、マイクロ波素子用としての需要が
高まってきているが５このＹＩＧ膜については通信に用
いる波長との関係で１０〜１００μｓ程度の厚膜が必要
とされるし、静磁波伝搬の損失を少なくするために磁気
共鳴半値巾ΔＨの値の小さいことが要求される。
また、このＹＩＧ厚膜については例えば２インチφ以上
のものが要求されているが、これにはｌ）厚膜のものは
薄膜のものにくらべて育成時間が非常に長くなるので、
育成条件を最適に近いものに設定しないと、膜特性の面
内分布が均一にならない。
のものが要求されているが、これにはｌ）厚膜のものは
薄膜のものにくらべて育成時間が非常に長くなるので、
育成条件を最適に近いものに設定しないと、膜特性の面
内分布が均一にならない。
２）純粋なＹＩＧ膜と基板としてのガドリニウム・ガリ
ウム・ガーネット（以下ＧＧＧと略記する）との間に格
子定数の差にもとづく割合大きなミスマツチが存在する
ために、ＧＧＧ基板上にＹＩＧ膜を育成したときにはヒ
ビやクラックなどの膜質を劣化させる現象が発生する。
ウム・ガーネット（以下ＧＧＧと略記する）との間に格
子定数の差にもとづく割合大きなミスマツチが存在する
ために、ＧＧＧ基板上にＹＩＧ膜を育成したときにはヒ
ビやクラックなどの膜質を劣化させる現象が発生する。
という問題点があり、ＧＧＧなどの基板上にＹＩＧを２
インチφ以上の大きさで液晶エピタキシャル法をもって
ヒビやクラックの発生なしに、均一な厚膜として得るこ
とは困難であるとされている。
インチφ以上の大きさで液晶エピタキシャル法をもって
ヒビやクラックの発生なしに、均一な厚膜として得るこ
とは困難であるとされている。
他方、この種の液相エピタキシャル法によるＹＩＧなど
の結晶育成に当っては、育成中に基板を反転させること
によって均一な膜厚をもつ結晶を育成するという方法も
知られているが、厚膜のものを得るには育成時間が長い
ために反転条件が違ってくると膜厚の均一性に大きな影
響が現われ。
の結晶育成に当っては、育成中に基板を反転させること
によって均一な膜厚をもつ結晶を育成するという方法も
知られているが、厚膜のものを得るには育成時間が長い
ために反転条件が違ってくると膜厚の均一性に大きな影
響が現われ。
膜厚の不均一性は磁気共鳴半値巾ΔＨの値を増大させる
ので、膜厚の均一な厚膜のＹＩＧ結晶の育成は可成り難
しいものとされている。
ので、膜厚の均一な厚膜のＹＩＧ結晶の育成は可成り難
しいものとされている。
（発明の構成）
本発明はこのような不利を解決した酸化物ガーネット単
結晶およびその製造方法に関するものであり、これは融
液中で基板を反転および回転させ、液相エピタキシャル
法でこの基板上に酸化物ガーネット単結晶を育成させる
方法において、該基板の回転速度（ｒｐｍ）と反転周期
を、回転速度をＹ軸、反転周期をＹ軸としたＸＹ平面に
おける点が（２０，０，２）ｓ （２０，０，４）ｓ（
１２０，２゜５）ｓ（１２０，１，０）の４点で囲まれ
る範囲内となるようにすることを特徴とするものである
。
結晶およびその製造方法に関するものであり、これは融
液中で基板を反転および回転させ、液相エピタキシャル
法でこの基板上に酸化物ガーネット単結晶を育成させる
方法において、該基板の回転速度（ｒｐｍ）と反転周期
を、回転速度をＹ軸、反転周期をＹ軸としたＸＹ平面に
おける点が（２０，０，２）ｓ （２０，０，４）ｓ（
１２０，２゜５）ｓ（１２０，１，０）の４点で囲まれ
る範囲内となるようにすることを特徴とするものである
。
すなわち、本発明者らは前記したような不利を伴わない
酸化物ガーネット単結晶とその製造方法について種々検
討した結果、従来公知とされている希土類金属・ガリウ
ム・ガーネットからなる基板を融液中に浸漬し、この基
板上に酸化物ガーネット単結晶を育成させるに当って、
基板を融液中で反転および回転させるが、この基板の回
転速度（ｒｐｍ）と反転周期を、回転速度をＸ軸１反転
周期をＹ軸としたＸＹ平面における点が（２０，０，２
）ｓ（２０，０，４）ｓ（１２０，２，５）ｓ（１２０
，１，０）の４点に囲まれた第１図に示した範囲内とな
るようにすると、直径が２インチ以上の基板を用いても
１０μｓ以上の均一な酸化物ガーネット単結晶を育成さ
せることができることを見出すと共に、これによれば得
られる膜体の磁気共鳴半値巾ΔＩ（が２．０Ｏｅ以下で
そのバラツキも１．１０ｅ以下の低い値とすることがで
きるので、光アイソレータ−、サーキュレータ−、マイ
クロ波素子として有用とされる酸化物ガーネット単結晶
を得ることができることを確認して本発明を完成させた
。
酸化物ガーネット単結晶とその製造方法について種々検
討した結果、従来公知とされている希土類金属・ガリウ
ム・ガーネットからなる基板を融液中に浸漬し、この基
板上に酸化物ガーネット単結晶を育成させるに当って、
基板を融液中で反転および回転させるが、この基板の回
転速度（ｒｐｍ）と反転周期を、回転速度をＸ軸１反転
周期をＹ軸としたＸＹ平面における点が（２０，０，２
）ｓ（２０，０，４）ｓ（１２０，２，５）ｓ（１２０
，１，０）の４点に囲まれた第１図に示した範囲内とな
るようにすると、直径が２インチ以上の基板を用いても
１０μｓ以上の均一な酸化物ガーネット単結晶を育成さ
せることができることを見出すと共に、これによれば得
られる膜体の磁気共鳴半値巾ΔＩ（が２．０Ｏｅ以下で
そのバラツキも１．１０ｅ以下の低い値とすることがで
きるので、光アイソレータ−、サーキュレータ−、マイ
クロ波素子として有用とされる酸化物ガーネット単結晶
を得ることができることを確認して本発明を完成させた
。
以下に本発明を詳述する。
本発明の酸化物ガーネット単結晶を構成するガーネット
基板単結晶は前記したＧＧＧ、サマリウム・ガリウム・
ガーネット（以下ＳＧＧと略記する）ｓネオジム・ガリ
ウム・ガーネット（以下ＮＧＯと略記する）ｓ上記した
ＧＧＧの１部をＣａ、Ｚｒ、ＭｇまたはＹで置換したＧ
ＧＧ系のＳＯＧ、ＮＯＧ、ＹＯＧ （いずれも信越化学
工業■商品名〕とすればよく、これらはＧｄ、Ｏ，、Ｓ
ｍ２０．、Ｎｄ、Ｏ，または必要に応じＣａＯ，ＭｇＯ
１ＺｒＯもしくはＹ２Ｏ，などの置換材をそれぞれＧａ
、Ｏ，の所定量と共にルツボに仕込み、高周波誘導でそ
れぞれの結晶の融点以上に加熱して溶融したのち、この
溶液からチョクラルスキー法で単結晶を引上げることに
よって得ることができるが。
基板単結晶は前記したＧＧＧ、サマリウム・ガリウム・
ガーネット（以下ＳＧＧと略記する）ｓネオジム・ガリ
ウム・ガーネット（以下ＮＧＯと略記する）ｓ上記した
ＧＧＧの１部をＣａ、Ｚｒ、ＭｇまたはＹで置換したＧ
ＧＧ系のＳＯＧ、ＮＯＧ、ＹＯＧ （いずれも信越化学
工業■商品名〕とすればよく、これらはＧｄ、Ｏ，、Ｓ
ｍ２０．、Ｎｄ、Ｏ，または必要に応じＣａＯ，ＭｇＯ
１ＺｒＯもしくはＹ２Ｏ，などの置換材をそれぞれＧａ
、Ｏ，の所定量と共にルツボに仕込み、高周波誘導でそ
れぞれの結晶の融点以上に加熱して溶融したのち、この
溶液からチョクラルスキー法で単結晶を引上げることに
よって得ることができるが。
このものはこの単結晶から切り出したウェーハを例えば
熱リン酸でエツチングしたのち格子定数を測定すると１
２．３８３〜１２．５０８人を示すことが確認された。
熱リン酸でエツチングしたのち格子定数を測定すると１
２．３８３〜１２．５０８人を示すことが確認された。
また、この基板単結晶上に液相エピタキシャル法でエピ
タキシャル成長させる構造体は上記したように組成式が
Ｙ、Ｆｅ、Ｏ，、、（Ｙ Ｍ）ａ Ｆａ−ａｏｌ、また
は（ＹＭ）ａ（ＦＮ）ｓ−ａｏｉｚ （こＮにＭはＬａ
、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕから、またＮはＡｌ。
タキシャル成長させる構造体は上記したように組成式が
Ｙ、Ｆｅ、Ｏ，、、（Ｙ Ｍ）ａ Ｆａ−ａｏｌ、また
は（ＹＭ）ａ（ＦＮ）ｓ−ａｏｉｚ （こＮにＭはＬａ
、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕから、またＮはＡｌ。
Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃから選択される少なくとも１つの元素
、ａは３．１≧ａ≧３．０）で示される・ものとされる
。
、ａは３．１≧ａ≧３．０）で示される・ものとされる
。
この式Ｙ３Ｆｅ、Ｏ，ａ、（ＹＭ）ａＦｅｓ−ａｏｘａ
または（Ｙ Ｍ）ａ（Ｆ ｅ Ｎ）ａ−ａｏｔｚで示さ
れる単結晶は白金ルツボ中に必要に応じＹ２Ｏ１、Ｆｅ
２Ｏ３゜Ｍ、Ｏ，またはＮｚＯｓ （Ｍ、Ｎは前記の通
り）をブランクスとしてのＰｂＯ，Ｂ、Ｏ，と共に仕込
み、１．１００〜１，１５０℃に加熱してこれを融解さ
せたのち、この融液からＬＰＥ法で単結晶を引き上げる
ことによって得ることができる。
または（Ｙ Ｍ）ａ（Ｆ ｅ Ｎ）ａ−ａｏｔｚで示さ
れる単結晶は白金ルツボ中に必要に応じＹ２Ｏ１、Ｆｅ
２Ｏ３゜Ｍ、Ｏ，またはＮｚＯｓ （Ｍ、Ｎは前記の通
り）をブランクスとしてのＰｂＯ，Ｂ、Ｏ，と共に仕込
み、１．１００〜１，１５０℃に加熱してこれを融解さ
せたのち、この融液からＬＰＥ法で単結晶を引き上げる
ことによって得ることができる。
しかし１本発明の方法は上記した基板を酸化物ガーネッ
ト融液中で回転および反転させて該基板上に酸化物ガー
ネットを育成させるのであるが、本発明の方法ではこの
回転速度（ｒｐｍ）および反転周期を一定の範囲でコン
トロールすることが必要とされる。この回転速度１反転
周期は本発明者らの実験によって回転速度をＸ軸とし１
反転周期をＹ軸としたＸＹ平面における点が（２０，０
゜２）ｓ（２０，０，４）ｓ（１２０，２，５）ｓ（１
２０，１，０）の４点で囲まれた第１図に示した範囲内
になるようにすることが必要とされることが確認され、
これによれば直径が２インチ以上の基板においても厚さ
が１０庫以上の均一な酸化物ガーネットの厚膜を容易に
得ることができ、しかもこの膜についてはその磁気共鳴
半値巾ΔＨが２．ＯＯａ以下でバラツキも１．１０ｅ以
下の低い値になる。
ト融液中で回転および反転させて該基板上に酸化物ガー
ネットを育成させるのであるが、本発明の方法ではこの
回転速度（ｒｐｍ）および反転周期を一定の範囲でコン
トロールすることが必要とされる。この回転速度１反転
周期は本発明者らの実験によって回転速度をＸ軸とし１
反転周期をＹ軸としたＸＹ平面における点が（２０，０
゜２）ｓ（２０，０，４）ｓ（１２０，２，５）ｓ（１
２０，１，０）の４点で囲まれた第１図に示した範囲内
になるようにすることが必要とされることが確認され、
これによれば直径が２インチ以上の基板においても厚さ
が１０庫以上の均一な酸化物ガーネットの厚膜を容易に
得ることができ、しかもこの膜についてはその磁気共鳴
半値巾ΔＨが２．ＯＯａ以下でバラツキも１．１０ｅ以
下の低い値になる。
したがって、本発明の方法で得られる酸化物ガーネット
単結晶は、マイクロ波素子用材料としてすぐれた物性を
もつものとなり、共振周波数の温度依存性もなく、この
ものは例えば周波数１００Ｍ Ｈｚから数１０ Ｇ Ｉ
（ｚのマイクロ波帯で使用されるマイクロ波素子として
有用とされる磁気膜のほか、光アイソレータ−、サーキ
ュレータ−用の磁気光学素子用磁気膜としても有用とさ
れる。
単結晶は、マイクロ波素子用材料としてすぐれた物性を
もつものとなり、共振周波数の温度依存性もなく、この
ものは例えば周波数１００Ｍ Ｈｚから数１０ Ｇ Ｉ
（ｚのマイクロ波帯で使用されるマイクロ波素子として
有用とされる磁気膜のほか、光アイソレータ−、サーキ
ュレータ−用の磁気光学素子用磁気膜としても有用とさ
れる。
つぎに本発明の実施例をあげるが１例中における膜厚分
布の測定は育成後のウェーハにＮａランプ光を当て一生
じる干渉縞の観察により行なったものであり、磁気共鳴
半値巾ΔＨの測定はＦＭＲで行なったものである。
布の測定は育成後のウェーハにＮａランプ光を当て一生
じる干渉縞の観察により行なったものであり、磁気共鳴
半値巾ΔＨの測定はＦＭＲで行なったものである。
実施例１〜７、比較例１〜７
白金製るつぼ２を内蔵する縦型電気炉１のるつぼ上部に
基板３を白金製のホルダー４に担持させてなる第２図に
示したような液相エピタキシャル育成炉を用い、この基
板３としてＧＧＧ単結単結晶ウェー用い、白金るつぼ中
に所定量のＹ２Ｏ３、Ｆａ、Ｏ□、Ｂｉ、Ｏ，とフラッ
フ成分としてのＰｂＯ，Ｂ、０３を仕込み１，１００℃
に加熱してこれを溶融させたのち、この融液にＧＧＧウ
ェーハを浸漬し、このＧＧＧウェーハを第１表に示した
回転速度（ｒ ｐ ｍ）ｓ回転周期（Ｔ＝秒）で回転、
反転させながらこのＧＧＧウェーハの（１１１）方向に
式Ｙ、ｓＢ １ａｉＦｅｓｏｔａで示される工ピタキシ
ャル膜を成長させ、厚さ約１５．の酸化物ガーネット単
結晶を作ったところ、得られた酸化物ガーネット単結晶
膜体の膜厚分布、６８分布について第１表に併記したと
おりの結果が得られた。
基板３を白金製のホルダー４に担持させてなる第２図に
示したような液相エピタキシャル育成炉を用い、この基
板３としてＧＧＧ単結単結晶ウェー用い、白金るつぼ中
に所定量のＹ２Ｏ３、Ｆａ、Ｏ□、Ｂｉ、Ｏ，とフラッ
フ成分としてのＰｂＯ，Ｂ、０３を仕込み１，１００℃
に加熱してこれを溶融させたのち、この融液にＧＧＧウ
ェーハを浸漬し、このＧＧＧウェーハを第１表に示した
回転速度（ｒ ｐ ｍ）ｓ回転周期（Ｔ＝秒）で回転、
反転させながらこのＧＧＧウェーハの（１１１）方向に
式Ｙ、ｓＢ １ａｉＦｅｓｏｔａで示される工ピタキシ
ャル膜を成長させ、厚さ約１５．の酸化物ガーネット単
結晶を作ったところ、得られた酸化物ガーネット単結晶
膜体の膜厚分布、６８分布について第１表に併記したと
おりの結果が得られた。
第
図
実施例８
ＧＧＧウェーへの（ｉｌｌ）方向に所定量のｙ、ｏ、と
Ｆｓ、０３を原料としフラックス成分としてＰｂＯ，Ｂ
、Ｏ，を用い実施例３と同一の条件でＹ、Ｆｅ、Ｏ，□
で示されるエピタキシャル膜を成長させ、１５μ四の厚
さのものを得た。これの膜厚分布は良好でΔＩ（分布も
０．５０〜１．５２０６と良好であった。
Ｆｓ、０３を原料としフラックス成分としてＰｂＯ，Ｂ
、Ｏ，を用い実施例３と同一の条件でＹ、Ｆｅ、Ｏ，□
で示されるエピタキシャル膜を成長させ、１５μ四の厚
さのものを得た。これの膜厚分布は良好でΔＩ（分布も
０．５０〜１．５２０６と良好であった。
実施例９
ＧＧＧウェーハの（１１１）方向に所定量のＹ、０３と
Ｂｉ、０３、Ｆｅ１２．およびＧａｔＯ，を原料とし、
フラックス成分としてｐｂ○、Ｂ、Ｏ，を用い、実施例
３と同一の条件でＹＬ、Ｂｉ、□Ｆｅ、□Ｇａａ、Ｏ，
，で示されるエピタキシャル膜を成長させ、１５μｓの
厚さのものを得た。これの膜厚分布は良好で６８分布も
０．４０〜１．４００ｅと良好であった。
Ｂｉ、０３、Ｆｅ１２．およびＧａｔＯ，を原料とし、
フラックス成分としてｐｂ○、Ｂ、Ｏ，を用い、実施例
３と同一の条件でＹＬ、Ｂｉ、□Ｆｅ、□Ｇａａ、Ｏ，
，で示されるエピタキシャル膜を成長させ、１５μｓの
厚さのものを得た。これの膜厚分布は良好で６８分布も
０．４０〜１．４００ｅと良好であった。
第１図は本発明の方法における回転数（Ｘ）と反転周期
（Ｙ）との関係図、第２図は本発明の実施例に使用され
た液相エピタキシャル育成炉の縦断面要図を示したもの
である。 １・・・電気炉、 ２・・・白金製るつぼ。 ３・・・基板ウェーハ、 ４・・・白金層ホルダーノ１ に □回七枚 第 （ｒｐｍ＞ 図 １ｏ。
（Ｙ）との関係図、第２図は本発明の実施例に使用され
た液相エピタキシャル育成炉の縦断面要図を示したもの
である。 １・・・電気炉、 ２・・・白金製るつぼ。 ３・・・基板ウェーハ、 ４・・・白金層ホルダーノ１ に □回七枚 第 （ｒｐｍ＞ 図 １ｏ。
Claims (7)
- １． 融液中で基板を反転および回転させ、液相エピタ
キシャル法でこの基板上に酸化物ガーネット単結晶を育
成させる方法において、該基板の回転速度（ｒｐｍ）と
反転周期を、回転速度をＸ軸、反転周期をＹ軸としたＸ
Ｙ平面における点が（２０、０．２）、（２０、０．４
）、（１２０、２．５）、（１２０、１．０）の４点で
囲まれる範囲内となるようにすることを特徴とする酸化
物ガーネット単結晶の製造方法。 - ２． 基板がガドリニウム・ガリウム・ガーネット（Ｇ
ＧＧ）、一部をＣａ、Ｚｒ、ＭｇまたはＹの１種または
２種以上で置換したＧＧＧ系、サマリウム・ガリウム・
ガーネット（ＳＧＧ）またはネオジム・ガリウム・ガー
ネット（ＮＧＧ）のいずれかであり、酸化物ガーネット
単結晶がＹ＿３Ｆｅ＿５Ｏ＿１＿２単結晶である請求項
１に記載の酸化物ガーネット単結晶の製造方法。 - ３． 基板がガドリニウム・ガリウム・ガーネット（Ｇ
ＧＧ）、一部をＣａ、Ｚｒ、ＭｇまたはＹの１種または
２種以上で置換したＧＧＧ系、サマリウム・ガリウム・
ガーネット（ＳＧＧ）またはネオジム・ガリウム・ガー
ネット（ＮＧＧ）のいずれかであり、酸化物ガーネット
単結晶が（ＹＭ）＿ａＦｅ＿ｓ＿−＿ａＯ＿１＿２また
は（ＹＭ）ａ（ＦｅＮ）＿ｓ＿−＿ａＯ＿１＿２（こゝ
にＭはＬａ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕから、またＮはＡｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｓｃから選択される少なくとも１つの元素、
ａは３．１≧ａ≧３．０）である請求項１に記載の酸化
物ガーネット単結晶の製造方法。 - ４． 磁気共鳴半値巾（ΔＨ）が２．０Ｏｅ以下で、バ
ラツキが１．１Ｏｅ以下である、液相エピタキシャル法
で基板上に育成させた酸化物ガーネット単結晶。 - ５． 酸化物ガーネット単結晶がＹ＿３Ｆｅ＿５Ｏ＿１
＿２である請求項４に記載の酸化物ガーネット単結晶。 - ６． 酸化物ガーネット単結晶が（ＹＭ）＿ａＦｅ＿ｓ
＿−＿ａＯ＿１＿２（Ｍ、ａは前記に同じ）で示される
ものである請求項４に記載の酸化物ガーネット単結晶。 - ７． 酸化物ガーネット単結晶が（ＹＭ）＿ａ（ＦｅＮ
）＿ｓ＿−＿ａＯ＿１＿２（Ｍ、Ｎ、ａは前記に同じ）
で示されるものである請求項４に記載の酸化物ガーネッ
ト単結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246833A JP2756273B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP63246833A JP2756273B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294614A true JPH0294614A (ja) | 1990-04-05 |
| JP2756273B2 JP2756273B2 (ja) | 1998-05-25 |
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ID=17154372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63246833A Expired - Fee Related JP2756273B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2756273B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143009A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Material for surface static magnetic wave |
| JPS62204510A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
| JPS6360195A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-16 | Fujitsu Ltd | 液晶エピタキシヤル成長方法 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63246833A patent/JP2756273B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS55143009A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Material for surface static magnetic wave |
| JPS62204510A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
| JPS6360195A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-16 | Fujitsu Ltd | 液晶エピタキシヤル成長方法 |
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|---|---|
| JP2756273B2 (ja) | 1998-05-25 |
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