JPH0294414A - 積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの製造方法Info
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- JPH0294414A JPH0294414A JP24382688A JP24382688A JPH0294414A JP H0294414 A JPH0294414 A JP H0294414A JP 24382688 A JP24382688 A JP 24382688A JP 24382688 A JP24382688 A JP 24382688A JP H0294414 A JPH0294414 A JP H0294414A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(#楽土の利用分野〕
本発明は積層セラミックコンデンサに関し、特vc #
s?4体が鉛系である場合の内部’4礪材料の改良に関
する。
s?4体が鉛系である場合の内部’4礪材料の改良に関
する。
(従来の技術)
一般に積層セラミックコンデンサはセラミックグリンシ
ートならびにセラミックシート上に内部電極ペーストを
印刷したシートを交互Vcaみ重ね、その後加圧して一
方、積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極ペー
ストは焼成後においてもセラミックシートとの反応が生
じないように選択される必要がある。
ートならびにセラミックシート上に内部電極ペーストを
印刷したシートを交互Vcaみ重ね、その後加圧して一
方、積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極ペー
ストは焼成後においてもセラミックシートとの反応が生
じないように選択される必要がある。
このため、従来の積層セラミックコンデンサにおいては
、焼成後にセラミック誘電体と内部電極との間の密着性
が悪く、デラミネーシーン、クラック、はがれ等が発生
し、煮沸試験後の絶縁抵抗低下や耐湿試験、耐電圧試験
等での特性劣化の原因となっていた。特に、このような
不良はal1層枚数が多く、しかも誘電体厚みが薄い大
容量の積層セラミックコンデンサになるほど顕著であっ
た。
、焼成後にセラミック誘電体と内部電極との間の密着性
が悪く、デラミネーシーン、クラック、はがれ等が発生
し、煮沸試験後の絶縁抵抗低下や耐湿試験、耐電圧試験
等での特性劣化の原因となっていた。特に、このような
不良はal1層枚数が多く、しかも誘電体厚みが薄い大
容量の積層セラミックコンデンサになるほど顕著であっ
た。
このような問題点に対して、これまでに内部電極ペース
ト中に、ある檀の化合物を入れる(特開昭49−852
8 )、錦電体材料と同一材料のセラミ、り粉末を含有
させる(特開昭55−83216.56−162821
、57−30308.57−153421.61−14
0127)等の方法が試みられている。
ト中に、ある檀の化合物を入れる(特開昭49−852
8 )、錦電体材料と同一材料のセラミ、り粉末を含有
させる(特開昭55−83216.56−162821
、57−30308.57−153421.61−14
0127)等の方法が試みられている。
特に、後者の方法は従来のチタン酸バリウムを主体とす
るセラミック誘電体に対しては特性に影#を与えない良
好な方法であった。
るセラミック誘電体に対しては特性に影#を与えない良
好な方法であった。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながらこのような方法は鉛系のセラミック誘電体
を用いた場合は層間密着性が不十分であり、かつESR
(等個直列抵抗)が大きくなってしまうという新たな問
題が生じてきた。原因は明らかではないが、焼結時に電
極層中の誘電体粉が、例えばA51等の金属中にとりこ
まれてしまい、R′、を体ノー間の密着性を向上する機
能が十分にはたされていないためと考えられる。
を用いた場合は層間密着性が不十分であり、かつESR
(等個直列抵抗)が大きくなってしまうという新たな問
題が生じてきた。原因は明らかではないが、焼結時に電
極層中の誘電体粉が、例えばA51等の金属中にとりこ
まれてしまい、R′、を体ノー間の密着性を向上する機
能が十分にはたされていないためと考えられる。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、鉛系の、
遺層セラミックコンデンサにおいて、誘電体層と電極層
との密着性を良好とし、ESHの小さい積層セラミック
コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
遺層セラミックコンデンサにおいて、誘電体層と電極層
との密着性を良好とし、ESHの小さい積層セラミック
コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段及び作用)本発明はPbO
に換算して30wt%以上の鉛を含有する誘電体セラミ
ック粉末からなるグリーンシート上に;金属粉末100
重量部に対し、前記セラミック粉末と実質的に同一材料
からなシ、粒径が2〜5μmのセラミック粉末を15〜
25重量部を含有する内部電極用ペーストを印刷してt
極パターンを形成し;この電極パターンが形成されたグ
IJ +ンシートを積層した後、焼成することを特徴と
する積層セラミックコンデンサの製造方法である。
に換算して30wt%以上の鉛を含有する誘電体セラミ
ック粉末からなるグリーンシート上に;金属粉末100
重量部に対し、前記セラミック粉末と実質的に同一材料
からなシ、粒径が2〜5μmのセラミック粉末を15〜
25重量部を含有する内部電極用ペーストを印刷してt
極パターンを形成し;この電極パターンが形成されたグ
IJ +ンシートを積層した後、焼成することを特徴と
する積層セラミックコンデンサの製造方法である。
内部電極となるペースト中に粒径が2〜5μmの大きさ
の、セラミック誘電体と同一組成の粉末を入れてペース
トとし、これをセラミックグリーンシート上に印刷し、
積層圧着、焼成することによって、内部電極層の一部を
セラミック粒子が貫通し、セラミック誘電体層を直接接
続したような構造になる。このような構造の積層セラミ
ックコンデンサは、内部電極の抵抗値の上昇も極めて小
さく、またセラミック誘電体層と内部電極層の密着性も
大@に向上する。
の、セラミック誘電体と同一組成の粉末を入れてペース
トとし、これをセラミックグリーンシート上に印刷し、
積層圧着、焼成することによって、内部電極層の一部を
セラミック粒子が貫通し、セラミック誘電体層を直接接
続したような構造になる。このような構造の積層セラミ
ックコンデンサは、内部電極の抵抗値の上昇も極めて小
さく、またセラミック誘電体層と内部電極層の密着性も
大@に向上する。
導体ペースト中に含有されるセラミック誘電体の粉末の
粒径が2μmより小さい場合には、誘電体粉末が電極中
に拡散してとりこ°まれでしまうためそ着性向上の効果
は小さくなる。また、5μmより大きすぎると内部電極
を印刷するときに、スクリーンが目詰まりするとともに
内部゛電極を印刷したシートを槓ノー圧着する際にシー
トを破り、欠陥をつくる可能性があり、信頼性の低下を
招く。誘電体粉末の粒径を2〜5μmにするためには、
たとえば原料を混合した後の仮焼工程において、仮焼温
麓をやや冒めに設定して仮焼を行なえばよい。
粒径が2μmより小さい場合には、誘電体粉末が電極中
に拡散してとりこ°まれでしまうためそ着性向上の効果
は小さくなる。また、5μmより大きすぎると内部電極
を印刷するときに、スクリーンが目詰まりするとともに
内部゛電極を印刷したシートを槓ノー圧着する際にシー
トを破り、欠陥をつくる可能性があり、信頼性の低下を
招く。誘電体粉末の粒径を2〜5μmにするためには、
たとえば原料を混合した後の仮焼工程において、仮焼温
麓をやや冒めに設定して仮焼を行なえばよい。
また、本発明の積層セラミックコンデンサにおける内部
電極ペーストへのセラミック誘電体粉末の添加は、内部
電極となる金属粉末100重蓄部に対して15〜25重
量部含有するものである。この添カロ量が15重量部よ
り少ないと、上述の構造が有効に作用せず密着性が悪く
なる。また、25重世部をこえてざi加すると内部電極
の有効面積が減少し、容量低下が生じる。
電極ペーストへのセラミック誘電体粉末の添加は、内部
電極となる金属粉末100重蓄部に対して15〜25重
量部含有するものである。この添カロ量が15重量部よ
り少ないと、上述の構造が有効に作用せず密着性が悪く
なる。また、25重世部をこえてざi加すると内部電極
の有効面積が減少し、容量低下が生じる。
また、グリーンシート中のセラミ、り粉末は0.5〜0
.9μm程度が好ましい。
.9μm程度が好ましい。
また内部電極は通常のAu、 pt、 AL A&−P
d、 Ni。
d、 Ni。
Cu等を用いることができる。
本発明においてはpbを含むペロプスカイト系の誘電体
、たとえばPbT10mのPb、 Tiを各櫨元素で置
換したものであれば特に限定されるものではない。pb
の存在量としては、Pbo侯算で30wt%以上、特に
30〜70wtチが好ましく、この範囲で肪i!率が高
くなる。
、たとえばPbT10mのPb、 Tiを各櫨元素で置
換したものであれば特に限定されるものではない。pb
の存在量としては、Pbo侯算で30wt%以上、特に
30〜70wtチが好ましく、この範囲で肪i!率が高
くなる。
このpbを含むペロブスカイト系高誘電率磁器組成物と
しては、Pb(Mg%N bV9) Os + P b
(Z nらNbH)03 + PbT 101 +
PbZ ram l pb (F e%Nb5A)Os
+ Pb (F’s都町) Os t P b (M
g3’f”3A ) Ox + P b (N i )
3Nb% ) Os等を基本成分とするものが挙げられ
る。当然これらの複合系も挙げられ、さらにMn Ot
+ 0090s + L at On *5btOs
+ NiO+ MgO,ZrO,等の各種添加物を営
んでいても良いことは言うまでもない。
しては、Pb(Mg%N bV9) Os + P b
(Z nらNbH)03 + PbT 101 +
PbZ ram l pb (F e%Nb5A)Os
+ Pb (F’s都町) Os t P b (M
g3’f”3A ) Ox + P b (N i )
3Nb% ) Os等を基本成分とするものが挙げられ
る。当然これらの複合系も挙げられ、さらにMn Ot
+ 0090s + L at On *5btOs
+ NiO+ MgO,ZrO,等の各種添加物を営
んでいても良いことは言うまでもない。
特にPb (Mg33Nb%)On + P b (Z
nlNk+%)sのうち少なくとも−f1250mo1
%以上含有するものが好ましい。この場合、pb原子の
1〜35モルチをBa。
nlNk+%)sのうち少なくとも−f1250mo1
%以上含有するものが好ましい。この場合、pb原子の
1〜35モルチをBa。
Sr、Ca のうち少なくともl撞でUNすることr
Cより高い誘電率と絶縁抵抗を一層高めることができる
O 特に好ましい態様としては、一般式 %式%) で表わし九とき、それぞれの成分を頂点とする三元図(
第1図)の a (z=0.50. y=Q、Q o、 z=0.5
0 )b (x=1.00. )’=0.00. z=
0.00 )c (x=0.20. )’=0.80.
z=0.00 )d (x=0.05. y=0.9
0+ z=0.05 )で示される各点を結ぶ線内の基
本組成(ただし、abを結ぶ31分上は除く)のpbの
一部を1〜35mo1%のBa及びSrの少なくとも一
種で置換した基本組成にイツトリウム(ト)元素をY、
03に換算して基本組成の重普に対して100≦Y、0
,55000099m添加した事を特徴とする高誘電率
磁器組成物が挙げられる。
Cより高い誘電率と絶縁抵抗を一層高めることができる
O 特に好ましい態様としては、一般式 %式%) で表わし九とき、それぞれの成分を頂点とする三元図(
第1図)の a (z=0.50. y=Q、Q o、 z=0.5
0 )b (x=1.00. )’=0.00. z=
0.00 )c (x=0.20. )’=0.80.
z=0.00 )d (x=0.05. y=0.9
0+ z=0.05 )で示される各点を結ぶ線内の基
本組成(ただし、abを結ぶ31分上は除く)のpbの
一部を1〜35mo1%のBa及びSrの少なくとも一
種で置換した基本組成にイツトリウム(ト)元素をY、
03に換算して基本組成の重普に対して100≦Y、0
,55000099m添加した事を特徴とする高誘電率
磁器組成物が挙げられる。
本発明において基本組成を上記のようにa、b。
codの各点を結ぶ線内としたのはこの範囲をはずれる
と線分adの外側では焼成温度が1100℃以上と高く
なってしまい、また絶縁抵抗も低下し高いCR値を得る
ことができない0 また、線分cdの外側では、キュリー温度がもともと常
温付近にあるため、Me酸成分よる置換で誘電率が大幅
に低温側に移動して、常温における誘電率が大幅に低下
してしまう。また、d+(X=0.10.y=Q、gQ
、z=0.10)としたとき、線分cdHの内側がよシ
好ま“しい。
と線分adの外側では焼成温度が1100℃以上と高く
なってしまい、また絶縁抵抗も低下し高いCR値を得る
ことができない0 また、線分cdの外側では、キュリー温度がもともと常
温付近にあるため、Me酸成分よる置換で誘電率が大幅
に低温側に移動して、常温における誘電率が大幅に低下
してしまう。また、d+(X=0.10.y=Q、gQ
、z=0.10)としたとき、線分cdHの内側がよシ
好ま“しい。
またマグネシウム・ニオブ酸鉛は少債の添加・含有でそ
の効果を発揮するが実用上は1mo1%以上含有するこ
とが望ましい。
の効果を発揮するが実用上は1mo1%以上含有するこ
とが望ましい。
また、CR値を考慮すると、亜鉛・ニオブ酸鉛を15m
o1%以上含有することが好ましく、さらには、20m
o1%以上含有することがより好ましい。
o1%以上含有することが好ましく、さらには、20m
o1%以上含有することがより好ましい。
20mo1%以上含有する時は、誘電損失も特に小さい
0 また(!t (X=0.40. y=0.60. z=
0.00 )、 ct。
0 また(!t (X=0.40. y=0.60. z=
0.00 )、 ct。
(X=0.15. y=o、’z O,z=0.15
)o cm3 (x=0.20゜y=0.60. z=
0.20 )+ cm (x=0.45.7=Q、55
. z=Q、QQ)としたとき、線分et ct、の外
側では、緻密な磁器を得るのが比較的困難である〇この
ように、CR値、T、C,C,、焼結性等を考慮すると
線分el d、の内側、特に線分C7a2ざらにid悔
仕分C3a!の内側が好ましい。しかしながら誘1に率
等を考慮した鳩舎には、この様な線分で区切られた組成
系でも十分な特性を有している。さらにはy)0.01
.z″>0.01とP b (MgMN b 3’3
) Os 。
)o cm3 (x=0.20゜y=0.60. z=
0.20 )+ cm (x=0.45.7=Q、55
. z=Q、QQ)としたとき、線分et ct、の外
側では、緻密な磁器を得るのが比較的困難である〇この
ように、CR値、T、C,C,、焼結性等を考慮すると
線分el d、の内側、特に線分C7a2ざらにid悔
仕分C3a!の内側が好ましい。しかしながら誘1に率
等を考慮した鳩舎には、この様な線分で区切られた組成
系でも十分な特性を有している。さらにはy)0.01
.z″>0.01とP b (MgMN b 3’3
) Os 。
pbTiOsが存゛在する元素の方が好ましい。
一方、Ba、 Srは上記した一般式のベロゲスカイト
構造を形成するために必要な元素であり、1mot%以
下だと、パイロクロア構造が混在し、扁い誘電率および
高い、yek*抵抗を示さない。35mo1%以上では
誘電率が100θ程度以下と小さくなってしまったりし
てしまう。よって、Me酸成分の置換量は、(Pb、、
αMeα)と表わしたとき0.01<α〈035 とする。
構造を形成するために必要な元素であり、1mot%以
下だと、パイロクロア構造が混在し、扁い誘電率および
高い、yek*抵抗を示さない。35mo1%以上では
誘電率が100θ程度以下と小さくなってしまったりし
てしまう。よって、Me酸成分の置換量は、(Pb、、
αMeα)と表わしたとき0.01<α〈035 とする。
その他
xPb(Zn%N b q ) Os −ypb (M
gXNb%)Os −ZPb (Ni3ANb%)OB
で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の a (x=0.50.3’=0.00. z=0.50
)b (x=1.00. ’I=0.OO,z=0.
00 )c (X=0.10. y=0.90. z=
0.00 )で示される各点を結ぶ線内の組成(ただし
、abcを結ぶ線分上は除く)のpbの一部を1〜30
mo1%のBa及びSrの少なくとも一種で置換したも
の、(1−x ) (P b + a b B
a aS r b)((ZnXNb%)t −C−d
(MgへNb4i)cT l d )OHaxBaTi
Os で表わしたとき、 0 ≦ a ≦0.35 0 ≦ b ≦0.35 0、O1≦a+b≦0,35 0 < c 50.9 0<d ≦0.5 0.3≦ X ≦0.5 を満たすもの、 x@Pb(Zn%NbX’)On y・Pb(Mg%
NbB)On ”Z PbTi0m で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の a (x−0,60,7=QJQ、 z =0.00
)b (x=0.60.7=0.05. z=0.35
)c (x=0.45 、7=Q、Q 5 、 z=
0.50 )d (x=0.01 、 ’I=0.49
. z=0.50 )e (x=o、ol、 y=Q、
g5. z==0.14 )f (X=0.15.7=
(185,z=0.00 )で示される各点を結ぶ線内
の組成のpbの一部を2〜30mo1%のCaで置換し
たもの等が挙げられる。
gXNb%)Os −ZPb (Ni3ANb%)OB
で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の a (x=0.50.3’=0.00. z=0.50
)b (x=1.00. ’I=0.OO,z=0.
00 )c (X=0.10. y=0.90. z=
0.00 )で示される各点を結ぶ線内の組成(ただし
、abcを結ぶ線分上は除く)のpbの一部を1〜30
mo1%のBa及びSrの少なくとも一種で置換したも
の、(1−x ) (P b + a b B
a aS r b)((ZnXNb%)t −C−d
(MgへNb4i)cT l d )OHaxBaTi
Os で表わしたとき、 0 ≦ a ≦0.35 0 ≦ b ≦0.35 0、O1≦a+b≦0,35 0 < c 50.9 0<d ≦0.5 0.3≦ X ≦0.5 を満たすもの、 x@Pb(Zn%NbX’)On y・Pb(Mg%
NbB)On ”Z PbTi0m で表わしたとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の a (x−0,60,7=QJQ、 z =0.00
)b (x=0.60.7=0.05. z=0.35
)c (x=0.45 、7=Q、Q 5 、 z=
0.50 )d (x=0.01 、 ’I=0.49
. z=0.50 )e (x=o、ol、 y=Q、
g5. z==0.14 )f (X=0.15.7=
(185,z=0.00 )で示される各点を結ぶ線内
の組成のpbの一部を2〜30mo1%のCaで置換し
たもの等が挙げられる。
積層素子は、前述の原料粉末または混合粉砕後の粉末に
バインダー、溶剤等を加えスラリー化して、グリーンシ
ートを形成しこのグリーンシート上に内部電極を印刷し
死後、所定の枚数を積r−・圧着し、焼成することによ
り製造する。この時、本発明の誘電体材料は低温で焼結
ができるため、内部電極材料として例えばAg主体(A
g80〜50s、pago〜50%など)の安価な材料
を用いることができる。
バインダー、溶剤等を加えスラリー化して、グリーンシ
ートを形成しこのグリーンシート上に内部電極を印刷し
死後、所定の枚数を積r−・圧着し、焼成することによ
り製造する。この時、本発明の誘電体材料は低温で焼結
ができるため、内部電極材料として例えばAg主体(A
g80〜50s、pago〜50%など)の安価な材料
を用いることができる。
この様な本発明磁器組成物は、高誘電率かつ、その温度
特性が良好である。また、Ca値も大きく、特に高温で
も十分な値を有し、高温での信頼性に優れたセラミック
コンデンサを得ることができる。
特性が良好である。また、Ca値も大きく、特に高温で
も十分な値を有し、高温での信頼性に優れたセラミック
コンデンサを得ることができる。
さらに誘電率バイアス電界依存性も優れており、2kV
/j+mでも10%以下程度の材料を得ることもできる
。したがって、MILのBX特性や高圧用の材料として
有効である0また誘電損失が小さく、交流用、高周波用
としても有効である。さらに前述のごとく誘電率の温度
特性に優れているため、電歪素子へ応用した場合でも変
位証の温度変化の小さいものを得ることができる。
/j+mでも10%以下程度の材料を得ることもできる
。したがって、MILのBX特性や高圧用の材料として
有効である0また誘電損失が小さく、交流用、高周波用
としても有効である。さらに前述のごとく誘電率の温度
特性に優れているため、電歪素子へ応用した場合でも変
位証の温度変化の小さいものを得ることができる。
(実施例)
以下、実施例とともに本発明を説明する。
セラミック誘電体として(PbO,9CaO,1)1.
03(ZnLANb%)o、a (Mg3’6Nb%)
0.5Ti O,20sの組成の粉末を通常のセラミ、
りの手法で作成した。セラミックグリーンシート用とし
ては、880℃2Hで仮焼した綬、粉砕して粒径を0.
5〜0.9μmとした。
03(ZnLANb%)o、a (Mg3’6Nb%)
0.5Ti O,20sの組成の粉末を通常のセラミ、
りの手法で作成した。セラミックグリーンシート用とし
ては、880℃2Hで仮焼した綬、粉砕して粒径を0.
5〜0.9μmとした。
また、内部電極ペーストに含有する粉末としては、92
0℃、2Hで仮焼した後、粉砕して粒径を2〜5μmと
し、5μm以上のあらい粒子お−よび1μm以下の微粒
子を水中沈降法にて除去した。
0℃、2Hで仮焼した後、粉砕して粒径を2〜5μmと
し、5μm以上のあらい粒子お−よび1μm以下の微粒
子を水中沈降法にて除去した。
前者のグリーンシート用セラミック誘成体粉末に、有(
幾バインダー、ffj剤、可塑剤を加えてセラミックス
ラリ−を作成し、これを一定の厚みをもったドクターブ
レードでキャリアフィルム上にシート引きし、同化乾燥
して誘電体のグリーンシートを作成する。
幾バインダー、ffj剤、可塑剤を加えてセラミックス
ラリ−を作成し、これを一定の厚みをもったドクターブ
レードでキャリアフィルム上にシート引きし、同化乾燥
して誘電体のグリーンシートを作成する。
一方、内部電極ペーストは、Ag70wtチ、 Pd3
0wt%の混合粉末100部に対し、セラミックグリン
シートのセラミック誘電体の粉末と同一組成でしかも粒
径が2〜5μmの誘電体粉末を0〜50部、エチルセル
ロース30部、ブチルカル上トール60部、石油系シン
ナー10部、を加えて均一混合した電極ペーストを用い
る。
0wt%の混合粉末100部に対し、セラミックグリン
シートのセラミック誘電体の粉末と同一組成でしかも粒
径が2〜5μmの誘電体粉末を0〜50部、エチルセル
ロース30部、ブチルカル上トール60部、石油系シン
ナー10部、を加えて均一混合した電極ペーストを用い
る。
この電極ペーストを前記の誘電体シートにスラリー・ン
印刷し、これを10枚積層して圧着し、これを切断した
後、950〜1050℃の焼成温度で焼結し、外部電極
を焼き付けて積層セラミ、ンクコンテンサとした。
印刷し、これを10枚積層して圧着し、これを切断した
後、950〜1050℃の焼成温度で焼結し、外部電極
を焼き付けて積層セラミ、ンクコンテンサとした。
このようにして得られた積層セラミックコンデンサ、の
電気的特性と引張強度を測定した結果を表1に示す。デ
ータは各5個の平均である。
電気的特性と引張強度を測定した結果を表1に示す。デ
ータは各5個の平均である。
表1
また、表2に塩水で積層セラミックコンデンサを10分
間煮沸したあと、85℃、90%RHの環境で直流70
0Vを印加して、24時間後eζ故障した数を示す。
間煮沸したあと、85℃、90%RHの環境で直流70
0Vを印加して、24時間後eζ故障した数を示す。
表2
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば鉛系のセラミック
誘電体材料を用いた積層セラミックコンデンサを電気的
特性を低下させることなく、高品質の積層セラミックコ
ンデンサを量産的に製造できるため、工業的に極めて価
値あるものである0
誘電体材料を用いた積層セラミックコンデンサを電気的
特性を低下させることなく、高品質の積層セラミックコ
ンデンサを量産的に製造できるため、工業的に極めて価
値あるものである0
第1図は、本発明の組成を示す3元図。
Claims (1)
- (1)Pbを構成成分として含有するペロブスカイト系
の誘電体セラミック粉末からなるグリーンシート上に;
金属粉末100重量部に対し、前記セラミック粉末と実
質的に同一材料からなり、粒径が2〜5μmのセラミッ
ク粉末を15〜25重量部を含有する内部電極用ペース
トを印刷して電極パターンを形成し;この電極パターン
が形成されたグリーンシートを積層した後、焼成するこ
とを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24382688A JPH0294414A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24382688A JPH0294414A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0294414A true JPH0294414A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17109505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24382688A Pending JPH0294414A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0294414A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5583216A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Nippon Electric Co | Internal polarity paste for laminated ceramic capacitor |
JPS57153421A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing laminated ceramic capacitor |
JPS62150808A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | 株式会社 トーキン | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24382688A patent/JPH0294414A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5583216A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Nippon Electric Co | Internal polarity paste for laminated ceramic capacitor |
JPS57153421A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing laminated ceramic capacitor |
JPS62150808A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | 株式会社 トーキン | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
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