JPH029394Y2 - - Google Patents

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JPH029394Y2
JPH029394Y2 JP1982070888U JP7088882U JPH029394Y2 JP H029394 Y2 JPH029394 Y2 JP H029394Y2 JP 1982070888 U JP1982070888 U JP 1982070888U JP 7088882 U JP7088882 U JP 7088882U JP H029394 Y2 JPH029394 Y2 JP H029394Y2
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JP
Japan
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power supply
transistor
volatile memory
supply terminal
backup
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JP1982070888U
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JPS58174729U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 〔技術分野の説明〕 本考案は、消費電力を減少させた揮発性メモリ
のバツテリーバツクアツプ回路に関する。
〔従来技術の説明〕
従来、この種のバツテリーバツクアツプ回路は
第1図に示すように構成されている。すなわち、
バツクアツプ用の電源(約3V)1は逆流防止用
のダイオード2を介してRAM(Ramdam Acsess
Memorry)3の電源端子4に接続されている。
また、このRAM3の動作電源5VはPNPトラン
ジスタ6のエミツタ電極に接続され、このトラン
ジスタ6のコレクタ電極を介して電源端子4に接
続されている。また、このトランジスタ6のベー
ス電極は抵抗7およびツエナーダイオード(ツエ
ナー電圧約4V)8を介して接地されている。
このような従来回路は、RAM3への動作電源
5Vが断となるとトランジスタ6も断状態となつ
て、バツクアツプ用の電源1から電源端子4へバ
ツクアツプ用の電流I1(約1μA〜2μA)が供給さ
れ、RAM3内の記憶データが保持される。
しかし、トランジスタ6の動作が停止しても、
トランジスタ6のコレクタからベースへの電流方
向は順方向であるので、バツクアツプ用電源1か
らトランジスタ6のコレクタからベースを介して
ダイオード8の逆方向電流I2が流れる。これはバ
ツクアツプ用の電流I1より大きい電流(約
100μA)になる。
このため、バツクアツプ時の消費電流は大きく
なり、バツクアツプ用の電源1の寿命が短くなる
欠点を有する。
〔目的の説明〕
本考案はこの点を改良するもので、メモリのバ
ツテリーバツクアツプ時にトランジスタを介して
流れる電流を減少させることができ、バツクアツ
プ用の電源の寿命を長くすることができる回路を
提供することを目的とする。
〔考案の要旨〕
本考案は、揮発性メモリの電源端子と動作用電
源との間に接続されこの揮発性メモリに動作電圧
を与えるトランジスタと、上記電源端子に逆流防
止用のダイオードを介して接続された上記動作用
電源より出力電圧の低いバツクアツプ用の電源と
を備えた揮発性メモリのバツテリーバツクアツプ
回路において、上記トランジスタのエミツタ電極
が上記揮発性メモリの電源端子に接続され、上記
トランジスタのコレクタ電極が上記動作用電源に
接続され、上記トランジスタの極性は上記動作用
電源から供給される電流に対して順方向になるよ
うに選択され、上記トランジスタのベース電極は
上記動作用電源より高く同極性の電圧の電源端子
に逆流防止ダイオードおよび抵抗を介して接続さ
れ、かつコンデンサを介して接地端子に接続され
ることを特徴とする。
〔実施例による説明〕
本考案の一実施例を図面に基づいて説明する。
第2図は、本考案一実施例の要部回路構成図で
ある。第1図で示した従来回路と比較すると、
RAM3の電源端子4にトランジスタ6のエミツ
タを接続し、RAM3の動作電源5Vをトランジス
タ6のコレクタに接続し、このトランジスタ6の
ベースには抵抗9およびダイオード10を介して
動作電源+5Vより高い+10Vを接続するととも
にコンデンサ10を介して接地したところに特徴
がある。
他の点は第1図で示した従来例と同様であり同
一符号は同一のものをそれぞれ示す。
このような構成の本考案回路は、通常時はトラ
ンジスタ6のコレクタにRAM3の動作電源+5V
が与えられ、ベースに+10Vのバイアス電源が与
えられる。これにより、トランジスタ6は導通状
態となり、コレクタ・エミツタ間電圧VCEを小さ
くすることができ(約0.02V)、RAM3へ動作電
源を効率的に供給できる。
動作電源が停止すると、バツクアツプの間は電
源1からダイオード2を介してバツクアツプ電流
I(≒1.5μA)がRAM3の電源端子4に流れバツ
クアツプが行われる。このとき、この電源1に対
してトランジスタ6のエミツタ・ベース間の極性
はバツクアツプ用の電源に対して逆極性となり、
トランジスタ6を介して流れる電流I3は極めて小
さくなる。上記実施例では約0.1μAであつた。こ
れにより電源1の消費電力は極めて小さくでき
る。
上記例は、トランジスタ6にNPN型トランジ
スタを用いたが、RAM3の電源が負極性である
ときには、トランジスタ6はPNP型になる。
〔効果の説明〕
以上説明したように本考案によれば、揮発性メ
モリの電源端子にトランジスタのエミツタ電極を
接続するとともに、このメモリの動作用電源をコ
レクタ電極に接続し、このトランジスタの極性を
上記動作用電源から供給される電流に対して順方
向となるようにした。
したがつて、揮発性メモリのバツテリーバツク
アツプ時にトランジスタを介して流れる電流を著
しく小さくすることができ、バツクアツプ時の消
費電力を小さくすることができる。これによりバ
ツクアツプ用電源の寿命を長くすることができる
効果を有する。また、トランジスタのベース電極
にコレクタ電極の電圧と同極性でしかもこれより
高いバイアス電圧を与えることとしたので、通常
時のコレクタ・エミツタ間の電圧を小さくするこ
とができ、トランジスタでの電力消費を少なくす
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の要部回路構成図。第2図は本
考案一実施例の要部回路構成図。 1……電源、2,10……ダイオード、3……
RAM、4……電源端子、6……トランジスタ、
7,9……抵抗、8……ツエナーダイオード、1
1……コンデンサ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 揮発性メモリの電源端子と動作用電源との間に
    接続されこの揮発性メモリに動作電圧を与えるト
    ランジスタと、上記電源端子に逆流防止用のダイ
    オードを介して接続された上記動作用電源より出
    力電圧の低いバツクアツプ用の電源とを備えた揮
    発性メモリのバツテリーバツクアツプ回路におい
    て、 上記トランジスタのエミツタ電極が上記揮発性
    メモリの電源端子に接続され、 上記トランジスタのコレクタ電極が上記動作用
    電源に接続され、 上記トランジスタの極性は上記動作用電源から
    上記電源端子に供給される電流に対して順方向に
    なるように選択され、 上記トランジスタのベース電極は上記動作用電
    源より高く同極性の電圧の電源端子に逆流防止ダ
    イオードおよび抵抗を介して接続され、かつコン
    デンサを介して接地端子に接続される ことを特徴とする揮発性メモリのバツテリーバツ
    クアツプ回路。
JP7088882U 1982-05-14 1982-05-14 揮発性メモリのバツテリ−バツクアツプ回路 Granted JPS58174729U (ja)

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JP7088882U JPS58174729U (ja) 1982-05-14 1982-05-14 揮発性メモリのバツテリ−バツクアツプ回路

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JP7088882U JPS58174729U (ja) 1982-05-14 1982-05-14 揮発性メモリのバツテリ−バツクアツプ回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58174729U JPS58174729U (ja) 1983-11-22
JPH029394Y2 true JPH029394Y2 (ja) 1990-03-08

Family

ID=30080531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7088882U Granted JPS58174729U (ja) 1982-05-14 1982-05-14 揮発性メモリのバツテリ−バツクアツプ回路

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JP (1) JPS58174729U (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53108837U (ja) * 1977-02-08 1978-08-31

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Publication number Publication date
JPS58174729U (ja) 1983-11-22

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