JPH0293536A

JPH0293536A - 半導体装置製造用液晶マスク

Info

Publication number: JPH0293536A
Application number: JP63246508A
Authority: JP
Inventors: Naoyuki Shida; 直之志田
Original assignee: NEC Yamagata Ltd
Current assignee: NEC Yamagata Ltd
Priority date: 1988-09-30
Filing date: 1988-09-30
Publication date: 1990-04-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は半導体製造のフォトリソグラフィ工程で使用さ
れる半導体製造用マスクに関し、特に液晶を利用した半
導体装置製造用液晶マスクに関する。

〔従来の技術〕

従来、フォトリソグラフィ技術に使用されるマスクは、
第３図（ａ）及び（ｂ）に夫々平面図。

断面図を示すように、ガラス又は石英からなる透明基板
２１の表面に、クロム等の金属膜２２とその酸化膜２３
を重ねて形成し、かつこれらの膜を所要パターンにエツ
チング形成した構成となっている。即ち、金属膜２２．
金属酸化膜２３のパターン領域では光が不透過となり、
それ以外のパターン領域を光が通過して半導体ウェハ等
に設けたフォトレジストを所要パターンに露光させるよ
うになっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の半導体装置製造用マスクは、そのパター
ン形状は透明基板２１にエツチング形成した金属膜２２
．金属酸化膜２３により一義的に決定されるため、各フ
ォトリソグラフィ工程で異なるパターンのマスクが必要
とされる場合には、その枚数だけのマスクを用意する必
要がある。

このため、マスクの枚数が多くなり、その製造や管理が
面倒になるとともに、コスト高になるという問題がある
。また、各フォトリソグラフィ工程でマスクを交換する
必要があり、その作業が面倒となる。特に、マスクを頻
繁に交換する場合には、その間のマスクの搬送、設置等
において、異物や浮遊物が表面に付着し易く、これが原
因してパターン不良をまねき易い。また、マスクを半導
体ウェハに密着させて使用する際に、傷、クラック、剥
がれ等が生じ易いという問題もある。

本発明は上述した問題を解消し、マスク枚数を低減し、
かつその取扱いを容易なものにする半導体装置製造用液
晶マスクを提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置製造用液晶マスクは、対向配置した
一対のガラス板の内面に夫々共通電極及び複数のパター
ン電極を形成すると共に、両ガラス板間に液晶を封入し
、かつ両ガラス板の外側に夫々偏光板を配設しており、
複数のパターン電極に対して選択的に通電を行ない得る
ように構成している。

〔作用〕上述した構成では、選択的に通電されたパターン電極の
領域における液晶の偏光特性の変化により、偏光板を通
過した偏光光の透過性が選択的に制限され、この選択さ
れたパターン電極に対応する光透過パターンのマスクと
して機能させることができる。

〔実施例〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す図であり、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は縦断面図である。

この液晶マスク１０は、平行に対向配置した一対のガラ
ス板１．２の各対向面に夫々共通薄膜電極３とパターン
薄膜電極４を形成し、各電極３，４には端子３ａ、４ａ
を引き出している。また、前記ガラス板１．２間は密封
状態とし、この中に液晶５を封入している。更に、前記
ガラス板１．２の外側面には夫々同一方向に向けた偏光
板（直線偏光板）６．７を一体に配設している。

なお、前記パターン薄膜電極４は、数種類のマスクが必
要とされるパターンを全て含む箇所に所要のパターンで
形成している。

二の構成によれば、共通薄膜電極３と、任意のパターン
薄膜電極４の各端子３ａ、４ａ間に通電を行うことで、
これら電極間に存在する液晶５の偏光特性が変化される
。このため、偏光板６を通して液晶内に入射された光は
、この液晶５によって偏光状態が変化され、偏光板７を
通過することができなくなる。他の部分では液晶５に偏
光特性が変化されず、光は偏光板７を通過する。したが
って、通電されたパターン薄膜電極４の部分では光を遮
断することとなり、該パターン電極４に相当するパター
ン形状のマスクとして機能することになる。

第２図は、第１図の液晶マスクを適用した露光装置の一
例である。図において、１１はパターン露光される半導
体ウェハであり、前記ＸＹステージ１２上に載置される
。このＸＹステージ１２上には照明光学系１３．前記し
た液晶マスク１０゜及び縮小投影レンズ系１４を上下に
配設し、液晶マスク１０のパターンを縮小投影レンズ系
１４を用いて半導体ウェハ１１上に結像させるようにな
っている。この縮小投影レンズ系１４は、ＨｅＮｅレー
ザ源１６．ＩＴＶカメラ１７を利用した自動焦点系１５
を備えており、液晶マスク１０のパターンを自動焦点合
わせすることができる。

また、前記液晶マスク１０には制御回路１８を通して磁
気ディスクユニット１９を接続しており、磁気ディスク
に記録された素子パターンに対応する信号を磁気ディス
クユニット１９で読出し、制御回路１８を通して液晶マ
スク１０の各電極３゜４の端子３ａ、４ａに送出するよ
うになっている。

したがって、磁気ディスクに記録された情報に基づいて
液晶マスク１０の各端子３ａ、４ａ間に選択的に通電す
ることで、液晶マスク１０を任意のパターンのマスクと
して構成でき、このマスクを利用して半導体ウェハ１１
へのパターン露光が実現できる。このため、複数種類の
マスクを１つの液晶マスクで兼用でき、マスク数を低減
して、その製造、管理を容易にし、かつマスク交換作業
の簡略化を実現できる。

また、マスクの搬送、交換頻度を低減し、異物等の付着
を抑制し、パターン不良の発生を防止する。

更に、パターンを構成する電極がマスクの外側面に露呈
していないので、マスクにおける傷、剥離等が生じるこ
ともない。

なお、液晶の種類や偏光板の配設向きを変更することで
、パターン薄膜電極の通電箇所のみを光透過させるマス
クとして構成することも可能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、パターン電極を選択して
通電することにより、液晶の偏光特性を部分的に変化さ
せて偏光光の透過性を制限するので、任意の光透過パタ
ーンのマスクとして機能させることができる。このため
、複数枚のマスクを１枚のマスクで兼用でき、マスク製
造や管理の簡略化を図ると共にマスク交換作業を容易な
ものにできる。また、マスク交換、ｔａ送を少なくして
異物の付着を抑制でき、更にマスクパターンの傷や剥離
を防止でｊる効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示し、同図（ａ）は平面図
、同図（ｂ）はその縦断面図、第２図は第１図のマスク
を適用した露光装置の全体概略斜視図、第３図は従来の
マスクを示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はその
縦断面図である。１、　２・・・ガラス板、３・・・共通薄膜電極、４・
・・パターン薄膜電極、５・・・液晶、６．７・・・偏
光板、１０・・・液晶マスク、１１・・・半導体ウェハ
、１′２・・・ＸＹステージ、１３・・・照明光学系、
１４・・・縮小投影レンズ系、１５・・・自動焦点検出
系、１６・・・Ｈｅ−Ｎｅレーザ源、１７・・・ＩＴＶ
カメラ、１８・・・制御回路、１９・・・磁気ディスク
ユニット、２１・・・透明基板、２２・・・金属膜、２
３・・・金属酸化膜。第１図（ａ）第２図

Claims

【特許請求の範囲】

１、対向配置した一対のガラス板の内面に夫々共通電極
及び複数のパターン電極を形成すると共に、両ガラス板
間に液晶を封入し、かつ両ガラス板の外側に夫々偏光板
を配設し、前記複数のパターン電極に対して選択的に通
電を行ない得るように構成したことを特徴とする半導体
装置製造用液晶マスク。