KR100548514B1 - 마스크 제작 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제품이 변경되거나 패턴이 변경되어도 마스크의 재사용이 가능하여 영구적으로 사용될 수 있는 마스크 제작 방법에 관해 개시한 것으로서, 석영 재질의 마스크 기판의 빛투과지역에 제 1배선을 형성하는 단계와, 제 1배선을 포함한 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 절연막을 선택 식각하여 상기 제 1배선의 일부를 노출시키는 제1개구부를 형성하는 단계와, 결과물 상에 제 1개구부를 덮어 제 1배선과 연결되는 제 2배선을 형성하는 단계와, 제 2배선을 포함한 기판 상에 희생막을 형성하는 단계와, 희생막을 선택 식각하여 제 2배선의 일측을 노출시키는 제 2개구부를 형성하는 단계와, 희생막 상에 제 2개구부를 덮어 제 2배선과 연결되는 미러판을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
도 1은 종래의 제 1실시예에 따른 마스크의 단면도.
도 2는 종래의 제 2실시예에 따른 마스크의 단면도.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 마스크의 제작 방법을 설명하기 위한 단면도.
도 4는 본 발명의 마스크 작동도.
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 제품이 변경되거나 패턴이 변경되어도 마스크의 재사용이 가능하여 영구적으로 사용될 수 있는 마스크 제작 방법에 관한 것이다.
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반도체 제조 공정의 노광 공정에 사용되고 있는 마스크로는 크롬 패턴을 이용한 석영 재질의 마스크 또는 액정표시장치를 이용한 마스크를 들 수 있다.
이하에서, 도면을 참조하여 상기 마스크들을 상세히 설명한다.
도 1은 종래의 제 1실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면으로서, 도 1을 참고로 하여 종래의 제 1실시예를 설명하기로 한다.
먼저, 종래의 제 1실시예에 따른 마스크는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 석영 재질의 기판(1) 위에 크롬막 또는 산화크롬막을 입히고 선택 식각하여 크롬 패턴(2)을 형성한다.
도 1은 종래의 제 1실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면으로서, 도 1을 참고로 하여 종래의 제 1실시예를 설명하기로 한다.
먼저, 종래의 제 1실시예에 따른 마스크는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 석영 재질의 기판(1) 위에 크롬막 또는 산화크롬막을 입히고 선택 식각하여 크롬 패턴(2)을 형성한다.
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그러나, 통상 하나의 반도체 제조 공정에서는 하나의 마스크만이 사용될 뿐 제품이 바뀌거나 패턴이 변경된 경우 상기 종래의 제 1실시예에 따른 마스크는 버려지거나 석영 기판만이 재사용되어지기는 하나, 이러한 마스크는 재사용 기회가 1% 미만으로 매우 낮다.
도 2는 종래의 제 2실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 단면도로서, 도 2를 참고로 하여 종래의 제 2실시예를 설명하기로 한다.
종래의 제 2실시예에 따른 마스크는, 도 2에 도시된 바와 같이, 양 편광판(3) 사이에 액정표시장치(4)를 개재시킨 것이다.
도 2는 종래의 제 2실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 단면도로서, 도 2를 참고로 하여 종래의 제 2실시예를 설명하기로 한다.
종래의 제 2실시예에 따른 마스크는, 도 2에 도시된 바와 같이, 양 편광판(3) 사이에 액정표시장치(4)를 개재시킨 것이다.
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그러나, 종래의 제 2실시예에 따른 마스크는 빛을 통과하는 영역에서의 빛의 투과율이 너무 낮아 실용화되지 못하는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기 종래의 문제점들을 해결하기 위해 안출된 것으로, 제품이 바뀌거나 패턴이 변경될 경우에도 상기 마스크의 패턴을 변경함으로써, 영구적으로 재사용할 수 있는 마스크 제작 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마스크 제작 방법은 석영 재질의 마스크 기판의 빛투과지역에 제 1배선을 형성하는 단계와, 제 1배선을 포함한 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 절연막을 선택 식각하여 상기 제 1배선의 일부를 노출시키는 제1개구부를 형성하는 단계와, 결과물 상에 제 1개구부를 덮어 제 1배선과 연결되는 제 2배선을 형성하는 단계와, 제 2배선을 포함한 기판 상에 희생막을 형성하는 단계와, 희생막을 선택 식각하여 제 2배선의 일측을 노출시키는 제 2개구부를 형성하는 단계와, 희생막 상에 제 2개구부를 덮어 제 2배선과 연결되는 미러판을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 및 제 2배선은 다결정 실리콘막을 이용한다.
상기 미러판은 "『" 형상을 가지며, 상기 제 2배선에 일정 전압이 가해지면 방향이 바뀌면서 빛이 투과된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 마스크의 제작 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 일실시예에 따른 마스크 제작 방법은, 도 3a에 도시된 바와 같이, 먼저 석영 재질의 마스크 기판(10) 위에 제 1다결정 실리콘막(미도시)을 형성한 다음, 상기 제 2다결정 실리콘막을 선택 식각하여 제 1배선(12)을 형성한다. 이때, 상기 제 1배선(12)은 기판(10)의 빛투과지역(미도시)에 형성된다. 여기서, 현재의 노광장치에 사용되는 광원은 대부분 수은 램프를 사용하며, 파장대는 436∼365nm이다. 상기 파장대에서 다결정 실리콘 성분의 제 1배선(12)은 얇은 두께인 경우 거의 100% 투과하므로 좋은 투명전극으로 사용될 수 있다.
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도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 배선(12)을 포함한 기판 전면에 절연막(14)을 형성한 다음, 상기 절연막을 선택 식각하여 상기 제 1배선(12)의 일부분을 노출시키는 제 1개구부(15)를 형성한다.
그런 다음, 상기 제 1개구부(15)를 포함한 기판 위에 제 2다결정 실리콘막(미도시)을 형성하고, 이를 선택 식각하여 제 1개구부(15)를 통해 제 1배선(12)과 전기적으로 연결되는 제 2배선(16)을 형성한다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 제 2배선(16)을 포함한 기판 전면에 희생층(미도시)을 형성한 다음, 상기 희생층을 선택적으로 식각하여 상기 제 2배선(16)의 일측을 노출시키는 제 2개구부(미도시)를 형성한다. 이어, 상기 결과물 위에 상기 제 2개구부를 통해 상기 제 2배선(16)과 연결되는 미러판(20)를 형성하고 평탄화한다.
그런 다음, 상기 희생층을 제거하여 본 발명에 따른 마스크 제작 작업을 완료한다.
도 4는 본 발명의 마스크 작동도이다.
상기 미러판(20)은 전압이 인가되지 않으면 빛이 투과하지 않는다. 그러나, 상기 제 2배선(16)에 일정 전압이 가해질 경우에는, 도 4에 도시된 바와 같이, 미러판의 방향이 바뀌면서 빛이 투과된다.
본 발명에 따른 마스크는 조명 모드와 차광 모드를 가지며, 조명 모드로 되어있는 미러판에서는 노광장치의 렌즈로 빛이 입사되고, 차광 모드로 되어 있는 미러판에서는 빛이 반사된다.
본 발명에서는 현재의 마스크 제조 기술을 이용하여 5㎛ 크기의 미러판을 제 작하는 것이 가능하며, i선 노광 수준의 저해상도 노광 공정에 사용될 수 있는 마스크를 제작하는 것이 가능하다.
본 발명에 따르면, 임의의 조건 하에서는 각도가 변경되는 반사판을 이용하여 빛의 투과량을 조절할 수 있다.
이상에서와 같이, 본 발명에서는 미러판의 각도를 변경가능함으로써, 빛의 투과량을 조절할 수 있다.
또한, 0.35㎛, 0.25㎛의 저해상도 공정에서 본 발명의 마스크가 노광 장치의 수만큼만 있다면 30% 정도의 마스크는 제작할 필요가 없으므로, 마스크 제조 비용이 절감된다.
한편, 본 발명은 설계 오류 등으로 마스크를 다시 제작하는 경우에 불필요한 시간을 줄일 수 있는 이점이 있다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
Claims (4)
- 석영 재질의 마스크 기판의 빛투과지역에 제 1배선을 형성하는 단계와,상기 제 1배선을 포함한 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와,상기 절연막을 선택 식각하여 상기 제 1배선의 일부를 노출시키는 제1개구부를 형성하는 단계와,상기 결과물 상에 상기 제 1개구부를 덮어 상기 제 1배선과 연결되는 제 2배선을 형성하는 단계와,상기 제 2배선을 포함한 기판 상에 희생막을 형성하는 단계와,상기 희생막을 선택 식각하여 상기 제 2배선의 일측을 노출시키는 제 2개구부를 형성하는 단계와,상기 희생막 상에 상기 제 2개구부를 덮어 제 2배선과 연결되는 미러판을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 마스크 제작 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2배선은 다결정 실리콘막을 이용한 것을 특징으로 하는 마스크 제작 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 미러판은 "『" 형상을 가진 것을 특징으로 하는 마스크 제작 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 미러판은 상기 제 2배선에 일정 전압이 가해지면 방향이 바뀌면서 빛이 투과되는 것을 특징으로 하는 마스크 제작 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020084357A KR100548514B1 (ko) | 2002-12-26 | 2002-12-26 | 마스크 제작 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020084357A KR100548514B1 (ko) | 2002-12-26 | 2002-12-26 | 마스크 제작 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040057593A KR20040057593A (ko) | 2004-07-02 |
| KR100548514B1 true KR100548514B1 (ko) | 2006-02-02 |
Family
ID=37350157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020084357A KR100548514B1 (ko) | 2002-12-26 | 2002-12-26 | 마스크 제작 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100548514B1 (ko) |
-
2002
- 2002-12-26 KR KR1020020084357A patent/KR100548514B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR20040057593A (ko) | 2004-07-02 |
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