JPH0291982A - 積層ペロブスカイト超電導体の薄膜のための高周波サブストレート材料 - Google Patents
積層ペロブスカイト超電導体の薄膜のための高周波サブストレート材料Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、一般的には積層ペロブスカイト超電導体に関
し、より特定的には積層ペロブスカイト超電導体を沈積
せしめて高周波電子デバイス及び回路を形成させるため
のサブストレートに関する。
し、より特定的には積層ペロブスカイト超電導体を沈積
せしめて高周波電子デバイス及び回路を形成させるため
のサブストレートに関する。
（発明の背景〕
？？’にの液体窒素温度以上の温度において超電導性を
呈する材料は掻く最近発見されたばかりであり、この発
見は科学及び技術研究の世界的な爆発の引金となった。
呈する材料は掻く最近発見されたばかりであり、この発
見は科学及び技術研究の世界的な爆発の引金となった。
液体窒素温度以上の温度において超電導性を呈した最初
の材料は、ＹＩＢａ２ＣｕａＯｔで表わされる酸素が不
足したイツトリウム、バリウム、銅及び酸素の積層ペロ
ブスカイト化合物であった。この発見以降、Ｒ，Ｂａ２
ＣｕｓＯｔ （Ｒは希土元素）で表わされる他の類似の
積層ペロブスカイト銅酸化物化合物も液体窒素温度以上
の温度において超電導となることが発見された。この特
定群の積層ペロブスカイト超電導体は、銅酸化物内の各
金属元素の原子の数から、一般に“１−２−３”化合物
と呼ばれている。
の材料は、ＹＩＢａ２ＣｕａＯｔで表わされる酸素が不
足したイツトリウム、バリウム、銅及び酸素の積層ペロ
ブスカイト化合物であった。この発見以降、Ｒ，Ｂａ２
ＣｕｓＯｔ （Ｒは希土元素）で表わされる他の類似の
積層ペロブスカイト銅酸化物化合物も液体窒素温度以上
の温度において超電導となることが発見された。この特
定群の積層ペロブスカイト超電導体は、銅酸化物内の各
金属元素の原子の数から、一般に“１−２−３”化合物
と呼ばれている。
更に最近に至って、より高い臨界温度（超電導が発生す
る温度）を有する他の積層ペロブスカイト銅酸化物化合
物も発見された。これらの新しい化合物は、“１−２−
３“化合物が３つの金属元素を含むのに対して４つの金
属元素を包含し、希土元素は含まない。これらの新化合
物は希土元素の代りにビスマス或はタリウムのような金
属を含む。
る温度）を有する他の積層ペロブスカイト銅酸化物化合
物も発見された。これらの新しい化合物は、“１−２−
３“化合物が３つの金属元素を含むのに対して４つの金
属元素を包含し、希土元素は含まない。これらの新化合
物は希土元素の代りにビスマス或はタリウムのような金
属を含む。
積層ペロブスカイト超電導体の主長所は、従来必要とさ
れた液体ヘリウムを使用するよりも蟲かに安価で厄介で
はない液体窒素を使用して超電導温度を維持できること
である。従って、これらの超電導体は多くの新しい応用
を見出すことが期待できる。既に研究されている１つの
主要な応用は集積回路であり、これらの新超電導体の薄
膜をサブストレート上に沈積せしめて例えばジョセフソ
ン接合、導波器及びマイクロ波伝送ラインを形成させる
ものである。これらの超電導回路素子を組合わせて比肩
するもの無き性能を有する高速、高周波数及び低電力集
積回路を形成することができる。
れた液体ヘリウムを使用するよりも蟲かに安価で厄介で
はない液体窒素を使用して超電導温度を維持できること
である。従って、これらの超電導体は多くの新しい応用
を見出すことが期待できる。既に研究されている１つの
主要な応用は集積回路であり、これらの新超電導体の薄
膜をサブストレート上に沈積せしめて例えばジョセフソ
ン接合、導波器及びマイクロ波伝送ラインを形成させる
ものである。これらの超電導回路素子を組合わせて比肩
するもの無き性能を有する高速、高周波数及び低電力集
積回路を形成することができる。
しかしながら、積層ペロブスカイト超電導体の薄膜に最
適特性を与えるためには、これらの超電導体の結晶構造
及び格子定数に精密に整合した結晶構造及び格子定数を
有するサブストレート上にしか成長させ得ない、チタン
酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯｚ）はかかる材料の１つ
であり、現在サブストレートとして使用されている。不
幸にもチタン酸ストロンチウムは、超電導温度において
損失が大きく誘電定数が極めて高いために、高周波数に
は不適である。従って良好な高周波特性を有し、積層ペ
ロブスカイト超電導体の結晶構造及び格子定数に精密に
整合する結晶構造及び格子定数を有するサブストレート
材料が要望されて来た。本発明はこの要望を満たすもの
である。
適特性を与えるためには、これらの超電導体の結晶構造
及び格子定数に精密に整合した結晶構造及び格子定数を
有するサブストレート上にしか成長させ得ない、チタン
酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯｚ）はかかる材料の１つ
であり、現在サブストレートとして使用されている。不
幸にもチタン酸ストロンチウムは、超電導温度において
損失が大きく誘電定数が極めて高いために、高周波数に
は不適である。従って良好な高周波特性を有し、積層ペ
ロブスカイト超電導体の結晶構造及び格子定数に精密に
整合する結晶構造及び格子定数を有するサブストレート
材料が要望されて来た。本発明はこの要望を満たすもの
である。
本発明は積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜を
形成させるためのアルミン酸ランタン（ＬａＡ ｊ！
Ｏｓ）のサブストレートに関する。擬立方ペロブスカイ
ト結晶構造を有するアルミン酸ランタンは、積層ペロブ
スカイト超電導体の結晶構造及び格子定数に精密に整合
する結晶構造及び格子定数を有している。従って、この
材料は超電導体のエピタキシャル膜成長を助長し、結晶
は高い臨界電流密度のような良き超電導電気特性のため
の適切な方向に配向される。更にＬａＡ １０３は、超
電導温度において低損失正接及び低誘電定数のような良
好な高周波特性を有している。最後に、ＬａＡ １０３
は超電導体と重大な相互作用を起すことがない。ＬａＡ
１０３は超電導層間の絶縁用薄膜を形成するのにも使
用可能であり、それによって種々の超電導回路素子の製
造を可能ならしめる。
形成させるためのアルミン酸ランタン（ＬａＡ ｊ！
Ｏｓ）のサブストレートに関する。擬立方ペロブスカイ
ト結晶構造を有するアルミン酸ランタンは、積層ペロブ
スカイト超電導体の結晶構造及び格子定数に精密に整合
する結晶構造及び格子定数を有している。従って、この
材料は超電導体のエピタキシャル膜成長を助長し、結晶
は高い臨界電流密度のような良き超電導電気特性のため
の適切な方向に配向される。更にＬａＡ １０３は、超
電導温度において低損失正接及び低誘電定数のような良
好な高周波特性を有している。最後に、ＬａＡ １０３
は超電導体と重大な相互作用を起すことがない。ＬａＡ
１０３は超電導層間の絶縁用薄膜を形成するのにも使
用可能であり、それによって種々の超電導回路素子の製
造を可能ならしめる。
以上の説明から本発明が超電導体の分野に重大な前進を
もたらすことが理解されよう。本発明の他の特色及び長
所は以下の添付図面に基く説明から明白になるであろう
。
もたらすことが理解されよう。本発明の他の特色及び長
所は以下の添付図面に基く説明から明白になるであろう
。
図示の如く、本発明は積層ペロブスカイト銅酸化物超電
導体の薄膜を形成させるためのアルミン酸ランタン（Ｌ
ａＡ １０ｚ）のサブストレートに実現される。擬立方
ペロブスカイト結晶構造を有するアルミン酸ランタンは
、積層超電導体の結晶構造及び格子定数に精密に整合す
る結晶構造及び格子定数を有している。従って、アルミ
ン酸ランタンは超電導体のエピタキシャル膜の成長を助
長し、結晶は高い臨界電流密度のような良き超電導電気
特性のための適切な方向に配向される。更に、アルミン
酸ランタンは、超電導温度において低１員失正接及び低
誘電定数のような良好な高周波特性を有している。最後
に、アルミン酸ランタンは超電導体と重大な相互作用を
起すことがない。アルミン酸ランタンは超電導層間の絶
縁用薄膜を形成するのにも使用可能であり、それによっ
て種々の超電導回路素子の製造を可能ならしめる。
導体の薄膜を形成させるためのアルミン酸ランタン（Ｌ
ａＡ １０ｚ）のサブストレートに実現される。擬立方
ペロブスカイト結晶構造を有するアルミン酸ランタンは
、積層超電導体の結晶構造及び格子定数に精密に整合す
る結晶構造及び格子定数を有している。従って、アルミ
ン酸ランタンは超電導体のエピタキシャル膜の成長を助
長し、結晶は高い臨界電流密度のような良き超電導電気
特性のための適切な方向に配向される。更に、アルミン
酸ランタンは、超電導温度において低１員失正接及び低
誘電定数のような良好な高周波特性を有している。最後
に、アルミン酸ランタンは超電導体と重大な相互作用を
起すことがない。アルミン酸ランタンは超電導層間の絶
縁用薄膜を形成するのにも使用可能であり、それによっ
て種々の超電導回路素子の製造を可能ならしめる。
第１図はアルミン酸ランタンサブストレート１０と、そ
の上に沈積せしめられたＹ、ＢａｚＣｕ３０７なる式を
有するａ層ペロブスカイト超電導体１２の薄膜との構造
を示す。第１図及び第２図に示すように、アルミン酸ラ
ンタンの各単位セルは、ｌ原子のランタン１４、ｌ原子
のアルミニウム１６．３原子の酸素１８を含む０図には
単位セルがより多くのアルミニウム及び酸素原子を含ん
でいるように示されているが、これらのアルミニウム及
び酸素原子は実際には隣接する単位セルに共有されてい
るのである。第１図に示すように、積層ペロブスカイト
銅酸化物超電導体の各単位セルは、１原子のイツトリウ
ム２０．２原子のバリウム２２．３原子の銅２４、及び
７原子の酸素１８を含む。
の上に沈積せしめられたＹ、ＢａｚＣｕ３０７なる式を
有するａ層ペロブスカイト超電導体１２の薄膜との構造
を示す。第１図及び第２図に示すように、アルミン酸ラ
ンタンの各単位セルは、ｌ原子のランタン１４、ｌ原子
のアルミニウム１６．３原子の酸素１８を含む０図には
単位セルがより多くのアルミニウム及び酸素原子を含ん
でいるように示されているが、これらのアルミニウム及
び酸素原子は実際には隣接する単位セルに共有されてい
るのである。第１図に示すように、積層ペロブスカイト
銅酸化物超電導体の各単位セルは、１原子のイツトリウ
ム２０．２原子のバリウム２２．３原子の銅２４、及び
７原子の酸素１８を含む。
ＬａＡ １０３の格子定数が約３．８０人であり積層ペ
ロブスカイト超電導体の格子定数が約３．８５人である
ために、及び２つの化合物の結晶構造が精密に整合して
いるために、積層ペロブスカイト超電導体の結晶はアル
ミン酸ランタンの結晶に順応し、大きい超電導電流を第
１図に示す矢印２６の方向に流す。
ロブスカイト超電導体の格子定数が約３．８５人である
ために、及び２つの化合物の結晶構造が精密に整合して
いるために、積層ペロブスカイト超電導体の結晶はアル
ミン酸ランタンの結晶に順応し、大きい超電導電流を第
１図に示す矢印２６の方向に流す。
第１図に示すように、積層ペロブスカイト超電導体は、
銅２４の原子及び酸素１Ｂの原子の層が、化合物内の他
の元素を含む層の間に挟まれている。
銅２４の原子及び酸素１Ｂの原子の層が、化合物内の他
の元素を含む層の間に挟まれている。
若干の銅・酸素層は原子の面を含み、他の層は銅及び酸
素原子が交互する連鎖を含む。銅及び酸素原子を含む層
は、この化合物の超電導電気特性を決定する重要な層で
ある。銅・酸素層が単位セル内で非対称的に位置してい
るために、この化合物はその電気的特性の全てにおいて
異方性である。
素原子が交互する連鎖を含む。銅及び酸素原子を含む層
は、この化合物の超電導電気特性を決定する重要な層で
ある。銅・酸素層が単位セル内で非対称的に位置してい
るために、この化合物はその電気的特性の全てにおいて
異方性である。
これが、この超電導体の電流輸送能力がその配向に強く
依存する所以である。
依存する所以である。
積層ペロブスカイト超電導体の異方性だけがこれらの化
合物の複雑な化学及び構造によって生ずる問題ではない
。各化合物は化学的に反応性の成分、特定的にはバリウ
ムを含み、これは他の物質と強く反応する。更にこれら
の化合物は、銅・酸素層内に充分な酸素を取り入れて適
切な結晶構造を得るために、７００乃至９５０℃の範囲
の極めて高い温度で形成しなければならない。これらの
高温は、薄膜を沈積せしめる時にサブストレートとの化
学反応問題を悪化させる。サブストレート材料としての
ＬａＡ １０ｘの主な長所の１つは、ＬａＡ １０３が
超電導体と重大な相互作用を起さないことである。更に
、ＬａＡ Ｉ Ｏｘは、その絶縁特性を失うまでに大量
の化学的置換を受けなければならない。
合物の複雑な化学及び構造によって生ずる問題ではない
。各化合物は化学的に反応性の成分、特定的にはバリウ
ムを含み、これは他の物質と強く反応する。更にこれら
の化合物は、銅・酸素層内に充分な酸素を取り入れて適
切な結晶構造を得るために、７００乃至９５０℃の範囲
の極めて高い温度で形成しなければならない。これらの
高温は、薄膜を沈積せしめる時にサブストレートとの化
学反応問題を悪化させる。サブストレート材料としての
ＬａＡ １０ｘの主な長所の１つは、ＬａＡ １０３が
超電導体と重大な相互作用を起さないことである。更に
、ＬａＡ Ｉ Ｏｘは、その絶縁特性を失うまでに大量
の化学的置換を受けなければならない。
ＬａＡ １−０３の別の長所は、ＬａＡ ｊ！ Ｏｘの
高周波特性である。ＬａＡ ！！０＋の誘電定数は２０
より小さく、５ｒＴｉＯｓの誘電定数が室温で３００．
４．２°Ｋ（液体ヘリウム温度）において１８，０００
であるのと対照的である。ＬａＡ １０３の損失正接は
？？”Ｋにおいて８Ｘ１０−’であり、また４、２”Ｋ
において５ Ｘ １０−１′であって、これはサファイ
アの損失正接に比肩し得る。
高周波特性である。ＬａＡ ！！０＋の誘電定数は２０
より小さく、５ｒＴｉＯｓの誘電定数が室温で３００．
４．２°Ｋ（液体ヘリウム温度）において１８，０００
であるのと対照的である。ＬａＡ １０３の損失正接は
？？”Ｋにおいて８Ｘ１０−’であり、また４、２”Ｋ
において５ Ｘ １０−１′であって、これはサファイ
アの損失正接に比肩し得る。
第３図、第４図及び第５図は、積層ペロブスカイト銅酸
化物超電導体の薄膜で製造された若干のマイクロ波回路
素子のサブストレートとして、及び絶縁層としてのＬａ
Ａ １０３の使用を示す。第３図はジョセフソン接合３
０を示し、第４図は共面導波器３２を示し、そして第５
図はマイクロストリップ伝送ライン３４を示す。第３図
に示すように、超電導エレクトロニクスの基本的ビルデ
ィングブロックであるジョセフソン接合３０は、ＬａＡ
１０ｘサブストレート３６、サブストレート３６上に
沈積せしめた積層ペロブスカイト超電導体の薄膜３８、
超電導体膜３８上に沈積せしめたＬａＡ ｌ ０３の極
めて薄い絶縁１１４０、及び絶縁膜４０上に沈積せしめ
た積層ペロブスカイト超電導体の別の薄膜４２を含む。
化物超電導体の薄膜で製造された若干のマイクロ波回路
素子のサブストレートとして、及び絶縁層としてのＬａ
Ａ １０３の使用を示す。第３図はジョセフソン接合３
０を示し、第４図は共面導波器３２を示し、そして第５
図はマイクロストリップ伝送ライン３４を示す。第３図
に示すように、超電導エレクトロニクスの基本的ビルデ
ィングブロックであるジョセフソン接合３０は、ＬａＡ
１０ｘサブストレート３６、サブストレート３６上に
沈積せしめた積層ペロブスカイト超電導体の薄膜３８、
超電導体膜３８上に沈積せしめたＬａＡ ｌ ０３の極
めて薄い絶縁１１４０、及び絶縁膜４０上に沈積せしめ
た積層ペロブスカイト超電導体の別の薄膜４２を含む。
２つの超電導膜３８．４２はジョセフソン接合３０の電
極であり、絶縁膜４０はトンネル効果を生せしめるため
の障壁である。トンネル効果を発生させるためには、絶
縁膜４０は２０乃至３０人程度に極めて薄くしなければ
ならない。
極であり、絶縁膜４０はトンネル効果を生せしめるため
の障壁である。トンネル効果を発生させるためには、絶
縁膜４０は２０乃至３０人程度に極めて薄くしなければ
ならない。
第４図に示す共面導波器３２はＬａＡ ｌ Ｏ：１サブ
ストレート４４を含み、このサブストレート４４上に、
巾の狭い積層ペロブスカイト超電導体の薄膜４６と、こ
の薄膜４６の両側に巾の広い２つの積層ペロブスカイト
超電導体の薄膜４８とが沈積せしめられている。狭い超
電導膜４６は導波器３２の導体であり、２つの広い超電
導膜４Ｂは導波器３２の壁である。
ストレート４４を含み、このサブストレート４４上に、
巾の狭い積層ペロブスカイト超電導体の薄膜４６と、こ
の薄膜４６の両側に巾の広い２つの積層ペロブスカイト
超電導体の薄膜４８とが沈積せしめられている。狭い超
電導膜４６は導波器３２の導体であり、２つの広い超電
導膜４Ｂは導波器３２の壁である。
第５図に示すマイクロストリップ伝送ライン３４はＬａ
Ａ １０＋サブストレート５０を含み、このサブストレ
ート５０上に積層ペロブスカイト超電導体の薄膜５２が
沈積せしめられ、この超電導膜５２上にＬａＡ １０＊
の絶縁用薄膜５４が沈積せしめられ、更に絶縁膜５４上
に積層ペロブスカイト超電導体の巾の狭い薄膜５６が沈
積せしめられている。超電導体膜５２はマイクロストリ
ップ伝送ライン３４のグラウンドプレーンであり、絶縁
膜５４は誘電体であり、超電導体膜５６は導体である。
Ａ １０＋サブストレート５０を含み、このサブストレ
ート５０上に積層ペロブスカイト超電導体の薄膜５２が
沈積せしめられ、この超電導膜５２上にＬａＡ １０＊
の絶縁用薄膜５４が沈積せしめられ、更に絶縁膜５４上
に積層ペロブスカイト超電導体の巾の狭い薄膜５６が沈
積せしめられている。超電導体膜５２はマイクロストリ
ップ伝送ライン３４のグラウンドプレーンであり、絶縁
膜５４は誘電体であり、超電導体膜５６は導体である。
このデバイスにおいては、絶縁膜５４は、ジョセフソン
接合３０の場合の数十人とは異なり、数千人厚である。
接合３０の場合の数十人とは異なり、数千人厚である。
マイクロストリップ伝送ライン３４は殆んど分散されず
、低損失で高周波電気信号を輸送する。
、低損失で高周波電気信号を輸送する。
アルミン酸ランタンの絶縁用薄膜及び積層ペロブスカイ
ト超電導体の薄膜は、２つの基本プロセス（両者共周知
である）の一方によってＬａＡ １０３サブストレート
上に沈積せしめることができる。
ト超電導体の薄膜は、２つの基本プロセス（両者共周知
である）の一方によってＬａＡ １０３サブストレート
上に沈積せしめることができる。
プロセスの一方は超電導体化合物から開始され、次でこ
の化合物を若干の方法の１つによってサブストレート上
に沈積せしめる。他方のプロセスは構成元素から開始さ
れ、実際の化合物をサブストレート上に形成させる。前
者のプロセスは遂行するのが最も容易であり、化合物の
ペレットから開始される。ペレットは遊離した超電導体
材料がサブストレート上に着床し、薄膜の被膜を形成す
るように霧化される。ペレットは、例えばレーザ（レー
ザアブレーション）、アルゴンのような非反応性ガスの
イオン流（スパッタ沈積）、或は蒸気噴霧ノズルを使用
して霧化できる。
の化合物を若干の方法の１つによってサブストレート上
に沈積せしめる。他方のプロセスは構成元素から開始さ
れ、実際の化合物をサブストレート上に形成させる。前
者のプロセスは遂行するのが最も容易であり、化合物の
ペレットから開始される。ペレットは遊離した超電導体
材料がサブストレート上に着床し、薄膜の被膜を形成す
るように霧化される。ペレットは、例えばレーザ（レー
ザアブレーション）、アルゴンのような非反応性ガスの
イオン流（スパッタ沈積）、或は蒸気噴霧ノズルを使用
して霧化できる。
以上の説明から、本発明が超電導体の分野に重要な前進
をもたらすことが理解されよう。本発明の若干の好まし
い実施例を説明したが、本発明の思想及び範囲から逸脱
することなく他の適用及び変更が可能であることは明白
であろう。例えば、積層ペロブスカイト超電導体の格子
定数の数％以内の格子定数を有するクロム酸希土及び他
のアルミン酸希土も、これらの化合物が超電導体と重大
な相互作用を起さず、良好な高周波特性を有し、また非
強磁性及び非強誘電性であれば、適当なサブストレート
である。
をもたらすことが理解されよう。本発明の若干の好まし
い実施例を説明したが、本発明の思想及び範囲から逸脱
することなく他の適用及び変更が可能であることは明白
であろう。例えば、積層ペロブスカイト超電導体の格子
定数の数％以内の格子定数を有するクロム酸希土及び他
のアルミン酸希土も、これらの化合物が超電導体と重大
な相互作用を起さず、良好な高周波特性を有し、また非
強磁性及び非強誘電性であれば、適当なサブストレート
である。
第１図はＹ＋Ｂａ２Ｃｕ３０７で表わされる積層ペロブ
スカイト超電導体の薄膜を沈積せしめたアルミン酸ラン
タン（ＬａＡ １０３）の結晶構造を示す図であり、第
２図はアルミン酸ランタンの単位セル構造を示す図であ
り、 第３図は本発明によるジョセフソン接合の部分断面図で
あり、 第４図は本発明による共面導波器の部分断面図であり、 第５図は本発明によるマイクロストリップ伝送ラインの
部分断面図である。 １０．３６．４４．５０・・・・・・サブストレート、
１２．３８，４２．４６．４Ｂ、５２．５６・・・・・
・積層ペロブスカイト超電導体、１４・・・・・・ラン
タン、１６・・・・・・アルミニウム、１８・・・・・
・酸素、２ｏ・旧・・イツトリウム、２２・・・・・・
バリウム、２４・・・・・・銅、２６・・・・・・超電
導電流方向、３０・・・・・・ジョセフソン接合、３２
・・・・・・共面導波器、３４・・・・・・マイクロス
トリップ伝送ライン、４０．５４・旧・・絶縁膜。 ＦＩＧ、１ 図面の浄書（内容に変更２し）
スカイト超電導体の薄膜を沈積せしめたアルミン酸ラン
タン（ＬａＡ １０３）の結晶構造を示す図であり、第
２図はアルミン酸ランタンの単位セル構造を示す図であ
り、 第３図は本発明によるジョセフソン接合の部分断面図で
あり、 第４図は本発明による共面導波器の部分断面図であり、 第５図は本発明によるマイクロストリップ伝送ラインの
部分断面図である。 １０．３６．４４．５０・・・・・・サブストレート、
１２．３８，４２．４６．４Ｂ、５２．５６・・・・・
・積層ペロブスカイト超電導体、１４・・・・・・ラン
タン、１６・・・・・・アルミニウム、１８・・・・・
・酸素、２ｏ・旧・・イツトリウム、２２・・・・・・
バリウム、２４・・・・・・銅、２６・・・・・・超電
導電流方向、３０・・・・・・ジョセフソン接合、３２
・・・・・・共面導波器、３４・・・・・・マイクロス
トリップ伝送ライン、４０．５４・旧・・絶縁膜。 ＦＩＧ、１ 図面の浄書（内容に変更２し）
Claims (10)
- １．アルミン酸ランタン（ＬａＡｌＯ＿３）のウェーハ
からなる、積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜
を沈積させるためのサブストレート。 - ２．アルミン酸ランタン（ＬａＡｌＯ＿３）のサブスト
レート上に積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜
を沈積せしめる段階からなるサブストレート上に該超電
導体の薄膜を形成する方法。 - ３．アルミン酸ランタン（ＬａＡｌＯ＿３）のサブスト
レート、及び ＬａＡｌＯ＿３のサブストレート上に沈積せしめた１或
はそれ以上の積層ペロブスカイト超電導体の薄膜 からなる超電導マイクロ波回路素子。 - ４．超電導薄膜が： サブストレート上に沈積せしめた第１の積層ペロブスカ
イト超電導体の薄膜； 第１の超電導体薄膜上に沈積せしめたＬａＡｌＯ＿３の
絶縁用薄膜；及び 絶縁用薄膜上に沈積せしめた第２の積層ペロブスカイト
超電導体の薄膜 を含み； ２つの超電導体膜をジョセフソン接合の電極とし、絶縁
用膜をトンネル効果を生ぜしめるための障壁とした 請求項３記載の超電導マイクロ波回路素子。 - ５．超電導薄膜が： サブストレート上に沈積せしめた積層ペロブスカイト超
電導体の狭い薄膜；及び 狭い超電導体膜の両側のサブストレート上に沈積せしめ
た積層ペロブスカイト超電導体の２つの巾広い薄膜 を含み； 狭い超電導体膜を共面導波器の導体とし、２つの巾広い
超電導体膜を導波器の壁とした 請求項３記載の超電導マイクロ波回路素子。 - ６．超電導薄膜が： サブストレート上に沈積せしめた積層ペロブスカイト超
電導体の薄膜； 超電導体膜上に沈積せしめたＬａＡｌＯ＿３の絶縁用薄
膜；及び 絶縁用膜上に沈積せしめた積層ペロブスカイト超電導体
の狭い薄膜 を含み； 超電導体薄膜をマイクロストリップ伝送ラインのグラウ
ンドプレーンとし、絶縁用膜を誘電体とし、狭い超電導
体膜を導体とした 請求項３記載の超電導マイクロ波回路。 - ７．アルミン酸ランタン（ＬａＡｌＯ＿３）のサブスト
レートを形成し； ＬａＡｌＯ＿３のサブストレート上に１或はそれ以上の
積層ペロブスカイト超電導体の薄膜を沈積せしめる 諸段階からなる超電導マイクロ波回路素子を製造する方
法。 - ８．沈積段階が： サブストレート上に第１の積層ペロブスカイト超電導体
の薄膜を沈積せしめ； 第１の超電導体膜上にＬａＡｌＯ＿３の絶縁用薄膜を沈
積せしめ； 絶縁用膜上に第２の積層ペロブスカイト超電導体の薄膜
を沈積せしめる 諸段階を含み； ２つの超電導体膜をジョセフソン接合の電極とし、絶縁
用膜をトンネル効果を生ぜしめるための障壁とする 請求項７記載の超電導マイクロ波回路素子を製造する方
法。 - ９．沈積段階が： サブストレート上に積層ペロブスカイト超電導体の狭い
薄膜を沈積せしめ； 狭い超電導体膜の両側のサブストレート上に積層ペロブ
スカイト超電導体の２つの巾広い薄膜を沈積せしめる 諸段階を含み； 狭い超電導体膜を共面導波器の導体とし、２つの巾広い
超電導体膜を導波器の壁とする 請求項７記載の超電導マイクロ波回路素子を製造する方
法。 - １０．沈積段階が： サブストレート上に積層ペロブスカイト超電導体の薄膜
を沈積せしめ； 超電導体膜上にＬａＡｌＯ＿３の絶縁用薄膜を沈積せし
め； 絶縁用膜上に積層ペロブスカイト超電導体の狭い薄膜を
沈積せしめる 諸段階を含み； 超電導体膜をマイクロストリップ伝送ラインのグラウン
ドプレーンとし、絶縁用膜を誘電体とし、狭い超電導体
膜を導体とする 請求項７記載の超電導マイクロ波回路素子を製造する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/233,637 US5523282A (en) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | High-frequency substrate material for thin-film layered perovskite superconductors |
| US233637 | 2002-09-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0291982A true JPH0291982A (ja) | 1990-03-30 |
| JP2664491B2 JP2664491B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=22878080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1211214A Expired - Fee Related JP2664491B2 (ja) | 1988-08-18 | 1989-08-16 | 積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜のためのサブストレート、このサブストレートからなる超電導マイクロ波回路素子、及びそれを製造する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (10) | US5523282A (ja) |
| EP (1) | EP0359411B1 (ja) |
| JP (1) | JP2664491B2 (ja) |
| DE (1) | DE68924630T2 (ja) |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH02137379A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トンネル接合素子 |
| JPH0319382A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トンネル接合形ジョセフソン素子 |
| JPH04232251A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-08-20 | Electron & Telecommun Res Inst | ランタンアルミネート薄膜の形成方法 |
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