KR100717960B1 - 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조 및그 제조방법 - Google Patents

초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조 및그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 단결정 기판과, RBa2Cu3O7로 표현되며, 상기 R은 Sm, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, 상기 단결정 기판 위에 증착되어 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물 박막과,상기 전도성 산화물 박막 위에 증착되는 강유전체 박막을 포함하는 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 요구되는 특성인 표면 거칠기가 나노미터 정도일 것과 결정학적 정렬성이 우수할 것과 강유전체 도메인의 표면 전위가 충분히 클 것과 같은 조건을 만족하는 매체구조를 실현할 수 있다.
강유전체 박막, 고온 초전도 특성, 나노스토리지, 전도성 산화물, 전극

Description

초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조 및 그 제조방법{A NANOSTORAGE FERROELECTRIC MEDIA STRUCTURE USING A SUPERCONDUCTING ELECTRODE AND A METHOD FOR　MANUFACTURING THEREOF}
도 1은 종래 기술에 따른 강유전체 매체구조를 도시하는 도면.
도 2는 본 발명에 따른 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조를 도시하는 도면.
도 3은 LSCO(PL-계열), YBCO(PY-계열) 및 SmBCO(PS-계열)로 구성된 각 하부 전극에 PZT 박막을 증착하고 각 증착 시간에 따른 AFM 데이터를 나타내는 도면.
도 4는 LSCO 하부 전극위에 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착한 PZT 박막에 대한 X선 회절 데이터를 나타내는 도면.
도 5는 YBCO 하부 전극 위에 증착된 PZT 박막에서 형성된 강유전 도메인의 표면 전위를 나타내는 도면.
도 6은 각각의 하부 전극위에 증착된 PZT 박막의 표면 전위의 프로파일과 그래디언트를 나타내는 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: MgO 기판 120: 하부 전극
140: STO 160: BTO
180: 상부 전극
200: 기판 220: 하부 전극
240: 강유전체 박막
본 발명은 나노스토리지(nanostorage) 강유전체 매체구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 요구되는 특성인 표면 거칠기가 나노미터 정도일 것과 결정학적 정렬성이 우수할 것과 강유전체 도메인의 표면 전위가 충분히 클 것과 같은 조건을 만족시키는 하부 전극을 채택한 나노스토리지 강유전체 매체구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
나노스토리지는 SPM(scanning probe microscope) 헤드와 강유전체 물질 등을 사용한 비휘발성 매체를 사용하는 차세대 정보저장장치이다. 산화물 유전체 중에서 강유전체 산화물은 기타의 유전체와는 달리 전원이 끊어진 상태에서도 유지되는 잔류분극을 가지고 있으므로, 강유전체를 사용한 나노스토리지는 물질의 안정성과 정보의 입력 및 출력 속도에서 장점을 가지며 그 응용 가능성이 높은 매체로 많은 연구가 진행되고 있다.
이러한 강유전체 산화물중에서 페로브스카이트 구조를 가지는 산화물 재료는 다양한 물리적 특성을 가지고 있어서 비휘발성 반도체 메모리, 압전 소자, 초전도 소자 등에 다양하기 이용되며, 대표적으로는 BaTiO3, SrTiO3, (Ba,Sr)TiO3, (Pb,Zr)TiO3 등이 있다.
강유전체를 이용한 나노스토리지가 구현되기 위해서는 해결해야 할 많은 과제들이 있지만, 그 중에서도 가장 중요한 것은 표면 거칠기가 나노미터 정도로 유지되는 단결정성 강유전체 박막을 적당한 전극 물질위에 증착하는 것이다. 또한, 이러한 구조를 가지는 강유전체 박막에 강유전체 도메인을 형성하고 SPM으로 판독할 때 출력 신호의 크기의 차이, 예컨대 표면 전위의 차이가 커야 한다는 것도 중요한 과제이다.
기존의 강유전체 매체구조는 PS(platinized silicon)라는 상용의 저가 하부 전극위에 다결정성 강유전체가 증착된 매체구조와, SrRuO3 또는 (La,Sr)CoO3(이하 "LSCO"라 함)등의 전도성 산화물 하부 전극위에 단결정성 강유전체가 증착된 매체구조로 크게 구분할 수 있다.
PS를 이용하는 매체구조는 강유전체와 실리콘 사이에 위치하는 백금전극을 포함하여 왔다. 귀금속인 백금은 강유전체로부터 아래에 놓인 실리콘으로 산소가 확산하는 것을 방지하는 역할을 한다. 그러나 백금은 금속이며, 조심스럽게 성장하지 않는다면 다결정층을 형성한다. 따라서, 그 위에 증착된 강유전체의 재생성 및 신뢰성에 문제를 발생시키게 되며, 다수의 입자경계를 갖는 임의 배향(orientation)을 갖는 문제점이 있다.
전도성 산화물을 이용하는 방법은 일반적인 강유전체의 페로브스카이트 결정구조와 동일한 구조를 가지는 전도성 산화물, 예컨대 LSCO를 하부 전극으로 이용하는 방법이다. 페로브스카이트 산화물은 페로브스카이트 강유전체에 대해 성장판으로서 작용하는 것 뿐만 아니라 전극으로서 작용한다.
이와는 달리, 하부의 전도성 산화물 전극으로 강유전층에 악영향을 미치지 않는 백금층을 사용할 수도 있다. 그러나 백금은 집적회로 제조 공정에서 식각이 곤란한 문제점이 있다. 따라서 백금은 강유전체 매체구조의 하부 레벨에서는 사용하기에 문제점이 있다.
이러한 문제점 때문에 PS를 하부 전극으로 가지는 다결정성 강유전체 매체구조에 비해서 SrRuO3, LSCO와 같은 전도성 산화물을 하부 전극으로 가지는 단결정성 강유전체 구조가 표면 거칠기나 결정학적 정렬성, 강유전체 도메인의 표면 전위의 차이 면에서 장점을 보이므로 단결정성 강유전체 구조가 나노스토리지 용으로 이용되기에 더 적합한 것으로 간주되고 있다.
예컨대, 학교법인 성균관대학에 의해서 출원되고, 2003년 8월 30일자로 공개된 "다층산화물 인공격자를 갖는 소자 및 이의 제조방법"이라는 명칭의 한국특허공개번호 특2003-0070295호에 LSCO를 하부 전극으로 채택하는 나노스토리지 강유전체 매체구조가 개시되어 있다.
도 1은 상기 한국특허공개번호 특2003-0070295호에 개시된 종래의 매체구조를 나타내는 도면이다. 도면을 참조로 하면, 종래의 매체구조는 기판(100)과 하부 전극(120)과 유전체 물질인 STO(SrTiO3) 박막(140) 및 BTO(BaTiO3) 박막(160)과 상부 전극(180)을 포함하고 있다.
기판(120)으로서는 MgO 기판을 사용하고 있으며, 하부 전극(120)으로서는 LSCO를 사용하고 있으며, 유전체 물질로서는 상기 STO 또는 BTO 이외에도 페로브스카이트 구조를 가지는 KNbO3, KTaO3, PbTiO3, PbZrO3, CaTiO 3 등을 사용하고 있으며, 상부 전극(180)으로는 백금 박막을 사용하고 있다. 또한 상기 유전체 물질은 동일한 방위성을 가지도록 적층되어 있다.
그러나 이러한 전도성 산화물을 하부 전극으로 사용하는 단결정성 강유전체 매체구조에 대해서는 체계적인 연구가 이루어지지 않은 상황이며 현재까지 나노스토리지를 위한 매체구조에 있어서 하부 전극용으로 최적인 물질을 선정하지 못하고 있다.
본 발명의 목적은 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 요구되는 특성인 표면 거칠기가 나노미터 정도일 것과 결정학적 정렬성이 우수할 것과 강유전체 도메인의 표면 전위가 충분히 클 것과 같은 조건을 만족하는 매체구조를 실현할 수 있는 것인 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 단결정 기판과, RBa2Cu3O7로 표현되며, 상기 R은 Sm, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, 상기 단결정 기판 위에 증착되어 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물 박막과,상기 전도성 산화물 박막 위에 증착되는 강유전체 박막을 포함하는 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조를 제공한다.
또한 본 발명의 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에서, 상기 단결정 기판은 LaAlO3 단결정 기판인 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에서, 상기 강유전체 박막은 Pb(Zr,Ti)O3 박막인 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에서,상기 전도성 산화물 박막은 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에서, 상기 강유전체 박막은 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에서, 상기 강유전체 박막은 3분 정도의 시간동안 증착되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명은, 단결정 기판 위에 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물 박막을 증착하는 단계와, 상기 전도성 산화물 박막 위에 강유전체 박막을 증착하는 단계를 포함하는 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조의 제작방법을 제공한다.
본 발명의 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조의 제작방법에서, 상기 전도성 산화물 박막은 RBa2Cu3O7로 표현되는 고온 초전도 물질이며, 상기 R은 Y, Sm, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명의 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조의 제작방법에서, 상기 강유전체 박막은 3분 정도의 시간동안 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착되는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조를 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조를 도시하는 도면이다.
도시되듯이, 본 발명에 따른 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조는 단결정 기판(200)과, 전도성 산화물 박막(220)과, 강유전체 박막(240)을 포함한다.
단결정 기판(200)은 예컨대 LaAlO3 단결정 기판을 사용할 수 있다.
전도성 산화물 박막(220)은 상기 단결정 기판 위에 증착되어 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 물질로 구성된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서는 YBa2Cu3O7를 채택하지만, 그 밖의 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물을 사용할 수 있다. 예컨대, RBa2Cu3O7로 표현되는 고온 초전도 물질일 수 있으며, 상기 R은 Y, Sm, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 구성되는 그룹으로부터 선택될 수 있다.
강유전체 박막(240)은 상기 전도성 산화물 박막 위에 증착되는 강유전체 물질로 구성된 박막이다. 강유전체 박막(240)은 예컨대 Pb(Zr,Ti)O3로 구성된 박막일 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니며, SrTiO3, BaTiO3, KNbO3, KTaO3 , CaTiO3 로 구성되는 그룹으로부터 선택될 수 있다.
이러한 전도성 산화물 박막(220)이나 강유전체 박막(240)을 증착하는 경우 화학기상증착법, 물리기상증착법, 스퍼터링, 분자빔 에피택시법 등 다양한 증착법을 사용할 수 있다. 그러나, 펄스 레이저 증착법은 저항을 이용해 가열할 수 있기 때문에 온도 제어가 쉽고, 가용한 에너지원은 1-1000 eV 사이로 쉽게 에너지 파워를 조절할 수 있고, 다층 구조의 구조 제작이 쉬우며 증착률이 높고, 챔버의 반응가스 압력의 범위가 휠씬 넓으며 증착되는 물질을 자유롭게 주입할 수 있다는 장점을 지닌다.
따라서 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 기본적으로는 펄스 레이저 증착법을 이용하여 전도성 산화물 박막(220)이나 강유전체 박막(240)을 증착하지만 본 발명의 청구범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 본 발명의 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조의 제작방법에 대한 설명은 상기 도 2를 참조로 한 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조와 설명이 중복되므로 생략한다.
이하 본 발명에 따른 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조와 종래의 강유전체 매체구조를 비교하여 설명한다.
우선 표면 거칠기가 나노미터 정도일 것이라는 조건을 확인하기 위해서 종래의 강유전체 매체구조에서 사용되는 LSCO와 본 발명에 따른 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 사용되는 YBa2Cu3O7(이하 "YBCO"라 함), SmBa2Cu3O7(이하 "SmBCO"라 함) 등의 다양한 전도성 산화물 박막을 하부 전극으로 사용하고 또한 강유전체인 Pb(Zr,Ti)O3(이하 "PZT"라 함) 박막의 증착 시간을 조절하여 다양한 계면 상태에 따라 그레인(grain)의 크기와 표면 거칠기를 실험을 통하여 검사하였다. 각 하부 전극과 증착 시간에 대해서 그레인의 크기와 표면 거칠기가 변화할 것으로 기대하였고, 기판과 박막들의 격자 상수와 결정 구조가 비슷하므로 단결정성 강유전체 박막을 제작할 수 있을 것으로 기대하였다.
도 3은 LaAlO3 단결정 기판 위에 LSCO, YBCO, SmBCO를 각각 하부 전극으로 증착하고, 상기 하부 전극 위에 PZT 박막을 펄스 레이저 증착법으로 각각 1분, 3분, 5분간 증착한 시편의 AFM(atomic force microscopy) 데이터를 도시한다. 도 3에서 PL-1, PL-3, PL-5는 각각 LSCO를 하부 전극으로 하고 PZT 박막을 1분, 3분 또는 5분간 증착한 것을 의미하며, PS-1, PS-3, PS-5는 각각 SmBCO를 하부 전극으로 하고 PZT 박막을 1분, 3분 또는 5분간 증착한 것을 의미하며, 또한 PY-1,PY-3, PY-5는 각각 YBCO를 하부 전극으로 하고 PZT 박막을 각각 1분, 3분 또는 5분간 증착한 시편을 의미한다.
도 3을 참조하면, 증착된 모든 박막들은 RMS(root-mean-square) 거칠기가 10 nm 보다 작아서 나노미터 정도의 RMS 거칠기를 가진다. 특히, YBCO를 하부 전극으로 사용한 PZT 박막의 경우 1-2 nm 정도의 가장 작은 RMS 거칠기를 나타내고 있다.
또한 강유전체 박막의 그레인 크기는 크게 변하지는 않는데, 대체로 PZT 박 막의 증착 시간이 길어질수록, 즉, PZT 박막의 두께가 두꺼울수록 그레인 크기가 커진다. 여러 가지 하부 전극 물질 중에서는 YBCO가 사용된 경우 PZT의 그레인 크기가 80 nm에서 120 nm 정도로 가장 작은 것을 확인할 수 있었다.
도 3을 참조하면, 종래의 LSCO를 하부 전극으로 사용하는 매체구조에 비해서 YBCO, SmBCO를 하부 전극으로 사용하는 본 발명에 따른 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 표면 거칠기 특성이 우수한 것을 확인할 수 있었다.
또한 결정학적 정렬성을 검사하기 위해서 각 시편에 대해서 X선 회절 검사를 실시하였다. 도 4는 LSCO 하부 전극 위에 펄스 레이저 증착법으로 증착된 PZT 박막들의 XRD(X선 회절) 데이터이다. 도시된 바와 같이, PZT 박막의 두께에 상관없이 증착된 박막들은 모두 (100) 혹은 (001) 방향의 첨두치(peak)들만을 보여주고 있어 박막의 정렬 상태가 우수함을 알 수 있다. 마찬가지로 YBCO, SmBCO 하부 전극 위에 증착된 PZT도 마찬가지로 박막의 정렬 상태가 우수한 구조적 특성을 보이고 있다.
도 4를 참조하면, 결정학적 정렬성은 종래의 LSCO를 하부 전극으로 사용하는 매체구조나 YBCO, SmBCO를 하부 전극으로 사용하는 본 발명에 따른 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조 모두에서 박막의 정렬 상태가 우수함을 확인할 수 있었다.
또한 증착된 PZT 박막들의 강유전성을 확인하기 위하여 강유전 도메인을 AFM 모드에서 ±5V의 DC 전압을 가하여 기록한 다음, KFM(Kelvin force microscopy) 모드를 사용하여 표면 전위를 측정함으로써 각 시편에 대해서 강유전 도메인의 형성 여부와 분극화(polarization)의 크기를 상대적으로 비교하였다.
도 5는 YBCO 하부 전극 위에 증착된 PZT 박막에서 형성된 강유전 도메인과 각각의 표면 전위 프로파일을 도시한다. 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에서 PY-1, PY-3, PY-5는 각각 PZT 박막이 1분, 3분 또는 5분 간 증착된 경우를 의미한다.
도 5의 (a)는 각각의 표면 전위를 3차원적으로 도시한 그래프이며, 도 5의 (b)는 표면 전위 프로파일이다. 도시된 바와 같이, 1분간 증착된 PZT 박막(PY-1)에 비해서 3분(PY-3) 혹은 5분(PY-5)간 증착된 PZT 박막의 표면 전위의 변화 폭이 크게 관측되었으며, 특히 3분간 증착된 PZT 박막의 표면 전위의 변화가 가장 큰 것으로 관측되었다.
1분간 증착된 PZT 박막(PY-1)에 대한 데이터에서 표면 전위의 변화폭이 작은 것은, PZT 박막이 얇을 경우 계면층의 효과가 극대화되어 나타나므로 하부 계면에 비강유전성 계면층이 형성되었을 가능성이 있는 것을 나타낸다.
또한 3분 동안 증착된 PZT 박막(PY-3)이 5분 동안 증착된 PZT 박막(PY-5)보다 더 큰 표면 전위의 변화 폭을 보여주는 것은 같은 전압으로 도메인을 형성하더라도 상대적으로 얇은 박막에 걸리는 전기장이 크기 때문인 것으로 판단된다.
도 6은 각각의 하부 전극위에 증착된 PZT 박막의 표면 전위의 프로파일과 그래디언트를 나타내는 도면이다. 도 6의 (a)는 각각의 하부 전극에 대한 표면 전위의 프로파일을 도시하며, 도 6의 (b)는 표면 전위의 그래디언트를 도시한다. 즉 LSCO, YBCO, SmBCO를 각각 하부 전극으로 증착하고 그 위에 PZT 박막을 증착한 경우의 표면 전위 및 그 그래디언트를 도시한다. 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에서, PL3는 LSCO를 하부 전극으로 하고 PZT 박막을 3분간 증착한 것을 의미하며, PS3는 SmBCO를 하부 전극으로 하고 PZT 박막을 3분간 증착한 것을 의미하며, 또한 PY3는 YBCO를 하부 전극으로 하고 PZT 박막을 3분간 증착한 것을 의미한다. 도시된 바와 같이, AFM 모드에서 측정한 강유전 도메인에서의 표면 전위의 프로파일은 하부 전극의 구성물질에 따라 큰 차이를 보였다.
도 6의 (a)에 도시된 바와 같이 YBCO 위에 3분 동안 증착된 PZT 박막(PY3)의 표면 전위 프로파일이 가장 큰 변화폭을 보이며, LSCO 위에 3분 동안 증착된 PZT 박막(PL3)의 표면 전위 프로파일이 가장 작은 변화폭을 보인다.
또한, 도 6의 (b)에서 도시된 바와 같이 반대 방향으로 정렬된 강유전 도메인들의 경계에서 표면 전위의 그래디언트 값도 LSCO위에 증착된 PZT 박막(PY3)이 가장 큰 값을 보이고, LSCO 위에 증착된 PZT 박막(PL3)이 가장 작은 값을 보인다. 강유전체의 표면 전위는 분극화의 크기와 관련이 있으므로, YBCO 위에 증착된 PZT 박막(PY3)이 가장 큰 분극화 특성을 가지고 있고 서로 다른 방향의 강유전 도메인의 경계도 가장 명확히 정의된다는 것을 알 수 있다.
이 데이터들과 도 3에 도시된 AFM 데이터를 비교하면, 작고 균일한 크기의 그레인과 평탄한 표면이 강유전체 박막의 분극화의 크기와 도메인의 경계에 좋은 영향을 미치는 것으로 판단된다.
이와 같이 도 6을 참조하면, 종래의 LSCO를 하부 전극으로 사용하는 매체구조에 비해서 YBCO, SmBCO를 하부 전극으로 사용하는 본 발명에 따른 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 강유전체 도메인의 표면 전위의 차이가 큰 것을 확인할 수 있었다.
상기 비교 결과를 참조로 하면, 나노스토리지용 강유전체 매체구조에서 종래의 LSCO를 하부 전극으로 사용하는 매체구조에 비해서 YBCO, SmBCO를 하부 전극으 로 사용하는 본 발명에 따른 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조가 그 특성이 우수함을 확인할 수 있다.
비록 본원 발명이 구성이 예시적으로 설명되었지만 이는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 보호 범위가 이들 예시에 의해 제한되는 것은 아니며, 본원 발명의 보호 범위는 청구범위의 기재를 통하여 정하여진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 요구되는 특성인 표면 거칠기가 나노미터 정도일 것과 결정학적 정렬성이 우수할 것과 강유전체 도메인의 표면 전위가 충분히 클 것과 같은 조건을 만족하는 매체구조를 실현할 수 있다.

Claims (10)

  1. 단결정 기판과,
    RBa2Cu3O7로 표현되며, 상기 R은 Sm, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, 상기 단결정 기판 위에 증착되어 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물 박막과,
    상기 전도성 산화물 박막 위에 증착되는 강유전체 박막
    을 포함하는 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단결정 기판은 LaAlO3 단결정 기판인 것인 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조.
  3. (삭제)
  4. 제1항에 있어서, 상기 강유전체 박막은 Pb(Zr,Ti)O3 박막인 것인 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전도성 산화물 박막은 펄스 레이저 증착법(pulsed laser deposition)을 이용하여 증착되는 것인 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조.
  6. 제1항에 있어서, 상기 강유전체 박막은 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착되는 것인 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조.
  7. 제6항에 있어서, 상기 강유전체 박막은 3분 정도의 시간동안 증착되는 것인 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조.
  8. 단결정 기판 위에 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물 박막을 증착하는 단계와,
    상기 전도성 산화물 박막 위에 강유전체 박막을 증착하는 단계를 포함하는 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조의 제작방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전도성 산화물 박막은 RBa2Cu3O7로 표현되는 고온 초전도 물질이며, 상기 R은 Y, Sm, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것인 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조의 제작방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 강유전체 박막은 3분 정도의 시간동안 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착되는 것인 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체 구조의 제작방법.
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