JP2664491B2 - 積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜のためのサブストレート、このサブストレートからなる超電導マイクロ波回路素子、及びそれを製造する方法 - Google Patents
積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜のためのサブストレート、このサブストレートからなる超電導マイクロ波回路素子、及びそれを製造する方法Info
- Publication number
- JP2664491B2 JP2664491B2 JP1211214A JP21121489A JP2664491B2 JP 2664491 B2 JP2664491 B2 JP 2664491B2 JP 1211214 A JP1211214 A JP 1211214A JP 21121489 A JP21121489 A JP 21121489A JP 2664491 B2 JP2664491 B2 JP 2664491B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- superconductor
- substrate
- copper oxide
- depositing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims description 77
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 38
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 33
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 title claims description 30
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 19
- -1 lanthanum aluminate Chemical class 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-NJFSPNSNSA-N oxygen-18 atom Chemical compound [18O] QVGXLLKOCUKJST-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
- H01P11/003—Manufacturing lines with conductors on a substrate, e.g. strip lines, slot lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/003—Coplanar lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0604—Monocrystalline substrates, e.g. epitaxial growth
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
- H10N60/124—Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/93—Electric superconducting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
- Y10S505/702—Josephson junction present
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
- Y10S505/703—Microelectronic device with superconducting conduction line
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/704—Wire, fiber, or cable
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/856—Electrical transmission or interconnection system
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/866—Wave transmission line, network, waveguide, or microwave storage device
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、一般的には積層（layered:層状）ペロブス
カイト銅酸化物超電導体に関し、より特定的には積層ペ
ロブスカイト銅酸化物超電導体を沈積（deposit:堆積）
せしめて高周波電子デバイス及び回路を形成させるため
のサブストレートに関する。
カイト銅酸化物超電導体に関し、より特定的には積層ペ
ロブスカイト銅酸化物超電導体を沈積（deposit:堆積）
せしめて高周波電子デバイス及び回路を形成させるため
のサブストレートに関する。
77゜Kの液体窒素温度以上の温度において超電導性を
呈する材料は極く最近発見されたばかりであり、この発
見は科学及び技術研究の世界的な爆発の引金となった。
液体窒素温度以上の温度において超電導性を呈した最初
の材料は、Y1Ba2Cu3O7で表わされる酸素が不足したイッ
トリウム、バリウム、銅及び酸素の積層ペロブスカイト
化合物であった。この発見以降、R1Ba2Cu3O7（Ｒは希土
類元素）で表わされる他の類似の積層ペロブスカイト銅
酸化物化合物も液体窒素温度以上の温度において超電導
となることが発見された。この特定群の積層ペロブスカ
イト銅酸化物超電導体は、銅酸化物内の各金属元素の原
子の数から、一般に“１−２−3"化合物と呼ばれてい
る。
呈する材料は極く最近発見されたばかりであり、この発
見は科学及び技術研究の世界的な爆発の引金となった。
液体窒素温度以上の温度において超電導性を呈した最初
の材料は、Y1Ba2Cu3O7で表わされる酸素が不足したイッ
トリウム、バリウム、銅及び酸素の積層ペロブスカイト
化合物であった。この発見以降、R1Ba2Cu3O7（Ｒは希土
類元素）で表わされる他の類似の積層ペロブスカイト銅
酸化物化合物も液体窒素温度以上の温度において超電導
となることが発見された。この特定群の積層ペロブスカ
イト銅酸化物超電導体は、銅酸化物内の各金属元素の原
子の数から、一般に“１−２−3"化合物と呼ばれてい
る。
更に最近に至って、より高い臨界温度（超電導が発生
する温度）を有する他の積層ペロスブカイト銅酸化物化
合物も発見された。これらの新しい化合物は、“１−２
−3"化合物が３つの金属元素を含むのに対して４つの金
属元素を包含し、希土類元素は含まない。これらの新化
合物は希土類元素の代りにビスマス或はタリウムのよう
な金属を含む。
する温度）を有する他の積層ペロスブカイト銅酸化物化
合物も発見された。これらの新しい化合物は、“１−２
−3"化合物が３つの金属元素を含むのに対して４つの金
属元素を包含し、希土類元素は含まない。これらの新化
合物は希土類元素の代りにビスマス或はタリウムのよう
な金属を含む。
積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の主長所は、従
来必要とされた液体ヘリウムを使用するよりも遥かに安
価で厄介ではない液体窒素を使用して超電導温度を維持
できることである。従って、これらの超電導体は多くの
新しい応用を見出すことが期待できる。既に研究されて
いる１つの主要な応用は集積回路であり、これらの新超
電導体の薄膜をサブストレート上に沈積せしめて例えば
ジョセフソン接合、導波器及びマイクロ波伝送ラインを
形成させるものである。これらの超電導回路素子を組合
わせて比肩するもの無き性能を有する高速、高周波数及
び低電力集積回路を形成することができる。
来必要とされた液体ヘリウムを使用するよりも遥かに安
価で厄介ではない液体窒素を使用して超電導温度を維持
できることである。従って、これらの超電導体は多くの
新しい応用を見出すことが期待できる。既に研究されて
いる１つの主要な応用は集積回路であり、これらの新超
電導体の薄膜をサブストレート上に沈積せしめて例えば
ジョセフソン接合、導波器及びマイクロ波伝送ラインを
形成させるものである。これらの超電導回路素子を組合
わせて比肩するもの無き性能を有する高速、高周波数及
び低電力集積回路を形成することができる。
しかしながら、積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体
の薄膜に最適特性を与えるためには、これらの超電導体
の結晶構造及び格子定数に精密に整合した結晶構造及び
格子定数を有するサブストレート上にしか成長させ得な
い。チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）はかかる材料の
１つであり、現在サブストレートとして使用されてい
る。不幸にもチタン酸ストロンチウムは、超電導温度に
おいて損失が大きく誘電定数が極めて高いために、高周
波数には不適である。従って良好な高周波特性を有し、
積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の結晶構造及び格
子定数に精密に整合する結晶構造及び格子定数を有する
サブストレート材料が要望されて来た。本発明はこの要
望を満たすものである。
の薄膜に最適特性を与えるためには、これらの超電導体
の結晶構造及び格子定数に精密に整合した結晶構造及び
格子定数を有するサブストレート上にしか成長させ得な
い。チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）はかかる材料の
１つであり、現在サブストレートとして使用されてい
る。不幸にもチタン酸ストロンチウムは、超電導温度に
おいて損失が大きく誘電定数が極めて高いために、高周
波数には不適である。従って良好な高周波特性を有し、
積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の結晶構造及び格
子定数に精密に整合する結晶構造及び格子定数を有する
サブストレート材料が要望されて来た。本発明はこの要
望を満たすものである。
本発明は積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜
を形成させるためのアルミン酸ランタン（LaAlO3）のサ
ブストレートに関する。擬立方ペロブスカイト結晶構造
を有するアルミン酸ランタンは、積層ペロブスカイト銅
酸化物超電導体の結晶構造及び格子定数に精密に整合す
る結晶構造及び格子定数を有している。従って、この材
料は超電導体のエピタキシャル膜成長を助長し、結晶は
高い臨界電流密度のような良き超電導電気特性のための
適切な方向に配向される。更にLaAlO3は、超電導温度に
おいて低損失正接及び低誘電定数のような良好な高周波
特性を有している。最後に、LaAlO3は超電導体と重大な
相互作用を起すことがない。LaAlO3は超電導層間の絶縁
用薄膜を形成するのにも使用可能であり、それによって
種々の超電導回路素子の製造を可能ならしめる。
を形成させるためのアルミン酸ランタン（LaAlO3）のサ
ブストレートに関する。擬立方ペロブスカイト結晶構造
を有するアルミン酸ランタンは、積層ペロブスカイト銅
酸化物超電導体の結晶構造及び格子定数に精密に整合す
る結晶構造及び格子定数を有している。従って、この材
料は超電導体のエピタキシャル膜成長を助長し、結晶は
高い臨界電流密度のような良き超電導電気特性のための
適切な方向に配向される。更にLaAlO3は、超電導温度に
おいて低損失正接及び低誘電定数のような良好な高周波
特性を有している。最後に、LaAlO3は超電導体と重大な
相互作用を起すことがない。LaAlO3は超電導層間の絶縁
用薄膜を形成するのにも使用可能であり、それによって
種々の超電導回路素子の製造を可能ならしめる。
以上の説明から本発明が超電導体の分野に重大な前進
をもたらすことが理解されよう。本発明の他の特色及び
長所は以下の添付図面に基く説明から明白になるであろ
う。
をもたらすことが理解されよう。本発明の他の特色及び
長所は以下の添付図面に基く説明から明白になるであろ
う。
図示の如く、本発明は積層ペロブスカイト銅酸化物超
電導体の薄膜を形成させるためのアルミン酸ランタン
（LaAlO3）のサブストレートに実現される。擬立方ペロ
ブスカイト結晶構造を有するアルミン酸ランタンは、積
層超電導体の結晶構造及び格子定数に精密に整合する結
晶構造及び格子定数を有している。従って、アルミン酸
ランタンは超電導体のエピタキシャル膜の成長を助長
し、結晶は高い臨界電流密度のような良き超電導電気特
性のための適切な方向に配向される。更に、アルミン酸
ランタンは、超電導温度において低損失正接及び低誘電
定数のような良好な高周波特性を有している。最後に、
アルミン酸ランタンは超電導体と重大な相互作用を起す
ことがない。アルミン酸ランタンは超電導層間の絶縁用
薄膜を形成するのにも使用可能であり、それによって種
々の超電導回路素子の製造を可能ならしめる。
電導体の薄膜を形成させるためのアルミン酸ランタン
（LaAlO3）のサブストレートに実現される。擬立方ペロ
ブスカイト結晶構造を有するアルミン酸ランタンは、積
層超電導体の結晶構造及び格子定数に精密に整合する結
晶構造及び格子定数を有している。従って、アルミン酸
ランタンは超電導体のエピタキシャル膜の成長を助長
し、結晶は高い臨界電流密度のような良き超電導電気特
性のための適切な方向に配向される。更に、アルミン酸
ランタンは、超電導温度において低損失正接及び低誘電
定数のような良好な高周波特性を有している。最後に、
アルミン酸ランタンは超電導体と重大な相互作用を起す
ことがない。アルミン酸ランタンは超電導層間の絶縁用
薄膜を形成するのにも使用可能であり、それによって種
々の超電導回路素子の製造を可能ならしめる。
第１図はアルミン酸ランタンサブストレート10と、そ
の上に沈積せしめられたY1Ba2Cu3O7なる式を有する積層
（層状）ペロブスカイト銅酸化物電導体12の薄膜との構
造を示す。第１図及び第２図に示すように、アルミン酸
ランタンの各単位セルは、１原子のランタン14、１原子
のアルミニウム16、３原子の酸素18を含む。図には単位
セルがより多くのアルミニウム及び酸素原子を含んでい
るように示されているが、これらのアルミニウム及び酸
素原子は実際には隣接する単位セルに共有されているの
である。第１図に示すように、積層ペロブスカイト銅酸
化物超電導体の各単位セルは、１原子のイットリウム2
0、２原子のバリウム22、３原子の銅24、及び７原子の
酸素18を含む。LaAlO3の格子定数が約3.80Åであり積層
ペロブスカイト銅酸化物超電導体の格子定数が約3.85Å
であるために、及び２つの化合物の結晶構造が精密に整
合しているために、積層ペロブスカイト銅酸化物超電導
体の結晶はアルミン酸ランタンの結晶に順応し、大きい
超電導電流を第１図に示す矢印26の方向に流す。
の上に沈積せしめられたY1Ba2Cu3O7なる式を有する積層
（層状）ペロブスカイト銅酸化物電導体12の薄膜との構
造を示す。第１図及び第２図に示すように、アルミン酸
ランタンの各単位セルは、１原子のランタン14、１原子
のアルミニウム16、３原子の酸素18を含む。図には単位
セルがより多くのアルミニウム及び酸素原子を含んでい
るように示されているが、これらのアルミニウム及び酸
素原子は実際には隣接する単位セルに共有されているの
である。第１図に示すように、積層ペロブスカイト銅酸
化物超電導体の各単位セルは、１原子のイットリウム2
0、２原子のバリウム22、３原子の銅24、及び７原子の
酸素18を含む。LaAlO3の格子定数が約3.80Åであり積層
ペロブスカイト銅酸化物超電導体の格子定数が約3.85Å
であるために、及び２つの化合物の結晶構造が精密に整
合しているために、積層ペロブスカイト銅酸化物超電導
体の結晶はアルミン酸ランタンの結晶に順応し、大きい
超電導電流を第１図に示す矢印26の方向に流す。
第１図に示すように、積層ペロブスカイト銅酸化物超
電導体は、銅24の原子及び酸素18の原子の層が、化合物
内の他の元素を含む層の間に挟まれている。若干の銅・
酸素層は原子の面を含み、他の層は銅及び酸素原子が交
互する連鎖を含む。銅及び酸素原子を含む層は、この化
合物の超電導電気特性を決定する重要な層である。銅・
酸素層が単位セル内で非対称的に位置しているために、
この化合物はその電気的特性の全てにおいて異方性であ
る。これが、この超電導体の電流輸送能力がその配向が
強く依存する所以である。
電導体は、銅24の原子及び酸素18の原子の層が、化合物
内の他の元素を含む層の間に挟まれている。若干の銅・
酸素層は原子の面を含み、他の層は銅及び酸素原子が交
互する連鎖を含む。銅及び酸素原子を含む層は、この化
合物の超電導電気特性を決定する重要な層である。銅・
酸素層が単位セル内で非対称的に位置しているために、
この化合物はその電気的特性の全てにおいて異方性であ
る。これが、この超電導体の電流輸送能力がその配向が
強く依存する所以である。
積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の異方性だけが
これらの化合物の複雑な化学及び構造によって生ずる問
題ではない。各化合物は化学的に反応性の成分、特定的
にはバリウムを含み、これは他の物質と強く反応する。
更にこれらの化合物は、銅・酸素層内に充分な酸素を取
り入れて適切な結晶構造を得るために、700乃至950℃の
範囲の極めて高い温度で形成しなければならない。これ
らの高温は、薄膜を沈積せしめる時にサブストレートと
の化学反応問題を悪化させる。サブストレート材料とし
てのLaAlO3の主な長所の１つは、LaAlO3が超電導体と重
大な相互作用を起さないことである。更に、LaAlO3は、
その絶縁特性を失うまでに大量の化学的置換を受けなけ
ればならない。
これらの化合物の複雑な化学及び構造によって生ずる問
題ではない。各化合物は化学的に反応性の成分、特定的
にはバリウムを含み、これは他の物質と強く反応する。
更にこれらの化合物は、銅・酸素層内に充分な酸素を取
り入れて適切な結晶構造を得るために、700乃至950℃の
範囲の極めて高い温度で形成しなければならない。これ
らの高温は、薄膜を沈積せしめる時にサブストレートと
の化学反応問題を悪化させる。サブストレート材料とし
てのLaAlO3の主な長所の１つは、LaAlO3が超電導体と重
大な相互作用を起さないことである。更に、LaAlO3は、
その絶縁特性を失うまでに大量の化学的置換を受けなけ
ればならない。
LaAlO3の別の長所は、LaAlO3の高周波特性である。La
AlO3の誘電定数は20より小さく、SrTiO3の誘電定数が室
温で300、4.2゜K（液体ヘリウム温度）において18,000
であるのと対照的である。LaAlO3の損失正接は77゜Kに
おいて８×10-5であり、また4.2゜Kにおいて５×10-6で
あって、これはサファイアの損失正接に比肩し得る。
AlO3の誘電定数は20より小さく、SrTiO3の誘電定数が室
温で300、4.2゜K（液体ヘリウム温度）において18,000
であるのと対照的である。LaAlO3の損失正接は77゜Kに
おいて８×10-5であり、また4.2゜Kにおいて５×10-6で
あって、これはサファイアの損失正接に比肩し得る。
第３図、第４図及び第５図は、積層ペロブスカイト銅
酸化物超電導体の薄膜で製造された若干のマイクロ波回
路素子のサブストレートとして、及び絶縁層としてのLa
AlO3の使用を示す。第３図はジョセフソン接合30を示
し、第４図は共面導波器32を示し、そして第５図はマイ
クロストリップ伝送ライン34を示す。第３図に示すよう
に、超電導エレクトロニクスの基本的ビルディングブロ
ックであるジョセフソン接合30は、LaAlO3サブストレー
ト36、サブストレート36上に沈積せしめた積層ペロブス
カイト銅酸化物超電導体の薄膜38、超電導体膜38上に沈
積せしめたLaAlO3の極めて薄い絶縁膜40、及び絶縁膜40
上に沈積せしめた積層プロブスカイト銅酸化物超電導体
の別の薄膜42を含む。２つの超電導膜38、42はジョセフ
ソン接合30の電極であり、絶縁膜40はトンネル効果を生
じせめるための障壁である。トンネル効果を発生させる
ためには、絶縁膜40は20乃至30Å程度に極めて薄くしな
ければならない。
酸化物超電導体の薄膜で製造された若干のマイクロ波回
路素子のサブストレートとして、及び絶縁層としてのLa
AlO3の使用を示す。第３図はジョセフソン接合30を示
し、第４図は共面導波器32を示し、そして第５図はマイ
クロストリップ伝送ライン34を示す。第３図に示すよう
に、超電導エレクトロニクスの基本的ビルディングブロ
ックであるジョセフソン接合30は、LaAlO3サブストレー
ト36、サブストレート36上に沈積せしめた積層ペロブス
カイト銅酸化物超電導体の薄膜38、超電導体膜38上に沈
積せしめたLaAlO3の極めて薄い絶縁膜40、及び絶縁膜40
上に沈積せしめた積層プロブスカイト銅酸化物超電導体
の別の薄膜42を含む。２つの超電導膜38、42はジョセフ
ソン接合30の電極であり、絶縁膜40はトンネル効果を生
じせめるための障壁である。トンネル効果を発生させる
ためには、絶縁膜40は20乃至30Å程度に極めて薄くしな
ければならない。
第４図に示す共面導波器32はLaAlO3サブストレート44
を含み、このサブストレート44上に、巾の狭い積層プロ
ブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜46と、この薄膜46の
両側に巾の広い２つの積層プロブスカイト銅酸化物超電
導体の薄膜48とが沈積せしめられている。狭い超電導膜
46は導波器32の導体であり、２つの広い超電導膜48は導
波器32の壁である。
を含み、このサブストレート44上に、巾の狭い積層プロ
ブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜46と、この薄膜46の
両側に巾の広い２つの積層プロブスカイト銅酸化物超電
導体の薄膜48とが沈積せしめられている。狭い超電導膜
46は導波器32の導体であり、２つの広い超電導膜48は導
波器32の壁である。
第５図に示すマイクロストリップ伝送ライン34はLaAl
O3サブストレート50を含み、このサブストレート50上に
積層プロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜52が沈積せ
しめられ、この超電導膜52上にLaAlO3の絶縁用薄膜54が
沈積せしめられ、更に絶縁膜54上に積層ペロブスカイト
超電導体の巾の狭い薄膜56が沈積せしめられている。超
電導体膜52はマイクロストリップ伝送ライン34のグラウ
ンドプレーンであり、絶縁膜54は誘電体であり、超電導
体膜56は導体である。このデバイスにおいては、絶縁膜
54は、ジョセフソン接合30の場合の数十Åとは異なり、
数千Å厚である。マイクロストリップ伝送ライン34は殆
んど分散されず、低損失で高周波電気信号を輸送する。
O3サブストレート50を含み、このサブストレート50上に
積層プロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜52が沈積せ
しめられ、この超電導膜52上にLaAlO3の絶縁用薄膜54が
沈積せしめられ、更に絶縁膜54上に積層ペロブスカイト
超電導体の巾の狭い薄膜56が沈積せしめられている。超
電導体膜52はマイクロストリップ伝送ライン34のグラウ
ンドプレーンであり、絶縁膜54は誘電体であり、超電導
体膜56は導体である。このデバイスにおいては、絶縁膜
54は、ジョセフソン接合30の場合の数十Åとは異なり、
数千Å厚である。マイクロストリップ伝送ライン34は殆
んど分散されず、低損失で高周波電気信号を輸送する。
アルミン酸ランタンの絶縁用薄膜及び積層プロブスカ
イト銅酸化物超電導体の薄膜は、２つの基本プロセス
（両者共周知である）の一方によってLaAlO3サブストレ
ート上に沈積せしめることができる。プロセスの一方は
超電導体化合物から開始され、次でこの化合物を若干の
方法の１つによってサブストレート上に沈積せしめる。
他方のプロセスは構成元素から開始され、実際の化合物
をサブストレート上に形成させる。前者のプロセスは遂
行するのが最も容易であり、化合物のペレットから開始
される。ペレットは遊離した超電導体材料がサブストレ
ート上に着床し、薄膜の被膜を形成するように霧化され
る。ペレットは、例えばレーザ（レーザアブレーショ
ン）、アルゴンのような非反応性ガスのイオン流（スパ
ッタ沈積）、或は蒸気噴霧ノズルを使用して霧化でき
る。
イト銅酸化物超電導体の薄膜は、２つの基本プロセス
（両者共周知である）の一方によってLaAlO3サブストレ
ート上に沈積せしめることができる。プロセスの一方は
超電導体化合物から開始され、次でこの化合物を若干の
方法の１つによってサブストレート上に沈積せしめる。
他方のプロセスは構成元素から開始され、実際の化合物
をサブストレート上に形成させる。前者のプロセスは遂
行するのが最も容易であり、化合物のペレットから開始
される。ペレットは遊離した超電導体材料がサブストレ
ート上に着床し、薄膜の被膜を形成するように霧化され
る。ペレットは、例えばレーザ（レーザアブレーショ
ン）、アルゴンのような非反応性ガスのイオン流（スパ
ッタ沈積）、或は蒸気噴霧ノズルを使用して霧化でき
る。
以上の説明から、本発明が超電導体の分野に重要な前
進をもたらすことが理解されよう。本発明の若干の好ま
しい実施例を説明したが、本発明の思想及び範囲から逸
脱することなく他の適用及び変更が可能であることが明
白であろう。例えば、積層ペロブスカイト銅酸化物超電
導体の格子定数の数％以内の格子定数を有するクロム酸
希土類及び他のアルミン酸希土類も、これらの化合物が
超電導体と重大な相互作用を起さず、良好な高周波特性
を有し、また非強磁性及び非強誘電性であれば、適当な
サブストレートである。
進をもたらすことが理解されよう。本発明の若干の好ま
しい実施例を説明したが、本発明の思想及び範囲から逸
脱することなく他の適用及び変更が可能であることが明
白であろう。例えば、積層ペロブスカイト銅酸化物超電
導体の格子定数の数％以内の格子定数を有するクロム酸
希土類及び他のアルミン酸希土類も、これらの化合物が
超電導体と重大な相互作用を起さず、良好な高周波特性
を有し、また非強磁性及び非強誘電性であれば、適当な
サブストレートである。
第１図はY1Ba2Cu3O7で表わされる積層ペロブスカイト銅
酸化物超電導体の薄膜を沈積せしめたアルミン酸ランタ
ン（LaAlO3）の結晶構造を示す図であり、 第２図はアルミン酸ランタンの単位セル構造を示す図で
あり、 第３図は本発明によるジョセフソン接合の部分断面図で
あり、 第４図は本発明による共面導波器の部分断面図であり、 第５図は本発明によるマイクロストリップ伝送ラインの
部分断面図である。 10,36,44,50……サブストレート、 12,38,42,46,48,52,56……積層ペロブスカイト銅酸化物
超電導体、14……ランタン、16……アルミニウム、18…
…酸素、20……イットリウム、22……バリウム、24……
銅、26……超電導電流方向、30……ジョセフソン接合、
32……共面導波器、34……マイクロストリップ伝送ライ
ン、40,54……絶縁膜。
酸化物超電導体の薄膜を沈積せしめたアルミン酸ランタ
ン（LaAlO3）の結晶構造を示す図であり、 第２図はアルミン酸ランタンの単位セル構造を示す図で
あり、 第３図は本発明によるジョセフソン接合の部分断面図で
あり、 第４図は本発明による共面導波器の部分断面図であり、 第５図は本発明によるマイクロストリップ伝送ラインの
部分断面図である。 10,36,44,50……サブストレート、 12,38,42,46,48,52,56……積層ペロブスカイト銅酸化物
超電導体、14……ランタン、16……アルミニウム、18…
…酸素、20……イットリウム、22……バリウム、24……
銅、26……超電導電流方向、30……ジョセフソン接合、
32……共面導波器、34……マイクロストリップ伝送ライ
ン、40,54……絶縁膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリスチン エリザベス プラット アメリカ合衆国 カリフォルニア州 エ ルゼグンド ピーオーボックス 161 (72)発明者 アルフレッド ユイナム リー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 90505 トランス マカフィー ロード 4612 (72)発明者 グレゴリー スティーヴン リー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 90025 ウェスト ロサンゼルス フェ デラル アベニュー 17‐1517 (56)参考文献 特開 平２−275685（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−17314（ＪＰ，Ａ)
Claims (10)
- 【請求項１】アルミン酸ランタン（LaAlO3）のウェーハ
からなる、積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜
を沈積させるためのサブストレート。 - 【請求項２】アルミン酸ランタン（LaAlO3）のサブスト
レート上に積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜
を沈積せしめる段階からなるサブストレート上に該超電
導体の薄膜を形成する方法。 - 【請求項３】アルミン酸ランタン（LaAlO3）のサブスト
レート、及び LaAlO3のサブストレート上に沈積せしめた１或いはそれ
以上の、積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体を含む薄
膜 からなる超電導マイクロ波回路素子。 - 【請求項４】超電導体を含む薄膜が： サブストレート上に沈積せしめた第１の積層ペロブスカ
イト銅酸化物超電導体の薄膜； 第１の超電導体薄膜上に沈積せしめたLaAlO3の絶縁用薄
膜；及び 絶縁用薄膜上に沈積せしめた第２の積層ペロブスカイト
銅酸化物超電導体の薄膜を含み； 第１、第２の２つの超電導体の薄膜をジョセフソン接合
の電極とし、絶縁用薄膜をトンネル効果を生ぜしめるた
めの障壁とした 請求項３記載の超電導マイクロ波回路素子。 - 【請求項５】超電導体を含む薄膜が： サブストレート上に沈積せしめた積層ペロブスカイト銅
酸化物超電導体の狭い薄膜；及び 超電導体の狭い薄膜の両側のサブストレート上に沈積せ
しめた積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の２つの巾
広い薄膜 を含み； 超電導体の狭い薄膜を共面導波器を導体とし、超電導体
の２つの巾広い薄膜を導波器の壁とした請求項３記載の
超電導マイクロ波回路素子。 - 【請求項６】超電導体を含む薄膜が： サブストレート上に沈積せしめた第１の積層ペロブスカ
イト銅酸化物超電導体の薄膜； 第１の超電導体の薄膜上に沈積せしめたLaAlO3の絶縁用
薄膜；及び 絶縁用薄膜上に沈積せしめた第２の積層ペロブスカイト
銅酸化物超電導体の狭い薄膜 を含み； 第１の超電導体の薄膜をマイクロストリップ伝送ライン
のグラウンドプレーンとし、絶縁用薄膜を誘電体とし、
第２の超電導体の狭い薄膜を導体とした請求項３記載の
超電導マイクロ波回路素子。 - 【請求項７】アルミン酸ランタン（LaAlO3）のサブスト
レートを形成し； LaAlO3のサブストレート上に１或いはそれ以上の、積層
ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜を沈積せしめる 諸段階からなる超電導マイクロ波回路素子を製造する方
法。 - 【請求項８】沈積段階が： サブストレート上に第１の積層ペロブスカイト銅酸化物
超電導体の薄膜を沈積せしめ； 第１の超電導体の薄膜上にLaAlO3の絶縁用薄膜を沈積せ
しめ； 絶縁用薄膜上に第２の積層ペロブスカイト銅酸化物超電
導体の薄膜を沈積せしめる 諸段階を含み； 第１、第２の２つの超電導体の薄膜をジョセフソン接合
の電極とし、絶縁用薄膜をトンネル効果を生ぜしめるた
めの障壁とする 請求項７記載の超電導マイクロ波回路素子を製造する方
法。 - 【請求項９】沈積段階が： サブストレート上に積層ペロブスカイト銅酸化物超電導
体の狭い薄膜を沈積せしめ； 超電導体の狭い薄膜の両側のサブストレート上に積層ペ
ロブスカイト銅酸化物超電導体の２つの巾広い薄膜を沈
積せしめる 諸段を含み； 超電導体の狭い薄膜を共面導波器の導体とし、超電導体
の２つの巾広い薄膜を導波器の壁とする 請求項７記載の超電導マイクロ波回路素子を製造する方
法。 - 【請求項１０】沈積段階が： サブストレート上に第１の積層ペロブスカイト銅酸化物
超電導体の薄膜を沈積せしめ； 第１の超電導体の薄膜上にLaAlO3の絶縁用薄膜を沈積せ
しめ； 絶縁用薄膜上に第２の積層ペロブスカイト銅酸化物超電
導体の狭い薄膜を沈積せしめる 諸段階を含み； 第１の超電導の薄膜をマイクロストリップ伝送ラインを
グラウンドプレーンとし、絶縁用薄膜を誘電体とし、第
２の超電導体の狭い薄膜を導体とする 請求項７記載の超電導マイクロ波回路素子を製造する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/233,637 US5523282A (en) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | High-frequency substrate material for thin-film layered perovskite superconductors |
| US233637 | 1988-08-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0291982A JPH0291982A (ja) | 1990-03-30 |
| JP2664491B2 true JP2664491B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=22878080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1211214A Expired - Fee Related JP2664491B2 (ja) | 1988-08-18 | 1989-08-16 | 積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜のためのサブストレート、このサブストレートからなる超電導マイクロ波回路素子、及びそれを製造する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (10) | US5523282A (ja) |
| EP (1) | EP0359411B1 (ja) |
| JP (1) | JP2664491B2 (ja) |
| DE (1) | DE68924630T2 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523282A (en) * | 1988-08-18 | 1996-06-04 | Trw Inc. | High-frequency substrate material for thin-film layered perovskite superconductors |
| US4996187A (en) * | 1988-10-17 | 1991-02-26 | Allied-Signal Inc. | Epitaxial Ba-Y-Cu-O superconductor film |
| JPH0824200B2 (ja) * | 1988-11-18 | 1996-03-06 | 日本電信電話株式会社 | トンネル接合素子 |
| JPH0319382A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トンネル接合形ジョセフソン素子 |
| KR920009653B1 (ko) * | 1990-07-12 | 1992-10-22 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 란탄늄 알루미네이트 박막의 제조방법 |
| AU655448B2 (en) * | 1990-12-07 | 1994-12-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for depositing high temperature superconducting oxide thin films |
| US5439877A (en) * | 1990-12-07 | 1995-08-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for depositing high temperature superconducting oxide thin films |
| JPH08255938A (ja) * | 1995-01-05 | 1996-10-01 | Toshiba Corp | 超電導配線と半導体装置 |
| US6610633B1 (en) * | 1995-05-04 | 2003-08-26 | Trw Inc. | Superconductor device |
| US5841342A (en) * | 1995-10-13 | 1998-11-24 | Com Dev Ltd. | Voltage controlled superconducting microwave switch and method of operation thereof |
| US5990766A (en) * | 1996-06-28 | 1999-11-23 | Superconducting Core Technologies, Inc. | Electrically tunable microwave filters |
| US5892243A (en) * | 1996-12-06 | 1999-04-06 | Trw Inc. | High-temperature SSNS and SNS Josephson junction and method of making junction |
| US6004688A (en) * | 1997-07-16 | 1999-12-21 | The Board Of Regents Of The University Of Texas System | Solid oxide fuel cell and doped perovskite lanthanum gallate electrolyte therefor |
| EP1196957A1 (en) | 1999-04-20 | 2002-04-17 | Zinc Air Power Corporation | Lanthanum nickel compound/metal mixture as a third electrode in a metal-air battery |
| KR100335494B1 (ko) * | 1999-10-30 | 2002-05-08 | 윤종용 | Ｂｓｔ 유전막에 구리를 함유한 커패시터 및 그 제조방법 |
| SE9904263L (sv) * | 1999-11-23 | 2001-05-24 | Ericsson Telefon Ab L M | Supraledande substratstruktur och ett förfarande för att producera en sådan struktur |
| US6839521B2 (en) | 2001-05-10 | 2005-01-04 | Northrop Grumman Corporation | Photonic bipolar modem for secure multi-channel communication |
| US6734454B2 (en) | 2001-08-27 | 2004-05-11 | The Regents Of The University Of California | Internally shunted Josephson junction device |
| US6593212B1 (en) * | 2001-10-29 | 2003-07-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for making electro-optical devices using a hydrogenion splitting technique |
| US6735073B2 (en) * | 2002-01-09 | 2004-05-11 | Lucent Technologies Inc. | Electronic devices based on density wave dielectrics |
| US7700006B2 (en) * | 2002-05-31 | 2010-04-20 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Voltage regulators |
| US6724056B1 (en) | 2003-04-15 | 2004-04-20 | Lucent Technologies Inc. | Field-effect transistors with high-sensitivity gates |
| KR100717960B1 (ko) | 2004-07-12 | 2007-05-14 | 전자부품연구원 | 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조 및그 제조방법 |
| RU185571U1 (ru) * | 2017-08-03 | 2018-12-11 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет" | Устройство для замедления поверхностных электромагнитных волн терагерцового диапазона на основе тонкой сверхпроводящей пленки |
| US10672971B2 (en) * | 2018-03-23 | 2020-06-02 | International Business Machines Corporation | Vertical transmon qubit device with microstrip waveguides |
| US10243132B1 (en) | 2018-03-23 | 2019-03-26 | International Business Machines Corporation | Vertical josephson junction superconducting device |
| US10256392B1 (en) | 2018-03-23 | 2019-04-09 | International Business Machines Corporation | Vertical transmon qubit device |
| CN109541322B (zh) * | 2018-12-13 | 2020-11-06 | 北京工业大学 | 一种高温宽频微波材料复介电常数测量夹具装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4227096A (en) * | 1978-08-31 | 1980-10-07 | Nasa | Microwave integrated circuit for Josephson voltage standards |
| US4421785A (en) * | 1980-08-18 | 1983-12-20 | Sperry Corporation | Superconductive tunnel junction device and method of manufacture |
| US4441088A (en) * | 1981-12-31 | 1984-04-03 | International Business Machines Corporation | Stripline cable with reduced crosstalk |
| US6638894B1 (en) * | 1987-01-09 | 2003-10-28 | Lucent Technologies Inc. | Devices and systems based on novel superconducting material |
| KR910002311B1 (ko) * | 1987-02-27 | 1991-04-11 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 초전도 디바이스 |
| JPS6417314A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film superconductor |
| US4851794A (en) * | 1987-10-09 | 1989-07-25 | Ball Corporation | Microstrip to coplanar waveguide transitional device |
| US5256635A (en) * | 1988-01-15 | 1993-10-26 | University Of Arkansas | High temperature superconductor system comprising Tl2 Ba2 CuO+δ |
| US4962087A (en) * | 1988-03-04 | 1990-10-09 | Litton Systems, Inc. | Epitaxial superconducting scructure on lattice matched lanthanum orthogallate |
| US4962086A (en) * | 1988-06-08 | 1990-10-09 | International Business Machines Corporation | High Tc superconductor - gallate crystal structures |
| US5030613A (en) * | 1988-08-15 | 1991-07-09 | Allied-Signal Inc. | Epitaxial Ba--Y--Cu--O ceramic superconductor film on perovskite structure substrate |
| US5523282A (en) * | 1988-08-18 | 1996-06-04 | Trw Inc. | High-frequency substrate material for thin-film layered perovskite superconductors |
| US5024894A (en) * | 1988-11-02 | 1991-06-18 | Academy Of Applied Science | Method of producing silicon and similar wafers buffered for the deposition of metal oxide superconducting (MOS) polymer composites and the like by insulating metal oxides (IMO) suitable as substrates for MOS, and novel buffered wafers provided thereby |
| US5164359A (en) * | 1990-04-20 | 1992-11-17 | Eaton Corporation | Monolithic integrated circuit having compound semiconductor layer epitaxially grown on ceramic substrate |
-
1988
- 1988-08-18 US US07/233,637 patent/US5523282A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-08-16 JP JP1211214A patent/JP2664491B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-17 EP EP89308368A patent/EP0359411B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-17 DE DE68924630T patent/DE68924630T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-12-09 US US07/803,935 patent/US6324413B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-23 US US08/255,201 patent/US5523283A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-19 US US08/308,781 patent/US6337149B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-04 US US08/334,774 patent/US5554585A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-07 US US08/335,000 patent/US5849673A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-21 US US08/335,232 patent/US6326334B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-01-09 US US08/369,983 patent/US6117824A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-05-24 US US08/655,575 patent/US5906963A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-10-18 US US09/419,993 patent/US6297200B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0359411A3 (en) | 1990-03-28 |
| EP0359411B1 (en) | 1995-10-25 |
| US6297200B1 (en) | 2001-10-02 |
| US6324413B1 (en) | 2001-11-27 |
| DE68924630T2 (de) | 1996-04-04 |
| US5906963A (en) | 1999-05-25 |
| JPH0291982A (ja) | 1990-03-30 |
| US5554585A (en) | 1996-09-10 |
| US5523282A (en) | 1996-06-04 |
| US6117824A (en) | 2000-09-12 |
| US5849673A (en) | 1998-12-15 |
| US6337149B1 (en) | 2002-01-08 |
| US6326334B1 (en) | 2001-12-04 |
| DE68924630D1 (de) | 1995-11-30 |
| EP0359411A2 (en) | 1990-03-21 |
| US5523283A (en) | 1996-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2664491B2 (ja) | 積層ペロブスカイト銅酸化物超電導体の薄膜のためのサブストレート、このサブストレートからなる超電導マイクロ波回路素子、及びそれを製造する方法 | |
| US5552375A (en) | Method for forming high Tc superconducting devices | |
| US6011981A (en) | Oxide superconductor multilayered film and oxide superconductor josephson device | |
| US5604375A (en) | Superconducting active lumped component for microwave device application | |
| US5627139A (en) | High-temperature superconducting josephson devices having a barrier layer of a doped, cubic crystalline, conductive oxide material | |
| JP2000150974A (ja) | 高温超伝導ジョセフソン接合およびその製造方法 | |
| US5814584A (en) | Compound in the series A2 MeSbO6 for use as substrates barrier-dielectric layers and passivating layers in high critical temperature superconducting devices | |
| US5250506A (en) | Superconductive switching element with semiconductor channel | |
| EP0508893A1 (en) | Substrate for microwave component | |
| US6610633B1 (en) | Superconductor device | |
| US5856275A (en) | Superconducting wiring lines and process for fabricating the same | |
| JP2501035B2 (ja) | 超電導薄膜 | |
| JP3186035B2 (ja) | 電界効果素子用積層薄膜および該積層薄膜を用いた電界効果トランジスター | |
| JP2953298B2 (ja) | マイクロストリップライン及びその製造方法 | |
| JP2844207B2 (ja) | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JP2852753B2 (ja) | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JP3379533B2 (ja) | 超電導デバイスの製造方法 | |
| JP2850562B2 (ja) | 超電導基板の製造方法 | |
| Simon et al. | L a AlO 3 Substrate for copper oxide superconductors | |
| JPS61220385A (ja) | ジヨセフソン接合素子 | |
| US6156707A (en) | Method of manufacturing superconducting microwave component substrate | |
| JPH07120822B2 (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
| JPS63318013A (ja) | 超電導配線材料 | |
| JPH0637514A (ja) | 超伝導高周波回路装置 | |
| JPH06112713A (ja) | 基板の対向する両面上に高温超伝導体膜を作製する方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |