JPH0291929A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0291929A JPH0291929A JP24691688A JP24691688A JPH0291929A JP H0291929 A JPH0291929 A JP H0291929A JP 24691688 A JP24691688 A JP 24691688A JP 24691688 A JP24691688 A JP 24691688A JP H0291929 A JPH0291929 A JP H0291929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- substrate
- light
- growth
- crystal growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 abstract description 11
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
化合物半導体装置の製造方法に関し、
基板結晶の大部分を低温に保持し極めて急峻なヘテロ界
面を形成して、かつ低温成長で生じる炭素原子のエピタ
キシャル膜への取り込み量を減らして低濃度化を実現す
ることができ、高純度なエピタキシャル膜を形成するこ
とができる化合物半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とし、基板を加熱するための光源を備え、該光源
の光を結晶成長が生じない低温下で前記基板に照射し、
被照射部に原料供給律速化下で有機金属気相成長法によ
り結晶成長を生じさせ、前記光を基板上に走査して化合
物半導体層を結晶成長させるように構成する。
面を形成して、かつ低温成長で生じる炭素原子のエピタ
キシャル膜への取り込み量を減らして低濃度化を実現す
ることができ、高純度なエピタキシャル膜を形成するこ
とができる化合物半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とし、基板を加熱するための光源を備え、該光源
の光を結晶成長が生じない低温下で前記基板に照射し、
被照射部に原料供給律速化下で有機金属気相成長法によ
り結晶成長を生じさせ、前記光を基板上に走査して化合
物半導体層を結晶成長させるように構成する。
本発明は、化合物半導体装置の製造方法に係り、詳しく
は、特に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法とも言い、
ＭＯＶＰＥはＭｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ
Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙの略である）を用い、ヘテ
ロ界面を１分子層（３人くらい）以下の膜厚制御をしな
がら高純度なエピタキシャル膜を形成することができる
化合物半導体装置の製造方法に関するものである。
は、特に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法とも言い、
ＭＯＶＰＥはＭｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ
Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙの略である）を用い、ヘテ
ロ界面を１分子層（３人くらい）以下の膜厚制御をしな
がら高純度なエピタキシャル膜を形成することができる
化合物半導体装置の製造方法に関するものである。
例えば、ＩｎＰ系やＧａＡｓ系等のｍ−ｖ族半導体エピ
タキシャル成長法としてＭＯＶＰＥ法が盛んに研究開発
され、既にいくつかのデバイスがＭＯＶＰＥ法によって
形成されている。近年、超薄膜へテロ接合を用いる超格
子（多重量子井戸）構造のデバイス等では、ヘテロ接合
界面の凹凸の高さや組成遷移領域の厚さが一分子層以下
であることが望まれている（ヘテロ界面はフラットであ
ることが理想的である）。そしてＭＯＶＰＥ法では一分
子層以下（原子層レベル）での膜厚制御が要求されてい
る。
タキシャル成長法としてＭＯＶＰＥ法が盛んに研究開発
され、既にいくつかのデバイスがＭＯＶＰＥ法によって
形成されている。近年、超薄膜へテロ接合を用いる超格
子（多重量子井戸）構造のデバイス等では、ヘテロ接合
界面の凹凸の高さや組成遷移領域の厚さが一分子層以下
であることが望まれている（ヘテロ界面はフラットであ
ることが理想的である）。そしてＭＯＶＰＥ法では一分
子層以下（原子層レベル）での膜厚制御が要求されてい
る。
以下、従来技術について説明する。
第３図〜第５図は従来の有機金属気相成長法について説
明する図であり、第３図は従来例の超格子構造を示す図
、第４図は従来例のへテロ界面の状態を示す図、第５図
は従来例の組成遷移領域を示す図である。
明する図であり、第３図は従来例の超格子構造を示す図
、第４図は従来例のへテロ界面の状態を示す図、第５図
は従来例の組成遷移領域を示す図である。
これらの図において、３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ
は例えばｌｎＰからなる第１の半導体層、３２ａ、３２
ｂ、３２ｃは例えばｒｎＧａＡｓからなる第２の半導体
層、３３は例えばＩ ｎＧａＡｓ Ｐからなる組成遷移
領域である。
は例えばｌｎＰからなる第１の半導体層、３２ａ、３２
ｂ、３２ｃは例えばｒｎＧａＡｓからなる第２の半導体
層、３３は例えばＩ ｎＧａＡｓ Ｐからなる組成遷移
領域である。
なお、第４図に示すＸはへテロ界面の凸凹の高さであり
、第５図に示すＹは組成遷移領域３３の厚さである。
、第５図に示すＹは組成遷移領域３３の厚さである。
成長温度が通常５００〜８００°Ｃの原料供給律速を利
用する従来のＭＯＶＰＥ法では、第４図に示すヘテロ接
合界面の凹凸の高さＸや、第５図に示す組成遷移領域３
３の厚さＹを一分子層以下にしたいという要求のため、
基板結晶に吹き付ける原料ガスを極めて素早く切り換え
る技術が開発され、比較的急峻なヘテロ界面が得られる
ようになってきた。原料ガスを切り換える例としては、
例えばＩｎ Ｐ ←Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓや、Ｇ ａ
Ａ ｓ −Ａ Ｉ Ｇ ａＡｓ等がある。
用する従来のＭＯＶＰＥ法では、第４図に示すヘテロ接
合界面の凹凸の高さＸや、第５図に示す組成遷移領域３
３の厚さＹを一分子層以下にしたいという要求のため、
基板結晶に吹き付ける原料ガスを極めて素早く切り換え
る技術が開発され、比較的急峻なヘテロ界面が得られる
ようになってきた。原料ガスを切り換える例としては、
例えばＩｎ Ｐ ←Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓや、Ｇ ａ
Ａ ｓ −Ａ Ｉ Ｇ ａＡｓ等がある。
一方、原子層レベルで成長層を制御する技術として成長
温度が２５０〜４００°Ｃの成長速度律速を利用した原
子層エピタキシャル法（Ａｔｏｍｉｃ １ａｙｅｒｅｐ
ｉｔａｘｙ ； Ａ Ｌ Ｅ法ともいう）が開発され
つつある。ＡＬＥ法はＭＯＶＰＥ法で行われる高温の成
長温度（５００’Ｃ〜８００°Ｃ）では成長させず、非
常に低温のところで成長が行われるものであり、膜厚制
御がＭＯＶＰＥ法よりも優れている。
温度が２５０〜４００°Ｃの成長速度律速を利用した原
子層エピタキシャル法（Ａｔｏｍｉｃ １ａｙｅｒｅｐ
ｉｔａｘｙ ； Ａ Ｌ Ｅ法ともいう）が開発され
つつある。ＡＬＥ法はＭＯＶＰＥ法で行われる高温の成
長温度（５００’Ｃ〜８００°Ｃ）では成長させず、非
常に低温のところで成長が行われるものであり、膜厚制
御がＭＯＶＰＥ法よりも優れている。
（発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、従来のＭＯＶＰＥ法にあっては、基板結
晶に吹き付ける原料ガスを極めて素早く切り換える技術
が開発され、比較的急峻なヘテロ界面が得られるように
なってきたが、未だ界面の乱れを一分子層以下にするこ
とができないという問題点があった。これは切り換える
ガス種をどれ程急峻に切り換えた場合でも、第５図に示
すように、例えばＩｎＰからなる第１の半導体層３１ａ
の最表面に位置するＰと、Ｉ ｎＧａＡｓからなる第２
の半導体層３２ａを成長するために流すＡＳとが熱力学
的に一部置換して厳密に象、峻なヘテロ界面を形成する
ことができず、両系のＡｓとＰが混じってＩ ｎＧａＡ
ｓ Ｐというような組成ｉ！！Ｐｐ領域３３が生じてし
まうことによるものである。ＰはＭＯＶＰＥ法による５
００’Ｃ〜８００°Ｃの高温成長の場合、必ずある頻度
で離脱し、Ｐが離脱したところにＡｓが入ってしまうの
であり、このＰとＡｓとの置換頻度は成長温度の上昇と
ともに増加する傾向にある。
晶に吹き付ける原料ガスを極めて素早く切り換える技術
が開発され、比較的急峻なヘテロ界面が得られるように
なってきたが、未だ界面の乱れを一分子層以下にするこ
とができないという問題点があった。これは切り換える
ガス種をどれ程急峻に切り換えた場合でも、第５図に示
すように、例えばＩｎＰからなる第１の半導体層３１ａ
の最表面に位置するＰと、Ｉ ｎＧａＡｓからなる第２
の半導体層３２ａを成長するために流すＡＳとが熱力学
的に一部置換して厳密に象、峻なヘテロ界面を形成する
ことができず、両系のＡｓとＰが混じってＩ ｎＧａＡ
ｓ Ｐというような組成ｉ！！Ｐｐ領域３３が生じてし
まうことによるものである。ＰはＭＯＶＰＥ法による５
００’Ｃ〜８００°Ｃの高温成長の場合、必ずある頻度
で離脱し、Ｐが離脱したところにＡｓが入ってしまうの
であり、このＰとＡｓとの置換頻度は成長温度の上昇と
ともに増加する傾向にある。
また、ＡＬＥ法では２５０°Ｃ〜４００″Ｃという低い
成長温度のために、上記ＭＯＶＰＥ法によるような問題
は生じないが、原料ガスに含まれる炭素原子のエピタキ
シャル膜への取り込み量が多く低濃度化が実現すること
ができず、高純度なエピタキシャル膜を成長させること
ができないという問題点があった。即ち、低濃度化が実
現できないと、ＡＬＥ法をデバイス作製に利用すること
ができないのである。
成長温度のために、上記ＭＯＶＰＥ法によるような問題
は生じないが、原料ガスに含まれる炭素原子のエピタキ
シャル膜への取り込み量が多く低濃度化が実現すること
ができず、高純度なエピタキシャル膜を成長させること
ができないという問題点があった。即ち、低濃度化が実
現できないと、ＡＬＥ法をデバイス作製に利用すること
ができないのである。
そこで本発明は、基板結晶の大部分を低温に保持するこ
とによって極めて急峻なヘテロ界面を形成して、ヘテロ
界面の乱れを一分子層以下にすることができ、かつ低温
成長で生じる炭素原子のエピタキシャル膜への取り込み
を生じさせずに低濃度化を実現することができ、高純度
なエビタキシャル膜を形成することができる化合物半導
体装置の製造方法を提供することを目的としている。
とによって極めて急峻なヘテロ界面を形成して、ヘテロ
界面の乱れを一分子層以下にすることができ、かつ低温
成長で生じる炭素原子のエピタキシャル膜への取り込み
を生じさせずに低濃度化を実現することができ、高純度
なエビタキシャル膜を形成することができる化合物半導
体装置の製造方法を提供することを目的としている。
本発明による化合物半導体装置の製造方法は上記目的達
成のため、基板を加熱するための光源を備え、該光源の
光を結晶成長が生じない低温下で前記基板に照射し、被
照射部に原料供給律速化下で有機金属気相成長法により
結晶成長を生じさせ、前記光を基板上に走査して化合物
半導体層を結晶成長させるものである。
成のため、基板を加熱するための光源を備え、該光源の
光を結晶成長が生じない低温下で前記基板に照射し、被
照射部に原料供給律速化下で有機金属気相成長法により
結晶成長を生じさせ、前記光を基板上に走査して化合物
半導体層を結晶成長させるものである。
本発明は、基板を加熱するための光源が備えられ、光源
の光が結晶成長が生じない低温下で基板に照射され、被
照射部に原料供給律速化下の結晶成長が生じ、光が基板
上に走査され、結晶成長される。
の光が結晶成長が生じない低温下で基板に照射され、被
照射部に原料供給律速化下の結晶成長が生じ、光が基板
上に走査され、結晶成長される。
したがって、光の当っていない基板結晶の大部分は低温
に保持されＰとＡｓの置換が生じず、極めて急峻なヘテ
ロ界面を形成してヘテロ界面の乱れを一分子層以下にす
ることができるようになり、かつ熱せられた成長部分は
通常の原料供給律速下の成長が起こり、炭素原子のエピ
タキシャル膜への取り込み量を減らして低濃度化を実現
することができるようになる。
に保持されＰとＡｓの置換が生じず、極めて急峻なヘテ
ロ界面を形成してヘテロ界面の乱れを一分子層以下にす
ることができるようになり、かつ熱せられた成長部分は
通常の原料供給律速下の成長が起こり、炭素原子のエピ
タキシャル膜への取り込み量を減らして低濃度化を実現
することができるようになる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図及び第２図は本発明に係る化合物半導体装置の製
造方法の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施
例の製造装置を示す概略図、第２図は一実施例の基板上
への光の走査を説明する図である。
造方法の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施
例の製造装置を示す概略図、第２図は一実施例の基板上
への光の走査を説明する図である。
これらの図において、１は反応室、２は例えばグラファ
イト製からなる基板載置台、３は基板結晶、４は基板載
置台２を加熱するための高周波コイル、５は原料ガスを
導入するための原料ガス導入口、６は排気口、７は光源
、８はスリット、９はミラーで、角度を適宜可変するこ
とができるようになっている。１０はミラー９を駆動さ
せるための駆動系、１１は光を導入するための窓、１２
は線状の開口、１３は被照射部で、光が照射されている
部分である。
イト製からなる基板載置台、３は基板結晶、４は基板載
置台２を加熱するための高周波コイル、５は原料ガスを
導入するための原料ガス導入口、６は排気口、７は光源
、８はスリット、９はミラーで、角度を適宜可変するこ
とができるようになっている。１０はミラー９を駆動さ
せるための駆動系、１１は光を導入するための窓、１２
は線状の開口、１３は被照射部で、光が照射されている
部分である。
なお、スリット８は線状の開口１２を有する。第１図及
び第２図に示す矢印Ａは走査される光の照射方向を示し
ている。第１図に示す矢印Ｙはミラー９の駆動方向を示
している。
び第２図に示す矢印Ａは走査される光の照射方向を示し
ている。第１図に示す矢印Ｙはミラー９の駆動方向を示
している。
次に、その動作原理について説明する。
まず、高周波コイル４により僅かに加熱された基板結晶
３上に目的とする原料ガスを吹き付けながら、光源７よ
り生じた光をスリット８を通して線状の光にし、この線
状の光をミラー９により基板結晶３に照射し、第２図に
示す如く基板結晶３の被照射部１３に原料供給律速下の
結晶成長を生じさせる。そして、ミラー９を所定の角度
で適宜振ることによって被照射部１３が基板結晶３上全
域に渡るように線状の光を基板結晶３上に矢印への如く
走査して結晶成長させる。
３上に目的とする原料ガスを吹き付けながら、光源７よ
り生じた光をスリット８を通して線状の光にし、この線
状の光をミラー９により基板結晶３に照射し、第２図に
示す如く基板結晶３の被照射部１３に原料供給律速下の
結晶成長を生じさせる。そして、ミラー９を所定の角度
で適宜振ることによって被照射部１３が基板結晶３上全
域に渡るように線状の光を基板結晶３上に矢印への如く
走査して結晶成長させる。
ここで、基板結晶３は高周波コイル４によって高周波を
基板Ｓ！載置台にかけて基板載置台２を加熱することに
より加熱されており、その際の基板結晶３温度は光が照
射されないと結晶成長が生じないように予め低温（３０
０°Ｃ〜４００°Ｃ）に設定されている。基板結晶３を
通り過ぎた原料ガスは排気口６より排気される。
基板Ｓ！載置台にかけて基板載置台２を加熱することに
より加熱されており、その際の基板結晶３温度は光が照
射されないと結晶成長が生じないように予め低温（３０
０°Ｃ〜４００°Ｃ）に設定されている。基板結晶３を
通り過ぎた原料ガスは排気口６より排気される。
対象とする結晶はＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ
Ｐや！ｎＧ ａ Ｐ ７／ Ｇ ａ Ａ ｓなど、■
族元素が互いに異なるものに対し強い効果がある。
Ｐや！ｎＧ ａ Ｐ ７／ Ｇ ａ Ａ ｓなど、■
族元素が互いに異なるものに対し強い効果がある。
更に具体的には、光照射されていない部分は予め低温に
保持されているため結晶成長が生じないのであるが、被
照射部１３部分のみ局所的に加熱されて原料供給律速下
で・の結晶成長が起こる。そして、被照射部１３を基板
結晶３全域に渡るように走査することにより基板結晶３
全面に結晶成長させることができるのである。
保持されているため結晶成長が生じないのであるが、被
照射部１３部分のみ局所的に加熱されて原料供給律速下
で・の結晶成長が起こる。そして、被照射部１３を基板
結晶３全域に渡るように走査することにより基板結晶３
全面に結晶成長させることができるのである。
すなわち、上記実施例では、第１図及び第２図に示すよ
うに、基板３を加熱するための光源７を備え、光源７の
光を結晶成長が生じない低温下で線状の光として基板３
に照射し、被照射部１３に原料供給律速化下での結晶成
長を生じさせ、被照射部１３が基板３上全域に渡るよう
に線状の光を基板３上に走査して、エピタキシャル膜を
結晶成長させるようにしたので、橿めて急峻なヘテロ界
面を形成してヘテロ界面の乱れを一分子層以下にするこ
とができ、かつ低温部では結晶成長が生じず、炭素原子
のエピタキシャル膜への取り込み量を減らして低濃度化
を実現することができ、高純度なエピタキシャル膜を形
成することができる。したがって、電子デバイスにおい
ては、低濃度でかっ、急峻なヘテロ界面が実現できるの
で、電子の走行速度が上がり、高速化が実現できる。ま
た、光デバイスにおいては、低濃度でかつ、急峻なヘテ
ロ界面が実現できるので、発光する光のエネルギー分布
が非常に狭いものになってきて、発光狭線巾が狭くなり
性能を向上させることができる。
うに、基板３を加熱するための光源７を備え、光源７の
光を結晶成長が生じない低温下で線状の光として基板３
に照射し、被照射部１３に原料供給律速化下での結晶成
長を生じさせ、被照射部１３が基板３上全域に渡るよう
に線状の光を基板３上に走査して、エピタキシャル膜を
結晶成長させるようにしたので、橿めて急峻なヘテロ界
面を形成してヘテロ界面の乱れを一分子層以下にするこ
とができ、かつ低温部では結晶成長が生じず、炭素原子
のエピタキシャル膜への取り込み量を減らして低濃度化
を実現することができ、高純度なエピタキシャル膜を形
成することができる。したがって、電子デバイスにおい
ては、低濃度でかっ、急峻なヘテロ界面が実現できるの
で、電子の走行速度が上がり、高速化が実現できる。ま
た、光デバイスにおいては、低濃度でかつ、急峻なヘテ
ロ界面が実現できるので、発光する光のエネルギー分布
が非常に狭いものになってきて、発光狭線巾が狭くなり
性能を向上させることができる。
ここで、極めて急峻なヘテロ界面を形成してヘテロ界面
の乱れを一分子層以下に形成することができるのは、ヘ
テロ界面を形成するときも同じように走査させるのであ
り、基板結晶３の照射されていない部分は基板結晶３の
ほとんどを占めており、しかも低温なので、従来のよう
な気相中とエピタキシャル膜との間の原子置換（ＰとＡ
ｓ）が生じなくなり、組成遷移領域が生じなくなるから
である。
の乱れを一分子層以下に形成することができるのは、ヘ
テロ界面を形成するときも同じように走査させるのであ
り、基板結晶３の照射されていない部分は基板結晶３の
ほとんどを占めており、しかも低温なので、従来のよう
な気相中とエピタキシャル膜との間の原子置換（ＰとＡ
ｓ）が生じなくなり、組成遷移領域が生じなくなるから
である。
低温で炭素原子のエピタキシャル膜への取り込み量を減
らして低濃化が実現できるのは、通常のＭＯＶＰＥ法の
原理を用いており、基板結晶３の低温の部分は結晶成長
しないからである。
らして低濃化が実現できるのは、通常のＭＯＶＰＥ法の
原理を用いており、基板結晶３の低温の部分は結晶成長
しないからである。
また、線状の照射光の走査速度を一回走査で一分子層成
長の速度に適宜台わせるシーケンスを行うことにより、
走査数と成長分子層が一致し、完全に成長膜厚を制御す
ることができる。
長の速度に適宜台わせるシーケンスを行うことにより、
走査数と成長分子層が一致し、完全に成長膜厚を制御す
ることができる。
なお、上記実施例では、光源７として高出力のＡｒレー
ザあるいはＡｒＦエキシマレーザを用いることで好まし
く具体化することができ、この場合、光を走査する走査
速度を上げることができるという利点がある。低出力の
光源を用いて走査速度が大きい場合、基板が加熱される
前に光が通り過ぎて未反応が生じるおそれがあるからで
ある。
ザあるいはＡｒＦエキシマレーザを用いることで好まし
く具体化することができ、この場合、光を走査する走査
速度を上げることができるという利点がある。低出力の
光源を用いて走査速度が大きい場合、基板が加熱される
前に光が通り過ぎて未反応が生じるおそれがあるからで
ある。
また、ＡｒＦエキシマレーザを用いる場合、気相中のガ
ス種（特に、ＡｓＨ，、ＰＨ，の場合）が活性化され、
原料ガスの無駄を少なくすることができるという利点も
ある。これは具体的にはＡｒＦエキシマレーザは加熱し
なくても例えばＡｓＨ，、ＰＨ，を活性化して分解する
ことができるのであり、Ａ ｓ Ｈ：ｌ 、Ｐ Ｈ３を
効率よく反応に寄与させる形態にすることができるので
ある。
ス種（特に、ＡｓＨ，、ＰＨ，の場合）が活性化され、
原料ガスの無駄を少なくすることができるという利点も
ある。これは具体的にはＡｒＦエキシマレーザは加熱し
なくても例えばＡｓＨ，、ＰＨ，を活性化して分解する
ことができるのであり、Ａ ｓ Ｈ：ｌ 、Ｐ Ｈ３を
効率よく反応に寄与させる形態にすることができるので
ある。
本発明によれば、極めて急、峻なヘテロ界面を形成して
界面の乱れを一分子層以下にすることができ、かつ炭素
原子のエピタキシャル膜への取り込み量を減らして低濃
度化を実現することができるという効果がある。
界面の乱れを一分子層以下にすることができ、かつ炭素
原子のエピタキシャル膜への取り込み量を減らして低濃
度化を実現することができるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明に係る化合物半導体装置の製
造方法の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施
例の製造装置を示す概略図、第２図は一実施例の基板上
への光の走査を説明する図、 第３図〜第５図は従来例を説明する図であり、第３図は
従来例の超格子構造を示す図、第４図は従来例のへテロ
界面の状態を示す図、第５図は従来例の組成遷移領域を
示す図である。 １・・・・・・反応室、 ２・・・・・・基板裁置台、 ３・・・・・・基板結晶、 ４・・・・・・高周波コイル、 ５・・・・・・原料ガス導入口、 ６・・・・・・排気口、 ７・・・・・・光源、 ８・・・・・・スリット、 ９・・・・・・ミラー １０・・・・・・駆動系、 １１・・・・・・窓、 １２・・・・・・線状の開口、 １３・・・・・・被照射部。 −一一一一一一一二− 第 図 一実施例の製造装置を示す概略図 第 図 従来例の超格子構造を示す図 第 図 従来例のへテロ界面の状態を示す図 第 図 従来例の組成遷移領域を示す図 第 図
造方法の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施
例の製造装置を示す概略図、第２図は一実施例の基板上
への光の走査を説明する図、 第３図〜第５図は従来例を説明する図であり、第３図は
従来例の超格子構造を示す図、第４図は従来例のへテロ
界面の状態を示す図、第５図は従来例の組成遷移領域を
示す図である。 １・・・・・・反応室、 ２・・・・・・基板裁置台、 ３・・・・・・基板結晶、 ４・・・・・・高周波コイル、 ５・・・・・・原料ガス導入口、 ６・・・・・・排気口、 ７・・・・・・光源、 ８・・・・・・スリット、 ９・・・・・・ミラー １０・・・・・・駆動系、 １１・・・・・・窓、 １２・・・・・・線状の開口、 １３・・・・・・被照射部。 −一一一一一一一二− 第 図 一実施例の製造装置を示す概略図 第 図 従来例の超格子構造を示す図 第 図 従来例のへテロ界面の状態を示す図 第 図 従来例の組成遷移領域を示す図 第 図
Claims (1)
- 基板を加熱するための光源を備え、該光源の光を結晶成
長が生じない低温下で前記基板に照射し、被照射部に原
料供給律速化下で有機金属気相成長法により結晶成長を
生じさせ、前記光を基板上に走査して化合物半導体層を
結晶成長させることを特徴とする化合物半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24691688A JPH0291929A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24691688A JPH0291929A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0291929A true JPH0291929A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17155660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24691688A Pending JPH0291929A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0291929A (ja) |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP24691688A patent/JPH0291929A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6355926A (ja) | 化合物半導体薄膜の成長方法 | |
| JPH0291929A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JP2773849B2 (ja) | 気相の成長方法及び光励起気相成長装置 | |
| JPH09118590A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法及びその装置 | |
| JPH0431391A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JP2840381B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―ｖ族化合物半導体の結晶成長方法およびこの方法に用いる結晶成長装置 | |
| JP2652630B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP2000031060A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体気相エピタキシャル成長方法及び成長装置 | |
| JPH04212411A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JP3182584B2 (ja) | 化合物薄膜形成方法 | |
| JP2549835B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2587624B2 (ja) | 化合物半導体のエピタキシヤル結晶成長方法 | |
| JPH05347251A (ja) | 三−五族化合物半導体気相成長方法および半導体装置 | |
| JPH04306821A (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
| JPS63188932A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 | |
| JP2858058B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP2793939B2 (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JP3047523B2 (ja) | 選択エピタキシャル成長方法 | |
| JPH06112124A (ja) | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPH05267198A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JPS62144320A (ja) | 超格子半導体の製造方法 | |
| JPS6369792A (ja) | 半導体エピタキシヤル成長法 | |
| JPH06157190A (ja) | 炭化珪素薄膜の製造方法 | |
| JPH02248034A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JPH09118588A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法及びその装置 |