JPH0291809A - 薄膜磁気ディスク - Google Patents

薄膜磁気ディスク

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JPH0291809A
JPH0291809A JP24103688A JP24103688A JPH0291809A JP H0291809 A JPH0291809 A JP H0291809A JP 24103688 A JP24103688 A JP 24103688A JP 24103688 A JP24103688 A JP 24103688A JP H0291809 A JPH0291809 A JP H0291809A
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JP
Japan
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film
substrate
chromium
thin
sputtering
Prior art date
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Pending
Application number
JP24103688A
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English (en)
Inventor
Yoshio Nakagawa
宣雄 中川
Masako Fujisawa
雅子 藤澤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0291809A publication Critical patent/JPH0291809A/ja
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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ディスクの構成に係り、特に記録特性
、信頼性に優れ、かつ製造コストが安価な薄膜磁気ディ
スクの構成と製造法に関するものである。
〔従来の技術〕
スパッタ法あるいはめつき法により磁気記録膜を形成す
る、いわゆる薄膜磁気ディスクにおいて、従来は上記文
献に代表される構造が最も広く知られていた。
すなわち、基板はM合金上にN1−Pめりき膜を形成し
たものを用い、その上に媒体下堆層と呼ぶ非磁性のCr
を形成し、次に、コバルト系の磁気記録膜を形成し、最
外層にカーボンの保護膜を形成するものである。なおこ
の種の技術としては第10回日本応用磁気学会学術講演
概要集(1986,11) 1)115に記されている
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術はディスク基板の低価格化、単純化の点で
は十分な配慮がなされておらず、比較的高価なN1−I
’基板を用いねばならなかった。
本発明の目的はディスクの特性を達成した上で、ディス
ク基板の低価格化、簡素化を実現することである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、媒体下地層のクロム膜厚を従来法より増し
て0.35〜1.0μ馬と厚く形成することにより、N
1−P下地めっき膜を省略することにより達成される。
すなわちM合金基板上に直接スパッタリング法でクロム
膜を0.35〜1.0μ鶴の範囲で厚く形成し、従来用
いてきたN1−P下地めっき膜を省くことである。
〔作用〕
媒体下地層のクロム膜厚を増し0.35μm以上にする
事により、ディスクは磁気ヘッドの接触、衝突の外力に
対して、十分耐えられるようになる。従って従来、下地
N1−Pめりき膜が担っていた、磁気ヘッドの接触に対
する基板表面強度向上の役目をクロム膜が代替できる。
これが、本発明の要点である。
従来の下地N1−Pめっき膜の役目としては、上記以外
に、基板表面硬度を高め、その結果として機械加工性の
向上が挙げられる。一方現在の進歩した機械研磨加工技
術によれば、軟質のM基板の表面を磁気ヘッドが0.1
5μm 程度のスペーシングで浮上するように平坦平滑
に仕上げることは十分可能となった。
従って機械加工したM合金表面にスパッタ法で均一にク
ロム膜を形成することにより、該クロム膜表面で磁気ヘ
ッドの低スペーシング浮上が確保できることになる。こ
の事からもNr−Pめりき膜を省略できる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例で第1図により説明する。
外径130φ 、内径40φのAt−Mg合金ブランク
素材(5086系材料)を準備し、内外径の旋削加工し
た後、表面を研削加工し、さらに両面同時方式による研
磨加工を行った。研磨後の板厚は1.91El 。
表面粗さは0.005〜0.007μsRaの鏡面であ
り、基板のソリ:真直度は直径130に対し5μ陣以下
であった。
鏡面加工後の上記M合金基板1の表面に次に同心円状の
テキスチャーと呼ぶ微細な溝を加工により形成した。こ
れには研磨テープを用いた加工機を使用した。テキスチ
ャー加工後の基板半径方向表面アラサは0.010−0
.012μsRaとやや増加した。
テキスチャー加工の目的は磁気ヘッドのディスク表面へ
の粘着防止と再生出力の円周方向均一性の向上である。
本実施例の表面アラサは一例であり、使用する磁気ヘッ
ド、装置等によりその値が異なる事は本発明の目的とは
係りなく一向にかまわない。
次にM合金基板1は有機溶剤と純水を用いる、洗浄装置
にかけられ、表面の機械加工残渣等を取除き、十分に清
浄化した。
次に、本基板1はスパッタ装置内にセットし、クロム膜
2、コバルト糸媒体3、カーボン保護膜4を連続して形
成した。以下個別に説明する。
従来法における媒体下地膜の形成目的は、下地N1−P
膜が磁気記録膜の磁気特性に与える悪影響、すなわち下
地の影響と呼ばれるものを断切ることであった。媒体下
地膜であるクロム膜を形成するatこより磁気特性の向
上と、磁気特性の再現性は確実に向上する。
本発明では上記の従来公知目的の外に、さらにクロム膜
厚増加により、磁気ヘッドに対する基板の強度を増加さ
せる事をも目的とし、この点が従来と異なる点である。
従って従来のクロムより厚く形成することが特徴である
以下、製造条件を述べて行く。
スパッタ装置にセットされた前記基板は、まず真空中の
予備加熱ベークで150〜250℃の温度に加熱されて
、表面の水や吸着ガスを取除く。
次に直流スパッタ法でクロム下地膜を0.45μ腸形成
した。スパッタ条件を以下に示す。
クロム膜形成で重要な事は膜厚であり、 0.35〜1
.0μ、厚が最も好適範囲である。0.35μ陽以下で
あると、膜が薄すぎて磁気ヘッドの接触に対する強度が
不足となる。例えば、CSS強度(Contact −
8tart −5top  の略)と呼ぶディスクの耐
ヘッドに対する機械強度評価試験がクロム厚が0135
μ罵以下では目標値30 K回に対して満足できなくな
る。
クロム厚の上限は、1,0μm以上にすると膜中にクラ
ック等が発生することより決まる。これは内部応力のた
めと考えている。
先に述べた媒体下地層の目的である、媒体磁気特性の向
上、基板の耐ヘツド接触強度の向上の関点からすると、
媒体下地層膜材料としてはクロムは最も優れた カーボン厚は必要により増減は可能である。
本実施例では上記のようにして、クロム膜、磁性媒体、
カーボン保護膜を一つのスパッタ装置内で連続搬送によ
り一貫形成する。
この事は欠陥低減、量産性の点から好ましい方法である
カーボン形成後のディスクは次にスパッタ装置より大気
中に取出され、最外表面に以下の方法で潤滑膜を形成す
る。
潤滑油としては本実施例ではフッ素系炭化水素潤滑油と
して公知のものを一例として用いたが、これ以外の材料
でもかまわない、カーボン単体の保護膜ではなく、カー
ボンと潤滑油との積層により形成した保護膜の方が磁気
ディスクの必要特性からして望ましい。
完成した薄膜磁気ディスクの特性を測定した所、記碌密
度32,0OOBPI(b i t/1nch )であ
り、耐CSS試験強度は35,000回であり、高記録
密度と高信頼性を合わせ持ち、かつ、従来より低価格の
薄膜磁気ディスクを完成できた。
〔発明の効果〕
本発明によれば、クロム膜を厚くする事によりディスク
の電気特性、信頼性を従来と同等に維持した上で、N 
i−P下地めっき膜を省略できる。そのために、本発明
により形成した薄膜磁気ディスクは製造コストを低減で
き、工程短縮ができる。
従来法のN1−P下地めっき膜を用いる場合と比較して
省略できる点は、+11下地N t−Pめりき工程およ
びめっき設備、(21Ni−P表面研磨工程および設備
である。逆に本発明故に必要とする部分は(1)′クロ
ム下地層の膜厚増加分材料コスト、 (2+’At合金
の研磨加工工程および設備である。(2)′は、従来法
ではM合金は研削加工直後でN1−Pめりきを行ってい
たが、不法では研削加工後、さらに研磨加工を行うため
である。
上記のように本発明によれば、N1−P下地めっき工程
、材料費、設備と一部の加工設備を省略できるため、薄
膜磁気ディスクの製造コストを当社従来比で20〜25
チ低減でき、そのコストメリットは太きい。
【図面の簡単な説明】 図は本発明の一実施例を示す、薄膜磁気ディスクの断面
構成図である。 1・・・M合金基板    2・・・クロム膜3・・・
コバルト合金記録膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、基板と磁気記録膜と保護膜とより成る、薄膜磁気デ
    ィスクにおいて、基板としてAl合金基板を用い、磁気
    記録膜としてコバルトを主成分とする合金膜をスパッタ
    リング法で形成したものを用い、保護膜としてはスパッ
    タリング法で形成したカーボン膜上に、潤滑油を塗布し
    たものを用い、さらに上記Al合金基板と磁気記録膜と
    の間に、スパッタリング法により、膜厚0.35〜1.
    0μmの範囲のクロム膜を形成した事を特徴とする薄膜
    磁気ディスク。
JP24103688A 1988-09-28 1988-09-28 薄膜磁気ディスク Pending JPH0291809A (ja)

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JP24103688A JPH0291809A (ja) 1988-09-28 1988-09-28 薄膜磁気ディスク

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JPH0291809A true JPH0291809A (ja) 1990-03-30

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