JPH0289029A - 記憶装置および液晶表示装置 - Google Patents
記憶装置および液晶表示装置Info
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- JPH0289029A JPH0289029A JP63240111A JP24011188A JPH0289029A JP H0289029 A JPH0289029 A JP H0289029A JP 63240111 A JP63240111 A JP 63240111A JP 24011188 A JP24011188 A JP 24011188A JP H0289029 A JPH0289029 A JP H0289029A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気信号を記憶する記憶装置およびそれを用い
た液晶表示装置に関する。またその記憶方法読み出し方
法及び記憶装置の製造方法に関す従来の技術 ＸＹマトリックス電極をもち、その交差点に設けたトラ
ンジスタを介して容量に電気信号を蓄積する記録装置は
Ｓｉ半導体装置としてはよく知られている。また、ＴＦ
Ｔを用いたアクティブマトリックス型表示基板を用いた
液晶デイスプレーは、単純マトリックス型液晶表示装置
に比べて高い画質が得られるため盛んに研究されている
。アクティブマトリックス型表示装置のためのＴＰＴア
レーは上述したＳｉ半導体装置と同じ構成をしている。
た液晶表示装置に関する。またその記憶方法読み出し方
法及び記憶装置の製造方法に関す従来の技術 ＸＹマトリックス電極をもち、その交差点に設けたトラ
ンジスタを介して容量に電気信号を蓄積する記録装置は
Ｓｉ半導体装置としてはよく知られている。また、ＴＦ
Ｔを用いたアクティブマトリックス型表示基板を用いた
液晶デイスプレーは、単純マトリックス型液晶表示装置
に比べて高い画質が得られるため盛んに研究されている
。アクティブマトリックス型表示装置のためのＴＰＴア
レーは上述したＳｉ半導体装置と同じ構成をしている。
ＴＰＴを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置
は第７図に示す構成である。
は第７図に示す構成である。
透光性基板１２０に形成されたソース（又はドレーン）
電極母線１２１及びゲート電極母線１２２と、ＴＦＴ１
２３と、絵素電極１２４を支持している表示基板１２５
と、対向電極１２６を有する対向基板１２７とから構成
されており、これらの基板１２５と１２７の間に液晶が
封入される。
電極母線１２１及びゲート電極母線１２２と、ＴＦＴ１
２３と、絵素電極１２４を支持している表示基板１２５
と、対向電極１２６を有する対向基板１２７とから構成
されており、これらの基板１２５と１２７の間に液晶が
封入される。
一方、絶縁物の上に半導体を形成する逆スタガー型ＴＦ
Ｔは良質のＴＦＴが得られるが、それについて、マトリ
ックス表示基板の製造方法を示す第８図に従って説明す
る。ＴＰＴは絶縁基板１３０上に堆積されたＣｒゲート
１３１と、ＳｉＮｘ絶Ｌｉｆｆ１３２とａ−８ｉ（アモ
ルファスシリコン）層１３４と、ＡＩソース１３５と、
ＡＩドレーン１３６とで形成されている。絵素電極１３
８はＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）で形成
されている。ＴＦＴと絵素電極１３８は、絶縁層１３２
に形成されたコンタクトホール１４２に続くドレーン１
３６に結合されている。
Ｔは良質のＴＦＴが得られるが、それについて、マトリ
ックス表示基板の製造方法を示す第８図に従って説明す
る。ＴＰＴは絶縁基板１３０上に堆積されたＣｒゲート
１３１と、ＳｉＮｘ絶Ｌｉｆｆ１３２とａ−８ｉ（アモ
ルファスシリコン）層１３４と、ＡＩソース１３５と、
ＡＩドレーン１３６とで形成されている。絵素電極１３
８はＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）で形成
されている。ＴＦＴと絵素電極１３８は、絶縁層１３２
に形成されたコンタクトホール１４２に続くドレーン１
３６に結合されている。
発明が解決しようとする課題
このようなＴＰＴを用いたアクティブマトリックス型表
示基板は、絶縁層をはさんでＸＹの電極母線が交差して
いる構造となっており、ＸＹ電極母線同志のシｇｈが歩
留まりを低下させる大きな不良要因であった。
示基板は、絶縁層をはさんでＸＹの電極母線が交差して
いる構造となっており、ＸＹ電極母線同志のシｇｈが歩
留まりを低下させる大きな不良要因であった。
またゲートパルス電位の変化による偽信号が絵素表示電
極の電位をひきおこし液晶表示表示品質劣下させていた
。また特に大型液晶表示基板として用いる場合、ゲート
パルスの遅延によるＴＰＴのスイッチング時間の画面左
右の不均一性が、表示品質の低下、具体的には画面左右
の師度の不均一性をまねいた。
極の電位をひきおこし液晶表示表示品質劣下させていた
。また特に大型液晶表示基板として用いる場合、ゲート
パルスの遅延によるＴＰＴのスイッチング時間の画面左
右の不均一性が、表示品質の低下、具体的には画面左右
の師度の不均一性をまねいた。
課題を解決するための手段
行を指定する信号を光としその伝達を光導波路を用いて
行い、列を形成する第１の電極に記憶すべき電気信号を
伝達し、前記第１の電極と第２の電極は前記光導波路上
に形成された光導電層を介して電気的に接続し、誘電体
層をはさんで第２、第３の電極間で形成した容量に前記
電気信号を蓄積する。
行い、列を形成する第１の電極に記憶すべき電気信号を
伝達し、前記第１の電極と第２の電極は前記光導波路上
に形成された光導電層を介して電気的に接続し、誘電体
層をはさんで第２、第３の電極間で形成した容量に前記
電気信号を蓄積する。
また、第２の電極を透明電極で形成し、前記第１の誘電
体層として液晶を用いることにより、液晶表示装置を構
成する。
体層として液晶を用いることにより、液晶表示装置を構
成する。
作用
上記の構成により、光導波路に導入された光によって光
導波路上に形成された光導電層を導通状態にして電極パ
スラインより伝達される電気信号を容量に蓄積して記憶
できる。記憶された電気信号は別の１１ｈ間に導入され
た光によって再び光導電層を導通状態にして蓄積された
電気信号を電極パスラインより読み出すことができる。
導波路上に形成された光導電層を導通状態にして電極パ
スラインより伝達される電気信号を容量に蓄積して記憶
できる。記憶された電気信号は別の１１ｈ間に導入され
た光によって再び光導電層を導通状態にして蓄積された
電気信号を電極パスラインより読み出すことができる。
またはＪｔ換えが可能であるのでこの性質を利用すると
液晶駆動用アレーとしても用いることができる。
液晶駆動用アレーとしても用いることができる。
実施例
本発明の記憶装置は、行を指定する信号を光としその伝
達を光導波路を用いて行い、列を形成する第１の電極に
記憶すべき電気信号を伝達し、第１の電極と第２の電極
を光導波路上に形成された光導電層を介して電気的に接
続し、誘電体層をはさんで第２、第３の電極間で形成し
た容量に前記電気信号を蓄積するものである。
達を光導波路を用いて行い、列を形成する第１の電極に
記憶すべき電気信号を伝達し、第１の電極と第２の電極
を光導波路上に形成された光導電層を介して電気的に接
続し、誘電体層をはさんで第２、第３の電極間で形成し
た容量に前記電気信号を蓄積するものである。
本記憶装置をマトリックス回路とするときは、複数の前
記光導波路と複数の第１の電極が交差する１１ｑ所に対
応して複数の第２の電極が分離して形成される。あるい
は複数の光導波路と複数の第１の電極が交差することな
く形成され、第２の電極が分離して形成され、第３の電
極が光導波路及び第１の電極と交差するように複数の第
３の電極が設置される。この場合光導電体層の下層また
は上層の少なくとも一方に光の遮蔽層を設けることが望
ましい。
記光導波路と複数の第１の電極が交差する１１ｑ所に対
応して複数の第２の電極が分離して形成される。あるい
は複数の光導波路と複数の第１の電極が交差することな
く形成され、第２の電極が分離して形成され、第３の電
極が光導波路及び第１の電極と交差するように複数の第
３の電極が設置される。この場合光導電体層の下層また
は上層の少なくとも一方に光の遮蔽層を設けることが望
ましい。
なお、光導電層をダイオードとして構成してもよい。そ
の場合、複数のダイオードを互いに極性の異なるように
直列に接続した構成とすることが好ましい。またダイオ
ードはへテロ接合であることが好ましい。
の場合、複数のダイオードを互いに極性の異なるように
直列に接続した構成とすることが好ましい。またダイオ
ードはへテロ接合であることが好ましい。
実施例１
第１図に示すように、ガラス基板１０（商品名コーニン
グ７０５９）に、イオン交換法により屈折率の高い光導
波路１を形成する。次に、第１のＩＴＯを１００ＯＡの
厚さに形成し、パターニングして第３の電極２とする。
グ７０５９）に、イオン交換法により屈折率の高い光導
波路１を形成する。次に、第１のＩＴＯを１００ＯＡの
厚さに形成し、パターニングして第３の電極２とする。
次に基板周辺部の第１のＩＴＯの電極取り出し部を除い
て５ｉ０２からなる誘電体層３を２０００Ａの厚さに常
圧ＣＶＤ法で形成する。
て５ｉ０２からなる誘電体層３を２０００Ａの厚さに常
圧ＣＶＤ法で形成する。
次に、１−ａｓｉを２０００Ａの厚さにＰＣｖＤ法で形
成し、パターニングし光導電層４を形成する。更に、第
２のＩＴＯをＤＣスパッタ法で１００ＯＡ形成し、パタ
ーニングして第２の電極５とする。
成し、パターニングし光導電層４を形成する。更に、第
２のＩＴＯをＤＣスパッタ法で１００ＯＡ形成し、パタ
ーニングして第２の電極５とする。
ｎ４−ａＳｉ層６１、Ｍｏ５ｉＪｉｌ？、Ａｌｆｆ１８
をそれぞれ、５００Ａ、５００Ａ１５０００Ａの厚みに
形成し、絵素電極である第２の電極５と光導電層４を接
続するための接続電極３６と第１の電極３４を形成する
。
をそれぞれ、５００Ａ、５００Ａ１５０００Ａの厚みに
形成し、絵素電極である第２の電極５と光導電層４を接
続するための接続電極３６と第１の電極３４を形成する
。
本実施例では第１の電極１１から第２の電極５への電流
は基板上の光導電層４の横方向に流れる。
は基板上の光導電層４の横方向に流れる。
上記の記憶装置においては、行を指定する信号を光とし
その伝達を光導波路１を用いて行い、列を形成する第１
の電極１１に記憶すべき電気信号を伝達する。第１の電
極１１と第２の電極５は光導波路１上に形成された光導
？！！層４を介して電気的に接続され、誘電体層３を挟
んで第２、第３の電極間で形成した容量に前記電気信号
を蓄積する。
その伝達を光導波路１を用いて行い、列を形成する第１
の電極１１に記憶すべき電気信号を伝達する。第１の電
極１１と第２の電極５は光導波路１上に形成された光導
？！！層４を介して電気的に接続され、誘電体層３を挟
んで第２、第３の電極間で形成した容量に前記電気信号
を蓄積する。
すなわち、光導波路１に光を導入し光導電層４を低抵抗
化している期間に、第１の電極１１より第２の電極５に
電気信号を伝達し、記憶期間中光導電前４は暗中に保持
して電気信号を記憶する。
化している期間に、第１の電極１１より第２の電極５に
電気信号を伝達し、記憶期間中光導電前４は暗中に保持
して電気信号を記憶する。
電気信号の読み出し時には、光導波路１に光を導入し光
導電層４を低抵抗化し蓄積した電気信号を第１の電極１
１を通じて読み出す。
導電層４を低抵抗化し蓄積した電気信号を第１の電極１
１を通じて読み出す。
実施例２
実施例１のｎ・−３８１層６の代わりにＳ ｉＮ ｎ２
０ＯＡを介在させると、記憶電圧は実施例１の場合より
大きくなるが、その電荷の保持特性は優れた記憶装置と
なる。
０ＯＡを介在させると、記憶電圧は実施例１の場合より
大きくなるが、その電荷の保持特性は優れた記憶装置と
なる。
実施例３
第２図の様に、実施例１と同様の光導波路２１をガラス
基板２０上にイオン交換によって形成する。
基板２０上にイオン交換によって形成する。
次にＳｎＯ２を常圧ＣＶＤ法で形成し、ドライエツチン
グ法で２２のパターンを形成する。
グ法で２２のパターンを形成する。
ＣｄＴｅ２３、Ｉｎ２４をを蒸着法で各々４０００Ａ、
１００ＯＡの厚さに形成する。のちに２４ａのようにパ
ターニングする。
１００ＯＡの厚さに形成する。のちに２４ａのようにパ
ターニングする。
本実施例では電極１から電極２の電流の流れは光導電層
の膜厚方向に流れる。
の膜厚方向に流れる。
本発明の第３の電極２が分離されずに共通の場合のマト
リックス回路の等価回路を第３図（ａ）に示す。Ｒ１、
ＣＩは蓄積容量または液晶層の抵抗、容量、Ｒ２，Ｃ２
は光導電層の抵抗、容量を表す。
リックス回路の等価回路を第３図（ａ）に示す。Ｒ１、
ＣＩは蓄積容量または液晶層の抵抗、容量、Ｒ２，Ｃ２
は光導電層の抵抗、容量を表す。
Ｅ ｌ（ｍ−１）、Ｅ １ｍ１Ｅ １（ｍ＋１ ）は信
号を伝達する第１の電極、Ｒ３は第３の電極を表す。こ
のとき、Ｒ２−Ｒ１＞１０ＩＱΩ （１）
を溝足しＲ１，Ｒ２ともに高抵抗である。
号を伝達する第１の電極、Ｒ３は第３の電極を表す。こ
のとき、Ｒ２−Ｒ１＞１０ＩＱΩ （１）
を溝足しＲ１，Ｒ２ともに高抵抗である。
ｎ番目の行の光導波路に光を入射し光導電層を低抵抗化
する。このとき光導電層の抵抗はＲ２からＲ２゛に変化
するものとする。
する。このとき光導電層の抵抗はＲ２からＲ２゛に変化
するものとする。
Ｒ２’ ＣＲＩ （２）となり
光導電層のＣ２に印加される電圧はほとんど無視でき、
第３図（ｂ）のようにｎ番目の行はＣ１のみと見なせる
。他の行はＣＩと０２の直列の容量と見なせる。第１の
電極に印加する信号電圧をＶｍｌ 第３の電極に印加
する電圧をＶｔとするとき容ｆｆ１ｃ＋に分配される電
圧は ＣＩ＋Ｃ２ であるからＣ２が小さいほどＣＩに分配される電圧は小
さくなる。Ｃ２に（Ｖｍ−Ｖｔ）のほとんどの電圧が印
加される。パターンの設計によりＣ２＜ＣＩ
（４）にすると上述したことが実現でき
る。アドレスしようとして信号を伝達しようとしている
いるｎ番目の行ではＲ２は無視できるので、第３図（ｂ
）のような等価回路となる。ｎ番目の行では、（Ｖｍ−
Ｖｔ）の電圧がＣＩに印加される。他の行では、（Ｖｍ
−Ｖｔ）の電圧が０２に印加される。
光導電層のＣ２に印加される電圧はほとんど無視でき、
第３図（ｂ）のようにｎ番目の行はＣ１のみと見なせる
。他の行はＣＩと０２の直列の容量と見なせる。第１の
電極に印加する信号電圧をＶｍｌ 第３の電極に印加
する電圧をＶｔとするとき容ｆｆ１ｃ＋に分配される電
圧は ＣＩ＋Ｃ２ であるからＣ２が小さいほどＣＩに分配される電圧は小
さくなる。Ｃ２に（Ｖｍ−Ｖｔ）のほとんどの電圧が印
加される。パターンの設計によりＣ２＜ＣＩ
（４）にすると上述したことが実現でき
る。アドレスしようとして信号を伝達しようとしている
いるｎ番目の行ではＲ２は無視できるので、第３図（ｂ
）のような等価回路となる。ｎ番目の行では、（Ｖｍ−
Ｖｔ）の電圧がＣＩに印加される。他の行では、（Ｖｍ
−Ｖｔ）の電圧が０２に印加される。
つぎに光導波路と平行に信号線を走らせ、対向電極を分
離形成して光導波路および信号線と交差させる場合につ
いてのべる。等価回路を第６図（ａ）に示す。
離形成して光導波路および信号線と交差させる場合につ
いてのべる。等価回路を第６図（ａ）に示す。
Ｅ″Ｉｎ、 Ｅ’ Ｉ（ｎ＋１）は信号を伝達する第
１の電極、Ｅ ’ ３（ｍ−１）、 Ｅ ’ ３ｍ１Ｅ
’ ３（ｍ＋Ｉ）は第３の電極を表す。第３図（ａ）
と同様に、Ｒｌｚ Ｃ１は蓄積容量または液晶の抵抗
、容量を、Ｒ２，Ｃ２は光導電層の抵抗、容量を表す。
１の電極、Ｅ ’ ３（ｍ−１）、 Ｅ ’ ３ｍ１Ｅ
’ ３（ｍ＋Ｉ）は第３の電極を表す。第３図（ａ）
と同様に、Ｒｌｚ Ｃ１は蓄積容量または液晶の抵抗
、容量を、Ｒ２，Ｃ２は光導電層の抵抗、容量を表す。
上述した第３図と同様の条件、すなわち式（１）、（２
）、（４）を満足すると同様のことが言える。等価回路
は第６図（ｂ）のように簡略化される。アドレスすべき
行をｎ番目の行とすると、信号電圧はそれぞれ、（Ｖ’
ｍ−１−Ｖｓ）、 （Ｖ’ｍ−ＶＳ）、 （Ｖ’ｍ＋１
−Ｖｓ）が印加されＣＩに記憶される。他の行では、（
Ｖ ’ｍ−Ｉ −Ｖｂ） 、（Ｖ ’ｍ−Ｖｂ） 、（
Ｖ ’ｍ＋Ｉ −Ｖｂ）の電圧が０２に印加させられる
。
）、（４）を満足すると同様のことが言える。等価回路
は第６図（ｂ）のように簡略化される。アドレスすべき
行をｎ番目の行とすると、信号電圧はそれぞれ、（Ｖ’
ｍ−１−Ｖｓ）、 （Ｖ’ｍ−ＶＳ）、 （Ｖ’ｍ＋１
−Ｖｓ）が印加されＣＩに記憶される。他の行では、（
Ｖ ’ｍ−Ｉ −Ｖｂ） 、（Ｖ ’ｍ−Ｖｂ） 、（
Ｖ ’ｍ＋Ｉ −Ｖｂ）の電圧が０２に印加させられる
。
ＣＩが１１１（視できない場合でもＣＩに分配される電
圧は、 である。この場合でも、 （Ｖ’ｍ−Ｖｓ）の絶対値が
（Ｖ’ｍ−Ｖｂ）の絶対値よりか大きくなるようにｖｂ
を設定すると、アドレスされていない行のＣＩに印加さ
れる偽の信号は小さ（できる。
圧は、 である。この場合でも、 （Ｖ’ｍ−Ｖｓ）の絶対値が
（Ｖ’ｍ−Ｖｂ）の絶対値よりか大きくなるようにｖｂ
を設定すると、アドレスされていない行のＣＩに印加さ
れる偽の信号は小さ（できる。
実施例４
本実施例は光遮蔽層を設ける場合の例で、第４図にその
平面図を示す。実施例１と同様の材料を用いて、光導波
路３１、光導電層４４、ＩＴＯ４２、第１の電極４３を
順次形成する。
平面図を示す。実施例１と同様の材料を用いて、光導波
路３１、光導電層４４、ＩＴＯ４２、第１の電極４３を
順次形成する。
ガラス基板の反対側に光遮蔽層４５をＣｒ金属を用いて
１００ＯＡの厚さに形成する。
１００ＯＡの厚さに形成する。
実施例５
本実施例は記憶装置を液晶表示装置に適用した場合であ
る。実施例１の基板を一方の基板とし、ＩＴＯを全面に
形成しである他方の基板との間のギャップを６μｍとし
て液晶を挿入して液晶表示装置とする。
る。実施例１の基板を一方の基板とし、ＩＴＯを全面に
形成しである他方の基板との間のギャップを６μｍとし
て液晶を挿入して液晶表示装置とする。
光導波路にはＧａＡｌＡｓのＬＥＤアレーより６８０ｎ
ｍの波長の光を１本当り３０μ秒間ずつ導入してその光
導波路上の光導電層を低抵抗化してこれに同期して映像
信号を与える。映像信号は従来のＴＦＴアレーのＬＣＤ
と同一でよい。これによりＴＶ画像が表示できる。
ｍの波長の光を１本当り３０μ秒間ずつ導入してその光
導波路上の光導電層を低抵抗化してこれに同期して映像
信号を与える。映像信号は従来のＴＦＴアレーのＬＣＤ
と同一でよい。これによりＴＶ画像が表示できる。
実施例６
実施例４の基板を一方の基板とし、ストライブ状のＩＴ
Ｏ４５を形成したもう一方の基板とギャップ６μｍで第
４図の様に合わせて形成し、液晶表示装置とする。
Ｏ４５を形成したもう一方の基板とギャップ６μｍで第
４図の様に合わせて形成し、液晶表示装置とする。
光導波路には別の液晶シャッターより光を導入する。
この場合の等価回路は第５図に示すようになる。
一つの（１１位は容ｆＦｘ ＣＬの液晶と光によって変
化する可変抵抗ＲＰと容量Ｃｐをもつ光導電層の直列接
続によって表わされる。この動作は第６図で説明したよ
うになる。
化する可変抵抗ＲＰと容量Ｃｐをもつ光導電層の直列接
続によって表わされる。この動作は第６図で説明したよ
うになる。
なお、上述した第１の電極と光導電層を同一マスクパタ
ーンにより形成するとより簡単に記憶装置が製造できる
。
ーンにより形成するとより簡単に記憶装置が製造できる
。
また、液晶によって光を偏向し複数の複数の光導波路に
導く構成にするとより簡単な構成の液晶表示装置が実現
できる。
導く構成にするとより簡単な構成の液晶表示装置が実現
できる。
第１図、第４図の例のように、光電流が光導電層の横方
向に流れる構成の方が、第２図のように光電流が先導？
！層の膜厚方向に流れる構成より光導電層の容ｆｆ１ｃ
２の値が小さくできる。
向に流れる構成の方が、第２図のように光電流が先導？
！層の膜厚方向に流れる構成より光導電層の容ｆｆ１ｃ
２の値が小さくできる。
発明の効果
本発明によれば、ＴＰＴアレーのゲート電極にあたるア
ドレス線を光導波路構造とすることにより、ＸＹ電極同
志のショートをなりシ、段差のないところに信号伝達線
を配置することができるので歩留まりが向上する。電気
的ではなく光によって行をアドレスするのでＴＰＴの場
合のようなゲートパルスの電位変化による偽信号を容量
に与えることがない。
ドレス線を光導波路構造とすることにより、ＸＹ電極同
志のショートをなりシ、段差のないところに信号伝達線
を配置することができるので歩留まりが向上する。電気
的ではなく光によって行をアドレスするのでＴＰＴの場
合のようなゲートパルスの電位変化による偽信号を容量
に与えることがない。
このような特長をもつ本発明の記憶装置をたとえば液晶
表示装置に適用するとちらつきのない画面の表示が可能
となる。また電気的なゲートパルス信号の代わりに光を
アドレス信号としているためアドレス信号の遅延はほと
んどない。このためＴＰＴアレーを大型の液晶表示装置
に適用する場合問題となる画面左右の不均一性がなくな
る。
表示装置に適用するとちらつきのない画面の表示が可能
となる。また電気的なゲートパルス信号の代わりに光を
アドレス信号としているためアドレス信号の遅延はほと
んどない。このためＴＰＴアレーを大型の液晶表示装置
に適用する場合問題となる画面左右の不均一性がなくな
る。
第１図（ａ）および（ｂ）は各々、本発明の第１の実施
例における記憶装置を示す平面図および断面図、第２図
（ａ）および（ｂ）は各々、本発明の第３の実施例にお
ける記憶装置を示す平面図および断面図、第３図（ａ）
および（ｂ）は、本発明の記憶装置の作用を説明する等
価回路図、第４図は、本発明の第４の実施例の平面図、
第５図は、本発明の記憶装置を液晶表示装置に適用した
場合の等価回路図、第６図は、本発明の記憶装置の作用
を説明する等価回路図、第７図は、従来の液晶表示装置
の斜視図、第８図（ａ）および（ｂ）は各々、従来のＴ
ＰＴアレーを説明する断面図および平面図である。 ２１．３１．４１・・・・光導波路、３２．３３．４２
・・・・透明電極、３４．４３・・・・信号電極、３５
．４４・・・・光導電層、４５・・・・光遮蔽層。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名図 （０Ｌ） 第２図 （幻 （ｂン 第 第 図 図 （ａ−２ 第 図 第 図 （トジ 第 図 （勾 込 ０り 懺
例における記憶装置を示す平面図および断面図、第２図
（ａ）および（ｂ）は各々、本発明の第３の実施例にお
ける記憶装置を示す平面図および断面図、第３図（ａ）
および（ｂ）は、本発明の記憶装置の作用を説明する等
価回路図、第４図は、本発明の第４の実施例の平面図、
第５図は、本発明の記憶装置を液晶表示装置に適用した
場合の等価回路図、第６図は、本発明の記憶装置の作用
を説明する等価回路図、第７図は、従来の液晶表示装置
の斜視図、第８図（ａ）および（ｂ）は各々、従来のＴ
ＰＴアレーを説明する断面図および平面図である。 ２１．３１．４１・・・・光導波路、３２．３３．４２
・・・・透明電極、３４．４３・・・・信号電極、３５
．４４・・・・光導電層、４５・・・・光遮蔽層。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名図 （０Ｌ） 第２図 （幻 （ｂン 第 第 図 図 （ａ−２ 第 図 第 図 （トジ 第 図 （勾 込 ０り 懺
Claims (8)
- （１）光導波路と、記憶すべき電気信号を伝達する第１
の電極と、第１の誘電体層をはさんで相対する第２、第
３の電極とからなり前記電気信号を蓄積する第１の容量
と、前記光導波路上に形成され、前記第１の電極と第２
の電極とを電気的に接続する光導電層を備えたことを特
徴とする記憶装置。 - （２）第２の電極及び第４の電極間に第２ の誘電体層を介在させた第２の容量を形成することを特
徴とする請求項１に記載の記憶装置。 - （３）光導波路と複数の第１の電極が交差する箇所に対
応して第２の電極が分離形成されて設置されたことを特
徴とする請求項１に記載の記憶装置。 - （４）光導波路と第１の電極が交差することなく形成さ
れ、複数の第２の電極が分離して形成され、第３の電極
が、第１の誘電体層を介して前記光導波路及び前記第１
の電極と交差する複数の電極からなることを特徴とする
請求項１に記載の記憶装置。 - （５）光導電体層の下層または上層の少なくとも一方に
光遮蔽層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の記
憶装置。 - （６）第１または第２の電極が光遮蔽層を兼ねることを
特徴とする請求項５に記載の記憶装置。 - （７）光導電層と第１、第２の電極の間に第２の誘電体
層を介在させたことを特徴とする請求項１に記載の記憶
装置。 - （８）請求項１に記載の記憶装置における第１の誘電体
層を液晶層としたことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24011188A JPH0797190B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 記憶装置および液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24011188A JPH0797190B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 記憶装置および液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289029A true JPH0289029A (ja) | 1990-03-29 |
| JPH0797190B2 JPH0797190B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=17054655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24011188A Expired - Fee Related JPH0797190B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 記憶装置および液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797190B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0490484A2 (en) * | 1990-11-09 | 1992-06-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
| JPH04356024A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-12-09 | Sharp Corp | 表示装置 |
| JPH05297356A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| EP0595647A2 (en) * | 1992-10-29 | 1994-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical address type display device |
| US5440411A (en) * | 1992-07-09 | 1995-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical scan type display device with optical fiber melted onto a substrate |
| US5461400A (en) * | 1992-01-24 | 1995-10-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| US5541751A (en) * | 1992-12-11 | 1996-07-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light scan type display device having light waveguides and photo conductive switching elements |
| US5657056A (en) * | 1992-11-25 | 1997-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01156724A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタアレイ |
| JPH01173016A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Toray Ind Inc | 光導電体を用いた液晶表示装置 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP24011188A patent/JPH0797190B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01156724A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタアレイ |
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| US5535027A (en) * | 1990-11-09 | 1996-07-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with a photoconductor at each intersection of a linear luminous source and a linear electrode |
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| JPH05297356A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
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| EP0595647A2 (en) * | 1992-10-29 | 1994-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical address type display device |
| EP0595647A3 (en) * | 1992-10-29 | 1995-03-22 | Sharp Kk | Display device with optical addressing. |
| US5528399A (en) * | 1992-10-29 | 1996-06-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical address type display device with uniformly functioning optical switching elements each provided for each pixel |
| US5657056A (en) * | 1992-11-25 | 1997-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| US5541751A (en) * | 1992-12-11 | 1996-07-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light scan type display device having light waveguides and photo conductive switching elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797190B2 (ja) | 1995-10-18 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |