JPH04356024A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＡＶ（オーディオビジ
ュアル）機器、ＯＡ（オフィスオートメーション）機器
、コンピュータ等に用いることのできる表示装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、高度情報化社会の進展と相俟って
、大型・大表示容量ディスプレイへの要望が高まってき
ている。このような要望に応えるため、現在の「ディス
プレイの王者」とも呼ばれるＣＲＴ（陰極線管）では、
高精細化への開発が進む一方、大型化に関しても直視型
では４０インチクラスのもの、投射型では２００インチ
クラスのものまで開発されている。しかし、ＣＲＴの持
つ重量や奥行の問題が、大型・大容量表示の実現におい
て一段と深刻化するため、抜本的な解決方法が強く望ま
れている。

【０００３】従来のＣＲＴとは異なる原理で表示を行う
平面型ディスプレイでは、ワープロやパソコンといった
用途で用いられる現状から脱却し、ハイビジョンや高性
能ＥＷＳ（エンジニアリングワークステーション）用デ
ィスプレイに要求される高表示品質化に向かって着実に
研究が進められている。

【０００４】平面型ディスプレイには、ＥＬＰ（エレク
トロルミネセントパネル）、ＰＤＰ（プラズマディスプ
レイパネル）、ＶＦＤ（蛍光表示管）、ＥＣＤ（エレク
トロクロミック表示装置）、ＬＣＤ（液晶表示装置）等
が存在する。これらの中では、フルカラー実現の容易性
、ＬＳＩ（大規模集積回路）との整合性からＬＣＤが最
も有望視されており、その技術進展が最も著しい。

【０００５】ＬＣＤには単純マトリクス駆動型ＬＣＤと
アクティブマトリクス駆動型ＬＣＤとが存在する。単純
マトリクス駆動型ＬＣＤは、それぞれに形成したストラ
イプ状電極が互いに直交するように一対のガラス基板を
対向配置させてなるＸＹマトリクス型パネルに液晶を封
入した構造を持ち、液晶表示特性の急峻性を利用して表
示を行うものである。一方、アクティブマトリクス駆動
型ＬＣＤは絵素に非線形素子を直接的に付加した構造を
持ち、各素子の非線形特性（スイッチング特性等）を積
極的に利用して表示を行うものである。従って、前者の
単純マトリクス駆動型ＬＣＤに比べ、液晶自身の表示特
性への依存度が少なく、高コントラストでかつ高速応答
のディスプレイを実現できる。この種の非線形素子には
２端子型と３端子型とがある。２端子型の非線形素子と
してはＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）、ダイオード等が
存在し、一方、３端子型の非線形素子としてはＴＦＴ（
薄膜トランジスタ）、Ｓｉ−ＭＯＳ（シリコン金属酸化
膜半導体）、ＳＯＳ（シリコン−オン−サファイア）等
が存在する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単純マ
トリクス駆動型ＬＣＤ及びアクティブマトリクス駆動型
ＬＣＤは、大型・大容量表示を実現するためには、コン
トラスト、応答速度、信頼性等に共に問題を有しており
、十分な性能を呈示することが未だできない。

【０００７】即ち、単純マトリクス駆動型ＬＣＤでは、
選択絵素電極と非選択絵素電極に印加される実効電圧の
比が走査線数の増加に伴って１に近付くため、液晶自身
の表示特性に急峻性が要求される。しかし確保できる急
峻性には限界があり、現状では走査線の数が４００本程
度に抑えられている。また応答速度は、表示特性の急峻
性と相反する傾向にあり、走査線数（デューティ数）の
増加に伴って遅くなる。一般的には、走査線数が４００
本のとき応答時間は１００〜３００ｍｓ程度となってい
る。また、大容量表示とするためには、パネル表示面で
信号線を上下に分割し、上下の表示ブロックを独立に走
査する方法がよく取られている。具体的には分割しない
場合の走査線数が４００本なら、分割によって走査線数
は見かけ上、８００本となり、試作段階では８００×１
０２４本レベルの表示容量のものが実現されている。

【０００８】しかし、この方法では、データ信号線用の
ドライバが上下のブロックそれぞれに必要となるため、
ドライバの数が通常の２倍となり、コストが上昇する。 しかも、コントラストや応答速度がアクティブマトリク
ス駆動型ＬＣＤに比べ劣り、パネルの大型化に伴い透明
電極の配線長が長くなるため、配線抵抗が大きくなり、
信号の減衰に起因する表示むらやコントラストが低下す
るといった問題があり、大型・大容量表示の実現には抜
本的なブレークスルー技術が必要となっている。

【０００９】一方、アクティブマトリクス駆動型ＬＣＤ
では、非線形素子のスイッチング特性及び非線形特性を
積極的に利用するため、単純マトリクス駆動型ＬＣＤに
比べて大容量化に伴う表示品質の劣化が顕著とはならな
い。しかしながら、現実には、非線形素子に走査線を介
しての寄生容量が存在するため、走査電気信号の絵素電
極への洩れによるコントラストの低下、残像、パネル寿
命の低下等の問題が発生する。さらに大型化についても
、配線長が長くなるため、配線抵抗の増加と寄生容量と
の結合による信号線での減衰が生じ、表示の均一性やコ
ントラストに大きな悪影響が生じている。従って、この
タイプのＬＣＤでも大型・大容量表示の実現には画期的
な新規技術が切望されている。

【００１０】本発明は、このような要求に応え、高表示
品質で大型・大容量表示が可能な平面型の表示装置を提
供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、表示媒
体と、この表示媒体を駆動するための複数の絵素電極と
、行又は列方向に配設された複数の信号線と、これら複
数の絵素電極毎にそれぞれ設けられており信号線と絵素
電極とを電気的に接続又は遮断するための複数の光導電
体と、光導電体に選択的に光を印加できるように列又は
行方向に配設されており光導電体の接続又は遮断を制御
する複数の線状発光体とを備えた表示装置が提供される
。

【００１２】また本発明によれば、表示媒体と、この表
示媒体を駆動するための複数の絵素電極と、行又は列方
向に配設された複数の信号線と、これら複数の絵素電極
毎にそれぞれ設けられており信号線と絵素電極とを電気
的に接続又は遮断するための複数の光導電体と、光導電
体に選択的に光を印加できるように列又は行方向に配設
されており光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線
状発光体とを備えた表示パネルが複数個平面的に設けら
れており、隣接する表示パネルの線状発光体が光接続媒
体によって互いに接続されている表示装置が提供される
。

【００１３】さらに本発明によれば、それぞれが電極を
有する２つの基板間に表示媒体を含む表示装置であって
、表示媒体を駆動するための複数の絵素電極と、行又は
列方向に配設された複数の信号線と、複数の絵素電極毎
にそれぞれ設けられており信号線と絵素電極とを電気的
に接続又は遮断するための複数の光導電体と、光導電体
に選択的に光を印加できるように列又は行方向に配設さ
れており光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線状
発光体とを備えており、複数の絵素電極、複数の信号線
及び複数の光導電体は一方の基板上に形成されており、
複数の線状発光体は他方の基板上に形成されている。

【００１４】

【作用】複数の線状発光体が順次発光すると、その光が
印加された光導電体はインピーダンスが変化して導通状
態となり、それに対応する絵素電極と信号線とを電気的
に接続する。従って、信号線に印加された電圧が光導電
体を介して絵素電極に与えられる。光が印加されなかっ
た光導電体は非導通状態のままであるため絵素電極には
電圧がほとんど印加されない。この電圧差によって表示
媒体に画像表示がなされる。このように絵素電極と信号
線とは、光を受けて導通状態となる光導電体によって接
続及び遮断されるので、従来のように寄生容量や配線抵
抗に伴う性能の劣化がなく、高品質で大型・大容量の表
示が可能となる。しかも、複数の表示パネルの結合が光
接続媒体によって行えるため、大型・大容量の表示が容
易に行える。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

【００１６】図１は本発明の第１の実施例としてアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の光走査基板の一例を示
す平面図である。なお、この実施例では表示パネルの絵
素数が１００（縦）×１２８（横）であり、液晶の表示
モードはＴＮ（ツイストネマチック）モードである。

【００１７】同図に示すように、基板上には列方向（縦
）に１００個、行方向（横）に１２８個の絵素電極Ｐ１
，１　〜Ｐ１２８，１００　がマトリクス状に配置され
ている。 これら絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１００　毎に光
導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，１００　がそれぞれ
設けられている。絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１０
０　の各列、即ちＰ１，１　〜Ｐ１，１００　、Ｐ２，
１　〜Ｐ２，１００　、…、Ｐ１２８，１　〜Ｐ１２８
，１００　に対応して、列方向に伸びる信号線Ｘ１　、
Ｘ２　、…、Ｘ１２８　が同一の基板上に形成されてい
る。信号線Ｘ１　、Ｘ２　、…、Ｘ１２８　は光導電体
素子Ｓ１，１　〜Ｓ１，１００　、Ｓ２，１　〜Ｓ２，
１００　、…、Ｓ１２８，１　〜Ｓ１２８，１００　を
それぞれ介して対応する列の絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１
，１００、Ｐ２，１　〜Ｐ２，１００　、…、Ｐ１２８
，１　〜Ｐ１２８，１００　に結合されている。

【００１８】光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，１０
０　は、通常、高インピーダンスであるが光が当ると低
インピーダンスに変化し、信号線Ｘ１　〜Ｘ１２８　と
絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１００　とを選択的に
電気的に接続する。

【００１９】絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１００　
の各行、即ち光導電体素子の各行Ｓ１，１　〜Ｓ１２８
，１　、Ｓ１，２　〜Ｓ１２８，２　、…、Ｓ１，１０
０　〜Ｓ１２８，１００　に対応して、行方向に伸びる
線状発光体Ｙ１　〜Ｙ１００　が同一の基板上に形成さ
れている。これら線状発光体Ｙ１　〜Ｙ１００　は、光
導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，１００　に選択的に
光を印加すべく、光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，
１００　及び絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１００　
の下側に設けられている。

【００２０】図２は絵素電極と信号線との接続部を説明
するための斜視図であり、図３は図２のＡＡ線断面図で
ある。

【００２１】両図に示すように、例えばガラスから成る
ガラス基板１０上には、行方向に伸長する線状発光体１
１が設けられており、この線状発光体１１の上に絵素電
極１２と列方向に伸長する信号線１３との電気的接続及
び遮断（スイッチング）を行う光導電体素子１４が、こ
れらを橋渡しする形で配置されている。

【００２２】光導電体素子１４、Ｓ１，１　〜Ｓ１２８
，１００　としては、この実施例では、ａ−Ｓｉ（アモ
ルファスシリコン）が用いられている。線状発光体１１
、Ｙ１　〜Ｙ１００　としては、線状に発光するもので
あれば基本的にどのようなデバイスであってもよいが、
この実施例では、図２に示すようにＥＬ素子による発光
源１１ａ　とこれに一端が連接する線状の光導波路１１
ｂ　との組み合わせで構成されている。発光源１１ａ　
が発光すると、その光が光導波路１１ｂ　に印加されて
光導波路１１ｂ　全体が線状に発光する。

【００２３】図４は図１の光走査基板を組み込んだ液晶
表示パネルの一例を示す断面図であり、図１のＢＢ線断
面を表している。

【００２４】まず光走査基板２０について説明する。Ｅ
Ｂ（電子ビーム）蒸着等によってガラス基板２１上にＡ
ｌ（アルミニウム）層を形成した後、エッチングを行う
ことによりＥＬ素子による発光源の下部電極２２が形成
されている。スパッタによりＡｌ２　Ｏ３　（酸化アル
ミニウム）及びＳｉ３　Ｎ４　（窒化シリコン）を蒸着
することによって、ガラス基板２１及び下部電極２２上
に約２０００オングストロームの厚さの絶縁膜２３が形
成されている。絶縁膜２３上には、Ｍｎ（マンガン）を
０．５％含有するＺｎＳ（硫化亜鉛）から成る光導波路
２４（図１の線状発光体Ｙ１　に対応）がＥＢ蒸着によ
って約８０００オングストロームの厚さに形成されてい
る。光導波路２４上で、各光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ
１２８，１　の下部の位置には切れ目２４ａ　がエッチ
ングにより設けられている。この上にさらにスパッタに
よってＳｉ３　Ｎ４　及びＳｉＯ２　（酸化シリコン）
を蒸着することにより約２０００オングストロームの厚
さの絶縁膜２５が形成されている。絶縁膜２５の上に、
ＩＴＯ（酸化インジウム）を約１５００オングストロー
ムの厚さに蒸着し、エッチングすることにより上部電極
２６が形成されている。下部電極２２及び上部電極２６
で挟まれた光導波路２４の端部がＥＬ素子による発光源
２７を構成している。

【００２５】さらに、ポリイミド層２８により表示面の
平坦化が行われた後、その上に信号線Ｘ１　〜Ｘ１２８
　及び絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１　がＩＴＯを
スパッタ蒸着することによって形成されている。

【００２６】光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，１　
は、まず光導電体層としてａ−Ｓｉ膜を約１０００オン
グストロームの厚さにプラズマＣＶＤ（化学蒸着法）に
より形成し、その後エッチングすることによって、光導
波路２４（Ｙ１　）の各切れ目２４ａ　の上部に作成さ
れている。

【００２７】一方、この光走査基板２０に対向する基板
３０は、ガラス基板３１上にＩＴＯ電極３２をスパッタ
により約１５００オングストロームの厚さに蒸着して形
成されている。

【００２８】これらの光走査基板２０及び対向基板３０
の表面には液晶の水平配向剤としてポリイミド膜２９及
び３３が約５００オングストロームの厚さでそれぞれ塗
布され、ラビングされている。水平配向剤の形成された
光走査基板２０及び対向基板３０は、５μｍのスペーサ
を用いてシール材４０により貼り合わされている。そし
て基板２０及び３０の間には、表示媒体としてＰＣＨ（
フェニルシクロヘキサン）系の液晶４１（ＺＬＩ−１５
６５、メルク社製）が真空注入され、封止されており、
これによって液晶表示パネルが形成されている。

【００２９】線状発光体１１、光導波路２４、発光源２
７及びＹ１　〜Ｙ１００　は、本発明の線状発光体の一
実施例である。絵素電極１２及び絵素電極Ｐ１，１　〜
Ｐ１２８，１００　は、本発明の絵素電極の一実施例で
ある。信号線１３及び信号線Ｘ１　〜Ｘ１２８　は、本
発明の信号線の一実施例である。光導電体素子１４及び
Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，１００　は、本発明の光導電体
の一実施例である。液晶４１は本発明の表示媒体の一実
施例である。

【００３０】この実施例の液晶表示パネルの動作につい
て以下説明する。

【００３１】図４に示す下部電極２２及び上部電極２６
間に電圧を印加することによって、ＥＬ素子による発光
源２７が発光し、その光は光導波路２４を通り、光導波
路２４上に形成された光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１２
８，１　を照射する。 光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，１　はこの光を受
けるとそのインピーダンスが低下して導通状態となるの
で、信号線Ｘ１　〜Ｘ１２８　と対応する絵素電極Ｐ１
，１　〜Ｐ１２８，１　とがそれぞれ電気的に接続され
る。従って、このとき信号線Ｘ１　〜Ｘ１２８　にそれ
ぞれ入力された表示パターンに対応する信号は選択され
たこの行の絵素電極Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，１　に同時
に与えられる。

【００３２】このようにして各行の線状発光体Ｙ１　〜
Ｙ１００　を順次発光させ、信号線Ｘ１　〜Ｘ１２８　
に各行の絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１　、Ｐ１，
２　〜Ｐ１２８，２　、…、Ｐ１，１００　〜Ｐ１２８
，１００　を順次電気的に接続することにより、このと
き信号線Ｘ１　〜Ｘ１２８　にそれぞれ入力された表示
パターンに対応する信号が各行の絵素電極に行毎に同時
に与えられる。

【００３３】光導電体素子を照射することによる選択期
間が経過した後、非選択期間（非照射時）となると、光
導電体素子が高インピーダンス状態となる。このため、
絵素電極に一度注入された電荷は、液晶素子の容量成分
によって、次に選択されるまで保持される。この動作原
理は従来のＴＦＴ−ＬＣＤの場合と同じである。

【００３４】しかしながらこの実施例の表示装置では、
光によって各絵素電極が走査されるので、従来のＴＦＴ
−ＬＣＤのように、ゲート信号がゲート電極と絵素電極
に結合されているドレイン電極との間の寄生容量によっ
て絵素電極に漏洩するといった不都合が一切なく、従っ
て、直流成分が生じて信号の正負極性の対称電圧波形が
絵素電極上で歪むことに伴うコントラストの低下、残像
、寿命の低下等は全く発生しない。また、従来のＴＦＴ
−ＬＣＤでは１本のゲート電極に１走査分の寄生容量が
付加されるため、大型・大表示容量のＬＣＤではこの寄
生容量と配線抵抗によってゲート信号の減衰が生じ、コ
ントラストの低下や表示の不均一化を招く結果となって
いたが、この実施例の表示装置では、光によって走査す
るため、寄生容量及び配線抵抗の問題は全く生じない。

【００３５】実際、この実施例の液晶表示パネルを用い
て表示テストを行ったが、均一なコントラストの表示が
得られ、さらに、長時間静止画のパターンを表示しても
残像及びコントラストの劣化は全く認められなかった。

【００３６】次に、本発明の第２の実施例について述べ
る。

【００３７】図５は本発明の第２の実施例として画素分
割単純マトリクス型液晶表示装置の表示パネルの一例を
示す平面図である。

【００３８】この実施例における表示パネルの作成プロ
セス、条件、及び材料は上述した図１の第１の実施例の
場合と同様であるが、対向基板上のＩＴＯをエッチング
によりストライプ状電極とした点が異なっている。また
、表示パネルの絵素数は３０（縦）×４０（横）であり
、液晶の表示モードはＴＮモードである。

【００３９】この実施例においては、光走査基板上には
列方向（縦）に３０個、行方向（横）に４０個の絵素電
極Ｐ１，１　〜Ｐ４０，３…がマトリクス状に配置され
ている。 これら絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ４０，３…毎に光導電体
素子Ｓ１，１　〜Ｓ４０，３…がそれぞれ設けられてい
る。絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ４０，３…の各列、即ちＰ
１，１　〜Ｐ１，３　…、Ｐ２，１　〜Ｐ２，３　…、
…、Ｐ４０，１〜Ｐ４０，３…に対応して、列方向に伸
びる信号線Ｘ１　、Ｘ２　、…、Ｘ４０が同一の基板上
に形成されている。信号線Ｘ１　、Ｘ２　、…、Ｘ４０
は光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１，３　…、Ｓ２，１　
〜Ｓ２，３　…、…、Ｓ４０，１〜Ｓ４０，３…をそれ
ぞれ介して対応する列の絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１，３
　…、Ｐ２，１　〜Ｐ２，３　…、…、Ｐ４０，１〜Ｐ
４０，３…に結合されている。

【００４０】光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ４０，３…は
、通常、高インピーダンスであるが光が当ると低インピ
ーダンスに変化し、信号線Ｘ１　〜Ｘ４０と絵素電極Ｐ
１，１　〜Ｐ４０，３…とを選択的に電気的に接続する
。

【００４１】絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ４０，３…の各行
、即ち光導電体素子の各行Ｓ１，１　〜Ｓ４０，１、Ｓ
１，２　〜Ｓ４０，２、…、Ｓ１，１００　〜Ｓ４０，
３、…に対応して、行方向に伸びる線状発光体Ｙ１　〜
Ｙ３　…が同一の基板上に形成されている。これら線状
発光体Ｙ１　〜Ｙ３　…は、光導電体素子Ｓ１，１　〜
Ｓ４０，３…に選択的に光を印加すべく、光導電体素子
Ｓ１，１　〜Ｓ４０，３…及び絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ
４０，３…の下側に設けられている。

【００４２】この光走査基板に対向する対向基板上には
、行方向に伸びるストライプ状電極Ｚ１　〜Ｚ９　…が
設けられている。各線状発光体間に３本のストライプ状
電極が入るように、即ち、各絵素電極を３本のストライ
プ状電極が横切るように配置されている。

【００４３】Ｙ１　〜Ｙ３０は本発明の線状発光体の一
実施例である。Ｐ１，１　〜Ｐ４０，３０　は本発明の
絵素電極の一実施例である。信号線Ｘ１　〜Ｘ４０は本
発明の信号線の一実施例である。Ｓ１，１　〜Ｓ４０，
３０　は本発明の光導電体の一実施例である。

【００４４】この実施例の液晶表示パネルの動作につい
て以下説明する。

【００４５】上述した第１の実施例の場合と同様に、線
状発光体Ｙ１　〜Ｙ３　…を順次発光させ、信号線Ｘ１
　〜Ｘ４０に各行の絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ４０，１、
Ｐ１，２　〜Ｐ４０，２、…、Ｐ１，３０〜Ｐ４０，３
０　を順次電気的に接続することにより、このとき信号
線Ｘ１　〜Ｘ４０にそれぞれ入力された表示パターンに
対応する信号が各行の絵素電極に行毎に同時に与えられ
る。なお、ある線状発光体を発光させ、その後、次の線
状発光体を発光させるときは、まず信号線Ｘ１　〜Ｘ４
０に入力する信号の電圧を一旦零として絵素電極に印加
される電圧を全て零とし、それから次の線状発光体を発
光させる。

【００４６】この実施例では、さらに、ストライプ状電
極Ｚ１　〜Ｚ９　…を図６に示すごとく順次駆動するこ
とによって、信号線Ｘ１　〜Ｘ４０に電気的に接続され
ている絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ４０，３…とそれに対向
する３本一組のストライプ状電極Ｚ１　〜Ｚ９　…との
間で単純マルチプレックス駆動が行われる。即ち、この
実施例では、３本の走査線（ストライプ状電極）で構成
される表示領域を１単位のブロックとし、各ブロックの
選択を線状発光体Ｙ１　〜Ｙ３…で行っている。その結
果、デューティ比及びドライバ数を一定に保ったまま走
査線数を３倍に増加させることが可能となる。一般に、
線状発光体の数をＮ、１つの線状発光体当りのストライ
プ状電極の数（実走査電極数）をＭとすると、デューテ
ィ比１／Ｍで、Ｎ×Ｍの走査線を駆動することができる
。

【００４７】従って、この実施例の表示装置では、従来
の単純マトリクス駆動型ＬＣＤに比べ、必要最小限のド
ライバ数（信号線の数に一致）で、高コントラスト及び
大容量の表示が可能となり、極めて大きい効果が得られ
る。また、表示の応答速度も、デューティ数Ｍを従来よ
り小さく設定することができるので、著しく向上する。

【００４８】なお、この実施例の表示装置を図６に示す
ような駆動波形で実際に動作させたところ、極めて良好
な表示特性が得られた。

【００４９】この実施例では表示モードとしてＴＮモー
ドを用いているが、鋭いしきい値特性を有するＳＴＮモ
ードやＤＳＴＮ（ダブルスーパーツイステッドネマチッ
ク）モードを用いればさらに効果が上がることは言うま
でもない。

【００５０】図７は本発明の第３の実施例として図１の
実施例の表示パネルを複数貼り合わせて画面の大型化を
図った液晶表示装置の一例を示す平面図である。

【００５１】この表示装置は図１の実施例の表示パネル
と基本的に同様の構成の３枚の表示パネル５０、６０及
び７０を備えている。表示パネル５０は左端にＥＬ素子
による発光源５１を備え、表示パネル６０は発光源を持
たず、光導波路６２だけを有しており、表示パネル７０
は右端にＥＬ素子による発光源７１を備えている。そし
て、各表示パネル５０及び６０間、６０及び７０の間に
旭硝子社製のファイバプレート８１、８２をそれぞれ介
在させて貼り合わせることによって、各表示パネル５０
、６０及び７０の各光導波路５２、６２及び７２を互い
に光学的に接続している。このような構成で実際に表示
面積が９×３６ｃｍの表示装置を作成し、大画面表示が
可能であることを確認した。

【００５２】表示パネル５０、６０及び７０は、本発明
の表示パネルの一実施例である。

【００５３】この表示装置では、従来の電気走査型の表
示装置のように装置間で電気的な高密度接続を実現する
必要がないので、極めて容易に大画面化を実現できる。

【００５４】この実施例では表示装置の接続にファイバ
プレートを用いたが、ファイバプレートの代わりにセル
ホックレンズアレイやマイクロレンズアレイ等の光学部
品やＳｉ（シリコン）オイル等の屈折率の整合剤を用い
ることも可能である。

【００５５】また、高分子ネットワーク中に液晶を分散
させた、いわゆる高分子分散型液晶を液晶パネル内のシ
ールなしで形成することが、パネルの継ぎ目を目立たな
くし、品質の向上を図る上で有効である。この高分子分
散型液晶の種類としては、液晶をマイクロカプセル化し
たもの、液晶と重合性化合物の均一溶液にＵＶ（紫外線
）や熱で重合性化合物を硬化させたもの、液晶とポリマ
ーと共通溶媒の均一溶液から共通溶媒を蒸発除去させた
もの、加熱溶融した液晶と熱可塑性樹脂の均一溶液を冷
却させたもの、及びスポンジ用セルロース膜又はミクロ
ンサイズのガラス粒子中に液晶に含浸させたもの等が使
用できる。一例として、２−エチルヘキシルアクリレー
ト（モノマー）：ウレタンアクリレートオリゴマー：Ｚ
ＬＩ−１８４０（メルク社製）＝１６：２４：６０の混
合液に光重合開始剤を均一に混合したものをパネル内に
封止した後、ＵＶ照射することによって作成される。

【００５６】図８は本発明の第４の実施例としてアクテ
ィブマトリックス型液晶表示パネルの信号電極基板の一
例を示す平面図であり、図９は図８の信号電極基板に対
向する光走査基板の一例を示す平面図である。

【００５７】図８に示す信号電極基板の構成は線状発光
体がないことを除いて、図１に示す光走査基板の構成と
同じである。すなわち、図８に示すように、基板上には
列方向（縦）に１００個、行方向（横）に１２８個の絵
素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１００　がマトリクス状
に配置されている。これら絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２
８，１００　毎に光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，
１００　がそれぞれ設けられている。絵素電極Ｐ１，１
　〜Ｐ１２８，１００　の各列、即ちＰ１，１　〜Ｐ１
，１００　、Ｐ２，１　〜Ｐ２，１００　、…、Ｐ１２
８，１　〜Ｐ１２８，１００　に対応して、列方向に伸
びる信号線Ｘ１　、Ｘ２　、…、Ｘ１２８が同一の基板
上に形成されている。信号線Ｘ１　、Ｘ２　、…、Ｘ１
２８　は光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１，１００　、Ｓ
２，１　〜Ｓ２，１００　、…、Ｓ１２８，１　〜Ｓ１
２８，１００　をそれぞれ介して対応する列の絵素電極
Ｐ１，１　〜Ｐ１，１００　、Ｐ２，１　〜Ｐ２，１０
０　、…、Ｐ１２８，１　〜Ｐ１２８，１００　に結合
されている。

【００５８】図９に示すように、光走査基板上には、信
号電極基板に形成されている各行の絵素電極Ｐ１，１　
〜Ｐ１２８，１　、Ｐ１，２　〜Ｐ１２８，２　、…、
Ｐ１，１００　〜Ｐ１２８，１００　に対応して、電極
Ｅ１　、Ｅ２　、…Ｅ１００　が行方向に沿ってそれぞ
れ設けられている。電極Ｅ１　、Ｅ２　、…Ｅ１００　
は、端部において互いに接続されている。電極Ｅ１　、
Ｅ２　、…Ｅ１００　の間には、行方向に伸びる線状発
光体Ｙ２　、…Ｙ１００　が設けられており、電極Ｅ１
　に隣接して線状発光体Ｙ１　が行方向に沿って設けら
れている。

【００５９】すなわち、この実施例の構成は図１に示す
第１の実施例の線状発光体を光導電体素子の形成された
基板と対向する基板上に形成したものである。

【００６０】図１０は図８の信号電極基板及び図９の光
走査基板を組み込んだ液晶表示パネルの一例を示す断面
図であって、図８及び図９のＢＢ線断面図である。

【００６１】まず信号電極基板１００　について説明す
る。

【００６２】同図に示すように、ＣＶＤ法によりガラス
基板１０１　上にＴａ２　Ｏ３　（酸化タンタル）から
成るパッシベーション膜１０２　が形成されている。パ
ッシベーション膜１０２　の上にスパッタ法によりＩＴ
Ｏが成膜された後、エッチングにより２０００オングス
トロームの厚さの信号電極１０３　及び絵素電極１０４
　が形成されている。信号電極１０３　及び絵素電極１
０４　は図８の信号線Ｘ１　、Ｘ２　、…、Ｘ１２８　
及び絵素電極Ｐ１，１　、Ｐ２，１　、…、Ｐ１２８，
１　にそれぞれ対応する。ａ−Ｓｉ層をＣＶＤ法により
形成した後エッチングすることにより、光導電体層１０
５　が信号電極１０３　と絵素電極１０４　とを橋渡し
するように形成されている。光導電体層１０５　は図８
の光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，１　に対応する
。

【００６３】一方、信号電極基板１００　に対向する光
走査基板１１０　の線状発光体は、図４の光走査基板２
０と同様にして形成される。すなわち、ＥＢ蒸着等によ
ってガラス基板１１１　上にＡｌ層を形成した後、エッ
チングを行うことによりＥＬ素子による発光源の下部電
極１１２　が形成されている。スパッタによりＡｌ２　
Ｏ３　及びＳｉ３　Ｎ４　を蒸着することによって、ガ
ラス基板１１１　及び下部電極１１２　上に約２０００
オングストロームの厚さの絶縁膜１１３　が形成されて
いる。絶縁膜１１３　上には、Ｍｎを０．５％含有する
ＺｎＳから成る光導波路１１４　（図９の線状発光体Ｙ
１　に対応）がＥＢ蒸着によって約８０００オングスト
ロームの厚さに形成されている。光導波路１１４　上で
、ガラス基板１０１　に設けられている光導電体層１０
５に対向する位置には切れ目１１４ａがエッチングによ
り設けられている。光導波路１１４　の上に、さらにス
パッタによってＳｉ３　Ｎ４　及びＳｉＯ２　を蒸着す
ることにより約２０００オングストロームの厚さの絶縁
膜１１５　が形成されている。絶縁膜１１５　の上に、
ＩＴＯを約１５００オングストロームの厚さに蒸着し、
エッチングすることにより上部電極１１６　が形成され
ている。下部電極１１２　及び上部電極１１６　で挟ま
れた光導波路１１４　の端部がＥＬ素子による発光源を
構成している。

【００６４】信号電極基板１００　及びこれに対向する
光走査基板１１０の表面には、液晶の水平配向剤として
ポリイミド膜１０６　及び１１７が約５００オングスト
ロームの厚さでそれぞれ塗布され、ラビングされている
。水平配向剤の形成された信号電極基板１００　及び光
走査基板１１０　は、５μｍのスペーサを用いてシール
材１３１　によって貼り合わされている。信号電極基板
１００　及び光走査基板１１０　の間には、表示媒体と
してＰＣＨ系の液晶１３２　（ＺＬＩ−１５６５、メル
ク社製）が真空注入され、封止されており、これによっ
て図４の第１の実施例と同様にして液晶表示パネルが形
成されている。

【００６５】ガラス基板１０１　及び１１１　は本発明
の２つの基板の一実施例である。信号電極１０３　及び
信号線Ｘ１　〜Ｘ１２８　は、本発明の信号線の一実施
例である。絵素電極１０４及び絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ
１２８，１００　は、本発明の絵素電極の一実施例であ
る。光導電体層１０５　及びＳ１，１　〜Ｓ１２８，１
００　は、本発明の光導電体の一実施例である。光導波
路１１４　及びＹ１　〜Ｙ１００　は、本発明の線状発
光体の一実施例である。液晶１３２　は本発明の表示媒
体の一実施例である。

【００６６】この実施例の構成は、光導電体層１０５　
から成る光導電体素子と光導波路１１４　から成る線状
発光体とが異なる基板上に形成されていること以外は、
図４に示す第１の実施例の構成と同じである。従って、
第１の実施例と全く同様の効果が得られる。

【００６７】しかしながら、第１の実施例の構成では、
行方向に形成された線状発光体上の列方向に信号電極が
形成されるため、線状発光体とガラス基板との段差が大
きい場合に、信号電極を形成する際のエッチング不良に
よりパターン切れが起こりやすくなることがある。この
実施例では、信号電極は平坦なパッシベーション膜１０
２　上に形成されるため、このようなエッチング不良の
発生を防ぐことができる。

【００６８】図１１は本発明の第５の実施例としてアク
ティブマトリックス型液晶表示パネルの信号電極基板の
一例を示す平面図であり、図１２は図１１の信号電極基
板に対向する光走査基板の一例を示す平面図である。

【００６９】図１１に示すように、この実施例の構成は
線状発光体がないことを除いて、図１に示す第１の実施
例の構成とほぼ同様であるが、信号電極Ｘ１、Ｘ２　、
…、Ｘ１２８　、光導電体層Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，１
００　及び絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１００　が
積層して形成されている点が異なる。

【００７０】すなわち、絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８
，１００　はマトリクス状に配置されており、絵素電極
Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１００　毎に光導電体素子Ｓ１
，１　〜Ｓ１２８，１００　がそれぞれ設けられている
。絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１００　の各列、即
ちＰ１，１　〜Ｐ１，１００　、Ｐ２，１　〜Ｐ２，１
００　、…、Ｐ１２８，１　〜Ｐ１２８，１００　に対
応して、列方向に伸びる信号線Ｘ１　、Ｘ２　、…、Ｘ
１２８　が同一の基板上に形成されている。信号線Ｘ１
　、Ｘ２　、…、Ｘ１２８　は光導電体素子Ｓ１，１　
〜Ｓ１，１００　、Ｓ２，１　〜Ｓ２，１００　、…、
Ｓ１２８，１　〜Ｓ１２８，１００　をそれぞれ介して
対応する列の絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ１，１００　、Ｐ
２，１　〜Ｐ２，１００　、…、Ｐ１２８，１　〜Ｐ１
２８，１００　に結合されている。それぞれ対応する信
号電極Ｘ１　、Ｘ２　、…、Ｘ１２８　、光導電体層Ｓ
１，１　〜Ｓ１２８，１００　及び絵素電極Ｐ１，１〜
Ｐ１２８，１００　が、この順に重なり合っている。

【００７１】図１２に示すように、光走査基板上には、
行方向に伸びる線状発光体Ｙ１　、Ｙ２　、…Ｙ１００
　が設けられており、この上に全面に電極Ｅが形成され
ている。

【００７２】図１３は図１１の信号電極基板及び図１２
の光走査基板を組み込んだ液晶表示パネルの一例を示す
断面図であって、図１１及び図１２のＣＣ線断面図であ
る。

【００７３】まず光走査基板２１０　について説明する
。

【００７４】同図に示すように、ガラス基板２１１　上
にエポキシ樹脂をスピナで塗布し、クラッド層２１２　
を形成する。その上に光重合性モノマ（アクリレート、
例えばアクリル酸メチル）を含有するビス−フェノール
−ポリカーボネート（ＰＣＺ）フィルムをキャスティン
グ法で作製する。

【００７５】次に、ライン状のホトマスクで露光し選択
的に重合させることにより、コア層２１３　としてＰＣ
Ｚ層、クラッド層としてＰＣＺとＰＣＺより屈折率の小
さいポリアクリレートとの混合物がそれぞれストライプ
状に形成される。コア層は図１２に示す線状発光体Ｙ１
　、Ｙ２　、…Ｙ１００　に対応しており、この表面に
は、エッチングにより切れ目２１３ａが設けられている
。更にこの上に、クラッド層２１７　としてエポキシ樹
脂をコーティングすることにより、高分子導波路２１４
　が形成されている。 高分子導波路２１４　の上に、スパッタ法によりＩＴＯ
を成膜し、電極２１５　が形成されている。電極２１５
　は図１２に示す電極Ｅに対応している。

【００７６】次に、信号電極基板２００　について説明
する。

【００７７】ＣＶＤ法によりガラス基板２０１　上にＴ
ａ２　Ｏ３　から成るパッシベーション膜２０２　が形
成されている。パッシベーション膜２０２　の上にスパ
ッタ法によりＩＴＯが成膜された後、エッチングにより
２０００オングストロームの厚さの信号電極２０３　及
び絵素電極２０４　が形成されている。信号電極２０３
　及び絵素電極２０４　は図１１の信号線Ｘ１　、Ｘ２
　、…、Ｘ１２８　及び絵素電極Ｐ１，１　、Ｐ２，１
　、…、Ｐ１２８，１　にそれぞれ対応する。ａ−Ｓｉ
層をＣＶＤ法により形成した後エッチングすることによ
り、光導電体層２０５　が信号電極２０３　と絵素電極
２０４　との間に重なるように形成されている。光導電
体層２０５　は図１１の光導電体素子Ｓ１，１　〜Ｓ１
２８，１　に対応する。

【００７８】この実施例の信号電極基板２００　の構成
は、図１０に示す第４の実施例の信号電極基板１００　
の構成とほぼ同じであるが、信号電極基板２００　と光
走査基板２１０　とを張り合わせて液晶表示パネルを形
成した際に、コア層２１３　の切れ目２１３ａと対向し
て位置するように光導電体層２０５　が形成されている
。

【００７９】信号電極基板２００　及び光走査基板２１
０　の表面に液晶の水平配向剤としてポリイミド膜２０
６　及び２１６　が約５００オングストロームの厚さで
それぞれ塗布され、ラビングされている。水平配向剤の
形成された信号電極基板２００　及び光走査基板２１０
　は、５μｍのスペーサを用いてシール材２３１　によ
って貼り合わされている。そして信号電極基板２００　
及び光走査基板２１０　の間には、表示媒体としてＰＣ
Ｈ系の液晶２３２　（ＺＬＩ−１５６５、メルク社製）
が真空注入され、封止されており、これによって図４の
第１の実施例と同様にして液晶表示パネルが形成されて
いる。

【００８０】この液晶表示パネルの端部には、ＬＥＤア
レイ２４１　がコア層２１３　と同じ屈折率を有する紫
外硬化型樹脂２４２　によって接合されている。

【００８１】ガラス基板２０１　及び２１１　は本発明
の２つの基板の一実施例である。信号電極２０３　及び
信号線Ｘ１　〜Ｘ１２８　は、本発明の信号線の一実施
例である。絵素電極２０４及び絵素電極Ｐ１，１　〜Ｐ
１２８，１００　は、本発明の絵素電極の一実施例であ
る。光導電体層２０５　及びＳ１，１　〜Ｓ１２８，１
００　は、本発明の光導電体の一実施例である。高分子
導波路２１４　及びＹ１　〜Ｙ１００　は、本発明の線
状発光体の一実施例である。液晶２３２　は本発明の表
示媒体の一実施例である。

【００８２】この実施例の動作は図４及び図１０の第１
及び第４の実施例と全く同じであり、これらの実施例と
全く同様の効果が得られる。しかし、この実施例は成膜
温度が２５０〜３００℃と高い光導電体層と線状発光体
とが異なる基板上に形成される構造であるため、線状発
光体として耐熱温度が１２０℃と低い高分子導波路を用
いることが可能となった。また、図１０の第４の実施例
と同様に信号電極のエッチング不良の発生を防ぐ効果が
得られる。

【００８３】なお、図１及び図５に示す第１及び第２の
実施例では、光導波路の片側だけにＥＬ素子による発光
源を設けたが、光導波路の両端に発光源を設けることも
効果的である。

【００８４】また、上述の第１から第５の実施例を通し
て、１走査ラインにＥＬ素子による発光源を１つ設けて
いるが、１走査ライン当り複数の発光源を、走査ライン
の片側又は両側に設けることも可能であり、それによっ
て一層大きな効果が期待できる。

【００８５】さらに、マイクロオプティックス技術、例
えばイオン打込み技術等を適用した光導波路をあらかじ
めガラス基板上に形成しておき、パネル作成後にＥＬ素
子、レーザ素子等の光走査用光源を別基板に形成し、こ
れを光接続媒体を介して所望のパネルに接続しても動作
は可能である。

【００８６】以上の実施例において説明したように、光
導電体素子は、信号線と絵素電極とを橋渡しする構造（
図３及び図１０参照）とすることもできるし、信号線と
光導電体素子及び絵素電極とが積層する構造（図１３参
照）とすることもできる。ただし、橋渡し構造とすると
、信号線と絵素電極で構成される容量が極めて小さくな
るので、非選択時（非接続時）における信号の絵素電極
への漏洩が無視でき、従って、橋渡し構造とした方が所
望の電圧で確実に絵素を駆動することができる。

【００８７】また、光導波路の材料としては、上述した
Ｍｎを０．５％含有するＺｎＳに限らず、屈折率が周囲
基板の屈折率より大きいものであれば他の材料を用いる
ことも可能である。また、光導波路（線状発光体）を上
側の対向基板に形成し、導電体素子の上方に位置するよ
うに構成してもよい。

【００８８】さらに、光導電体素子の周囲光によるイン
ピーダンス変化を抑制するため、光導電体素子の上部や
下部に光遮蔽層を形成したり、光導波路（線状発光体）
中の光が光導電体素子の位置以外の領域に拡散するのを
防ぐため、光導波路（線状発光体）を金属等の光反射層
で保護することも有効である。

【００８９】また、基板としてカラーフィルタを装着し
たものを使用したり、液晶としてゲストホストモードの
ようなカラー表示モードを適用すれば、反射型や透過型
のフルカラー又はマルチカラー表示が可能となる。

【００９０】光導電体素子としては、ａ−Ｓｉの他に、
ａ−ＳｉＣ（アモルファス炭化シリコン）、ａ−ＳｉＮ
（アモルファス窒化シリコン）等を用いてもよい。

【００９１】線状発光体としては、ＥＬ素子による発光
源と線状の光導波路との組み合わせの他に、線状のＥＬ
素子、もしくはＬＥＤ（発光ダイオード）又は半導体レ
ーザと線状の光導波路との組み合わせ等で構成すること
も可能である。

【００９２】また、表示媒体としては、ＬＣＤ、ＥＣＤ
、ＥＰＩＤ（電気泳動ディスプレイ）等を用いることも
できる。ただし、フルカラー化のためにはＬＣＤが最も
望ましい。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、表
示媒体と、この表示媒体を駆動するための複数の絵素電
極と、行又は列方向に配設された複数の信号線と、これ
ら複数の絵素電極毎にそれぞれ設けられており信号線と
絵素電極とを電気的に接続又は遮断するための複数の光
導電体と、光導電体に選択的に光を印加できるように列
又は行方向に配設されており光導電体の接続又は遮断を
制御する複数の線状発光体とを備えている。このように
絵素電極と信号線とは、光を受けて導通状態となる光導
電体によって接続及び遮断されるので、従来のように寄
生容量や配線抵抗に伴う性能の劣化がなく、高品質で大
型・大容量の表示が可能となる。

【００９４】また本発明によれば、上述したような表示
パネルが複数個平面的に設けられており、隣接する表示
パネルの線状発光体が光接続媒体によって互いに接続さ
れているため、大型・大容量の表示が容易に行える。

【００９５】従って、ハイビジョン、エンジニアリング
ワークステーション、各種マルチメディア機器等のディ
スプレイとして極めて有効である。

【００９６】さらに本発明によれば、それぞれが電極を
有する２つの基板間に表示媒体を含む表示装置であって
、表示媒体を駆動するための複数の絵素電極と、行又は
列方向に配設された複数の信号線と、複数の絵素電極毎
にそれぞれ設けられており信号線と絵素電極とを電気的
に接続又は遮断するための複数の光導電体と、光導電体
に選択的に光を印加できるように列又は行方向に配設さ
れており光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線状
発光体とを備えており、複数の絵素電極、複数の信号線
及び複数の光導電体は一方の基板上に形成されており、
複数の線状発光体は他方の基板上に形成されている。こ
のように成膜温度の高い光導電体と線状発光体とが異な
る基板上にそれぞれ形成される構造であるため、線状発
光体として耐熱温度が低い導波路を用いることが可能と
なり、信号線のエッチング不良の発生を防ぐことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置の第１の実施例における光走
査基板を示す平面図である。

【図２】絵素電極と信号線との接続部を説明するための
斜視図である。

【図３】図２のＡＡ線断面図である。

【図４】図１の光走査基板を組み込んだ液晶表示パネル
の一例のＢＢ線断面図である。

【図５】本発明の表示装置の第２の実施例を示すを示す
平面図である。

【図６】図５の第２の実施例の表示装置を駆動する信号
を示す波形図である。

【図７】本発明の表示装置の第３の実施例を示す平面図
である。

【図８】本発明の表示装置の第４の実施例における信号
電極基板の一例を示す平面図である。

【図９】図８の信号電極基板に対向する光走査基板の一
例を示す平面図である。

【図１０】図８の信号電極基板及び図９の光走査基板を
組み込んだ液晶表示パネルの一例を示す断面図である。

【図１１】本発明の表示装置の第５の実施例における信
号電極基板の一例を示す平面図である。

【図１２】図１１の信号電極基板に対向する光走査基板
の一例を示す平面図である。

【図１３】図１１の信号電極基板及び図１２の光走査基
板を組み込んだ液晶表示パネルの一例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１０、２１、３１、１０１　、１１１　、２０１　、２
１１　　　ガラス基板１１、Ｙ１　〜Ｙ１００　、Ｙ１
　〜Ｙ３　　　線状発光体１１ａ　、２７、５１、７１
、１１７　　　発光源１１ｂ　、２４、５２、６２、７
２、１１４　　　光導波路１２、１０４　、２０４　、
Ｐ１，１　〜Ｐ１２８，１００　、Ｐ１，１　〜Ｐ４０
，３　　絵素電極 １３、Ｘ１　〜Ｘ１２８　、Ｘ１　〜Ｘ４０　　信号線
１４、Ｓ１，１　〜Ｓ１２８，１００　、Ｓ１，１　〜
Ｓ４０，３　　光導電体素子 ２０、１１０　、２１０　　　光走査基板２２、１１２
　　　下部電極 ２３、２５、１１３　、１１５　　　絶縁膜２６、１１
６　　　上部電極 ４０、１３１　、２３１　　　シール材４１、１３２　
、２３２　　　液晶 ５０、６０、７０　　表示パネル ８１、８２　　ファイバプレート １００　、２００　　　信号電極基板 １０２　、２０２　　　パッシベーション膜１０３　、
２０３　　　信号電極 １０５　、２０５　　　光導電体層 ２１２　　　クラッド層 ２１３　　　コア層 ２１４　　　高分子導波路 ２１５　、Ｅ、Ｅ１　〜Ｅ１００　　　電極２４１　　
　ＬＥＤアレイ ２４２　　　紫外硬化型樹脂 Ｚ１　〜Ｚ９　　　ストライプ状電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　表示媒体と、該表示媒体を駆動するた
   めの複数の絵素電極と、行又は列方向に配設された複数
   の信号線と、前記複数の絵素電極毎にそれぞれ設けられ
   ており前記信号線と該絵素電極とを電気的に接続又は遮
   断するための複数の光導電体と、該光導電体に選択的に
   光を印加できるように列又は行方向に配設されており該
   光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線状発光体と
   を備えたことを特徴とする表示装置。
2. 【請求項２】　　表示媒体と、該表示媒体を駆動するた
   めの複数の絵素電極と、行又は列方向に配設された複数
   の信号線と、前記複数の絵素電極毎にそれぞれ設けられ
   ており前記信号線と該絵素電極とを電気的に接続又は遮
   断するための複数の光導電体と、該光導電体に選択的に
   光を印加できるように列又は行方向に配設されており該
   光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線状発光体と
   を備えた表示パネルが複数個平面的に設けられており、
   隣接する該表示パネルの前記線状発光体が光接続媒体に
   よって互いに接続されていることを特徴とする表示装置
   。
3. 【請求項３】　　それぞれが電極を有する２つの基板間
   に表示媒体を含む表示装置であって、該表示媒体を駆動
   するための複数の絵素電極と、行又は列方向に配設され
   た複数の信号線と、前記複数の絵素電極毎にそれぞれ設
   けられており前記信号線と該絵素電極とを電気的に接続
   又は遮断するための複数の光導電体と、該光導電体に選
   択的に光を印加できるように列又は行方向に配設されて
   おり該光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線状発
   光体とを備えており、前記複数の絵素電極、前記複数の
   信号線及び前記複数の光導電体は一方の前記基板上に形
   成されており、前記複数の線状発光体は他方の前記基板
   上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】　　前記複数の線状発光体は高分子導波路
   から形成されていることを特徴とする請求項１、２又は
   ３に記載の表示装置。