JP2911662B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＡＶ（オーディオビジ
ュアル）機器、ＯＡ（オフィスオートメーション）機
器、コンピュータ等に用いることのできる表示装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高度情報化社会の進展と相俟っ
て、大型・大表示容量ディスプレイへの要望が高まって
きている。このような要望に応えるため、現在の「ディ
スプレイの王者」とも呼ばれるＣＲＴ（陰極線管）で
は、高精細化への開発が進む一方、大型化に関しても直
視型では４０インチクラスのもの、投射型では２００イ
ンチクラスのものまで開発されている。しかし、ＣＲＴ
の持つ重量や奥行の問題が、大型・大容量表示の実現に
おいて一段と深刻化するため、抜本的な解決方法が強く
望まれている。

【０００３】従来のＣＲＴとは異なる原理で表示を行う
平面型ディスプレイでは、ワープロやパソコンといった
用途で用いられる現状から脱却し、ハイビジョンや高性
能ＥＷＳ（エンジニアリングワークステーション）用デ
ィスプレイに要求される高表示品質化に向かって着実に
研究が進められている。

【０００４】平面型ディスプレイには、ＥＬＰ（エレク
トロルミネセントパネル）、ＰＤＰ（プラズマディスプ
レイパネル）、ＶＦＤ（蛍光表示管）、ＥＣＤ（エレク
トロクロミック表示装置）、ＬＣＤ（液晶表示装置）等
が存在する。これらの中では、フルカラー実現の容易
性、ＬＳＩ（大規模集積回路）との整合性からＬＣＤが
最も有望視されており、その技術進展が最も著しい。

【０００５】ＬＣＤには単純マトリクス駆動型ＬＣＤと
アクティブマトリクス駆動型ＬＣＤとが存在する。単純
マトリクス駆動型ＬＣＤは、それぞれに形成したストラ
イプ状電極が互いに直交するように一対のガラス基板を
対向配置させてなるＸＹマトリクス型パネルに液晶を封
入した構造を持ち、液晶表示特性の急峻性を利用して表
示を行うものである。一方、アクティブマトリクス駆動
型ＬＣＤは絵素に非線形素子を直接的に付加した構造を
持ち、各素子の非線形特性（スイッチング特性等）を積
極的に利用して表示を行うものである。従って、前者の
単純マトリクス駆動型ＬＣＤに比べ、液晶自身の表示特
性への依存度が少なく、高コントラストでかつ高速応答
のディスプレイを実現できる。この種の非線形素子には
２端子型と３端子型とがある。２端子型の非線形素子と
してはＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）、ダイオード等が
存在し、一方、３端子型の非線形素子としてはＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）、Ｓｉ−ＭＯＳ（シリコン金属酸
化膜半導体）、ＳＯＳ（シリコン−オン−サファイア）
等が存在する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単純マ
トリクス駆動型ＬＣＤ及びアクティブマトリクス駆動型
ＬＣＤは、大型・大容量表示を実現するためには、コン
トラスト、応答速度、信頼性等に共に問題を有してお
り、十分な性能を呈示することが未だできない。

【０００７】即ち、単純マトリクス駆動型ＬＣＤでは、
選択絵素電極と非選択絵素電極に印加される実効電圧の
比が走査線数の増加に伴って１に近付くため、液晶自身
の表示特性に急峻性が要求される。しかし確保できる急
峻性には限界があり、現状では走査線の数が４００本程
度に抑えられている。また応答速度は、表示特性の急峻
性と相反する傾向にあり、走査線数（デューティ数）の
増加に伴って遅くなる。一般的には、走査線数が４００
本のとき応答時間は１００〜３００ｍｓ程度となってい
る。また、大容量表示とするためには、パネル表示面で
信号線を上下に分割し、上下の表示ブロックを独立に走
査する方法がよく取られている。具体的には分割しない
場合の走査線数が４００本なら、分割によって走査線数
は見かけ上、８００本となり、試作段階では８００×１
０２４本レベルの表示容量のものが実現されている。

【０００８】しかし、この方法では、データ信号線用の
ドライバが上下のブロックそれぞれに必要となるため、
ドライバの数が通常の２倍となり、コストが上昇する。
しかも、コントラストや応答速度がアクティブマトリク
ス駆動型ＬＣＤに比べ劣り、パネルの大型化に伴い透明
電極の配線長が長くなるため、配線抵抗が大きくなり、
信号の減衰に起因する表示むらやコントラストが低下す
るといった問題があり、大型・大容量表示の実現には抜
本的なブレークスルー技術が必要となっている。

【０００９】一方、アクティブマトリクス駆動型ＬＣＤ
では、非線形素子のスイッチング特性及び非線形特性を
積極的に利用するため、単純マトリクス駆動型ＬＣＤに
比べて大容量化に伴う表示品質の劣化が顕著とはならな
い。しかしながら、現実には、非線形素子に走査線を介
しての寄生容量が存在するため、走査電気信号の絵素電
極への洩れによるコントラストの低下、残像、パネル寿
命の低下等の問題が発生する。さらに大型化について
も、配線長が長くなるため、配線抵抗の増加と寄生容量
との結合による信号線での減衰が生じ、表示の均一性や
コントラストに大きな悪影響が生じている。従って、こ
のタイプのＬＣＤでも大型・大容量表示の実現には画期
的な新規技術が切望されている。

【００１０】本発明は、このような要求に応え、高表示
品質で大型・大容量表示が可能な平面型の表示装置を提
供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、２つの
基板間に表示媒体を含む表示装置であって、表示媒体を
駆動するための複数の絵素電極と、行又は列方向に配設
された複数の信号線と、これら複数の絵素電極毎にそれ
ぞれ設けられており信号線と絵素電極とを電気的に接続
又は遮断するための複数の光導電体と、光導電体に選択
的に光を印加できるように列又は行方向に配設されてお
り光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線状発光体
と、線状発光体と同一方向に各絵素電極に対して複数本
が横切るように配設されたストライプ状電極とを備えて
おり、複数の絵素電極、複数の信号線、複数の光導電体
及び複数の線状発光体は一方の基板上に形成されてお
り、ストライプ状電極は他方の基板上に形成されている
表示装置が提供される。

【００１２】また本発明によれば、表示媒体と、この表
示媒体を駆動するための複数の絵素電極と、行又は列方
向に配設された複数の信号線と、これら複数の絵素電極
毎にそれぞれ設けられており信号線と絵素電極とを電気
的に接続又は遮断するための複数の光導電体と、光導電
体に選択的に光を印加できるように列又は行方向に配設
されており光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線
状発光体とを備えた表示パネルが複数個平面的に設けら
れており、隣接する表示パネルの線状発光体が光接続媒
体によって互いに接続されている表示装置が提供され
る。

【００１３】さらに本発明によれば、それぞれが電極を
有する２つの基板間に表示媒体を含む表示装置であっ
て、表示媒体を駆動するための複数の絵素電極と、行又
は列方向に配設された複数の信号線と、複数の絵素電極
毎にそれぞれ設けられており信号線と絵素電極とを電気
的に接続又は遮断するための複数の光導電体と、光導電
体に選択的に光を印加できるように列又は行方向に配設
されており光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線
状発光体とを備えており、複数の絵素電極、複数の信号
線及び複数の光導電体は一方の基板上に形成されてお
り、複数の線状発光体は他方の基板上に形成されてい
る。

【００１４】

【作用】複数の線状発光体が順次発光すると、その光が
印加された光導電体はインピーダンスが変化して導通状
態となり、それに対応する絵素電極と信号線とを電気的
に接続する。従って、信号線に印加された電圧が光導電
体を介して絵素電極に与えられる。光が印加されなかっ
た光導電体は非導通状態のままであるため絵素電極には
電圧がほとんど印加されない。この電圧差によって表示
媒体に画像表示がなされる。このように絵素電極と信号
線とは、光を受けて導通状態となる光導電体によって接
続及び遮断されるので、従来のように寄生容量や配線抵
抗に伴う性能の劣化がなく、高品質で大型・大容量の表
示が可能となる。しかも、複数の表示パネルの結合が光
接続媒体によって行えるため、大型・大容量の表示が容
易に行える。絵素電極、信号線、光導電体及び線状発光
体が形成された基板と対向する基板上に、線状発光体と
同一方向に各絵素電極に対して複数本が横切るように配
設されたストライプ状電極が形成された構成として、ス
トライプ状電極を走査線として使用することにより、デ
ューティ比及びドライバ数を一定に保ったまま走査線数
を複数倍に増加させて高コントラスト及び大容量の表示
が可能となり、かつ表示の応答速度も著しく向上する。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

【００１６】図１は本発明の第１の実施例としてアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の光走査基板の一例を示
す平面図である。なお、この実施例では表示パネルの絵
素数が１００（縦）×１２８（横）であり、液晶の表示
モードはＴＮ（ツイストネマチック）モードである。

【００１７】同図に示すように、基板上には列方向
（縦）に１００個、行方向（横）に１２８個の絵素電極
Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 がマトリクス状に配置されている。
これら絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 毎に光導電体素子Ｓ
_1,1 〜Ｓ_128,100 がそれぞれ設けられている。絵素電極
Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 の各列、即ちＰ_1,1 〜Ｐ_1,100 、Ｐ
_2,1 〜Ｐ_2,100 、…、Ｐ_128,1 〜Ｐ_128,100 に対応し
て、列方向に伸びる信号線Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、…、Ｘ₁₂₈ が同
一の基板上に形成されている。信号線Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、…、
Ｘ₁₂₈ は光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_1,100 、Ｓ_2,1 〜Ｓ
_2,100 、…、Ｓ_128,1 〜Ｓ_128,100 をそれぞれ介して対
応する列の絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_1,100、Ｐ_2,1 〜Ｐ
_2,100 、…、Ｐ_128,1 〜Ｐ_128,100 に結合されている。

【００１８】光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,100 は、通
常、高インピーダンスであるが光が当ると低インピーダ
ンスに変化し、信号線Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂₈ と絵素電極Ｐ_1,1 〜
Ｐ_{128, 100} とを選択的に電気的に接続する。

【００１９】絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 の各行、即ち
光導電体素子の各行Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,1 、Ｓ_1,2 〜Ｓ
_128,2 、…、Ｓ_1,100 〜Ｓ_128,100 に対応して、行方向
に伸びる線状発光体Ｙ₁ 〜Ｙ₁₀₀ が同一の基板上に形成
されている。これら線状発光体Ｙ₁ 〜Ｙ₁₀₀ は、光導電
体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,100 に選択的に光を印加すべく、
光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,100 及び絵素電極Ｐ_1,1 〜
Ｐ_128,100 の下側に設けられている。

【００２０】図２は絵素電極と信号線との接続部を説明
するための斜視図であり、図３は図２のＡＡ線断面図で
ある。

【００２１】両図に示すように、例えばガラスから成る
ガラス基板10上には、行方向に伸長する線状発光体11が
設けられており、この線状発光体11の上に絵素電極12と
列方向に伸長する信号線13との電気的接続及び遮断（ス
イッチング）を行う光導電体素子14が、これらを橋渡し
する形で配置されている。

【００２２】光導電体素子14、Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,100 とし
ては、この実施例では、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコ
ン）が用いられている。線状発光体11、Ｙ₁ 〜Ｙ₁₀₀ と
しては、線状に発光するものであれば基本的にどのよう
なデバイスであってもよいが、この実施例では、図２に
示すようにＥＬ素子による発光源11a とこれに一端が連
接する線状の光導波路11b との組み合わせで構成されて
いる。発光源11a が発光すると、その光が光導波路11b
に印加されて光導波路11b 全体が線状に発光する。

【００２３】図４は図１の光走査基板を組み込んだ液晶
表示パネルの一例を示す断面図であり、図１のＢＢ線断
面を表している。

【００２４】まず光走査基板20について説明する。ＥＢ
（電子ビーム）蒸着等によってガラス基板21上にＡｌ
（アルミニウム）層を形成した後、エッチングを行うこ
とによりＥＬ素子による発光源の下部電極22が形成され
ている。スパッタによりＡｌ₂ Ｏ₃ （酸化アルミニウ
ム）及びＳｉ₃ Ｎ₄ （窒化シリコン）を蒸着することに
よって、ガラス基板21及び下部電極22上に約２０００オ
ングストロームの厚さの絶縁膜23が形成されている。絶
縁膜23上には、Ｍｎ（マンガン）を０．５％含有するＺ
ｎＳ（硫化亜鉛）から成る光導波路24（図１の線状発光
体Ｙ₁ に対応）がＥＢ蒸着によって約８０００オングス
トロームの厚さに形成されている。光導波路24上で、各
光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,1 の下部の位置には切れ目
24a がエッチングにより設けられている。この上にさら
にスパッタによってＳｉ₃ Ｎ₄ 及びＳｉＯ₂ （酸化シリ
コン）を蒸着することにより約２０００オングストロー
ムの厚さの絶縁膜25が形成されている。絶縁膜25の上
に、ＩＴＯ（酸化インジウム）を約１５００オングスト
ロームの厚さに蒸着し、エッチングすることにより上部
電極26が形成されている。下部電極22及び上部電極26で
挟まれた光導波路24の端部がＥＬ素子による発光源27を
構成している。

【００２５】さらに、ポリイミド層28により表示面の平
坦化が行われた後、その上に信号線Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂₈ 及び絵
素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,1 がＩＴＯをスパッタ蒸着するこ
とによって形成されている。

【００２６】光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,1 は、まず光
導電体層としてａ−Ｓｉ膜を約１０００オングストロー
ムの厚さにプラズマＣＶＤ（化学蒸着法）により形成
し、その後エッチングすることによって、光導波路24
（Ｙ₁ ）の各切れ目24a の上部に作成されている。

【００２７】一方、この光走査基板20に対向する基板30
は、ガラス基板31上にＩＴＯ電極32をスパッタにより約
１５００オングストロームの厚さに蒸着して形成されて
いる。

【００２８】これらの光走査基板20及び対向基板30の表
面には液晶の水平配向剤としてポリイミド膜29及び33が
約５００オングストロームの厚さでそれぞれ塗布され、
ラビングされている。水平配向剤の形成された光走査基
板20及び対向基板30は、５μｍのスペーサを用いてシー
ル材40により貼り合わされている。そして基板20及び30
の間には、表示媒体としてＰＣＨ（フェニルシクロヘキ
サン）系の液晶41（ＺＬＩ−１５６５、メルク社製）が
真空注入され、封止されており、これによって液晶表示
パネルが形成されている。

【００２９】線状発光体11、光導波路24、発光源27及び
Ｙ₁ 〜Ｙ₁₀₀ は、本発明の線状発光体の一実施例であ
る。絵素電極12及び絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 は、本
発明の絵素電極の一実施例である。信号線13及び信号線
Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂₈ は、本発明の信号線の一実施例である。光
導電体素子14及びＳ_1,1 〜Ｓ_128,100 は、本発明の光導
電体の一実施例である。液晶41は本発明の表示媒体の一
実施例である。

【００３０】この実施例の液晶表示パネルの動作につい
て以下説明する。

【００３１】図４に示す下部電極22及び上部電極26間に
電圧を印加することによって、ＥＬ素子による発光源27
が発光し、その光は光導波路24を通り、光導波路24上に
形成された光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,1 を照射する。
光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,1 はこの光を受けるとその
インピーダンスが低下して導通状態となるので、信号線
Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂₈ と対応する絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,1 とが
それぞれ電気的に接続される。従って、このとき信号線
Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂₈ にそれぞれ入力された表示パターンに対応
する信号は選択されたこの行の絵素電極Ｓ_1,1 〜Ｓ
_128,1 に同時に与えられる。

【００３２】このようにして各行の線状発光体Ｙ₁ 〜Ｙ
₁₀₀ を順次発光させ、信号線Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂₈ に各行の絵素
電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,1 、Ｐ_1,2 〜Ｐ_128,2 、…、Ｐ
_1,100 〜Ｐ_128,100 を順次電気的に接続することによ
り、このとき信号線Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂₈ にそれぞれ入力された
表示パターンに対応する信号が各行の絵素電極に行毎に
同時に与えられる。

【００３３】光導電体素子を照射することによる選択期
間が経過した後、非選択期間（非照射時）となると、光
導電体素子が高インピーダンス状態となる。このため、
絵素電極に一度注入された電荷は、液晶素子の容量成分
によって、次に選択されるまで保持される。この動作原
理は従来のＴＦＴ−ＬＣＤの場合と同じである。

【００３４】しかしながらこの実施例の表示装置では、
光によって各絵素電極が走査されるので、従来のＴＦＴ
−ＬＣＤのように、ゲート信号がゲート電極と絵素電極
に結合されているドレイン電極との間の寄生容量によっ
て絵素電極に漏洩するといった不都合が一切なく、従っ
て、直流成分が生じて信号の正負極性の対称電圧波形が
絵素電極上で歪むことに伴うコントラストの低下、残
像、寿命の低下等は全く発生しない。また、従来のＴＦ
Ｔ−ＬＣＤでは１本のゲート電極に１走査分の寄生容量
が付加されるため、大型・大表示容量のＬＣＤではこの
寄生容量と配線抵抗によってゲート信号の減衰が生じ、
コントラストの低下や表示の不均一化を招く結果となっ
ていたが、この実施例の表示装置では、光によって走査
するため、寄生容量及び配線抵抗の問題は全く生じな
い。

【００３５】実際、この実施例の液晶表示パネルを用い
て表示テストを行ったが、均一なコントラストの表示が
得られ、さらに、長時間静止画のパターンを表示しても
残像及びコントラストの劣化は全く認められなかった。

【００３６】次に、本発明の第２の実施例について述べ
る。

【００３７】図５は本発明の第２の実施例として画素分
割単純マトリクス型液晶表示装置の表示パネルの一例を
示す平面図である。

【００３８】この実施例における表示パネルの作成プロ
セス、条件、及び材料は上述した図１の第１の実施例の
場合と同様であるが、対向基板上のＩＴＯをエッチング
によりストライプ状電極とした点が異なっている。ま
た、表示パネルの絵素数は３０（縦）×４０（横）であ
り、液晶の表示モードはＴＮモードである。

【００３９】この実施例においては、光走査基板上には
列方向（縦）に３０個、行方向（横）に４０個の絵素電
極Ｐ_1,1 〜Ｐ_40,3…がマトリクス状に配置されている。
これら絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_40,3…毎に光導電体素子Ｓ
_1,1 〜Ｓ_40,3…がそれぞれ設けられている。絵素電極Ｐ
_1,1 〜Ｐ_40,3…の各列、即ちＰ_1,1 〜Ｐ_1,3 …、Ｐ_2,1
〜Ｐ_2,3 …、…、Ｐ_40,1〜Ｐ_40,3…に対応して、列方向
に伸びる信号線Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、…、Ｘ₄₀が同一の基板上に
形成されている。信号線Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、…、Ｘ₄₀は光導電
体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_1,3 …、Ｓ_2,1 〜Ｓ_2,3 …、…、Ｓ
_40,1〜Ｓ_40,3…をそれぞれ介して対応する列の絵素電極
Ｐ_1,1 〜Ｐ_1,3 …、Ｐ_2,1 〜Ｐ_2,3 …、…、Ｐ_40,1〜Ｐ
_40,3…に結合されている。

【００４０】光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_40,3…は、通常、
高インピーダンスであるが光が当ると低インピーダンス
に変化し、信号線Ｘ₁ 〜Ｘ₄₀と絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_40,3
…とを選択的に電気的に接続する。

【００４１】絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_40,3…の各行、即ち光
導電体素子の各行Ｓ_1,1 〜Ｓ_40,1、Ｓ_1,2 〜Ｓ_40,2、
…、Ｓ_1,100 〜Ｓ_40,3、…に対応して、行方向に伸びる
線状発光体Ｙ₁ 〜Ｙ₃ …が同一の基板上に形成されてい
る。これら線状発光体Ｙ₁ 〜Ｙ₃ …は、光導電体素子Ｓ
_1,1 〜Ｓ_40,3…に選択的に光を印加すべく、光導電体素
子Ｓ_1,1 〜Ｓ_40,3…及び絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_40,3…の下
側に設けられている。

【００４２】この光走査基板に対向する対向基板上に
は、行方向に伸びるストライプ状電極Ｚ₁ 〜Ｚ₉ …が設
けられている。各線状発光体間に３本のストライプ状電
極が入るように、即ち、各絵素電極を３本のストライプ
状電極が横切るように配置されている。

【００４３】Ｙ₁ 〜Ｙ₃₀は本発明の線状発光体の一実施
例である。Ｐ_1,1 〜Ｐ_40,30 は本発明の絵素電極の一実
施例である。信号線Ｘ₁ 〜Ｘ₄₀は本発明の信号線の一実
施例である。Ｓ_1,1 〜Ｓ_40,30 は本発明の光導電体の一
実施例である。

【００４４】この実施例の液晶表示パネルの動作につい
て以下説明する。

【００４５】上述した第１の実施例の場合と同様に、線
状発光体Ｙ₁ 〜Ｙ₃ …を順次発光させ、信号線Ｘ₁ 〜Ｘ
₄₀に各行の絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_40,1、Ｐ_1,2 〜Ｐ_40,2、
…、Ｐ_1,30〜Ｐ_40,30 を順次電気的に接続することによ
り、このとき信号線Ｘ₁ 〜Ｘ₄₀にそれぞれ入力された表
示パターンに対応する信号が各行の絵素電極に行毎に同
時に与えられる。なお、ある線状発光体を発光させ、そ
の後、次の線状発光体を発光させるときは、まず信号線
Ｘ₁ 〜Ｘ₄₀に入力する信号の電圧を一旦零として絵素電
極に印加される電圧を全て零とし、それから次の線状発
光体を発光させる。

【００４６】この実施例では、さらに、ストライプ状電
極Ｚ₁ 〜Ｚ₉ …を図６に示すごとく順次駆動することに
よって、信号線Ｘ₁ 〜Ｘ₄₀に電気的に接続されている絵
素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_40,3…とそれに対向する３本一組のス
トライプ状電極Ｚ₁ 〜Ｚ₉ …との間で単純マルチプレッ
クス駆動が行われる。即ち、この実施例では、３本の走
査線（ストライプ状電極）で構成される表示領域を１単
位のブロックとし、各ブロックの選択を線状発光体Ｙ₁
〜Ｙ₃…で行っている。その結果、デューティ比及びド
ライバ数を一定に保ったまま走査線数を３倍に増加させ
ることが可能となる。一般に、線状発光体の数をＮ、１
つの線状発光体当りのストライプ状電極の数（実走査電
極数）をＭとすると、デューティ比１／Ｍで、Ｎ×Ｍの
走査線を駆動することができる。

【００４７】従って、この実施例の表示装置では、従来
の単純マトリクス駆動型ＬＣＤに比べ、必要最小限のド
ライバ数（信号線の数に一致）で、高コントラスト及び
大容量の表示が可能となり、極めて大きい効果が得られ
る。また、表示の応答速度も、デューティ数Ｍを従来よ
り小さく設定することができるので、著しく向上する。

【００４８】なお、この実施例の表示装置を図６に示す
ような駆動波形で実際に動作させたところ、極めて良好
な表示特性が得られた。

【００４９】この実施例では表示モードとしてＴＮモー
ドを用いているが、鋭いしきい値特性を有するＳＴＮモ
ードやＤＳＴＮ（ダブルスーパーツイステッドネマチッ
ク）モードを用いればさらに効果が上がることは言うま
でもない。

【００５０】図７は本発明の第３の実施例として図１の
実施例の表示パネルを複数貼り合わせて画面の大型化を
図った液晶表示装置の一例を示す平面図である。

【００５１】この表示装置は図１の実施例の表示パネル
と基本的に同様の構成の３枚の表示パネル50、60及び70
を備えている。表示パネル50は左端にＥＬ素子による発
光源51を備え、表示パネル60は発光源を持たず、光導波
路62だけを有しており、表示パネル70は右端にＥＬ素子
による発光源71を備えている。そして、各表示パネル50
及び60間、60及び70の間に旭硝子社製のファイバプレー
ト81、82をそれぞれ介在させて貼り合わせることによっ
て、各表示パネル50、60及び70の各光導波路52、62及び
72を互いに光学的に接続している。このような構成で実
際に表示面積が９×３６ｃｍの表示装置を作成し、大画
面表示が可能であることを確認した。

【００５２】表示パネル50、60及び70は、本発明の表示
パネルの一実施例である。

【００５３】この表示装置では、従来の電気走査型の表
示装置のように装置間で電気的な高密度接続を実現する
必要がないので、極めて容易に大画面化を実現できる。

【００５４】この実施例では表示装置の接続にファイバ
プレートを用いたが、ファイバプレートの代わりにセル
ホックレンズアレイやマイクロレンズアレイ等の光学部
品やＳｉ（シリコン）オイル等の屈折率の整合剤を用い
ることも可能である。

【００５５】また、高分子ネットワーク中に液晶を分散
させた、いわゆる高分子分散型液晶を液晶パネル内のシ
ールなしで形成することが、パネルの継ぎ目を目立たな
くし、品質の向上を図る上で有効である。この高分子分
散型液晶の種類としては、液晶をマイクロカプセル化し
たもの、液晶と重合性化合物の均一溶液にＵＶ（紫外
線）や熱で重合性化合物を硬化させたもの、液晶とポリ
マーと共通溶媒の均一溶液から共通溶媒を蒸発除去させ
たもの、加熱溶融した液晶と熱可塑性樹脂の均一溶液を
冷却させたもの、及びスポンジ用セルロース膜又はミク
ロンサイズのガラス粒子中に液晶に含浸させたもの等が
使用できる。一例として、２−エチルヘキシルアクリレ
ート（モノマー）：ウレタンアクリレートオリゴマー：
ＺＬＩ−１８４０（メルク社製）＝１６：２４：６０の
混合液に光重合開始剤を均一に混合したものをパネル内
に封止した後、ＵＶ照射することによって作成される。

【００５６】図８は本発明の第４の実施例としてアクテ
ィブマトリックス型液晶表示パネルの信号電極基板の一
例を示す平面図であり、図９は図８の信号電極基板に対
向する光走査基板の一例を示す平面図である。

【００５７】図８に示す信号電極基板の構成は線状発光
体がないことを除いて、図１に示す光走査基板の構成と
同じである。すなわち、図８に示すように、基板上には
列方向（縦）に１００個、行方向（横）に１２８個の絵
素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 がマトリクス状に配置されて
いる。これら絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 毎に光導電体
素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,100 がそれぞれ設けられている。絵
素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 の各列、即ちＰ_1,1 〜Ｐ
_1,100 、Ｐ_2,1 〜Ｐ_2,100 、…、Ｐ_128,1 〜Ｐ_128,100
に対応して、列方向に伸びる信号線Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、…、Ｘ
₁₂₈が同一の基板上に形成されている。信号線Ｘ₁ 、Ｘ
₂ 、…、Ｘ₁₂₈ は光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_1,100 、Ｓ
_2,1 〜Ｓ_2,100 、…、Ｓ_128,1 〜Ｓ_128,100 をそれぞれ
介して対応する列の絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_1,100 、Ｐ_2,1
〜Ｐ_2,100 、…、Ｐ_128,1 〜Ｐ_128,100 に結合されてい
る。

【００５８】図９に示すように、光走査基板上には、信
号電極基板に形成されている各行の絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ
_128,1 、Ｐ_1,2 〜Ｐ_128,2 、…、Ｐ_1,100 〜Ｐ_128,100
に対応して、電極Ｅ₁ 、Ｅ₂ 、…Ｅ₁₀₀ が行方向に沿っ
てそれぞれ設けられている。電極Ｅ₁ 、Ｅ₂ 、…Ｅ₁₀₀
は、端部において互いに接続されている。電極Ｅ₁ 、Ｅ
₂ 、…Ｅ₁₀₀ の間には、行方向に伸びる線状発光体
Ｙ₂ 、…Ｙ₁₀₀ が設けられており、電極Ｅ₁ に隣接して
線状発光体Ｙ₁ が行方向に沿って設けられている。

【００５９】すなわち、この実施例の構成は図１に示す
第１の実施例の線状発光体を光導電体素子の形成された
基板と対向する基板上に形成したものである。

【００６０】図１０は図８の信号電極基板及び図９の光
走査基板を組み込んだ液晶表示パネルの一例を示す断面
図であって、図８及び図９のＢＢ線断面図である。

【００６１】まず信号電極基板100 について説明する。

【００６２】同図に示すように、ＣＶＤ法によりガラス
基板101 上にＴａ₂ Ｏ₃ （酸化タンタル）から成るパッ
シベーション膜102 が形成されている。パッシベーショ
ン膜102 の上にスパッタ法によりＩＴＯが成膜された
後、エッチングにより２０００オングストロームの厚さ
の信号電極103 及び絵素電極104 が形成されている。信
号電極103 及び絵素電極104 は図８の信号線Ｘ₁ 、
Ｘ₂ 、…、Ｘ₁₂₈ 及び絵素電極Ｐ_1,1 、Ｐ_2,1 、…、Ｐ
_128,1 にそれぞれ対応する。ａ−Ｓｉ層をＣＶＤ法によ
り形成した後エッチングすることにより、光導電体層10
5 が信号電極103 と絵素電極104 とを橋渡しするように
形成されている。光導電体層105 は図８の光導電体素子
Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,1 に対応する。

【００６３】一方、信号電極基板100 に対向する光走査
基板110 の線状発光体は、図４の光走査基板20と同様に
して形成される。すなわち、ＥＢ蒸着等によってガラス
基板111 上にＡｌ層を形成した後、エッチングを行うこ
とによりＥＬ素子による発光源の下部電極112 が形成さ
れている。スパッタによりＡｌ₂ Ｏ₃ 及びＳｉ₃ Ｎ₄ を
蒸着することによって、ガラス基板111 及び下部電極11
2 上に約２０００オングストロームの厚さの絶縁膜113
が形成されている。絶縁膜113 上には、Ｍｎを０．５％
含有するＺｎＳから成る光導波路114 （図９の線状発光
体Ｙ₁ に対応）がＥＢ蒸着によって約８０００オングス
トロームの厚さに形成されている。光導波路114 上で、
ガラス基板101 に設けられている光導電体層105に対向
する位置には切れ目114aがエッチングにより設けられて
いる。光導波路114 の上に、さらにスパッタによってＳ
ｉ₃ Ｎ₄ 及びＳｉＯ₂ を蒸着することにより約２０００
オングストロームの厚さの絶縁膜115 が形成されてい
る。絶縁膜115 の上に、ＩＴＯを約１５００オングスト
ロームの厚さに蒸着し、エッチングすることにより上部
電極116 が形成されている。下部電極112 及び上部電極
116 で挟まれた光導波路114 の端部がＥＬ素子による発
光源を構成している。

【００６４】信号電極基板100 及びこれに対向する光走
査基板110の表面には、液晶の水平配向剤としてポリイ
ミド膜106 及び117が約５００オングストロームの厚さ
でそれぞれ塗布され、ラビングされている。水平配向剤
の形成された信号電極基板100 及び光走査基板110 は、
５μｍのスペーサを用いてシール材131 によって貼り合
わされている。信号電極基板100 及び光走査基板110 の
間には、表示媒体としてＰＣＨ系の液晶132 （ＺＬＩ−
１５６５、メルク社製）が真空注入され、封止されてお
り、これによって図４の第１の実施例と同様にして液晶
表示パネルが形成されている。

【００６５】ガラス基板101 及び111 は本発明の２つの
基板の一実施例である。信号電極103 及び信号線Ｘ₁ 〜
Ｘ₁₂₈ は、本発明の信号線の一実施例である。絵素電極
104及び絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 は、本発明の絵素
電極の一実施例である。光導電体層105 及びＳ_1,1 〜Ｓ
_128,100 は、本発明の光導電体の一実施例である。光導
波路114 及びＹ₁ 〜Ｙ₁₀₀ は、本発明の線状発光体の一
実施例である。液晶132 は本発明の表示媒体の一実施例
である。

【００６６】この実施例の構成は、光導電体層105 から
成る光導電体素子と光導波路114 から成る線状発光体と
が異なる基板上に形成されていること以外は、図４に示
す第１の実施例の構成と同じである。従って、第１の実
施例と全く同様の効果が得られる。

【００６７】しかしながら、第１の実施例の構成では、
行方向に形成された線状発光体上の列方向に信号電極が
形成されるため、線状発光体とガラス基板との段差が大
きい場合に、信号電極を形成する際のエッチング不良に
よりパターン切れが起こりやすくなることがある。この
実施例では、信号電極は平坦なパッシベーション膜102
上に形成されるため、このようなエッチング不良の発生
を防ぐことができる。

【００６８】図１１は本発明の第５の実施例としてアク
ティブマトリックス型液晶表示パネルの信号電極基板の
一例を示す平面図であり、図１２は図１１の信号電極基
板に対向する光走査基板の一例を示す平面図である。

【００６９】図１１に示すように、この実施例の構成は
線状発光体がないことを除いて、図１に示す第１の実施
例の構成とほぼ同様であるが、信号電極Ｘ₁、Ｘ₂ 、
…、Ｘ₁₂₈ 、光導電体層Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,100 及び絵素電
極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 が積層して形成されている点が異
なる。

【００７０】すなわち、絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 は
マトリクス状に配置されており、絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ
_128,100 毎に光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,100 がそれぞ
れ設けられている。絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 の各
列、即ちＰ_1,1 〜Ｐ_1,100 、Ｐ_{2, 1} 〜Ｐ_2,100 、…、Ｐ
_128,1 〜Ｐ_128,100 に対応して、列方向に伸びる信号線
Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、…、Ｘ₁₂₈ が同一の基板上に形成されてい
る。信号線Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、…、Ｘ₁₂₈ は光導電体素子Ｓ
_1,1 〜Ｓ_1,100 、Ｓ_2,1 〜Ｓ_2,100 、…、Ｓ_128,1 〜Ｓ
_128,100 をそれぞれ介して対応する列の絵素電極Ｐ_1,1
〜Ｐ_1,100 、Ｐ_2,1 〜Ｐ_2,100 、…、Ｐ_128,1 〜Ｐ
_128,100 に結合されている。それぞれ対応する信号電極
Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、…、Ｘ₁₂₈ 、光導電体層Ｓ_1,1 〜Ｓ
_128,100 及び絵素電極Ｐ_1,1〜Ｐ_128,100 が、この順に
重なり合っている。

【００７１】図１２に示すように、光走査基板上には、
行方向に伸びる線状発光体Ｙ₁ 、Ｙ₂ 、…Ｙ₁₀₀ が設け
られており、この上に全面に電極Ｅが形成されている。

【００７２】図１３は図１１の信号電極基板及び図１２
の光走査基板を組み込んだ液晶表示パネルの一例を示す
断面図であって、図１１及び図１２のＣＣ線断面図であ
る。

【００７３】まず光走査基板210 について説明する。

【００７４】同図に示すように、ガラス基板211 上にエ
ポキシ樹脂をスピナで塗布し、クラッド層212 を形成す
る。その上に光重合性モノマ（アクリレート、例えばア
クリル酸メチル）を含有するビス−フェノール−ポリカ
ーボネート（ＰＣＺ）フィルムをキャスティング法で作
製する。

【００７５】次に、ライン状のホトマスクで露光し選択
的に重合させることにより、コア層213 としてＰＣＺ
層、クラッド層としてＰＣＺとＰＣＺより屈折率の小さ
いポリアクリレートとの混合物がそれぞれストライプ状
に形成される。コア層は図１２に示す線状発光体Ｙ₁ 、
Ｙ₂ 、…Ｙ₁₀₀ に対応しており、この表面には、エッチ
ングにより切れ目213aが設けられている。更にこの上
に、クラッド層217 としてエポキシ樹脂をコーティング
することにより、高分子導波路214 が形成されている。
高分子導波路214 の上に、スパッタ法によりＩＴＯを成
膜し、電極215 が形成されている。電極215 は図１２に
示す電極Ｅに対応している。

【００７６】次に、信号電極基板200 について説明す
る。

【００７７】ＣＶＤ法によりガラス基板201 上にＴａ₂
Ｏ₃ から成るパッシベーション膜202 が形成されてい
る。パッシベーション膜202 の上にスパッタ法によりＩ
ＴＯが成膜された後、エッチングにより２０００オング
ストロームの厚さの信号電極203 及び絵素電極204 が形
成されている。信号電極203 及び絵素電極204 は図１１
の信号線Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、…、Ｘ₁₂₈ 及び絵素電極Ｐ_1,1 、
Ｐ_2,1 、…、Ｐ_128,1 にそれぞれ対応する。ａ−Ｓｉ層
をＣＶＤ法により形成した後エッチングすることによ
り、光導電体層205 が信号電極203 と絵素電極204 との
間に重なるように形成されている。光導電体層205 は図
１１の光導電体素子Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,1 に対応する。

【００７８】この実施例の信号電極基板200 の構成は、
図１０に示す第４の実施例の信号電極基板100 の構成と
ほぼ同じであるが、信号電極基板200 と光走査基板210
とを張り合わせて液晶表示パネルを形成した際に、コア
層213 の切れ目213aと対向して位置するように光導電体
層205 が形成されている。

【００７９】信号電極基板200 及び光走査基板210 の表
面に液晶の水平配向剤としてポリイミド膜206 及び216
が約５００オングストロームの厚さでそれぞれ塗布さ
れ、ラビングされている。水平配向剤の形成された信号
電極基板200 及び光走査基板210 は、５μｍのスペーサ
を用いてシール材231 によって貼り合わされている。そ
して信号電極基板200 及び光走査基板210 の間には、表
示媒体としてＰＣＨ系の液晶232 （ＺＬＩ−１５６５、
メルク社製）が真空注入され、封止されており、これに
よって図４の第１の実施例と同様にして液晶表示パネル
が形成されている。

【００８０】この液晶表示パネルの端部には、ＬＥＤア
レイ241 がコア層213 と同じ屈折率を有する紫外硬化型
樹脂242 によって接合されている。

【００８１】ガラス基板201 及び211 は本発明の２つの
基板の一実施例である。信号電極203 及び信号線Ｘ₁ 〜
Ｘ₁₂₈ は、本発明の信号線の一実施例である。絵素電極
204及び絵素電極Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 は、本発明の絵素
電極の一実施例である。光導電体層205 及びＳ_1,1 〜Ｓ
_128,100 は、本発明の光導電体の一実施例である。高分
子導波路214 及びＹ₁ 〜Ｙ₁₀₀ は、本発明の線状発光体
の一実施例である。液晶232 は本発明の表示媒体の一実
施例である。

【００８２】この実施例の動作は図４及び図１０の第１
及び第４の実施例と全く同じであり、これらの実施例と
全く同様の効果が得られる。しかし、この実施例は成膜
温度が２５０〜３００℃と高い光導電体層と線状発光体
とが異なる基板上に形成される構造であるため、線状発
光体として耐熱温度が１２０℃と低い高分子導波路を用
いることが可能となった。また、図１０の第４の実施例
と同様に信号電極のエッチング不良の発生を防ぐ効果が
得られる。

【００８３】なお、図１及び図５に示す第１及び第２の
実施例では、光導波路の片側だけにＥＬ素子による発光
源を設けたが、光導波路の両端に発光源を設けることも
効果的である。

【００８４】また、上述の第１から第５の実施例を通し
て、１走査ラインにＥＬ素子による発光源を１つ設けて
いるが、１走査ライン当り複数の発光源を、走査ライン
の片側又は両側に設けることも可能であり、それによっ
て一層大きな効果が期待できる。

【００８５】さらに、マイクロオプティックス技術、例
えばイオン打込み技術等を適用した光導波路をあらかじ
めガラス基板上に形成しておき、パネル作成後にＥＬ素
子、レーザ素子等の光走査用光源を別基板に形成し、こ
れを光接続媒体を介して所望のパネルに接続しても動作
は可能である。

【００８６】以上の実施例において説明したように、光
導電体素子は、信号線と絵素電極とを橋渡しする構造
（図３及び図１０参照）とすることもできるし、信号線
と光導電体素子及び絵素電極とが積層する構造（図１３
参照）とすることもできる。ただし、橋渡し構造とする
と、信号線と絵素電極で構成される容量が極めて小さく
なるので、非選択時（非接続時）における信号の絵素電
極への漏洩が無視でき、従って、橋渡し構造とした方が
所望の電圧で確実に絵素を駆動することができる。

【００８７】また、光導波路の材料としては、上述した
Ｍｎを０．５％含有するＺｎＳに限らず、屈折率が周囲
基板の屈折率より大きいものであれば他の材料を用いる
ことも可能である。また、光導波路（線状発光体）を上
側の対向基板に形成し、導電体素子の上方に位置するよ
うに構成してもよい。

【００８８】さらに、光導電体素子の周囲光によるイン
ピーダンス変化を抑制するため、光導電体素子の上部や
下部に光遮蔽層を形成したり、光導波路（線状発光体）
中の光が光導電体素子の位置以外の領域に拡散するのを
防ぐため、光導波路（線状発光体）を金属等の光反射層
で保護することも有効である。

【００８９】また、基板としてカラーフィルタを装着し
たものを使用したり、液晶としてゲストホストモードの
ようなカラー表示モードを適用すれば、反射型や透過型
のフルカラー又はマルチカラー表示が可能となる。

【００９０】光導電体素子としては、ａ−Ｓｉの他に、
ａ−ＳｉＣ（アモルファス炭化シリコン）、ａ−ＳｉＮ
（アモルファス窒化シリコン）等を用いてもよい。

【００９１】線状発光体としては、ＥＬ素子による発光
源と線状の光導波路との組み合わせの他に、線状のＥＬ
素子、もしくはＬＥＤ（発光ダイオード）又は半導体レ
ーザと線状の光導波路との組み合わせ等で構成すること
も可能である。

【００９２】また、表示媒体としては、ＬＣＤ、ＥＣ
Ｄ、ＥＰＩＤ（電気泳動ディスプレイ）等を用いること
もできる。ただし、フルカラー化のためにはＬＣＤが最
も望ましい。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、２
つの基板間に表示媒体を含む表示装置であって、表示媒
体を駆動するための複数の絵素電極と、行又は列方向に
配設された複数の信号線と、これら複数の絵素電極毎に
それぞれ設けられており信号線と絵素電極とを電気的に
接続又は遮断するための複数の光導電体と、光導電体に
選択的に光を印加できるように列又は行方向に配設され
ており光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線状発
光体と、線状発光体と同一方向に各絵素電極に対して複
数本が横切るように配設されたストライプ状電極とを備
えており、複数の絵素電極、複数の信号線、複数の光導
電体及び複数の線状発光体は一方の基板上に形成されて
おり、ストライプ状電極は他方の基板上に形成されてい
る。このように絵素電極と信号線とは、光を受けて導通
状態となる光導電体によって接続及び遮断されるので、
従来のように寄生容量や配線抵抗に伴う性能の劣化がな
く、高品質で大型・大容量の表示が可能となる。ストラ
イプ状電極を走査線として使用することにより、デュー
ティ比及びドライバ数を一定に保ったまま走査線数を複
数倍に増加させて高コントラスト及び大容量の表示が可
能となり、かつ表示の応答速度も著しく向上する。

【００９４】また本発明によれば、上述したような表示
パネルが複数個平面的に設けられており、隣接する表示
パネルの線状発光体が光接続媒体によって互いに接続さ
れているため、大型・大容量の表示が容易に行える。

【００９５】従って、ハイビジョン、エンジニアリング
ワークステーション、各種マルチメディア機器等のディ
スプレイとして極めて有効である。

【００９６】さらに本発明によれば、それぞれが電極を
有する２つの基板間に表示媒体を含む表示装置であっ
て、表示媒体を駆動するための複数の絵素電極と、行又
は列方向に配設された複数の信号線と、複数の絵素電極
毎にそれぞれ設けられており信号線と絵素電極とを電気
的に接続又は遮断するための複数の光導電体と、光導電
体に選択的に光を印加できるように列又は行方向に配設
されており光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線
状発光体とを備えており、複数の絵素電極、複数の信号
線及び複数の光導電体は一方の基板上に形成されてお
り、複数の線状発光体は他方の基板上に形成されてい
る。このように成膜温度の高い光導電体と線状発光体と
が異なる基板上にそれぞれ形成される構造であるため、
線状発光体として耐熱温度が低い導波路を用いることが
可能となり、信号線のエッチング不良の発生を防ぐこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置の第１の実施例における光走
査基板を示す平面図である。

【図２】絵素電極と信号線との接続部を説明するための
斜視図である。

【図３】図２のＡＡ線断面図である。

【図４】図１の光走査基板を組み込んだ液晶表示パネル
の一例のＢＢ線断面図である。

【図５】本発明の表示装置の第２の実施例を示すを示す
平面図である。

【図６】図５の第２の実施例の表示装置を駆動する信号
を示す波形図である。

【図７】本発明の表示装置の第３の実施例を示す平面図
である。

【図８】本発明の表示装置の第４の実施例における信号
電極基板の一例を示す平面図である。

【図９】図８の信号電極基板に対向する光走査基板の一
例を示す平面図である。

【図１０】図８の信号電極基板及び図９の光走査基板を
組み込んだ液晶表示パネルの一例を示す断面図である。

【図１１】本発明の表示装置の第５の実施例における信
号電極基板の一例を示す平面図である。

【図１２】図１１の信号電極基板に対向する光走査基板
の一例を示す平面図である。

【図１３】図１１の信号電極基板及び図１２の光走査基
板を組み込んだ液晶表示パネルの一例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

10、21、31、101 、111 、201 、211 ガラス基板 11、Ｙ₁ 〜Ｙ₁₀₀ 、Ｙ₁ 〜Ｙ₃ 線状発光体 11a 、27、51、71、117 発光源 11b 、24、52、62、72、114 光導波路 12、104 、204 、Ｐ_1,1 〜Ｐ_128,100 、Ｐ_1,1 〜Ｐ_40,3
絵素電極 13、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂₈ 、Ｘ₁ 〜Ｘ₄₀ 信号線 14、Ｓ_1,1 〜Ｓ_128,100 、Ｓ_1,1 〜Ｓ_40,3 光導電体素
子 20、110 、210 光走査基板 22、112 下部電極 23、25、113 、115 絶縁膜 26、116 上部電極 40、131 、231 シール材 41、132 、232 液晶 50、60、70 表示パネル 81、82 ファイバプレート 100 、200 信号電極基板 102 、202 パッシベーション膜 103 、203 信号電極 105 、205 光導電体層 212 クラッド層 213 コア層 214 高分子導波路 215 、Ｅ、Ｅ₁ 〜Ｅ₁₀₀ 電極 241 ＬＥＤアレイ 242 紫外硬化型樹脂 Ｚ₁ 〜Ｚ₉ ストライプ状電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和泉 良弘 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 藤原 小百合 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 木村 直史 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 波多野 晃継 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−89029（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−173016（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−134617（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/135

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２つの基板間に表示媒体を含む表示装置
   であって、該表示媒体を駆動するための複数の絵素電極
   と、行又は列方向に配設された複数の信号線と、前記複
   数の絵素電極毎にそれぞれ設けられており前記信号線と
   該絵素電極とを電気的に接続又は遮断するための複数の
   光導電体と、該光導電体に選択的に光を印加できるよう
   に列又は行方向に配設されており該光導電体の接続又は
   遮断を制御する複数の線状発光体と、該線状発光体と同
   一方向に各絵素電極に対して複数本が横切るように配設
   されたストライプ状電極とを備えており、前記複数の絵
   素電極、前記複数の信号線、前記複数の光導電体及び前
   記複数の線状発光体は一方の前記基板上に形成されてお
   り、前記ストライプ状電極は他方の前記基板上に形成さ
   れていることを特徴とする表示装置。
2. 【請求項２】 表示媒体と、該表示媒体を駆動するため
   の複数の絵素電極と、行又は列方向に配設された複数の
   信号線と、前記複数の絵素電極毎にそれぞれ設けられて
   おり前記信号線と該絵素電極とを電気的に接続又は遮断
   するための複数の光導電体と、該光導電体に選択的に光
   を印加できるように列又は行方向に配設されており該光
   導電体の接続又は遮断を制御する複数の線状発光体とを
   備えた表示パネルが複数個平面的に設けられており、隣
   接する該表示パネルの前記線状発光体が光接続媒体によ
   って互いに接続されていることを特徴とする表示装置。
3. 【請求項３】 それぞれが電極を有する２つの基板間に
   表示媒体を含む表示装置であって、該表示媒体を駆動す
   るための複数の絵素電極と、行又は列方向に配設された
   複数の信号線と、前記複数の絵素電極毎にそれぞれ設け
   られており前記信号線と該絵素電極とを電気的に接続又
   は遮断するための複数の光導電体と、該光導電体に選択
   的に光を印加できるように列又は行方向に配設されてお
   り該光導電体の接続又は遮断を制御する複数の線状発光
   体とを備えており、前記複数の絵素電極、前記複数の信
   号線及び前記複数の光導電体は一方の前記基板上に形成
   されており、前記複数の線状発光体は他方の前記基板上
   に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記複数の線状発光体は高分子導波路か
   ら形成されていることを特徴とする請求項３に記載の表
   示装置。