JPH0287559A - 半導体ケース - Google Patents
半導体ケースInfo
- Publication number
- JPH0287559A JPH0287559A JP63238704A JP23870488A JPH0287559A JP H0287559 A JPH0287559 A JP H0287559A JP 63238704 A JP63238704 A JP 63238704A JP 23870488 A JP23870488 A JP 23870488A JP H0287559 A JPH0287559 A JP H0287559A
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- JP
- Japan
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- stem
- case
- semiconductor
- preamplifier
- frequency noise
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 10
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体チップを収納するケースに係り特に半導
体ＩＣの電源線に重畳する雑音の影響を低減するのに好
適な半導体ケースに関する。
体ＩＣの電源線に重畳する雑音の影響を低減するのに好
適な半導体ケースに関する。
近年、光フアイバ通信の実用化は目ざましいものがある
。光フアイバ通信において、伝送距離を長（するために
は光受信器（光受信モジュール）の高感度化が必須であ
る。一般に光受信器は、光電変換を行う受光素子とその
出力電気信号を増幅子るプリアンプと後段の増幅器、識
別回路等から構成されている。従来の光半導体受光パッ
ケージは、第２図に示すよ５＆Ｃ光電変換を行う受光素
子５とその出力電気信号を増幅するプリアンプ４をステ
ムｌに搭載している。受光素子５とプリアンプ４はステ
ム１とステム１上に貫通しているリード線７にワイヤ６
でボンディングしている。この光半導体受光パッケージ
の出力信号端子は、第６図に示すように増幅器１０に接
続されている。雑音対策としては光半導体受光パッケー
ジの近傍にバイパスコンデンサ９を用いている。なお、
この種の半導体ケースは信頼性確保のためパッケージに
封入されている。
。光フアイバ通信において、伝送距離を長（するために
は光受信器（光受信モジュール）の高感度化が必須であ
る。一般に光受信器は、光電変換を行う受光素子とその
出力電気信号を増幅子るプリアンプと後段の増幅器、識
別回路等から構成されている。従来の光半導体受光パッ
ケージは、第２図に示すよ５＆Ｃ光電変換を行う受光素
子５とその出力電気信号を増幅するプリアンプ４をステ
ムｌに搭載している。受光素子５とプリアンプ４はステ
ム１とステム１上に貫通しているリード線７にワイヤ６
でボンディングしている。この光半導体受光パッケージ
の出力信号端子は、第６図に示すように増幅器１０に接
続されている。雑音対策としては光半導体受光パッケー
ジの近傍にバイパスコンデンサ９を用いている。なお、
この種の半導体ケースは信頼性確保のためパッケージに
封入されている。
上記従来技術は半導体ケース近傍にバイパスコンデンサ
を用いることにより、高周波ノイズを抑えているが、ま
だ数闘の距離がある。この点についての配慮がされてお
らず、微少なりアクタンス成分にも敏感な高周波ノイズ
に対して数ｎの距離がおよぼす影響は大きく、このリア
クタンス成分を取り除かなげればならないという問題が
あった。
を用いることにより、高周波ノイズを抑えているが、ま
だ数闘の距離がある。この点についての配慮がされてお
らず、微少なりアクタンス成分にも敏感な高周波ノイズ
に対して数ｎの距離がおよぼす影響は大きく、このリア
クタンス成分を取り除かなげればならないという問題が
あった。
本考案の目的はりアクタンス成分を取り除（ことにより
高周波ノイズを抑えることにある。
高周波ノイズを抑えることにある。
上記目的は、従来駆動系で光半導体受光素子近（にバイ
パスコンデンサを使用していたものを。
パスコンデンサを使用していたものを。
光半導体受光素子のリード部にガラスのかわりに高誘電
体を使用することにより、−５！成される。
体を使用することにより、−５！成される。
従来の光半導体受光パッケージ近傍に用いたバイパスコ
ンデンサ９で抑えることが出来なかった高周波ノイズは
、光入力待受光素子５より発生するため電源線に重畳す
る。光半導体受光パッケージ近傍といっても数龍の距離
があるため、微少なインダクタンスに敏感な高周波ノイ
ズは抑えきれない。このためプリアンプ４に廻り込み増
幅されるので特性劣化の原因となっていたが、半導体ケ
ースに高誘電体を用いることによジ高周波ノイズを最小
にすることが出来る。
ンデンサ９で抑えることが出来なかった高周波ノイズは
、光入力待受光素子５より発生するため電源線に重畳す
る。光半導体受光パッケージ近傍といっても数龍の距離
があるため、微少なインダクタンスに敏感な高周波ノイ
ズは抑えきれない。このためプリアンプ４に廻り込み増
幅されるので特性劣化の原因となっていたが、半導体ケ
ースに高誘電体を用いることによジ高周波ノイズを最小
にすることが出来る。
例えば、ＩＧｆｌｚの周波数帯でバイパスコンデンサｃ
＝ｔｏａｐｒ、インダクタ７ スＬ＝＝ １０ｎＨとし
た場合に各々のインピーダンスＺａ 、 Ｚｂは、光半
導体受光パッケージ近傍にバイパスコンデンサを用いた
場合では。
＝ｔｏａｐｒ、インダクタ７ スＬ＝＝ １０ｎＨとし
た場合に各々のインピーダンスＺａ 、 Ｚｂは、光半
導体受光パッケージ近傍にバイパスコンデンサを用いた
場合では。
Ｚａ ＝ １／（２πｆＣ）＋２１ｆＬで与えられイン
ピーダンスＺａ’ｑ６４となる。
ピーダンスＺａ’ｑ６４となる。
半導体ケースに高誘電体を用いた場合では。
Ｚｂ ＝ １／（２πｆＣ）
で与えられインピーダンスＺｂ−１，６Ωとなる。
上記により、半導体ケースに高誘電体を用いるほうがシ
」−トに近い値となジ、インダクタンスＬが小さいほど
プリアンプ４に廻り込む高周波ノイズを抑えることが出
来る。
」−トに近い値となジ、インダクタンスＬが小さいほど
プリアンプ４に廻り込む高周波ノイズを抑えることが出
来る。
以下６本考案の一実施例を第１図により説明する。半導
体ケースは、ステム１上に、プリアンプ４と受光素子５
を搭載している。それをワイヤ６でボンディングしてい
る。ステムｌとステムｌに対して垂直に貫通しているリ
ード線７との間に高誘電体２を挿入したもので構成され
ている。
体ケースは、ステム１上に、プリアンプ４と受光素子５
を搭載している。それをワイヤ６でボンディングしてい
る。ステムｌとステムｌに対して垂直に貫通しているリ
ード線７との間に高誘電体２を挿入したもので構成され
ている。
第２図は、光半導体受光素子でステム１上にプリアンプ
４と受光素子５を搭載している。それをワイヤ６でボン
ディングしている。ステム１とステムｌに対して垂直に
貫通しているリードａ７どの間にガラス３を挿入したも
ので構成されている。
４と受光素子５を搭載している。それをワイヤ６でボン
ディングしている。ステム１とステムｌに対して垂直に
貫通しているリードａ７どの間にガラス３を挿入したも
ので構成されている。
第３図から第５図までは１本考案を応用したものである
。第３図は、ステム１とステム１に対して垂直に貫通し
ている複数のリード線７との間に高誘電体２や低誘電体
８といったように誘電率の異なるものを挿入している。
。第３図は、ステム１とステム１に対して垂直に貫通し
ている複数のリード線７との間に高誘電体２や低誘電体
８といったように誘電率の異なるものを挿入している。
第４図は、高誘電体２とガラス３を層状に交互に配して
誘電率を高めている。筆５図は、ステム１の高さを可変
するとともにステム１内のリード線７に凸凹を設けて誘
電率を高めている。
誘電率を高めている。筆５図は、ステム１の高さを可変
するとともにステム１内のリード線７に凸凹を設けて誘
電率を高めている。
第６図は、ステム１上のプリアンプ４と受光素子５と増
幅器１０について示している。Ｖｃｃ １１とＧＮＤ１
２間に動作電圧を加えた時に発生するノイズ成分は、増
幅器１０側のバイパスコンデンサ９で落トスのが通常で
ある。また、バイパスコンデンサ９はステムｌ側に近い
ほどこのノイズ成分を抑えることができる。
幅器１０について示している。Ｖｃｃ １１とＧＮＤ１
２間に動作電圧を加えた時に発生するノイズ成分は、増
幅器１０側のバイパスコンデンサ９で落トスのが通常で
ある。また、バイパスコンデンサ９はステムｌ側に近い
ほどこのノイズ成分を抑えることができる。
本考案によれば、半導体ケースにコンデンサを付加した
のと同じことになり、半導体ケース内部で発生する高周
波ノイズに対して低減効果がある。
のと同じことになり、半導体ケース内部で発生する高周
波ノイズに対して低減効果がある。
又、コンデンサが半導体ケースと一体化されたことによ
り部品点数の減少、信頼性向上に効果がある。特にリア
クタンスの小さい値に対して敏感な高周波ノイズが気に
なる高周波部品に対してその効果は大きい。
り部品点数の減少、信頼性向上に効果がある。特にリア
クタンスの小さい値に対して敏感な高周波ノイズが気に
なる高周波部品に対してその効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体ケースの断面図
、第２図は従来装置の断面図、第３図から第５図までは
本発明の他の実施例の断面図、第６図は受光素子と駆動
系の一部を示す構成図である。 ■・・・ステム、 ２・・・高誘電体。 ３・・・ガラス、 ４・・・プリアンプ。 ５・・受光素子、 ６・・・ワイヤ。 ７・・・リード線、 ８・・・低誘電体。 ９・・・バイパスコンデンサ。 ・・増幅器。 躬 第 困 ？ 躬
、第２図は従来装置の断面図、第３図から第５図までは
本発明の他の実施例の断面図、第６図は受光素子と駆動
系の一部を示す構成図である。 ■・・・ステム、 ２・・・高誘電体。 ３・・・ガラス、 ４・・・プリアンプ。 ５・・受光素子、 ６・・・ワイヤ。 ７・・・リード線、 ８・・・低誘電体。 ９・・・バイパスコンデンサ。 ・・増幅器。 躬 第 困 ？ 躬
Claims (1)
- １、複数のリード線とそのリード線を絶縁材質を介して
保持するステムにおいて、少なくとも１本のリード線と
ステム間を絶縁するために用いる材質として高誘電体を
使用したことを特徴とした半導体ケース。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63238704A JPH0287559A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体ケース |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63238704A JPH0287559A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体ケース |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287559A true JPH0287559A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17034046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63238704A Pending JPH0287559A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体ケース |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287559A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003258272A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュール |
| JP2006319019A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュール |
| JP2007305731A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Fujitsu Ltd | ステムおよび光モジュール |
| JP2014138190A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Schott Ag | トランジスタアウトラインハウジング及びその製造方法 |
| JP2014158189A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光デバイス |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63238704A patent/JPH0287559A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003258272A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュール |
| JP2006319019A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュール |
| JP2007305731A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Fujitsu Ltd | ステムおよび光モジュール |
| JP2014138190A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Schott Ag | トランジスタアウトラインハウジング及びその製造方法 |
| KR20140093623A (ko) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | 쇼오트 아게 | Ｔｏ 하우징 및 이의 제조 방법 |
| US9159634B2 (en) | 2013-01-18 | 2015-10-13 | Schott Ag | Transistor outline housing and method for producing same |
| JP2016103657A (ja) * | 2013-01-18 | 2016-06-02 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | トランジスタアウトラインハウジング及びその製造方法 |
| JP2014158189A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光デバイス |
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