JPH0285219A - シクロブチルベンゼン誘導体および該誘導体からなる液晶添加剤 - Google Patents
シクロブチルベンゼン誘導体および該誘導体からなる液晶添加剤Info
- Publication number
- JPH0285219A JPH0285219A JP63236569A JP23656988A JPH0285219A JP H0285219 A JPH0285219 A JP H0285219A JP 63236569 A JP63236569 A JP 63236569A JP 23656988 A JP23656988 A JP 23656988A JP H0285219 A JPH0285219 A JP H0285219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- formula
- compound expressed
- compound
- alkyl group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- UJMBCHVRTIOTKC-UHFFFAOYSA-N cyclobutylbenzene Chemical compound C1CCC1C1=CC=CC=C1 UJMBCHVRTIOTKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 8
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 abstract description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003747 Grignard reaction Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- SHQSVMDWKBRBGB-UHFFFAOYSA-N cyclobutanone Chemical compound O=C1CCC1 SHQSVMDWKBRBGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N methane;palladium Chemical compound C.[Pd] UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 n-propylhexyl Chemical group 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、電気光学的表示材料として有用な新規なネマ
チック液晶類似化合物、特にシクロブチルベンゼン誘導
体に関するものである。
チック液晶類似化合物、特にシクロブチルベンゼン誘導
体に関するものである。
液晶表示素子の代表的なものの一つにエム・シャット（
Ｍ、 ５ｃｈａｄ ｔ）等〔アプライド フィジックス
レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ）、 １８１２７〜１２８ （１９７１）］
によって提案された電界効果型液晶表示素子（フィール
ド・エフェクト・モード・セル）がある。この電界効果
型液晶表示素子は、平行に配設された２枚の透明電極板
を有し、この電極板の間に正の誘電率異方性を有するネ
マチック液晶物質が充填され、液晶分子の長軸は電極板
に対してほぼ平行で、かつ電極板間で一定角度ねじれた
螺旋状配列を形成している。
Ｍ、 ５ｃｈａｄ ｔ）等〔アプライド フィジックス
レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ）、 １８１２７〜１２８ （１９７１）］
によって提案された電界効果型液晶表示素子（フィール
ド・エフェクト・モード・セル）がある。この電界効果
型液晶表示素子は、平行に配設された２枚の透明電極板
を有し、この電極板の間に正の誘電率異方性を有するネ
マチック液晶物質が充填され、液晶分子の長軸は電極板
に対してほぼ平行で、かつ電極板間で一定角度ねじれた
螺旋状配列を形成している。
この螺旋状配列は入射光に対して一定の旋光能をもって
いる。電極板に電圧を印加すると、液晶分子の長袖が電
極板に対し垂直に配列するので旋光能は消失する。この
旋光能の変化は、偏光板により液晶表示素子の光学的透
過度の変化に変換される。このように、電界効果型液晶
表示素子に用いられるネマチック液晶材料は誘電率異方
性の正のものでなければならず、強い正の誘電率異方性
の単体液晶又は液晶混合物が用いられている。
いる。電極板に電圧を印加すると、液晶分子の長袖が電
極板に対し垂直に配列するので旋光能は消失する。この
旋光能の変化は、偏光板により液晶表示素子の光学的透
過度の変化に変換される。このように、電界効果型液晶
表示素子に用いられるネマチック液晶材料は誘電率異方
性の正のものでなければならず、強い正の誘電率異方性
の単体液晶又は液晶混合物が用いられている。
電界効果型液晶表示素子として用いられた場合の高速応
答や高時分割駆動可能な特性を混合系液晶に付与する方
法としては、混合系の母体として、あるいは添加剤とし
て誘電率異方性が負か比較的小さい正の液晶又は液晶類
似体（以下Ｎｎ型と称す）を使用することが有効である
が、相溶性の点から組合せに制約があった。
答や高時分割駆動可能な特性を混合系液晶に付与する方
法としては、混合系の母体として、あるいは添加剤とし
て誘電率異方性が負か比較的小さい正の液晶又は液晶類
似体（以下Ｎｎ型と称す）を使用することが有効である
が、相溶性の点から組合せに制約があった。
本発明は、ネマチック液晶との相溶性が良く、液晶物質
への添加剤あるいは液晶物質の溶媒として有用な新規物
質を提供することを目的とする。
への添加剤あるいは液晶物質の溶媒として有用な新規物
質を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段］
上記問題点は一般式
（式中、Ｒ，は炭素原子数１〜６の直鎖状アルキル基を
表わし、Ｒ２は水素原子、又は炭素原子数１〜３の直鎖
状アルキル基を表わす）で示されるシクロブチルベンゼ
ン誘導体を表示素子用液晶材料への添加剤あるいは液晶
材料の溶剤として使用することにより解決される。
表わし、Ｒ２は水素原子、又は炭素原子数１〜３の直鎖
状アルキル基を表わす）で示されるシクロブチルベンゼ
ン誘導体を表示素子用液晶材料への添加剤あるいは液晶
材料の溶剤として使用することにより解決される。
（式中、Ｒ８およびＲ２は前記定義に同じ）で示される
シクロブチルベンゼン誘導体は、液晶へ添加した場合、
混合系の液晶温度範囲の上限を低下させることが少なく
、かつ混合系の粘度を低下させる作用を有する。
シクロブチルベンゼン誘導体は、液晶へ添加した場合、
混合系の液晶温度範囲の上限を低下させることが少なく
、かつ混合系の粘度を低下させる作用を有する。
さらに、ネマチック液晶との相溶性が大であるなどの特
性を有するため、液晶材料の特性改善に著しい効果を有
する。
性を有するため、液晶材料の特性改善に著しい効果を有
する。
（実施例）
本発明の一般式
（式中、Ｒ１は炭素原子数１〜６の直鎖状アルキル基を
表し、Ｒ２は水素原子、又は炭素原子数１〜３の直鎖状
アルキル基を表す）で表されるシクロブチルベンゼン誘
導体の製造方法の一実施例によれば、式（１）の化合物
は次の反応工程により製造される。
表し、Ｒ２は水素原子、又は炭素原子数１〜３の直鎖状
アルキル基を表す）で表されるシクロブチルベンゼン誘
導体の製造方法の一実施例によれば、式（１）の化合物
は次の反応工程により製造される。
（式中、Ｒ８及びＲ２はそれぞれ前記した基と同一であ
る） 即ち一般式（Ｉ［）で表されるｐ−（４−１−ランス−
アルキルシクロヘキシル）ブロモベンゼンと金属マグネ
シウムから得られたＧｒｉｇｎａｒｄ化合物と、一般式
（Ｉ［［）で表される３−アルキルシクロブタノンとを
反応させ、一般式（ＩＶ）で表されるｐ−（４−）ラン
ス−アルキルシクロヘキシル）−３′−アルキル−１′
−ヒドロキシシクロブチルベンゼンを得る。反応溶媒と
してはＧｒｉｇｎａｒｄ反応に一般的に使用される有機
溶媒が使用できる。
る） 即ち一般式（Ｉ［）で表されるｐ−（４−１−ランス−
アルキルシクロヘキシル）ブロモベンゼンと金属マグネ
シウムから得られたＧｒｉｇｎａｒｄ化合物と、一般式
（Ｉ［［）で表される３−アルキルシクロブタノンとを
反応させ、一般式（ＩＶ）で表されるｐ−（４−）ラン
ス−アルキルシクロヘキシル）−３′−アルキル−１′
−ヒドロキシシクロブチルベンゼンを得る。反応溶媒と
してはＧｒｉｇｎａｒｄ反応に一般的に使用される有機
溶媒が使用できる。
反応温度は０°Ｃから使用した有機溶媒の沸点の間で選
ぶことができる。反応終了後、常法により処理し、カラ
ム精製して化合物（ＩＶ）を得ることができる。
ぶことができる。反応終了後、常法により処理し、カラ
ム精製して化合物（ＩＶ）を得ることができる。
次に化合物（ＴＶ）を加熱脱水して、中間体であるｐ−
（４−トランス−アルキルシクロヘキシル）−３′−ア
ルキル−１′−シクロブテニルベンゼンと、これを単離
することなく還元し、一般式（１）で表されるｐ−（４
−）ランス−アルキルシクロヘキシル）−３′ −アル
キルシクロブチルベンゼンを得る。脱水反応溶媒として
は、ジメチルスルホキシドやジメチルホルムアミドなど
が使用できる。反応は、窒素雰囲気下で行い、生成する
中間体のビニル基が重合しない様にハイドロキノンなど
の重合禁止剤を加えるのが好ましい。
（４−トランス−アルキルシクロヘキシル）−３′−ア
ルキル−１′−シクロブテニルベンゼンと、これを単離
することなく還元し、一般式（１）で表されるｐ−（４
−）ランス−アルキルシクロヘキシル）−３′ −アル
キルシクロブチルベンゼンを得る。脱水反応溶媒として
は、ジメチルスルホキシドやジメチルホルムアミドなど
が使用できる。反応は、窒素雰囲気下で行い、生成する
中間体のビニル基が重合しない様にハイドロキノンなど
の重合禁止剤を加えるのが好ましい。
反応温度は１２０〜１８０℃、特に１４０〜１６０°Ｃ
が好ましい。反応時間は１〜４時間、特に１〜２時間が
好ましい。反応終了後、水を加え適当な溶媒で抽出し、
そのまま還元工程に使用することができる。還元反応は
適当な有機溶媒中で、一般の還元法により行われる。例
えば、触媒と水素による還元反応や、アルカリ金属、水
素化アルカリによる還元法などが使用できる。反応終了
後、常法により処理し、化合物（１）を得ることができ
る。
が好ましい。反応時間は１〜４時間、特に１〜２時間が
好ましい。反応終了後、水を加え適当な溶媒で抽出し、
そのまま還元工程に使用することができる。還元反応は
適当な有機溶媒中で、一般の還元法により行われる。例
えば、触媒と水素による還元反応や、アルカリ金属、水
素化アルカリによる還元法などが使用できる。反応終了
後、常法により処理し、化合物（１）を得ることができ
る。
次に、具体的な合成例を説明する。
合成例１
う素０．２ ｍｇ、を加え、これにｐ−（４−）ランス
−ｎ−プロピルシクロヘキシル）プロモヘンゼン１９．
６ｇ（７０ミリモル）とエーテル５０ｍ１の混合物を滴
下して、反応させた。反応液に、シクロブタノン４．９
ｇ（７０ミリモル）の乾燥エーテル５０ｍ１の溶媒を滴
下し、還流下、２時間反応後、室温で一夜放置した。水
６０ｍ１と稀硫酸１０ｍ１を加え、有機層を分液、溶媒
を留去した後、カラム精製して白色の結晶１３．９ｇ、
（収率７３．９％）を得た。融点は４４．６〜５１．５
°Ｃであった。
−ｎ−プロピルシクロヘキシル）プロモヘンゼン１９．
６ｇ（７０ミリモル）とエーテル５０ｍ１の混合物を滴
下して、反応させた。反応液に、シクロブタノン４．９
ｇ（７０ミリモル）の乾燥エーテル５０ｍ１の溶媒を滴
下し、還流下、２時間反応後、室温で一夜放置した。水
６０ｍ１と稀硫酸１０ｍ１を加え、有機層を分液、溶媒
を留去した後、カラム精製して白色の結晶１３．９ｇ、
（収率７３．９％）を得た。融点は４４．６〜５１．５
°Ｃであった。
元素分析値 実測値 Ｃ８４，０１％、Ｈ１０，４２％
理論値 ＣＢ３．７７％、 １１１０．３６％（ＣＩ９
１１！ＩｌＯ，ＭＷ： ２７２．４３）合成例２ 金属マグネシウム１．６８ｇ（６９ミリモル）を乾燥し
、窒素雰囲気下、乾燥エーテル３．５ ｍｆｌとよｐ−
（４−トランス−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−１’
−ヒドロキシシクロブチルベンゼン３．３５ｇ（１２，
３ミリモル）とヒドロキノン０．８ｇ （７，３ミリ
モル）をジメチルスルホキシド１７ｍ１と混合し、窒素
雰囲気下１６０ ”Ｃ２１，５時間反応した。冷却後、
水１７ｍ１を加え、エーテル３０ｍ！で抽出した。中間
体であるｐ−（４−トランス−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）−１’ −シクロブチルベンゼンを含む溶液、ぼ
う硝乾燥後、エタノール１００ ｍｌと５％−パラジウ
ム−カーボン１．５ｇを加え、水素圧３ｋｇ、／ｃ苗で
２５°Ｃ１２時間接触還元した。触媒をろ別し、溶媒を
留去した後、ＨＰＬＣ精製して白色結晶１．２ｇ（収率
６３．５％）を得た。融点２５．１〜２５．３°Ｃであ
った。
理論値 ＣＢ３．７７％、 １１１０．３６％（ＣＩ９
１１！ＩｌＯ，ＭＷ： ２７２．４３）合成例２ 金属マグネシウム１．６８ｇ（６９ミリモル）を乾燥し
、窒素雰囲気下、乾燥エーテル３．５ ｍｆｌとよｐ−
（４−トランス−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−１’
−ヒドロキシシクロブチルベンゼン３．３５ｇ（１２，
３ミリモル）とヒドロキノン０．８ｇ （７，３ミリ
モル）をジメチルスルホキシド１７ｍ１と混合し、窒素
雰囲気下１６０ ”Ｃ２１，５時間反応した。冷却後、
水１７ｍ１を加え、エーテル３０ｍ！で抽出した。中間
体であるｐ−（４−トランス−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）−１’ −シクロブチルベンゼンを含む溶液、ぼ
う硝乾燥後、エタノール１００ ｍｌと５％−パラジウ
ム−カーボン１．５ｇを加え、水素圧３ｋｇ、／ｃ苗で
２５°Ｃ１２時間接触還元した。触媒をろ別し、溶媒を
留去した後、ＨＰＬＣ精製して白色結晶１．２ｇ（収率
６３．５％）を得た。融点２５．１〜２５．３°Ｃであ
った。
元素分析値 実測値 Ｃ８９，０１％、 ８１１．０１
％理論値 Ｃ８８，９９％、 Ｈ１１，０１％（Ｃ＋ｑ
ｌｌｚｓ 、 ＭＷ： ２５６．４４）ＮＭＲデータ
ｒ： ０．８〜２．５ （２３Ｈ，ｍ、アルキルお
よびシクロブチル−Ｉｔ） ３．５（１）１．ｍ、 ｌ−シクロブチル−Ｈ）７．１
５（４８，ｓ、Ｐｈ−Ｉｔ） ＩＩ？データ Ｖｍａｘ： ２９３０ｃｍ （ｃ Ｈ
）１５２０ｃｍ （ＨＣ＝ＣＩ＋） 次に、本発明による一般式（１）の液晶類似化金物を液
晶表示用材料に使用した場合にもたらされる優れた効果
について説明する。
％理論値 Ｃ８８，９９％、 Ｈ１１，０１％（Ｃ＋ｑ
ｌｌｚｓ 、 ＭＷ： ２５６．４４）ＮＭＲデータ
ｒ： ０．８〜２．５ （２３Ｈ，ｍ、アルキルお
よびシクロブチル−Ｉｔ） ３．５（１）１．ｍ、 ｌ−シクロブチル−Ｈ）７．１
５（４８，ｓ、Ｐｈ−Ｉｔ） ＩＩ？データ Ｖｍａｘ： ２９３０ｃｍ （ｃ Ｈ
）１５２０ｃｍ （ＨＣ＝ＣＩ＋） 次に、本発明による一般式（１）の液晶類似化金物を液
晶表示用材料に使用した場合にもたらされる優れた効果
について説明する。
一般式（１）の分子構造をもつ化合物はネマチック液晶
との相溶性が大であるので、比較的誘電率異方性の大き
な他の液晶に添加して、混合液晶系の特性を改善するこ
とができる。しかも混合系の液晶温度範囲の上限を低下
させることが少なく、さらに混合系の粘性を低下させる
作用効果を有する。
との相溶性が大であるので、比較的誘電率異方性の大き
な他の液晶に添加して、混合液晶系の特性を改善するこ
とができる。しかも混合系の液晶温度範囲の上限を低下
させることが少なく、さらに混合系の粘性を低下させる
作用効果を有する。
次に液晶表示素子に本発明による化合物を使用した具体
的実施例を説明する。
的実施例を説明する。
実施例
下記に示した組成をなす代表的なネマチック液晶組成物
を母体とし、本発明になる化合物の一実施例である。ｐ
−（４−トランス−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シク
ロブチルベンゼンを総重量の５〜１７重量％の範囲で下
記の母体液晶組成物に添加したものの、ネマチック液晶
−液体転移温度を測定したところ、第１図の結果が得ら
れた。
を母体とし、本発明になる化合物の一実施例である。ｐ
−（４−トランス−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シク
ロブチルベンゼンを総重量の５〜１７重量％の範囲で下
記の母体液晶組成物に添加したものの、ネマチック液晶
−液体転移温度を測定したところ、第１図の結果が得ら
れた。
比較のため従来から広く用いられている液晶類似物Ｗｐ
−（４−トランスルｎ−プロピルシクロヘキシル）エチ
ルベンゼン（ＰＣＩ−３２）の上記母体への添加による
転移温度の測定値をも示した。
−（４−トランスルｎ−プロピルシクロヘキシル）エチ
ルベンゼン（ＰＣＩ−３２）の上記母体への添加による
転移温度の測定値をも示した。
母体液晶組成物
従来から用いられてきたｐ−（４−ｔ−ランスｎ−プロ
ピルヘキシル）エチルベンゼン（ＰＣＨ３２）など既存
のすぐれた添加剤に比べてもネマチック液晶−液体転移
温度の低下の割合が少ないことが判る。また本発明によ
る物質は、混合系液晶に添加した場合、その粘度を低下
させる効果を有している。その−例を第１表に示す。す
なわち１０重量％から２０重量％程度の添加により混合
液晶系の粘度を低下させ得ることがわかる。
ピルヘキシル）エチルベンゼン（ＰＣＨ３２）など既存
のすぐれた添加剤に比べてもネマチック液晶−液体転移
温度の低下の割合が少ないことが判る。また本発明によ
る物質は、混合系液晶に添加した場合、その粘度を低下
させる効果を有している。その−例を第１表に示す。す
なわち１０重量％から２０重量％程度の添加により混合
液晶系の粘度を低下させ得ることがわかる。
第 １ 表
又第１表から本物質の粘性はＬ３ｃｐ （室温）程度と
外挿法によって推算される。
外挿法によって推算される。
本発明による一般式（１）の化合物は、直線的分子構造
を取ることが分光的（ＮＭＲ）によって認められ、また
その物性は低粘度でがっ、直線状分子から成るネマチッ
ク液晶との相溶性が良い。
を取ることが分光的（ＮＭＲ）によって認められ、また
その物性は低粘度でがっ、直線状分子から成るネマチッ
ク液晶との相溶性が良い。
すなわち液晶への添加剤や液晶の溶媒剤として有用であ
る。
る。
本発明の化合物は、ネマチック液晶との相溶性が良く、
ネマチック液晶混合系に添加された場合ネマチック液晶
−液体転移温度を低下させることが少なく、かつネマチ
ック液晶混合系の粘度を低下させる作用効果を有するな
どの優れた特性を有する。
ネマチック液晶混合系に添加された場合ネマチック液晶
−液体転移温度を低下させることが少なく、かつネマチ
ック液晶混合系の粘度を低下させる作用効果を有するな
どの優れた特性を有する。
第１図は、ネマチック液晶組成物に対する本発明の一実
施例の化合物の添加量とネマチック液晶−液体転移温度
との関係を示すグラフである。 第 １ 図 添ｈａ量（１量２）
施例の化合物の添加量とネマチック液晶−液体転移温度
との関係を示すグラフである。 第 １ 図 添ｈａ量（１量２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜６の直鎖状アルキル基
を表わし、Ｒ＿２は水素原子または炭素原子数１〜３の
直鎖状アルキル基を表わす） で示されるシクロブチルベンゼン誘導体。 ２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜６の直鎖状アルキル基
を表わし、Ｒ＿２は水素原子または炭素原子数１〜３の
直鎖状アルキル基を表わす） で示されるシクロブチルベンゼン誘導体よりなる液晶添
加剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63236569A JPH0285219A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | シクロブチルベンゼン誘導体および該誘導体からなる液晶添加剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63236569A JPH0285219A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | シクロブチルベンゼン誘導体および該誘導体からなる液晶添加剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0285219A true JPH0285219A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=17002577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63236569A Pending JPH0285219A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | シクロブチルベンゼン誘導体および該誘導体からなる液晶添加剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0285219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10584051B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-03-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Double-staged oxy-fuel burner |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63236569A patent/JPH0285219A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10584051B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-03-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Double-staged oxy-fuel burner |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1042889A (en) | Phenyl pyrimidines | |
| US4198130A (en) | Liquid crystal mixtures | |
| EP0255700A2 (en) | A tolan derivative and a liquid crystal mixture containing the same | |
| CN101119954B (zh) | 三氟萘衍生物及含有该化合物的液晶组合物 | |
| JPS6344548A (ja) | 光学活性−２−メチル−１，３−プロパンジオ−ル誘導体 | |
| JPS6055058B2 (ja) | ４−ｎ−アルキルベンゾイルオキシ−３’−フロロ−４’−シアノベンゼン | |
| JPH0285219A (ja) | シクロブチルベンゼン誘導体および該誘導体からなる液晶添加剤 | |
| CN109423298B (zh) | 一种新型二苯并噻吩液晶化合物及其制备方法与应用 | |
| CN114105919A (zh) | 一种液晶化合物及其制备方法和应用 | |
| JPH03130253A (ja) | ジフルオロベンゾニトリル誘導体 | |
| JPH0285243A (ja) | ３−アルキルシクロブチル基とシアノ基を１，４‐位に有するベンゼンおよび４，４’‐位に有するビフェニル化合物ならびに該化合物よりなる液晶添加剤 | |
| JPH0359884B2 (ja) | ||
| JPS60172971A (ja) | アルキルビピリミジン類 | |
| CN1369493A (zh) | 微波快速合成光致变色螺噁嗪的方法 | |
| JP2508142B2 (ja) | 新規フッ素系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 | |
| JP2534547B2 (ja) | 液晶性化合物及びそれを含有する液晶組成物 | |
| JPS6047319B2 (ja) | ネマテイツク液晶混合物 | |
| EP0351822B1 (en) | Tricyclic cyclohexenyl cyclohexane derivative | |
| JP2508166B2 (ja) | 新規シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 | |
| JPH0321609A (ja) | 有機ホウ素含有ポリマー | |
| JPH01139576A (ja) | ２−フエニル−１、３−ジオキサン誘導体 | |
| Liu et al. | PREPARATION AND ELECTROCHEMICAL PROPERTIES OF A NEW ORGANIC DONOR BIS-(HYDROXYMETHYLETHYLENEDITHIO)-TETRATHIAFULV ALENE | |
| JPS61257935A (ja) | トランス−エチレン誘導体化合物及びそれを含有する液晶組成物 | |
| CN111892530A (zh) | 一种光稳定剂及其制备方法与应用 | |
| JPH0285218A (ja) | Ｐ−（３−アルキルシクロブチル）アルキルベンゼン化合物および該化合物よりなる液晶添加物 |