JPH0285243A - 3−アルキルシクロブチル基とシアノ基を1,4‐位に有するベンゼンおよび4,4’‐位に有するビフェニル化合物ならびに該化合物よりなる液晶添加剤 - Google Patents
3−アルキルシクロブチル基とシアノ基を1,4‐位に有するベンゼンおよび4,4’‐位に有するビフェニル化合物ならびに該化合物よりなる液晶添加剤Info
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- JPH0285243A JPH0285243A JP23656888A JP23656888A JPH0285243A JP H0285243 A JPH0285243 A JP H0285243A JP 23656888 A JP23656888 A JP 23656888A JP 23656888 A JP23656888 A JP 23656888A JP H0285243 A JPH0285243 A JP H0285243A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業−にの利用分野〕
本発明は、電気光学的表示材料として有用な新規なネマ
チック液晶類似化合物、特にシクロフ゛タン誘導体に関
するものである。
チック液晶類似化合物、特にシクロフ゛タン誘導体に関
するものである。
〔従来の技術]
液晶表示素子の代表的なものの一つにエム・シャント(
M、5chadt)等〔アプライド フィジシクスレタ
ーズ(八pplied Physics Letter
s)、 18.127〜128(1971) )によっ
て提室された電界効果型液晶表示素子(フィールド・エ
フェクト・モード・セル)がある。この電界効果型液晶
表示素子は、平行に配設された2枚の透明型掻板を有し
、この電極板の間に正の誘電率異方性を有するネマチッ
ク液晶物質が充填され、液晶分子の長袖は電極板に対し
てほぼ平行で、かつ電極板間で一定角度ねじれた螺旋状
配列を形成している。この螺旋状配列は入射光に対して
一定の旋光能をもっている。電極板に電圧を印加すると
、液晶分子の長袖が電極板に対し垂直に配列するので旋
光能は消失する。
M、5chadt)等〔アプライド フィジシクスレタ
ーズ(八pplied Physics Letter
s)、 18.127〜128(1971) )によっ
て提室された電界効果型液晶表示素子(フィールド・エ
フェクト・モード・セル)がある。この電界効果型液晶
表示素子は、平行に配設された2枚の透明型掻板を有し
、この電極板の間に正の誘電率異方性を有するネマチッ
ク液晶物質が充填され、液晶分子の長袖は電極板に対し
てほぼ平行で、かつ電極板間で一定角度ねじれた螺旋状
配列を形成している。この螺旋状配列は入射光に対して
一定の旋光能をもっている。電極板に電圧を印加すると
、液晶分子の長袖が電極板に対し垂直に配列するので旋
光能は消失する。
この旋光能の変化は、偏光板により液晶表示素子の光学
的透過度の変化に変換される。このように、電界効果型
液晶表示素子に用いられるネマチック液晶材料は誘電率
異方性が正のものでなければならず、強い正の誘電率異
方性の単体液晶又は液晶混合物が用いられている。
的透過度の変化に変換される。このように、電界効果型
液晶表示素子に用いられるネマチック液晶材料は誘電率
異方性が正のものでなければならず、強い正の誘電率異
方性の単体液晶又は液晶混合物が用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点)
電界効果型液晶表示素子として用いられた場合の高速応
答や高時分割駆動可能な特性を混合系液晶に付与する方
法としては、混合系の母体として、あるいは添加剤とし
て誘電率異方性が負か比較的小さい正の液晶又は液晶類
似体(以下Nn型と称す)を使用することが有効である
が、相溶性の点から組合せに制約があった。
答や高時分割駆動可能な特性を混合系液晶に付与する方
法としては、混合系の母体として、あるいは添加剤とし
て誘電率異方性が負か比較的小さい正の液晶又は液晶類
似体(以下Nn型と称す)を使用することが有効である
が、相溶性の点から組合せに制約があった。
本発明は、ネマチック液晶との相溶性が良く、液晶物質
への添加剤あるいは液晶物質の溶媒として有用な新規物
質を提供することを目的とする。
への添加剤あるいは液晶物質の溶媒として有用な新規物
質を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段]
上記問題点は、−最大
(式中、R1は炭素原子数1〜6の直鎖状アルキル基を
表わし、nはl又は2の整数を表わす)で示されるp−
(3−アルキルシクロブチル)シアノベンゼン及び4−
(3−アルキルンクロブチル)−4°−シアノビフェニ
ル化合物を表示素子用液晶材料への添加剤あるいは液晶
材料の溶剤として使用することにより解決される。
表わし、nはl又は2の整数を表わす)で示されるp−
(3−アルキルシクロブチル)シアノベンゼン及び4−
(3−アルキルンクロブチル)−4°−シアノビフェニ
ル化合物を表示素子用液晶材料への添加剤あるいは液晶
材料の溶剤として使用することにより解決される。
〔作 用]
一般式(1)
(式中、R1およびnは前記定義に同じ)で示されるp
−(3−アルキルシクロブチル)シアンベンゼン及びビ
フェニル化合物は、液晶へ添加した場合、混合系の液晶
温度範囲の上限を低下させることが少なく、かつ混合系
の粘度を低下させる作用を有する。
−(3−アルキルシクロブチル)シアンベンゼン及びビ
フェニル化合物は、液晶へ添加した場合、混合系の液晶
温度範囲の上限を低下させることが少なく、かつ混合系
の粘度を低下させる作用を有する。
さらにネマチック液晶との相溶性が大であるなどの特性
を有するため、液晶材料の特性改善に著しい効果がある
。
を有するため、液晶材料の特性改善に著しい効果がある
。
本発明の一般式
%式%()
(式中、R5は炭素原子数1〜6の直鎮状アルキル基を
表わし、nはl又は2の整数を表わす)で示される新規
な化合物、p−(3−アルキルシクロブチル)シアノベ
ンゼン及び4−(3−アルキルシクロブチル)−4′−
シアノビフェニルの製造方法の一実施例によれば、式(
りの化合物は次の反応工程に−より製造される。
表わし、nはl又は2の整数を表わす)で示される新規
な化合物、p−(3−アルキルシクロブチル)シアノベ
ンゼン及び4−(3−アルキルシクロブチル)−4′−
シアノビフェニルの製造方法の一実施例によれば、式(
りの化合物は次の反応工程に−より製造される。
(式中、R1は前記した基と同一であり、nは前記した
数と同一である) 即ち一般式(n)で表される2−アル−トルー1.3ジ
ブロモプロパンと一般式(1[1)で表されるp−プロ
モフェニルアセトニトリル又は4.4′−ブロモビフェ
ニルアセトニトリルを不活性有機溶媒中で反応させて、
−a式(IV)で表される3−アルキル−1−シアノ−
1−(p−ブロモフェニル)シクロブタン又は3.−ア
ルキル−1−ンアノーl(4’、4”−ブロモビフェニ
ル)ンクロブタンとする。ここで不活性有機溶媒として
は例えば、エーテル イソプロピルエーテルのごときエ
ーテル類。
数と同一である) 即ち一般式(n)で表される2−アル−トルー1.3ジ
ブロモプロパンと一般式(1[1)で表されるp−プロ
モフェニルアセトニトリル又は4.4′−ブロモビフェ
ニルアセトニトリルを不活性有機溶媒中で反応させて、
−a式(IV)で表される3−アルキル−1−シアノ−
1−(p−ブロモフェニル)シクロブタン又は3.−ア
ルキル−1−ンアノーl(4’、4”−ブロモビフェニ
ル)ンクロブタンとする。ここで不活性有機溶媒として
は例えば、エーテル イソプロピルエーテルのごときエ
ーテル類。
ヘンゼン トルエンのごとき芳香族炭化水素類ジオキサ
ン、テトラヒドロフランのごとき複素環化合物類などを
使用することができる。又この反応には、アセトニトリ
ル誘導体を活性化するために、アルカリ金属、金属アル
コキッド、金属アミド、水素化アルカリ、水酸化アルカ
リのごとき無機塩基を用いることが望ましい。反応は0
−120“Cの温度範囲で行うことができる。反応終了
後、反応物を水中に注ぎ、適当な溶媒で抽出後、溶媒を
留去し、残留物を減圧蒸留して化合物([V)を得るこ
とができる。
ン、テトラヒドロフランのごとき複素環化合物類などを
使用することができる。又この反応には、アセトニトリ
ル誘導体を活性化するために、アルカリ金属、金属アル
コキッド、金属アミド、水素化アルカリ、水酸化アルカ
リのごとき無機塩基を用いることが望ましい。反応は0
−120“Cの温度範囲で行うことができる。反応終了
後、反応物を水中に注ぎ、適当な溶媒で抽出後、溶媒を
留去し、残留物を減圧蒸留して化合物([V)を得るこ
とができる。
次に化合物(IV)から−船人(V)で表される3−ア
ルキル−1−(ρ−ブロモフェニル)ンクロブクンーI
−カルボン酸、又は3−アルキル1−(4°、4−ブロ
モビフェニル)シクロブタンカルボン酸への加水分解工
程は、一般的な方法を用いることができる。例えば、塩
酸、硫酸のごとき酸、又は水酸化アルカリ、アルカリ金
属のごときアルカリの存在下で行うことができ、反応温
度は30〜90°C3特に60〜80゛Cが好ましい。
ルキル−1−(ρ−ブロモフェニル)ンクロブクンーI
−カルボン酸、又は3−アルキル1−(4°、4−ブロ
モビフェニル)シクロブタンカルボン酸への加水分解工
程は、一般的な方法を用いることができる。例えば、塩
酸、硫酸のごとき酸、又は水酸化アルカリ、アルカリ金
属のごときアルカリの存在下で行うことができ、反応温
度は30〜90°C3特に60〜80゛Cが好ましい。
反応溶媒としては、エタノールのごときアルコール類が
好ましい0反応終了後、溶媒を留去し、水を加えて酸性
条件下で適当な溶媒で抽出し、必要ならば適当な溶媒で
再結晶し、化合物(V)を得ることができる。
好ましい0反応終了後、溶媒を留去し、水を加えて酸性
条件下で適当な溶媒で抽出し、必要ならば適当な溶媒で
再結晶し、化合物(V)を得ることができる。
次に化合物(V)から−船人(Vl)で表されるρ−(
3−アルキルシクロブチル)プロモヘンゼン又は4−(
3’−アルキルシクロブチル)−4ブロモビフエニルへ
の脱炭酸反応は、一般的な方法を用いることができる。
3−アルキルシクロブチル)プロモヘンゼン又は4−(
3’−アルキルシクロブチル)−4ブロモビフエニルへ
の脱炭酸反応は、一般的な方法を用いることができる。
例えば、高温度での分解反応や、金属塩にしての熱分解
反応、対応するオキシムエステルの光反応による脱炭酸
反応などが応用できる。反応終了後、カラム精製して、
化合物(Vl)を得ることができる。
反応、対応するオキシムエステルの光反応による脱炭酸
反応などが応用できる。反応終了後、カラム精製して、
化合物(Vl)を得ることができる。
次に化合物(Vl)を不活性有機溶媒中、ファン化第−
銅と反応して一般式(1)で表されるp(3−アルキル
シクロブチル)シアノヘンゼン又は4−(3”−アルキ
ルシクロフ゛チル) −4’−ンアノビフェニルとする
。ここで不活性有機溶媒として、ツメチルホルムアミド
、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホロトリア
ミドの様なアミド類や、ジメナルスルホギシドなどを使
用することができる。反応温度は120〜180°C1
特に140〜160°Cが好ましい。反応終了後、常法
により処理し、llI’1.c分取で化合物(1)を得
ることができる9次に具体的な合成例を説明する。
銅と反応して一般式(1)で表されるp(3−アルキル
シクロブチル)シアノヘンゼン又は4−(3”−アルキ
ルシクロフ゛チル) −4’−ンアノビフェニルとする
。ここで不活性有機溶媒として、ツメチルホルムアミド
、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホロトリア
ミドの様なアミド類や、ジメナルスルホギシドなどを使
用することができる。反応温度は120〜180°C1
特に140〜160°Cが好ましい。反応終了後、常法
により処理し、llI’1.c分取で化合物(1)を得
ることができる9次に具体的な合成例を説明する。
合成例1
ドライアイス−アセトン冷却した液体アンモニアに、金
属ナトリウム19.1 g (831ミリモル)を少量
づつ加え、ナトリウムアミドを、1181製した後、p
フロ上フェニルアセトニトリル1.5 g (416ミ
リモル)を10分かけて滴下した。乾燥エーテル1.6
60m1を加えて、室温に戻した後、加温還流下2−フ
チルー1.3−ジブロモプロパン74.0 g (41
5ミリモル)を加え、10時間還流後、水中へ注いだ。
属ナトリウム19.1 g (831ミリモル)を少量
づつ加え、ナトリウムアミドを、1181製した後、p
フロ上フェニルアセトニトリル1.5 g (416ミ
リモル)を10分かけて滴下した。乾燥エーテル1.6
60m1を加えて、室温に戻した後、加温還流下2−フ
チルー1.3−ジブロモプロパン74.0 g (41
5ミリモル)を加え、10時間還流後、水中へ注いだ。
有機層を分液、濃縮、カラム精製後、蒸留し無色の油状
物13.0と(収率10.7%)を得た。沸点は托5°
C10,3M11gであった。
物13.0と(収率10.7%)を得た。沸点は托5°
C10,3M11gであった。
元素分析値
実測値 C60,66χ、 I+ 6.29χ、 N
4.4,1χ、 Rr 26.21χ理論値 C61,
65L I+ 6.21X、 N 4.79χ、 Il
r 27.34X(C1,tlaNBr、 MW:29
2.23)合成例2 水酸化カリウム67g(1,2モル)をエタノール33
5成と水42−に溶解し、3−n−ブチル−1−(pブ
ロモフェニル)−1−シアノシクロブタン12.2g
(42ミリモル)を加え、7.5時間還流した。
4.4,1χ、 Rr 26.21χ理論値 C61,
65L I+ 6.21X、 N 4.79χ、 Il
r 27.34X(C1,tlaNBr、 MW:29
2.23)合成例2 水酸化カリウム67g(1,2モル)をエタノール33
5成と水42−に溶解し、3−n−ブチル−1−(pブ
ロモフェニル)−1−シアノシクロブタン12.2g
(42ミリモル)を加え、7.5時間還流した。
溶媒を留去後、水1.52と活性炭5gを加えて30分
間攪はんし、ろ過した。ろ液を稀塩酸でp112とし、
塩化メチレンを加えて抽出、濃縮乾固して、白色の結晶
11.4g (収率87.7%)を得た。融点は56.
0〜587°Cであった。
間攪はんし、ろ過した。ろ液を稀塩酸でp112とし、
塩化メチレンを加えて抽出、濃縮乾固して、白色の結晶
11.4g (収率87.7%)を得た。融点は56.
0〜587°Cであった。
元素分析値
実測値 C57,21χ、 116.22χ、 Br
24.24χ理論値 C57,89χ、 H6,15χ
、 Br 25.68X(C+sll+qOzBr、
MW:311.23)合成例3 3− n −フチルーl−(ρ−ブロモフェニル)シク
ロブタン−1−カルボン酸7.1g (22,8ミリモ
ル)をsoo’cにて脱炭酸し、カラム精製して無色の
油状物1.0g (収率13.9%)を得た。
24.24χ理論値 C57,89χ、 H6,15χ
、 Br 25.68X(C+sll+qOzBr、
MW:311.23)合成例3 3− n −フチルーl−(ρ−ブロモフェニル)シク
ロブタン−1−カルボン酸7.1g (22,8ミリモ
ル)をsoo’cにて脱炭酸し、カラム精製して無色の
油状物1.0g (収率13.9%)を得た。
元素分析値
実測値 C63,04χ、 It 7.11χ、 Br
29.01χ理論値 C62,93χ、 It 7.
17χ、 Br 29.90χ(C+J+Jr、 M
W:267.22)合成例4 p−(3−n−ブチルシクロブチル)ブロモベンゼン0
.6g (1,9ミリモル)をシアン化第−銅0.6g
(6,7ミリモル)およびジメチルホルムアミド5
rtrlと混合し、還流下5.5時間反応した。水5〇
−とn−ヘキサン50tnlを加え、不溶物をろ別、有
機層を分液し、4稲麦11PLC分取して無色の油状物
0.39g (収率92.8%)を得た。
29.01χ理論値 C62,93χ、 It 7.
17χ、 Br 29.90χ(C+J+Jr、 M
W:267.22)合成例4 p−(3−n−ブチルシクロブチル)ブロモベンゼン0
.6g (1,9ミリモル)をシアン化第−銅0.6g
(6,7ミリモル)およびジメチルホルムアミド5
rtrlと混合し、還流下5.5時間反応した。水5〇
−とn−ヘキサン50tnlを加え、不溶物をろ別、有
機層を分液し、4稲麦11PLC分取して無色の油状物
0.39g (収率92.8%)を得た。
元素分析値
実測値 C84,18χ、 It 8.94χ、 N
6.42χ理論値 C84,46L 118.98L
N 6.57X(CISI119N、 MW:213.
33)NMRデータ τ: 0.9(311,L、C1
h)。
6.42χ理論値 C84,46L 118.98L
N 6.57X(CISI119N、 MW:213.
33)NMRデータ τ: 0.9(311,L、C1
h)。
1.1〜1.8(711,m、アルキルおよびシクロブ
チル−11)3.2〜3.7(IH,m、 1−シクロ
ブチル−11)7.2〜7.6(411,q、Ph−I
t)IIIデータV、11. : 2930cm(C−
1f)2230cm (−CN) 1610c+o (llc=cIl) 次に、本発明による一般式(1)の液晶類似化合物を液
晶表示用材料に使用した場合にもたらされる優れた効果
について説明する。
チル−11)3.2〜3.7(IH,m、 1−シクロ
ブチル−11)7.2〜7.6(411,q、Ph−I
t)IIIデータV、11. : 2930cm(C−
1f)2230cm (−CN) 1610c+o (llc=cIl) 次に、本発明による一般式(1)の液晶類似化合物を液
晶表示用材料に使用した場合にもたらされる優れた効果
について説明する。
−最大(1)の分子構造をもつ化合物はぶマチック液晶
との相溶性が大である。かつそれ自身誘電異方性が正で
あるので、誘電率異方性の大きな液晶は勿論のこと、誘
電率異方性が零または小さな負の液晶に添加し、低電圧
化など混合液晶系の特性を改善することができる。しか
も混合系の液晶温度範囲の上限を低下させることが少な
く、さらに混合系の粘性を低下させる作用効果を有する
。
との相溶性が大である。かつそれ自身誘電異方性が正で
あるので、誘電率異方性の大きな液晶は勿論のこと、誘
電率異方性が零または小さな負の液晶に添加し、低電圧
化など混合液晶系の特性を改善することができる。しか
も混合系の液晶温度範囲の上限を低下させることが少な
く、さらに混合系の粘性を低下させる作用効果を有する
。
次に液晶表示素子に本発明による化合物を使用した具体
的実施例を説明する。
的実施例を説明する。
実施例
下記に示した組成をなす代表的なネマチック液晶組成物
を母体とし、本発明になる化合物の一実施例であるp−
(3−n−ブチルシクロブチル)シアノヘンゼンを総重
量の5〜18重世%の範囲で添加したものの、ネマチッ
ク液晶−液体転移温度を測定したところ、第1図の結果
が得られた。
を母体とし、本発明になる化合物の一実施例であるp−
(3−n−ブチルシクロブチル)シアノヘンゼンを総重
量の5〜18重世%の範囲で添加したものの、ネマチッ
ク液晶−液体転移温度を測定したところ、第1図の結果
が得られた。
母体液晶組成物
ネマチック液晶−液体転移温度の低下の割合が少ないこ
とが判る。また本発明による物質は、混合系液晶に添加
した場合、その粘度を低下させる効果を有している。そ
の−例を第1表に示す。jなわち10重量%から20重
重量程度の添加により混合液晶系の粘度を低下させ得る
ことがわかる。
とが判る。また本発明による物質は、混合系液晶に添加
した場合、その粘度を低下させる効果を有している。そ
の−例を第1表に示す。jなわち10重量%から20重
重量程度の添加により混合液晶系の粘度を低下させ得る
ことがわかる。
第 1 表
又第1表から本物質の粘性は14CP (室温(20’
C))程度と外挿法によって推算される。
C))程度と外挿法によって推算される。
本発明による一般式(Hの化合物は、直線的分子構造を
取ることが分光的(NMR)によって認められ、またそ
の物性は低粘度でかつ、直線状分子から成るネマチック
液晶との相溶性が良い。しかも分子末端に強い掻性基に
トIJル基)を保有するので液晶混合系の誘電異方性を
大きくし、したがって、低電圧下に有効であるという優
れた添加効果をもつ。すなわち液晶への添Iju剤や液
晶の溶媒剤として有用である。
取ることが分光的(NMR)によって認められ、またそ
の物性は低粘度でかつ、直線状分子から成るネマチック
液晶との相溶性が良い。しかも分子末端に強い掻性基に
トIJル基)を保有するので液晶混合系の誘電異方性を
大きくし、したがって、低電圧下に有効であるという優
れた添加効果をもつ。すなわち液晶への添Iju剤や液
晶の溶媒剤として有用である。
本発明の化合物は、ネマチック液晶との相溶性が良く、
ネマチック液晶混合系に添加された場合子マチック液晶
−液体転移温度を低下させることが少なく、かつネマチ
ック液晶混合系の粘度を低下させる作用効果を有するな
どの優れた特性を有する。
ネマチック液晶混合系に添加された場合子マチック液晶
−液体転移温度を低下させることが少なく、かつネマチ
ック液晶混合系の粘度を低下させる作用効果を有するな
どの優れた特性を有する。
第1図は、ネマチック液晶組成物に対する本発明の一実
施例の化合物の添加量とネマチック液晶液体転移温度と
の関係を示すグラフである。 添 〃口 i (吏 4’10)
施例の化合物の添加量とネマチック液晶液体転移温度と
の関係を示すグラフである。 添 〃口 i (吏 4’10)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R_1は炭素原子数1〜6の直鎖状アルキル基
を表わし、nは1または2の整数を表わす〕で示される
p−(3−アルキルシクロブチル)シアノベンゼンおよ
び4−(3−アルキルシクロブチル)−4′−シアノビ
フェニル化合物。 2、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R_1は炭素原子数1〜6の直鎖状アルキル基
を表わし、nは1または2の整数を表わす〕で示される
p−(3−アルキルシクロブチル)シアノベンゼンおよ
び4−(3−アルキルシクロブチル)−4′−シアノビ
フェニル化合物よりなる液晶添加剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23656888A JPH0285243A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 3−アルキルシクロブチル基とシアノ基を1,4‐位に有するベンゼンおよび4,4’‐位に有するビフェニル化合物ならびに該化合物よりなる液晶添加剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23656888A JPH0285243A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 3−アルキルシクロブチル基とシアノ基を1,4‐位に有するベンゼンおよび4,4’‐位に有するビフェニル化合物ならびに該化合物よりなる液晶添加剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0285243A true JPH0285243A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=17002563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23656888A Pending JPH0285243A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 3−アルキルシクロブチル基とシアノ基を1,4‐位に有するベンゼンおよび4,4’‐位に有するビフェニル化合物ならびに該化合物よりなる液晶添加剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0285243A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994012455A1 (de) * | 1992-11-21 | 1994-06-09 | Merck Patent Gmbh | Cyclobutan-benzol-derivate |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP23656888A patent/JPH0285243A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994012455A1 (de) * | 1992-11-21 | 1994-06-09 | Merck Patent Gmbh | Cyclobutan-benzol-derivate |
EP0623102A1 (de) * | 1992-11-21 | 1994-11-09 | MERCK PATENT GmbH | Cyclobutan-benzol-derivate |
US5445764A (en) * | 1992-11-21 | 1995-08-29 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Cyclobutane benzene derivatives |
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