JPH0284747A - 実装構造 - Google Patents
実装構造Info
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- JPH0284747A JPH0284747A JP23680888A JP23680888A JPH0284747A JP H0284747 A JPH0284747 A JP H0284747A JP 23680888 A JP23680888 A JP 23680888A JP 23680888 A JP23680888 A JP 23680888A JP H0284747 A JPH0284747 A JP H0284747A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野）
本発明は半導体集積回路素子と回路基板との実装構造に
関する。 〔従来の技術１ 従来の実装構造は、第２図に示すように、半導体集積回
路素子（以下ＩＣチップと呼ぶ、）として、そのアルミ
パッド２の上に半田バンブ１１を形成したものを用いる
。ここで、３はＩＣチップ１のパシベーション膜を示す
、そして、このＩＣチップ１を、基板１２に対してフェ
ースダウン状に配置して、半田バンブ１１と基板上の導
体パターン５の先端部の導体パッド６とを接触させ、全
体をベルト炉に通すことにより半田バンブ１１を加熱溶
融させ、導体パッド６と半田バンブ１１とを接合させた
構造であり、さらに耐湿性等信頼性向上のためにモール
ド剤１３により、ＩＣチップ能動領域を覆った構造であ
った。 〔発明が解決しようとする課題１ しかし、前述の従来技術では第１に高価な半田バンブが
ＩＣチップに必要なこと、及び第２に接合のための加熱
温度が半田の融点により決定され、約２５０℃以上の加
熱が必要なため、基板として安価な低耐熱性の基板が使
えないことや、液晶パネル実装の場合には、そのパネル
ガラスに直接ＩＣチップを搭載しようとしても、液晶部
が半田溶融温度に耐えず、この実装方式は使えないこと
などの問題点を有する。 そこで本発明はこのような問題点を解決するものであり
、その目的とするところは、安価な液晶パネル実装構造
を提供するところにある。 〔課題を解決するための手段〕 本発明の実装構造は、半導体集積回路素子と回路基板と
の実装構造において、次の構成を特徴とする。 ａ）半導体集積回路素子の能動面と、回路基板の導体パ
ターンとが対向し、そして半導体集積回路素子のアルミ
パッドと、回路基板の導体パッドとが、導電粒子を含有
した接着剤にて連結されることにより、電気的に接続さ
れた構成。 ｂ）半導体集積回路素子能動面中央部と、回路基板とが
、絶縁性のエポキシ樹脂により接着固定された構成。 Ｃ）半導体集積回路素子能動面のアルミパッド部及び中
央部以外の部分と、半導体集積回路素子側面の部分が、
シリコン樹脂にて覆われた構成。
関する。 〔従来の技術１ 従来の実装構造は、第２図に示すように、半導体集積回
路素子（以下ＩＣチップと呼ぶ、）として、そのアルミ
パッド２の上に半田バンブ１１を形成したものを用いる
。ここで、３はＩＣチップ１のパシベーション膜を示す
、そして、このＩＣチップ１を、基板１２に対してフェ
ースダウン状に配置して、半田バンブ１１と基板上の導
体パターン５の先端部の導体パッド６とを接触させ、全
体をベルト炉に通すことにより半田バンブ１１を加熱溶
融させ、導体パッド６と半田バンブ１１とを接合させた
構造であり、さらに耐湿性等信頼性向上のためにモール
ド剤１３により、ＩＣチップ能動領域を覆った構造であ
った。 〔発明が解決しようとする課題１ しかし、前述の従来技術では第１に高価な半田バンブが
ＩＣチップに必要なこと、及び第２に接合のための加熱
温度が半田の融点により決定され、約２５０℃以上の加
熱が必要なため、基板として安価な低耐熱性の基板が使
えないことや、液晶パネル実装の場合には、そのパネル
ガラスに直接ＩＣチップを搭載しようとしても、液晶部
が半田溶融温度に耐えず、この実装方式は使えないこと
などの問題点を有する。 そこで本発明はこのような問題点を解決するものであり
、その目的とするところは、安価な液晶パネル実装構造
を提供するところにある。 〔課題を解決するための手段〕 本発明の実装構造は、半導体集積回路素子と回路基板と
の実装構造において、次の構成を特徴とする。 ａ）半導体集積回路素子の能動面と、回路基板の導体パ
ターンとが対向し、そして半導体集積回路素子のアルミ
パッドと、回路基板の導体パッドとが、導電粒子を含有
した接着剤にて連結されることにより、電気的に接続さ
れた構成。 ｂ）半導体集積回路素子能動面中央部と、回路基板とが
、絶縁性のエポキシ樹脂により接着固定された構成。 Ｃ）半導体集積回路素子能動面のアルミパッド部及び中
央部以外の部分と、半導体集積回路素子側面の部分が、
シリコン樹脂にて覆われた構成。
本発明の上記の構成によれば、ＩＣチップと回路基板と
の接合が、導電性接着剤と絶縁性接着剤との組合せに依
り達成されるため、その接合温度は接着剤の硬化温度す
なわち１００℃前後に低温化できる。したがって、耐熱
温度の低い液晶パネルのガラス上へのＩＣチップ直接搭
載が、可能となる。 【実 施 例〕 第１図は本発明の実施例における主要断面図であって、
ｌはＩＣチップ、２はＩＣチップ上のアルミパッド、３
はＩＣチップのパシベーション膜である。このよう番゛
こ半田バンブの無いアルミパッドＩＣを使用する。そし
て、４は液晶パネルのガラス、５はその上に形成された
導体パターン、６は導体パターン先端部の接合用導体パ
ッドである。そして、ＩＣチップ上とガラス４とは９の
エポキシ樹脂により強固に接着固定され、それぞれアル
ミパッド２と導体パッド６とが、導電粒子７を含有した
ＵＶ接着剤８により、電気的に接続されている。また、
さらにＩＣチップとガラスのすきまには１０のシリコン
樹脂が充てんされて、主に耐湿性の観点での信頼性向上
が実現されている。ここで、導電粒子７の径は約５〜ｌ
ｏｕｍであり、８の接着剤はアクリル系で口１００μｍ
、厚み１０ｕｍ、５の導体パターンはパネルの透明電極
であるＩＴＯ上に無電解ニッケルメッキ０゜３ｕｍ、さ
らにその上に金メツキを０．２μｍ施したものである。 ＩＣチップ上は厚み４００μｍ、０９ｍｍであり、アル
ミパッド２は０１００μｍである。 以上の構成の工程を次に述べる。まず、ガラス４上の導
体パッド６の位置に、転写により、導電粒子７を含んだ
ＵＶ接着剤８を印刷する０次に、デイスペンサーにより
絶縁性のエポキシ樹脂９をガラス上のＩＣチップ中央部
に対向する部分に供給する０次にＩＣチップ１をその能
動面がガラス側を向（ように位置させ、アルミパッド２
とＵＶ接着剤８の突起とが接するように重ね合わせる。 次に数秒のＵＶ照射により、ＵＶ接着剤８を硬化せしめ
、ＩＣチップ１をガラス４へ仮固定する。 次にこの状態にて恒温槽にてエポキシ樹脂を硬化させ、
本固定とする。この時の硬化条件は１００℃、１時間で
ある。ここで電気的特性をチエツクして、良品であれば
、ＩＣチップ能動面周辺部すなわちＵＶ接着剤８及びエ
ポキシ樹脂９で覆われていない部分と、ＩＣチップ側面
部をｌＯのシリコン樹脂にて覆い、加熱硬化せしめて完
成とする。ただしシリコン塗布前の電気特性チエツクに
て不良の場合には、ＩＣチップを除去して別のＩＣチッ
プに取り換える。すなわちリペア工程を入れる。このり
ペアの方法としては、約１３０℃のホットプレート上に
ガラスをのせ加熱することにより、エポキシ樹脂９及び
ＵＶ接着剤８の接着力を低下せしめて、機械的にＩＣチ
ップ１を除去し、さらにエポキシ樹脂９及びＴＪＶ接着
剤８を除去する。その後溶剤にて導体パッド６部をクリ
ーニングし、再び最初から同様の工程にて新しいＩＣチ
ップを接合することができる。 以上の方法によれば、半田バンブ付きのＩＣチップを用
いずに、低温で低コストで接合でき、またＩＣチップの
りペアも可能である。 〔発明の効果１ 以上述べたように本発明によれば、ＩＣチップと回路基
板との接合に、半田に（らべ低温で接合できる導電性接
着剤と絶縁性接着剤との組合せを使用したことにより、
第１は半田バンブ無しの安価なＩＣチップを利用でき、
また第２に耐熱性の低い液晶パネルのガラスへ直接ＩＣ
を接合搭載することが可能となるという効果を有する。 第２図は従来の実装構造を示す主要断面図。 ｌ ・ ２ ・ ３ ・ ４ ・ ５ ・ ６ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １０ ・ １ ｌ ・ ｌ ２ ・ １３ ・ ＩＣチップ アルミパッド パシベーション膜 ガラス 導体パターン 導体パッド 導電粒子 ＵＶ接接剤 剤ポキシ樹脂 シリコン樹脂 半田バンブ 基板 モールド剤
の接合が、導電性接着剤と絶縁性接着剤との組合せに依
り達成されるため、その接合温度は接着剤の硬化温度す
なわち１００℃前後に低温化できる。したがって、耐熱
温度の低い液晶パネルのガラス上へのＩＣチップ直接搭
載が、可能となる。 【実 施 例〕 第１図は本発明の実施例における主要断面図であって、
ｌはＩＣチップ、２はＩＣチップ上のアルミパッド、３
はＩＣチップのパシベーション膜である。このよう番゛
こ半田バンブの無いアルミパッドＩＣを使用する。そし
て、４は液晶パネルのガラス、５はその上に形成された
導体パターン、６は導体パターン先端部の接合用導体パ
ッドである。そして、ＩＣチップ上とガラス４とは９の
エポキシ樹脂により強固に接着固定され、それぞれアル
ミパッド２と導体パッド６とが、導電粒子７を含有した
ＵＶ接着剤８により、電気的に接続されている。また、
さらにＩＣチップとガラスのすきまには１０のシリコン
樹脂が充てんされて、主に耐湿性の観点での信頼性向上
が実現されている。ここで、導電粒子７の径は約５〜ｌ
ｏｕｍであり、８の接着剤はアクリル系で口１００μｍ
、厚み１０ｕｍ、５の導体パターンはパネルの透明電極
であるＩＴＯ上に無電解ニッケルメッキ０゜３ｕｍ、さ
らにその上に金メツキを０．２μｍ施したものである。 ＩＣチップ上は厚み４００μｍ、０９ｍｍであり、アル
ミパッド２は０１００μｍである。 以上の構成の工程を次に述べる。まず、ガラス４上の導
体パッド６の位置に、転写により、導電粒子７を含んだ
ＵＶ接着剤８を印刷する０次に、デイスペンサーにより
絶縁性のエポキシ樹脂９をガラス上のＩＣチップ中央部
に対向する部分に供給する０次にＩＣチップ１をその能
動面がガラス側を向（ように位置させ、アルミパッド２
とＵＶ接着剤８の突起とが接するように重ね合わせる。 次に数秒のＵＶ照射により、ＵＶ接着剤８を硬化せしめ
、ＩＣチップ１をガラス４へ仮固定する。 次にこの状態にて恒温槽にてエポキシ樹脂を硬化させ、
本固定とする。この時の硬化条件は１００℃、１時間で
ある。ここで電気的特性をチエツクして、良品であれば
、ＩＣチップ能動面周辺部すなわちＵＶ接着剤８及びエ
ポキシ樹脂９で覆われていない部分と、ＩＣチップ側面
部をｌＯのシリコン樹脂にて覆い、加熱硬化せしめて完
成とする。ただしシリコン塗布前の電気特性チエツクに
て不良の場合には、ＩＣチップを除去して別のＩＣチッ
プに取り換える。すなわちリペア工程を入れる。このり
ペアの方法としては、約１３０℃のホットプレート上に
ガラスをのせ加熱することにより、エポキシ樹脂９及び
ＵＶ接着剤８の接着力を低下せしめて、機械的にＩＣチ
ップ１を除去し、さらにエポキシ樹脂９及びＴＪＶ接着
剤８を除去する。その後溶剤にて導体パッド６部をクリ
ーニングし、再び最初から同様の工程にて新しいＩＣチ
ップを接合することができる。 以上の方法によれば、半田バンブ付きのＩＣチップを用
いずに、低温で低コストで接合でき、またＩＣチップの
りペアも可能である。 〔発明の効果１ 以上述べたように本発明によれば、ＩＣチップと回路基
板との接合に、半田に（らべ低温で接合できる導電性接
着剤と絶縁性接着剤との組合せを使用したことにより、
第１は半田バンブ無しの安価なＩＣチップを利用でき、
また第２に耐熱性の低い液晶パネルのガラスへ直接ＩＣ
を接合搭載することが可能となるという効果を有する。 第２図は従来の実装構造を示す主要断面図。 ｌ ・ ２ ・ ３ ・ ４ ・ ５ ・ ６ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １０ ・ １ ｌ ・ ｌ ２ ・ １３ ・ ＩＣチップ アルミパッド パシベーション膜 ガラス 導体パターン 導体パッド 導電粒子 ＵＶ接接剤 剤ポキシ樹脂 シリコン樹脂 半田バンブ 基板 モールド剤
第１図は本発明の実装構造の一実施例を示す主要断面図
。 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）第１図
。 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）第１図
Claims (1)
- （１）半導体集積回路素子と回路基板との実装構造にお
いて、次の構成を特徴とする実装構造。 ａ）半導体集積回路素子の能動面と、回路基板の導体パ
ターンとが対向し、そして半導体集積回路素子のアルミ
パッドと、回路基板の導体パッドとが、導電粒子を含有
した接着剤にて連結されることにより、電気的に接続さ
れた構成。 ｂ）半導体集積回路素子能動面中央部と、回路基板とが
、絶縁性のエポキシ樹脂により接着固定された構成。 ｃ）半導体集積回路素子能動面のアルミパッド部及び中
央部以外の部分と、半導体集積回路素子側面の部分が、
シリコン樹脂にて覆われた構成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23680888A JPH0284747A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23680888A JPH0284747A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284747A true JPH0284747A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=17006089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23680888A Pending JPH0284747A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284747A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274913A (en) * | 1991-10-25 | 1994-01-04 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a reworkable module |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23680888A patent/JPH0284747A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274913A (en) * | 1991-10-25 | 1994-01-04 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a reworkable module |
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