JPH0280331A - 光学素子成形用型 - Google Patents
光学素子成形用型Info
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- JPH0280331A JPH0280331A JP23014888A JP23014888A JPH0280331A JP H0280331 A JPH0280331 A JP H0280331A JP 23014888 A JP23014888 A JP 23014888A JP 23014888 A JP23014888 A JP 23014888A JP H0280331 A JPH0280331 A JP H0280331A
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Landscapes
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、レンズ、プリズム等のガラスよりなる光学素
子を、ガラス素材のプレス成形により製造するのに使用
される型に関するものである。
子を、ガラス素材のプレス成形により製造するのに使用
される型に関するものである。
[従来の技術]
研磨り程を必要としないでガラス素材のプレス成形によ
ってレンズを製造する技術は従来のレンズの製造におい
て必要とされた複雑な[稈をな(し、簡り11−1つ安
価にレンズを製造することを可能とし、近来、レンズの
みならずプリズムその他のガラスよりなる光学素子−の
製造に使用されるよう。
ってレンズを製造する技術は従来のレンズの製造におい
て必要とされた複雑な[稈をな(し、簡り11−1つ安
価にレンズを製造することを可能とし、近来、レンズの
みならずプリズムその他のガラスよりなる光学素子−の
製造に使用されるよう。
になってきた。
このようなガラスの光学素子のプレス成形に使川される
型材に要求される性質としては、砂さ。
型材に要求される性質としては、砂さ。
耐熱性、離ノ□ノ性、jQ面加■ユ性等に優れている°
ISが埜げられる。従来、この種の型材として、金属、
セラミックス及びそれらをコーディングした材料等、散
多くの提案がされている。いくつかの例を挙げるならば
、特開昭49−511!2には13C「マルデンサイト
鋼が、特開昭52−45613にはSiC及び5iJ4
が、特開昭60−246230には超硬合金に貴金属を
コーティングした材料が、又、特開昭61−18313
4にはダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状炭素膜を:
コーティングした材料が提案されている。
ISが埜げられる。従来、この種の型材として、金属、
セラミックス及びそれらをコーディングした材料等、散
多くの提案がされている。いくつかの例を挙げるならば
、特開昭49−511!2には13C「マルデンサイト
鋼が、特開昭52−45613にはSiC及び5iJ4
が、特開昭60−246230には超硬合金に貴金属を
コーティングした材料が、又、特開昭61−18313
4にはダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状炭素膜を:
コーティングした材料が提案されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、13crマルデンサイト鋼は酸化しやすく、さ
らに6;、温でトeが硝r中に拡散して硝fが着色する
欠点をもつ。SiC,5izNaは一般的には酸化され
にくいとされているが、高温ではやはり酸化がおこり表
面に5iOzの膜が形成される為硝fと融着を起こし、
さらに高硬度の為型自体の加−1゛性が極めて悪いとい
う欠点を持つ。貴金属をコーティングした材料は融着は
起こしにくいが、極めて軟かい為、傷がつきゃすく又変
形しやすい欠点をもつ、又、ダイヤモンド薄膜をコーデ
ィングした材料は表向の・ト滑さに欠けるため得られた
光′i’#rの鏡面ヤ[が不足する。
らに6;、温でトeが硝r中に拡散して硝fが着色する
欠点をもつ。SiC,5izNaは一般的には酸化され
にくいとされているが、高温ではやはり酸化がおこり表
面に5iOzの膜が形成される為硝fと融着を起こし、
さらに高硬度の為型自体の加−1゛性が極めて悪いとい
う欠点を持つ。貴金属をコーティングした材料は融着は
起こしにくいが、極めて軟かい為、傷がつきゃすく又変
形しやすい欠点をもつ、又、ダイヤモンド薄膜をコーデ
ィングした材料は表向の・ト滑さに欠けるため得られた
光′i’#rの鏡面ヤ[が不足する。
父、ダイヤモンド状炭素膜と称される膜は、種類に決ま
るものではなく、■炭素のみからなっているが、結合の
形式はSP、 Sl”、 SPJ混成からなるアモルフ
ァスの膜、■微小なグラファイトの集合体、(コ0炭素
原r以外に水素原fを含むアモルファス膜(水素化アモ
ルファス炭Ji股、以ト’ aC:11膜と略す)、■
微小なダイヤモンドや微小なグラファイトと、アモルフ
ァスの両省の構造を含む膜専がある。叉、1−述の6膜
についても(1)はSl’、 S11”、 SPJの割
合、■はグラファ・イトの大きさ、(3)は水素と炭素
の1?11合、■は結晶とアモルファスの割合がそれぞ
れ異なればj模の性質が異なって(る。特開昭61−1
83134に開示されているダイヤモンド状炭素膜はこ
の点についての記述が全く無く、イオンビームスパッタ
で作ったと記載されているのみである。一般に、グラフ
ァイトのイオンビームスパ・ツタでは、■の膜が形成さ
れる。しかしながら、(1)、■、■の膜のように多1
R結合を多く含んんだり、あるいは多重結合がJF局在
化して共役系が長かったり、グラファイト微結晶を含ん
だりした膜は■の膜に比べてガラスの成分である酸化鉛
を1几しやすいので、鉛の析出が起こって、Iqiの耐
久性が低ドしたり、光学素−tの面積度が低ドしたりす
る欠点をもつ。
るものではなく、■炭素のみからなっているが、結合の
形式はSP、 Sl”、 SPJ混成からなるアモルフ
ァスの膜、■微小なグラファイトの集合体、(コ0炭素
原r以外に水素原fを含むアモルファス膜(水素化アモ
ルファス炭Ji股、以ト’ aC:11膜と略す)、■
微小なダイヤモンドや微小なグラファイトと、アモルフ
ァスの両省の構造を含む膜専がある。叉、1−述の6膜
についても(1)はSl’、 S11”、 SPJの割
合、■はグラファ・イトの大きさ、(3)は水素と炭素
の1?11合、■は結晶とアモルファスの割合がそれぞ
れ異なればj模の性質が異なって(る。特開昭61−1
83134に開示されているダイヤモンド状炭素膜はこ
の点についての記述が全く無く、イオンビームスパッタ
で作ったと記載されているのみである。一般に、グラフ
ァイトのイオンビームスパ・ツタでは、■の膜が形成さ
れる。しかしながら、(1)、■、■の膜のように多1
R結合を多く含んんだり、あるいは多重結合がJF局在
化して共役系が長かったり、グラファイト微結晶を含ん
だりした膜は■の膜に比べてガラスの成分である酸化鉛
を1几しやすいので、鉛の析出が起こって、Iqiの耐
久性が低ドしたり、光学素−tの面積度が低ドしたりす
る欠点をもつ。
従って1本発明の目的は、ガラスの光学素子の成形に適
した光学素子成形用型回転ポ で、特に、高温でガラスと融着なおこさず、鏡面ω1磨
がi+)能で、適当な硬さを杓し、酸化されにくく2鉛
の析出が生じない光学素子成形用型を提供することにあ
る。
した光学素子成形用型回転ポ で、特に、高温でガラスと融着なおこさず、鏡面ω1磨
がi+)能で、適当な硬さを杓し、酸化されにくく2鉛
の析出が生じない光学素子成形用型を提供することにあ
る。
[課題を解決するための手段」
本発明に従って、ガラスよりなる光?成子のプレス成形
に用いる光学素子成形用型において、をtす材の少なく
とも成形而に IMIす材との接触面から表向に向って
水素含有噴が減少しているa−C:11膜が被覆されて
いることを特徴とする光学素子成形用型、欅i (+j
村との接触而から表面に向って水素aイ1−fが減少し
ているa−C:tl膜が、水素含イI量の多少による2
層の膜から構成されるものである萌記光学素子成形用J
ヤIが提供される。
に用いる光学素子成形用型において、をtす材の少なく
とも成形而に IMIす材との接触面から表向に向って
水素含有噴が減少しているa−C:11膜が被覆されて
いることを特徴とする光学素子成形用型、欅i (+j
村との接触而から表面に向って水素aイ1−fが減少し
ているa−C:tl膜が、水素含イI量の多少による2
層の膜から構成されるものである萌記光学素子成形用J
ヤIが提供される。
本発明は、!φ11材の少なくとも成形而に、比較的水
素含(r:Jの多く硬度の低い、 −C: 11膜を形
成し、徐々に水素ロイ1Mを減少させることにより表面
側(ガラスとの接触面側)では5硬度が高く平滑で摩擦
係数の小さい高温状態において鉛またはアルカリノし素
と反応しない不活性なa−C:股を得るものである。こ
こで表面側の水素含+r iijの多い股部分は膜の内
部応力や型と膜の熱膨張係数の追いを吸収することによ
り、型に形成したa −C: II膜の密着性に代表さ
れる機械的強度を向トさせる作用を何している。
素含(r:Jの多く硬度の低い、 −C: 11膜を形
成し、徐々に水素ロイ1Mを減少させることにより表面
側(ガラスとの接触面側)では5硬度が高く平滑で摩擦
係数の小さい高温状態において鉛またはアルカリノし素
と反応しない不活性なa−C:股を得るものである。こ
こで表面側の水素含+r iijの多い股部分は膜の内
部応力や型と膜の熱膨張係数の追いを吸収することによ
り、型に形成したa −C: II膜の密着性に代表さ
れる機械的強度を向トさせる作用を何している。
a−C:111模は、該膜の型lす材との接触而におけ
る水素含杓量が60原子%以下であることが好ましい。
る水素含杓量が60原子%以下であることが好ましい。
水累含す1がが60原子%を越えると股(ネtl/ ト
ワーク)を構成することが困難になる傾向がある。(6
6原子%(C: 1l=1.2 )を越えると膜を構成
することができない。)また1表面における水素含有9
が5を京−f%以」二であることが好ましい。水素含有
量が5原子%未満であると。
ワーク)を構成することが困難になる傾向がある。(6
6原子%(C: 1l=1.2 )を越えると膜を構成
することができない。)また1表面における水素含有9
が5を京−f%以」二であることが好ましい。水素含有
量が5原子%未満であると。
膜中に一1F結合が増加するためグラファイトライクな
膜となり、膜硬度が低くなると共に、ガラス成分中の酸
化鉛を環元するという問題が生じる傾向がある。
膜となり、膜硬度が低くなると共に、ガラス成分中の酸
化鉛を環元するという問題が生じる傾向がある。
また、a−C:H膜が水素含有jetの多少による2層
の膜から構成される場合、水素含有量の多い層(40〜
(50原r%)の1漠j7は、膜の内部応力や塑と膜と
の熱膨張係数の違いを吸収して膜の密着性を向1°する
働きをするものであるが、膜厚が厚過ぎると逆に水素含
有;llの多い膜の性質(例えば膜硬度)が強くなるの
で、500〜1.000人であることが好ましい。水素
含t−r ]の少ない層(5〜40原T−%)の膜厚は
、硬度が高<IV滑な膜であるという性質を保(lさせ
るためには4000人以十、であることが好ましく、ま
た8000人を越えると膜の内部応力や型と膜との熱膨
張係数の違いによる影響も大きくなるので、4000〜
8000人であることが好ましい。
の膜から構成される場合、水素含有量の多い層(40〜
(50原r%)の1漠j7は、膜の内部応力や塑と膜と
の熱膨張係数の違いを吸収して膜の密着性を向1°する
働きをするものであるが、膜厚が厚過ぎると逆に水素含
有;llの多い膜の性質(例えば膜硬度)が強くなるの
で、500〜1.000人であることが好ましい。水素
含t−r ]の少ない層(5〜40原T−%)の膜厚は
、硬度が高<IV滑な膜であるという性質を保(lさせ
るためには4000人以十、であることが好ましく、ま
た8000人を越えると膜の内部応力や型と膜との熱膨
張係数の違いによる影響も大きくなるので、4000〜
8000人であることが好ましい。
光′を素子成形用型の型母材としては、超硬合金の他2
鏡而性、l114熱性に優れたセラミック材料が挙げら
れる。
鏡而性、l114熱性に優れたセラミック材料が挙げら
れる。
型j:↓材の少なくとも成形面にa −C: H膜を被
覆する)J法としては、プラズマ蒸着法(1)vcD法
)、イオンビーム蒸着法、プラズマスパッタ蒸着法、プ
ラズマイオンブレーティング法、電子サイクロトロン共
鳴法笠が挙げられる。
覆する)J法としては、プラズマ蒸着法(1)vcD法
)、イオンビーム蒸着法、プラズマスパッタ蒸着法、プ
ラズマイオンブレーティング法、電子サイクロトロン共
鳴法笠が挙げられる。
[実施例]
以ト1図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。
する。
実施例1
第1図及び第2図は本発明に係る光学克丁成形用型の1
つの実施態様を示すものである。
つの実施態様を示すものである。
第1図は光学素子のプレス成形前の状態を示し、第2図
は光学素子成形後の状態を示す。第1図中1は型母材、
2は該型母材のガラス素材の接触する成形面に形成され
たa−C:11膜、3はガラス素材であり、第2図中4
は光学素子である。
は光学素子成形後の状態を示す。第1図中1は型母材、
2は該型母材のガラス素材の接触する成形面に形成され
たa−C:11膜、3はガラス素材であり、第2図中4
は光学素子である。
第1図に示すように型の間に置かれた硝子素材3をプレ
ス成形することによって、第2図に示すようにレンズ等
の九字素”44が成形される。
ス成形することによって、第2図に示すようにレンズ等
の九字素”44が成形される。
l−記のように、1!:!母材1の上に本発明のa−C
:If膜を被覆する方法としてプラズマCVD法を用い
た。第23図に膜形成に用いた゛V行宇板型高周波ブラ
ズー、/CVI)(以−F’RF−PCVDと略す)装
置をホす。第3図中、lli:を真空槽、12はガス供
給系、+3は高周波の電源、+4は排気系、15は型母
材である。
:If膜を被覆する方法としてプラズマCVD法を用い
た。第23図に膜形成に用いた゛V行宇板型高周波ブラ
ズー、/CVI)(以−F’RF−PCVDと略す)装
置をホす。第3図中、lli:を真空槽、12はガス供
給系、+3は高周波の電源、+4は排気系、15は型母
材である。
まず、型(+)材15を所定の形状に加工し、レンズ成
形布を鏡面研府する。次に、ボj述のRF−PCVD装
置u装置り、ガス供給系12でC114を流電1105
CC,ガス厚を0.2Torr 、 13.56M)+
7.のRF電源により、放電電力50W、室温で型母材
(基板) トに膜厚1000人まで成膜した後、基板温
度を徐々にヒtiさせなから成膜を行なった。最後の基
板温度を400℃、最終的な膜厚を5000人とした。
形布を鏡面研府する。次に、ボj述のRF−PCVD装
置u装置り、ガス供給系12でC114を流電1105
CC,ガス厚を0.2Torr 、 13.56M)+
7.のRF電源により、放電電力50W、室温で型母材
(基板) トに膜厚1000人まで成膜した後、基板温
度を徐々にヒtiさせなから成膜を行なった。最後の基
板温度を400℃、最終的な膜厚を5000人とした。
型f:)材との接触面側のIIg(1000人厚)を化
学分析した結果、水素含有率は約50原子%であり、膜
の硬度はヌープ硬度で800 kg/n+m”であった
。一方、ガラス接触面側の膜を化学分析した結果、水素
含有率は約209;を子%であり、股の硬度はヌープ硬
度で2000kg/mm”、 Rmaxで0.02μm
以ド、摩擦係数0.2以ドと高硬度でかつN+z滑な膜
であった。
学分析した結果、水素含有率は約50原子%であり、膜
の硬度はヌープ硬度で800 kg/n+m”であった
。一方、ガラス接触面側の膜を化学分析した結果、水素
含有率は約209;を子%であり、股の硬度はヌープ硬
度で2000kg/mm”、 Rmaxで0.02μm
以ド、摩擦係数0.2以ドと高硬度でかつN+z滑な膜
であった。
またイオンマイクロアナライザーで十記膜の深さ方向の
分析を行ったところ、型母材との接触面から表面に同一
)て水素含有量が減少していることが確認された。
分析を行ったところ、型母材との接触面から表面に同一
)て水素含有量が減少していることが確認された。
次に、1−記のプレス成形型とその他の型を用い、第4
図の装置を用いて光字素子のプレス成形試験を行った。
図の装置を用いて光字素子のプレス成形試験を行った。
第4図中、51は11空槽本体、52はそのフタ、5:
3は光学素子を成形する為の上型、54はそのドlヤ1
.55は、上型をおさえるための上型おさえ、56は用
型、57は型ホルダ−,58はヒータ、59は下型をつ
きトげるつき上げ棒、60は該つき1−げ棒を作動する
エアシリンダ、61は油回転ポンプ、62.6:3,6
4はバルブ、65は不活性ガス流入バイブ、66はバル
ブ、67はリークバイブ、68はバルブ、69は温度セ
ンサ。
3は光学素子を成形する為の上型、54はそのドlヤ1
.55は、上型をおさえるための上型おさえ、56は用
型、57は型ホルダ−,58はヒータ、59は下型をつ
きトげるつき上げ棒、60は該つき1−げ棒を作動する
エアシリンダ、61は油回転ポンプ、62.6:3,6
4はバルブ、65は不活性ガス流入バイブ、66はバル
ブ、67はリークバイブ、68はバルブ、69は温度セ
ンサ。
70は水冷バイブ、71は!二I空槽を支持する台を小
す。
す。
次に、フリント系光学ガラス+SF l 4)を所定の
晴に調整し1球状にしたガラス木材を型のキャビデイ内
に置き、これを第4図に示す装置内に設j?′?する。
晴に調整し1球状にしたガラス木材を型のキャビデイ内
に置き、これを第4図に示す装置内に設j?′?する。
ガラス素材を投入した型を装jn内に設置してからs″
(空槽51のフタ52を閉じ、水冷バイブ70に水を流
し、ヒータ58に電流を通す。この時窒ふガス用バルブ
66及び68は閉じ、排気系バルブ62.63.64も
閉じている。尚油同転ポンプ61は常に回転している。
(空槽51のフタ52を閉じ、水冷バイブ70に水を流
し、ヒータ58に電流を通す。この時窒ふガス用バルブ
66及び68は閉じ、排気系バルブ62.63.64も
閉じている。尚油同転ポンプ61は常に回転している。
バルブ62を開は排気をはじめ10−”Torr以上に
なったらバルブ62を閉じ、バルブ66を開いて窒ふガ
スをボンベより真空槽内に導入する。所定温度になった
らエアシリンダ60を作動させて10 k1B/cn+
”)lf力で5分間加IEする。n−力を除去した後、
冷却速度を一り℃/制nで転位点以上になるまで冷却し
、その後は一り0℃/min以l−の速度で冷却を行な
い、200 ’CCトドドがったらバルブ66を閉じ、
リークバルブ63を開いてl’1空槽51内に空気を導
入する。それからフタ52を開け1ソリ1おさえをはず
して成形物を取り出す。
なったらバルブ62を閉じ、バルブ66を開いて窒ふガ
スをボンベより真空槽内に導入する。所定温度になった
らエアシリンダ60を作動させて10 k1B/cn+
”)lf力で5分間加IEする。n−力を除去した後、
冷却速度を一り℃/制nで転位点以上になるまで冷却し
、その後は一り0℃/min以l−の速度で冷却を行な
い、200 ’CCトドドがったらバルブ66を閉じ、
リークバルブ63を開いてl’1空槽51内に空気を導
入する。それからフタ52を開け1ソリ1おさえをはず
して成形物を取り出す。
1・記のようにして、フリント系光学fin’−1’5
FI4(軟化点Sp= 586℃、転位点TR= 48
5℃)を使用して、第2図に示−4゛レンズ4を成形し
た、この時の成形条件すなt)ち時間−一度関係図を第
6図に示す。
FI4(軟化点Sp= 586℃、転位点TR= 48
5℃)を使用して、第2図に示−4゛レンズ4を成形し
た、この時の成形条件すなt)ち時間−一度関係図を第
6図に示す。
次に、成形したレンズの表1【l粗さ綬び成IF; +
i’+後での型の表面粗さを測定した。その結果を表1
に小す。
i’+後での型の表面粗さを測定した。その結果を表1
に小す。
また、融着を起さないNo、I、4.5について同じj
轡を用いて200回の成形を111だ後1表面粗さを測
定した。その結果を表2に示す。
轡を用いて200回の成形を111だ後1表面粗さを測
定した。その結果を表2に示す。
表2
表1、表2より明らかなように、型表面に本発明のa−
C:If膜を形成した型は、像j[ε成品質の良好な高
精度の光学ガラス素子−をプレス成形することができた
。
C:If膜を形成した型は、像j[ε成品質の良好な高
精度の光学ガラス素子−をプレス成形することができた
。
以1より、a−Call膜は、加工精度、耐熱性に優れ
、a −C: HGとの密着性の良い全てのプレス成形
用型の全ての材料に適合するものであることがわかる。
、a −C: HGとの密着性の良い全てのプレス成形
用型の全ての材料に適合するものであることがわかる。
実施例2
実施例1で使用したflF−PCVD装置を用い、型母
材(基数)を1’? F’電極側に設け、真空度0.0
3rorr、基板温度、室温、CIl、 la l 5
SCCMとし。
材(基数)を1’? F’電極側に設け、真空度0.0
3rorr、基板温度、室温、CIl、 la l 5
SCCMとし。
まず1?1−“パワーを50Wとし、膜厚1000人ま
で成膜した、この膜はヌープ硬度800kg/m+*”
、水素含有量60原子%であった。この後、[<Fパ
ワーを100Wとし、さらに膜厚4000人を成膜した
。この膜はヌープ硬度2200kg/++v+2水素含
有量が約10IQ f−%で、表面粗さがRmaxO,
03μm以)゛、摩擦係数0.2以下であった。このa
−C: l−1膜を形成した型を用い第5図に示す装
置Bによりプレス成形試験を1rっだ。
で成膜した、この膜はヌープ硬度800kg/m+*”
、水素含有量60原子%であった。この後、[<Fパ
ワーを100Wとし、さらに膜厚4000人を成膜した
。この膜はヌープ硬度2200kg/++v+2水素含
有量が約10IQ f−%で、表面粗さがRmaxO,
03μm以)゛、摩擦係数0.2以下であった。このa
−C: l−1膜を形成した型を用い第5図に示す装
置Bによりプレス成形試験を1rっだ。
第5図において、104は取入れ用置換室であり、10
6は成形室であり、+08は蒸着室であり、110は取
出し用置換室である。112゜114.116はゲート
バルブであり、118はレールであり、120は詠し−
ルトを矢印へ方向に搬送せしめられるパレットである。
6は成形室であり、+08は蒸着室であり、110は取
出し用置換室である。112゜114.116はゲート
バルブであり、118はレールであり、120は詠し−
ルトを矢印へ方向に搬送せしめられるパレットである。
冒24゜+38.140.150はシリンダであり、1
26.152はバルブである。128は成形室106内
においてレール+18に沿って配列されているヒータで
ある。
26.152はバルブである。128は成形室106内
においてレール+18に沿って配列されているヒータで
ある。
成形室106内はパレット搬送方向に沿って順に加熱ゾ
ーン+06−1 、プレスゾーン106−2及び徐冷ゾ
ーン+06−3とされている。ブレスゾーン106−2
において、L記シリンダl:38のロッド!34のド端
には成形用り型部材璽30が同定されており、[記シリ
ンダ暑40のロッドI:36の1端には成形用す型部材
132が固定されている。これら−L型部材130及び
ド型部材132は、に2第1図の本発明による型部材で
ある。蒸着室108内においては、蒸着物質146を収
容した容器+42及び該容器を加熱するためのヒータ1
44が配置されている。
ーン+06−1 、プレスゾーン106−2及び徐冷ゾ
ーン+06−3とされている。ブレスゾーン106−2
において、L記シリンダl:38のロッド!34のド端
には成形用り型部材璽30が同定されており、[記シリ
ンダ暑40のロッドI:36の1端には成形用す型部材
132が固定されている。これら−L型部材130及び
ド型部材132は、に2第1図の本発明による型部材で
ある。蒸着室108内においては、蒸着物質146を収
容した容器+42及び該容器を加熱するためのヒータ1
44が配置されている。
フリント系光学ガラス(SF+4 、軟化点Sp= 5
86℃、ガラス転移点Tg= 485℃)を所定の形状
及び=i法に相加上して、成形のためのブランクを得た
。
86℃、ガラス転移点Tg= 485℃)を所定の形状
及び=i法に相加上して、成形のためのブランクを得た
。
ガラスブランクをパレット120に載置し、取入れ置換
室+04内の120−1の位置へ入れ、該位置のパレッ
トをシリンダ124のロッド122によりへ方向に押し
てゲートバルブ+12を越えて成形室106内の120
−2の位置へと搬送し、以下同様に所定のタイミングで
順次新たに取入れ1η換室104内にパレットを入れ、
このたびにパレットを成形室106内で120−2→・
・・・・・→120−8の位1uへと順次搬送した。こ
の間に、加熱ゾーン06−!ではガラスブランクをヒー
タ128により徐々に加熱し+20−4の位置で軟化点
以−トとした七で、ブレスゾーン106−2へと搬送し
、ここでシリンダ138.140を作動させて上型部材
+30及びF型部材132により1Ok)(/cがの圧
力で5膜分間プレスし、その後加圧力を解除しガラス転
移点以下まで冷却し、その後シリンダ138゜140を
作動させてF型部材130及び下型部材132をガラス
成形品から離型した。該プレスに際しては上記パレット
が成形用銅型部材として利用された。しかる後に、徐冷
ゾーン+06−3ではガラス成形品を徐々に冷却した。
室+04内の120−1の位置へ入れ、該位置のパレッ
トをシリンダ124のロッド122によりへ方向に押し
てゲートバルブ+12を越えて成形室106内の120
−2の位置へと搬送し、以下同様に所定のタイミングで
順次新たに取入れ1η換室104内にパレットを入れ、
このたびにパレットを成形室106内で120−2→・
・・・・・→120−8の位1uへと順次搬送した。こ
の間に、加熱ゾーン06−!ではガラスブランクをヒー
タ128により徐々に加熱し+20−4の位置で軟化点
以−トとした七で、ブレスゾーン106−2へと搬送し
、ここでシリンダ138.140を作動させて上型部材
+30及びF型部材132により1Ok)(/cがの圧
力で5膜分間プレスし、その後加圧力を解除しガラス転
移点以下まで冷却し、その後シリンダ138゜140を
作動させてF型部材130及び下型部材132をガラス
成形品から離型した。該プレスに際しては上記パレット
が成形用銅型部材として利用された。しかる後に、徐冷
ゾーン+06−3ではガラス成形品を徐々に冷却した。
尚、成形室+06内には不活性ガスを充満させた。
成形室106内において+20−8の位置に到達したパ
レットを1次の搬送ではゲートバルブ+14を越えて蒸
着室+08内の120−9の位置へと搬送した。通常、
ここで真空蒸着を行なうのであるが1本実施例では該蒸
着を行なわなかった。そして1次の搬送ではゲートバル
ブ+16を越えて取出し置換室110内の120−10
の位置へと搬送した。そして、次の搬送時にはシリンダ
+50を作動させてロッド148によりガラス成形品を
成形装置102外へと取出した。
レットを1次の搬送ではゲートバルブ+14を越えて蒸
着室+08内の120−9の位置へと搬送した。通常、
ここで真空蒸着を行なうのであるが1本実施例では該蒸
着を行なわなかった。そして1次の搬送ではゲートバル
ブ+16を越えて取出し置換室110内の120−10
の位置へと搬送した。そして、次の搬送時にはシリンダ
+50を作動させてロッド148によりガラス成形品を
成形装置102外へと取出した。
以ト、のようなプレス成形の前後における型部材130
.132の成形面の表面粗さ及び成型された光学素子の
光学面の表面粗さ、ならびに成形光字素子と型部材13
0.132とのfa型性について表:Sに示ず5、 次に融着が起きないNo、1.4.5について同・If
;1ノ部材を用いて連続1ノj回のプレス成形を行なっ
た。この際の型部材の成形面の表面粗さ及び成形された
光学累了の光学面の衣面相さに−)いて表4に小1・ 人4 以トの様に本発明実施例においては、 繰返しブ レス成形に使用しても良好な表面精度を1−分に維持で
き、融着を生ずることなく良好な表+riiM度の光?
素子−が成形できた。
.132の成形面の表面粗さ及び成型された光学素子の
光学面の表面粗さ、ならびに成形光字素子と型部材13
0.132とのfa型性について表:Sに示ず5、 次に融着が起きないNo、1.4.5について同・If
;1ノ部材を用いて連続1ノj回のプレス成形を行なっ
た。この際の型部材の成形面の表面粗さ及び成形された
光学累了の光学面の衣面相さに−)いて表4に小1・ 人4 以トの様に本発明実施例においては、 繰返しブ レス成形に使用しても良好な表面精度を1−分に維持で
き、融着を生ずることなく良好な表+riiM度の光?
素子−が成形できた。
実施例3
実施例2と同様の方法により、まず、RFパワー 50
Wで膜厚1000人まで成1摸した2次に、Rドバワ
ーを80Wとし、型母材(基板)を300℃に加熱した
後、さらに6000人成膜した。この膜はヌープ硬度2
400kg/mが、水素含有用20原子%で1表面粗さ
がRmaxO102μm以ド、摩擦係数0.2以ドであ
ったつまた。イオンマイクロアリ−ライザーによる深さ
方向の分析により、型Lす材と接触する側の膜の水素含
有量は60掠子%であり1表面の側の膜の水素含分甲2
0原子%であり、水素含4=i lの多少により2層の
膜が形成されていることが確認された。この型を用いて
実施例1と同様の成形試験、評価を行なった結果、実施
例1と同等の型が得られた。
Wで膜厚1000人まで成1摸した2次に、Rドバワ
ーを80Wとし、型母材(基板)を300℃に加熱した
後、さらに6000人成膜した。この膜はヌープ硬度2
400kg/mが、水素含有用20原子%で1表面粗さ
がRmaxO102μm以ド、摩擦係数0.2以ドであ
ったつまた。イオンマイクロアリ−ライザーによる深さ
方向の分析により、型Lす材と接触する側の膜の水素含
有量は60掠子%であり1表面の側の膜の水素含分甲2
0原子%であり、水素含4=i lの多少により2層の
膜が形成されていることが確認された。この型を用いて
実施例1と同様の成形試験、評価を行なった結果、実施
例1と同等の型が得られた。
[発明の効果]
本発明の光学素子成形用型によれば、ガラスとの#型性
に優れ、鏡面研磨が可能で、繰り返し使用しても従来の
型に比較して表面の劣化が極めて少ない。
に優れ、鏡面研磨が可能で、繰り返し使用しても従来の
型に比較して表面の劣化が極めて少ない。
第1図および第2図は本発明に係る尤学克r成形用型の
一実施態様を示す断面図で、第1図はプレス成形+ii
Jの状態、第2図はプレス成形後の状態を小す。第3図
は本発明に係る光学Af成形用型の製造方法に用いるR
F−PCVD装置6を示す概略図である1、第4図およ
び第5図本発明に係る光学素子成形用をを使用するレン
ズの成形装置を示す断面図で、第4図は非連続成形タイ
プ、第5図は連続成形タイプである。第6図はレンズ成
形の際の時間温度関係図である。 1・・・Jリオのtす材、 2・=t1−C: I
f膜、コ3・・・ガラス素材、 4・・・成形され
たレンズ。 ・・・3°L空槽、 +2−・・ガラス供給系
、13・・・高周波の電源、14・・・排気体。 5・・・型母材、 Ell・・・れ空槽本体。 52・・・フタ、 53・・・ト型。 54・・・ド型、55・・・ト型おさえ。 57・・・型ホルダ− 59・・・つきl゛、げ棒、 6I・・・油回転ポンプ、 65・・・流入バイブ、 67 ・・・流出バイブ、 69−・・温度センサ、 71・・・台、 56・・・用型。 58・・・ヒーター 60・・・エアシリンダ、 52、63.64・・・バルブ。 66・・・バルブ。 58・・・バルブ。 70・・・水冷バ・イブ。 02・・・成形装置r!。 104・・・取入れ川(η換室。 106 ・・・を成形室、 10杼0・・
・取出し用置換室。 112・・・ゲートバルブ、114 116・・・ケートバルブ、118 1Z[l−・・パレット、 +22124・・・シ
リンダ、126 128・・・ヒータ5130 132 ・・・ド型、134 36−・・ロー ド、138 140・・・シリンダ、 142 144・・・ヒータ、 146 ・・・蒸着室、 ・・・ゲートバルブ、 ・・・レール、 ・・・ロッド、 ・−バルブ、 ・・J二型。 ・・・ロッド、 ・・・シリンダ、 ・・・容器。 ・、4着物質、 ・・・ロッド。 ・・・シリンダ。 ・・・バルブゎ
一実施態様を示す断面図で、第1図はプレス成形+ii
Jの状態、第2図はプレス成形後の状態を小す。第3図
は本発明に係る光学Af成形用型の製造方法に用いるR
F−PCVD装置6を示す概略図である1、第4図およ
び第5図本発明に係る光学素子成形用をを使用するレン
ズの成形装置を示す断面図で、第4図は非連続成形タイ
プ、第5図は連続成形タイプである。第6図はレンズ成
形の際の時間温度関係図である。 1・・・Jリオのtす材、 2・=t1−C: I
f膜、コ3・・・ガラス素材、 4・・・成形され
たレンズ。 ・・・3°L空槽、 +2−・・ガラス供給系
、13・・・高周波の電源、14・・・排気体。 5・・・型母材、 Ell・・・れ空槽本体。 52・・・フタ、 53・・・ト型。 54・・・ド型、55・・・ト型おさえ。 57・・・型ホルダ− 59・・・つきl゛、げ棒、 6I・・・油回転ポンプ、 65・・・流入バイブ、 67 ・・・流出バイブ、 69−・・温度センサ、 71・・・台、 56・・・用型。 58・・・ヒーター 60・・・エアシリンダ、 52、63.64・・・バルブ。 66・・・バルブ。 58・・・バルブ。 70・・・水冷バ・イブ。 02・・・成形装置r!。 104・・・取入れ川(η換室。 106 ・・・を成形室、 10杼0・・
・取出し用置換室。 112・・・ゲートバルブ、114 116・・・ケートバルブ、118 1Z[l−・・パレット、 +22124・・・シ
リンダ、126 128・・・ヒータ5130 132 ・・・ド型、134 36−・・ロー ド、138 140・・・シリンダ、 142 144・・・ヒータ、 146 ・・・蒸着室、 ・・・ゲートバルブ、 ・・・レール、 ・・・ロッド、 ・−バルブ、 ・・J二型。 ・・・ロッド、 ・・・シリンダ、 ・・・容器。 ・、4着物質、 ・・・ロッド。 ・・・シリンダ。 ・・・バルブゎ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ガラスよりなる光学素子のプレス成形に用いる光学
素子成形用型において、型母材の少なくとも成形面に、
型母材との接触面から表面に向って水素含有量が減少し
ている水素化アモルファス炭素膜が被覆されていること
を特徴とする光学素子成形用型。 2、型母材との接触面から表面に向って水素含有量が減
少している水素化アモルファス炭素膜が、該膜の型母材
との接触面における水素含有量が60原子%以下であり
、表面における水素含有量が5原子%以上である請求項
1記載の光学素子成形用型。 3、型母材との接触面から表面に向って水素含有量が減
少している水素化アモルファス炭素膜が、水素含有量の
多少による2層の膜から構成されるものである請求項1
記載の光学素子成形用型。 4、水素含有量の多い層の膜厚が500〜1000Åで
水素含有量が40〜60原子%であり、水素含有量の少
ない層の膜厚が4000〜8000Åで水素含有量が5
〜40原子%である請求項3記載の光学素子成形用型。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63230148A JPH0729784B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 光学素子成形用型 |
US07/394,208 US5026415A (en) | 1988-08-16 | 1989-08-15 | Mold with hydrogenated amorphous carbon film for molding an optical element |
US07/683,537 US5202156A (en) | 1988-08-16 | 1991-04-10 | Method of making an optical element mold with a hard carbon film |
US07/999,124 US5382274A (en) | 1988-08-16 | 1992-12-31 | Mold with film of 0-5 atom % hydrogen and molding method utilizing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63230148A JPH0729784B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 光学素子成形用型 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0280331A true JPH0280331A (ja) | 1990-03-20 |
JPH0729784B2 JPH0729784B2 (ja) | 1995-04-05 |
Family
ID=16903342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63230148A Expired - Fee Related JPH0729784B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-09-16 | 光学素子成形用型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0729784B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5676723A (en) * | 1992-06-25 | 1997-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold for forming an optical element |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP63230148A patent/JPH0729784B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5676723A (en) * | 1992-06-25 | 1997-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold for forming an optical element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0729784B2 (ja) | 1995-04-05 |
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