JPH02239124A - 光学素子成形用型の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、レンズ、プリズム等のガラスよりなる光学素
子のプレス成形に用いる光学素子成形用型を製造する方
法に関するものである。

〔従来の技術〕

研摩工程を必要としないでガラス素材のプレス成形によ
ってレンズを製造する技術は従来のレンズの製造におい
て必要とされた複雑な工程をなくし、簡単且つ安価にレ
ンズを製造することを可能とし、近来、レンズのみなら
ずプリズムその他のガラスよりなる光学素子の製造に使
用されるようになってき丸。

このようなガラスの光学素子のプレス成形に使用される
型材Ｋ要求される性質としては、硬さ、耐熱性、離型性
、鏡面加工性等に優れている事が挙げられる。従来、こ
の種の型材として，金属、セラミックス、及びそれらを
コーティングした材料等、数多くの提案がされている。

いくつかの例を挙げるならば、％開昭４９−５１１１２
には１３Ｃｒマルテンサイト鋼が、特開昭５２−４５６
１３にはＳＩＣ及びＳ１３Ｎ４が、特開昭６０−２４６
２３０には超硬合金に貴金属をコーティングした材料が
提案されている。

また、特開昭６１−１８３１３４にはダイヤモンド薄膜
又はダイヤモンド状炭素展をコーティングした材料が提
案されている。

〔発明が解決しようとしている課題〕

しかしながら、１　３Ｃｒマルテンサイト鋼は酸化しや
すく、さらＫ高温でＦ６が硝子中に拡散して硝子が着色
する欠点をもつ。又、ＳＩＣ，　Ｓｔ５Ｎ４は一般的に
は酸化されにくいとされているが、高温ではやはり酸化
がおこり表面に８１０２の膜が形成される為硝子と融着
を起こし、さらに高硬度の為型自体の加工性が極めて悪
いという欠点を持つ。又、貴金属をコーティングした材
料は融着は起こしκ〈いが，極めて軟かい為、傷がつき
ゃすぐ又変形しやすい欠点をもつ。

また、ダイヤモンド薄膜をコーティングし九ものは、そ
の表面が数１ｏｏｏ１〜数μｍ程度の凹凸を有し平坦で
ないために、良質なレンズが成形サれないという欠点を
もつ。

更に、特開昭６１−１８３１３４のように、イオンビー
ム・スノ々ツタによって形成された単なる均一組成のダ
イヤモンド状炭素膜には、窒素雰囲気下で成形すると、
ガラス中の酸化鉛が還元されて鉛となって析出し、型の
面精度や耐久性を低下させたり、成形したレンズの面精
度を下げるという欠点をもつ。

従って、本発明の目的は、表面の平坦性に優れた光学素
子成形用型の製造方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、耐久性、成形性等に優れた光学素
子成形用型の製造方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に従って、ガラスよりなる光学素子のプレス成形
に用いる光学素子成形用型の製造方法において、型母材
の少なくとも成形面疋、基体上に形成されたダイヤモン
ド膜を接合した後、該基体を除去することにより、型母
材の少なくとも成形面にダイヤモンド膜を被覆すること
を特徴とする光学素子成形用型の製造方法が提供される
。

ダイヤモンド薄膜は、化学的に安定かつ不活性であるた
め、高温度Ｋおいてｌｌ！，鉛またはアルカリ元素を多
量に含む光学素子と反応することもなく、ま九膜硬度が
非常に高いので型表面にすり傷等を発生′したり，プレ
ス成形に際し塑性変形を引き起こしたりしない。従って
、ダイヤモンド薄膜の表面がガラス素子成形において像
形成品質が良好に得られる程度に平坦であれば、光学素
子成形用盟材料としてこれ程優れたものはない。

ところで、ダイヤモンドを気相合成する方法は、特開昭
５８−５１１００，特開昭５８−１１０４９４，特公昭
６１−２６３２等によク公知である。

′！た，ダイヤモント１砥粒を用いて基板に微小な傷を
形成することＫより、ダイヤモンド結晶の核発生密度を
向上させ膜状にする方法（％公昭６２−２７０３９）が
知られている。これらの方法に：り形成きれるダイヤモ
ンド薄獲の表面ハ、一般Ｋ数１　０　０　０Ｘ〜数μｍ
の凹凸を有している。

本発明におｈては、あらかじめ成形に用いる型と嵌合す
る形状を有する基体上にダイヤモンド膜を形成しておき
、この膜と成形型を適当な接合剤により接合した後、前
記基体を除去し、成形型上にダイヤモンド膜の裏面（基
体側面）が成形面となるよう転写（反転）することによ
り、表面が滑らかなダイヤモンド膜からなる光学素子成
形用屋を製造する。

すなわち、ダイヤモンド膜を設けようとする光学素子成
形用の型と、これに嵌合する基体を用意する。この基体
はダイヤモンド膜を形成するために適した材料であると
同時に、研摩，エッチングが可能であること、かつ研摩
によりその表面粗さがＲｎ１ａＸで０，０５μｍ以下の
鏡面に仕上げることのできる材料であることが好ましい
。このような材料としては、８１，　Ｗ，　Ｍｏ，　Ｔ
ａ，　ＳｔＣ，　Ｗｅ，　Ｓ１３Ｎ４，ｓｉｏ　　，　
ｈｔ２ｏ，等が挙げられる。

まず、この基体表面をその表面粗さが好ましくはＲＩＴ
ｌａｘで０．０５μｍ以下、より好ましくは０．０　１
　ａｍ以下となるよう鏡面研摩する。次κ、平均粒径が
？０〜２　０　Ｊｌｍのダイヤモンド砥粒をアルコール
中に分散させ、この溶液中に前記基体を入れた後溶液を
超音波振動させることにより、基体表面Ｋ微小な傷付け
処理を行なう。

このとき、基体表面の表面粗さがＲｍａｘで０．０５ｌ
Ｉｍを超えることがないよう、傷付処理の条件を最適化
するのが好ましい。この後、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法、熱フィラメントＣ■法，プラズマジェット法、ＥＣ
Ｒ　ｆラズマＣＶＤ法等により、ダイヤモンド薄膜を数
Ｊｌｍ〜数１　０　０　７７ｍ形成する。このとき使用
するガスは、含炭素ガスであるメタン，エタン，プロパ
ン，エチレン，ベンゼン，アセチレンなどの炭化水素：
塩化メチレン，四塩化炭素，クロロフォルム，トリクロ
ールエタンなどの７１ログン化炭素、ノ・口ｒン化炭化
水素；メチルアルコール，エチルアルコール等のアルコ
ール類；（ＣＨ３）２ＣＯ，（Ｃ６Ｈ５）ＣＯなどのケ
トン類；ｃｏ．ｃｏ■などのガス及びこれらのガスにＮ
２，　Ｈ２，　０２，　Ｈ２０１Ａｒ等のガスを混入し
たものである。

次に、形成したダイヤモンド膜の表面をプレス成形用盤
の母材として精密加工が容易で、耐熱性、耐熱衝撃性の
ある材料、例えばタングステン、カーバイト，サーメッ
ト，ノルコニア等の型表面上に接合する。

このときの接合剤は、ダイヤモンドとぬれ性が良く、か
つ光学素子成形の条件（加熱温度、プレス圧等〕におい
て十分な機械的強度と幾何学的寸法精度を保障できるも
のが好ましい。このような材料としてＴＩ，　Ｚｒ，　
Ｈｆ，　Ｖ，　Ｎｂ，　Ｔａ，　Ｃｒ，　Ｍｏ，　Ｗ＋
Ｆ＠，　Ｒｕ，　Ｏｎ．　Ｃｏ，　Ｒｈ，　Ｉｒ，　Ｎ
ｌ，　Ｐｄ＋　Ｐｔ、，　Ｃｕｒ　Ａｇ＋Ａｕ＋　ＳＩ
Ｔ　Ｇ＠，　Ｓｎ＋　ｐｂ等の元素、あるいはこれらの
１種あるいは２種以上の組み合せの化合物、混合物、あ
るいはＡｇ−Ｃｕ，　Ａｇ−Ｓｎｙ　Ｔｌ−Ａｇ＋　Ｔ
Ｉ−Ｃｕ，　Ｔｉ−Ｃｏ＋Ｔｌ−Ｎｉ，　Ａｕ−Ｎｂ，
　Ａｕ−Ｔａ等の合金でも良い。

また、接合する型母材にも固相接合するための接合剤層
を形成する。この接合剤は型母材と密着性が良く接合に
より十分な強度を持つと同時に、光学素子成形の条件（
加熱温度，プレス圧等）において十分な接合強度を持つ
ものが好ましい。特に、相方の熱膨張係数に近似してい
るものであることが重要である。例えば、型母材をタン
グステンカーバイドとした場合Ｔｉ，　Ｔａ，．　Ｎｉ
等が適している。接合に際しては、ダイヤモンド膜上の
膜と型母材上の膜が同種の材料であるようにし同種材料
同士の固相接合により型母材上にダイヤモンド膜を接合
するのが好ましい。

このとき接合剤は、真空蒸着，ス・母ツタ，イオンプレ
ーティングあるいはメッキ等により形成する。接合剤の
膜厚は，ダイヤモント０膜側ではダイヤモンド膜の表面
の凹凸が平坦化でき、かつ膜の内部応力によシ密着性が
低下しない程度であればよく、通常１〜１　０　ａｍの
範囲であり、好ましくは２〜４μｍである。また、型母
材上の膜及び固相接合に関与する層，すなわち固相結合
層の膜厚もこれと同等であれば良い。次に固相接合する
にはＩＸ　１　０　　Ｔｏｒｒより高真空中において、
接合温度７００〜９００℃で、圧力０．１〜１０ゆ／ｃ
ｖｔ”でプレスすればよい。このときのデレス時間は、
接合面の面精度等により異なるが、３０分〜３時間程度
であればよい。なお、固相接合は必ずしも同種材料同志
である必要はなくＡ種材料でもよいが、この場合には接
合剤の膜厚が１００Ｉｉｍ〜１ｎと厚いこと、接合温度
、プレス圧、プレス時間等が同種材料の場合よりも高く
、長くするとよい。

型母材上にダイヤモンド膜を接合した後、ダイヤモンド
膜を形成するために用いた基体を、研摩あるいはエッチ
ングすることにより除去する。この結果、型母材上にダ
イヤモンド膜を反転して形成することができる。得られ
たダイヤモンド膜の表面は基体表面の形状を転写するた
め、ダイヤモンド膜本来の表面とは異なり、非常に滑ら
かでありその表面粗さはＲｍａエで０．０５μｍ以下に
することができる。但し、接合により型形状が所望の形
状からずれたり、あるいは表面粗さがＲｍａｘで０．０
５μｍを超えてしまうような場合には、一般的に知られ
ているダイヤモンド単結晶の研摩方法を用い所望の形状
、表面粗嘔に修正することができる。

〔実施例〕

以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施例につい
て説明する。

実施例１ 第１図に示す光学素子成形用の型は，ＷＣ（９Ｑ傷）＋
Ｃｏ（１０優）からなり、成形面Ｖｉ．表面粗さがＲｍ
ａｘで０．０１βｍ以下に鏡面仕上げされている。この
型と嵌合するＳｉからなる基体１０表面は同様にＲｔｒ
ｌｌＬＸ≦０、０１μｍＫ研摩きれている。次に，平均
粒径がＩＯ〜１５μｍのダイヤモンド砥粒をエチルアル
コール中に分散させた溶液中に該基体１を入れ、超音波
憑動によリ１．５時間その表面に傷付け処理を行なった
。この基体の表面粗さを測定したところＲｍｌＬｘ＝０
．０　１μｍであった。次Ｋ，第２図Ｋ示すマイクロ波
プラズマＣＶＤ装置により、まず排気系２によりＩＸＩ
Ｏ　　Ｔｏｒｒまで排気した後，ｆス供給系３によりＣ
Ｈ４＝　Ｏ．　Ｂ　ｓｃｃＭｒ　Ｈ２＝　９　９．２　
１ＩＣＣＭの流量で１５．応室に送り反応室内の圧力を
４　０　Ｔｏｒｒとした。

次に、２．　４　５　ＧＨｚのマイクロ波４を用いマイ
クロ波のパワーを４．．　５　０　Ｗとして、約１０μ
ｍのダイヤモンド多結晶膜をＳ１基体１上に形成した。

このとき、基体の温度を８５０℃とした。得られたダイ
ヤモンド薄膜の表面粗さを、触針式の表面粗式計によシ
測定したところ”ｍａエ０．６μｍであった。ここで，
同条件で形成し九１μｍ厚のダイヤモンド薄膜では、平
均粒径が０，３＃ｍ〜０．４μｍ核発生密度６〜９μｍ
−２の多結晶膜であった。次に、ダイヤモンド薄膜上に
スノ９ツタ法ＫよりＴ１を約３μｍ形成した後、Ａｇを
約３μｍ真空蒸着法により形成した。同様に、型表面に
イオンプレーテイング法によりＮｌを約３βｍ形成した
後Ａｇを真空蒸着法によシ約３ｔｉｍ形成した。この基
体と型母材を嵌合させた後、真空中で８５０℃に加熱し
基体と型母材を接合した。

ここで、基体と型母材の接合は、約０、１５ｋｇ−／Ｋ
ｌ”の均一な力で約３時間固定して行った。

この後、８１基体を研摩し，最終的には水酸化カリウム
あるいはＨＮＯ，　：　ＨＦ　：　ＣＨ３ＣＯＯＨ　＝
　５　：　３　：　３等のエッチング液により完全にＳ
ｔを除去した。得られたダイヤモンド膜の表面を前述の
触針式の表面粗さ計により測定したところＲｍ＆ｘ−０
．０２μｍであった。

第３図及び第４図は本発明に係る光学素子成形用型の１
つの実施態様を示すものである。

第３図は光学素子のグレス成形前の状態を示し，第４図
は光学素子成形後の状態を示す。第３図中５は型母材、
６は該型母材のガラス素材の接触する成形面た形成され
たダイヤモンド層、７はガラス素材であり、８は型母材
にダイヤモンド゜層６を接合した接合層であり、第４図
中９は光学素子であめ。第３図に示すように型の間に置
かれた硝子素材７をグレス成形することによって、第３
図に示すようにレンズ等の光学素子９が成形される。

次に、本発明による光学素子成形用型によって硝子レン
ズのプレス成形を行なった例について詳述する。下記の
表１は実験に供した型材の種類を示す。

表　　　１ ／１６１〜３は比較例であり、慮４は本発明で提案する
材料である。母材として超硬合金ＷＣ（９０４）＋Ｃｏ
（１０４）を使用した。上記の例に使用したレンズの成
形装置ｔ−第５図に示す。

第５図中、５１は真空槽本体，、５２Ｖｉそのフタ、５
３は光学素子を成形する為の上型、５４ｉ！その下型、
５５は上型をおさえるための上型おさえ、５６は胴型％
５７は型ホルダー　５８はヒータ、５９は下型をつき上
げるつき上げ棒、６０は該つき上げ棒を作動するエアシ
リンダ、６１は油回転ポンプ、６２，６３．６４はノｔ
ルプ、６５は不活性ガスｆｌｅ　入／’イブ、６６はバ
ルプ、６７はりークノタイブ、６８はパルブ，、６９は
温度センサ、７０は水冷ノ４イグ、７１は真空槽を支持
する台を示す。

レンズを製作する工程を次に述べる。

フリント系光学硝子（ＳＦ７．４）を所定の量に調整し
、球状和した硝子素材を型のキャビティー内に置き，こ
れを装置内に設置する。

ガラス素材金投入した型を装置内に設置してから真空槽
５１０フタ５２を閉じ、水冷パイプ７０Ｋ水を流し、ヒ
ータ５８にｔ流を通す。この時窒素ガス用パルブ６６及
び６８は閉じ、排気系パルプ６　２　，ｂ　３　ｒ　６
　４も閉じている。尚油回転ポンプ６１は常に回転して
いる。

パルブ６２を開け排気をはじめｉ　０−２Ｔｏｒｒ以下
になったらパルプ６２を閉じ、パルブ６６を開いて室素
ガスをゴンベよ力真空槽内に導入する。所定温度になっ
たらエアシリンダ６０を作動させて１０′ｋｇ／ｃｇＬ
！の圧力で５分間加圧する。圧力を除去した後、冷却速
度を−５℃／ｍ　ｌ　ｎで転位点以下に々るまで冷却し
、その後は−２０℃／ｍ　ｌ　ｎ以上の速度で冷却を行
ない、２００℃以下に下がったらパルプ６６を閉じ、リ
ークパルプ６３を開い−’（真空槽５１内に空気を導入
する。それからフタ５２を開け上型おさえをはずして成
形物を取り出す。

上記のようにして、フリント系光学硝子ＳＦ１４（軟化
点ｓｐ　＝　５　８　６℃、転位点Ｔｇ＝４８５℃）を
使用して、第４図に示すレ／ズ４を成形した。この時の
成形条件すなわち時間一温度関係図を第６図に示す。

次に成形したレンズの表面粗嘔及び成形前後での型の表
面粗さを測定した。その結果を表２に示す。

次Ｋ融着をおこさない／１６ｌ　，　４について同じ型
を用いて２００回の成形を行なった後表面粗さを測定し
た。その結果を表３に示す。

表　　３ 上述の表２，表３の結果から明らかなように本発明によ
る型材は硝子との離型性にすぐれ、くり返し使用しても
従来の型材に比較して表面の劣化が極めて少ない。

実施例２ 型母材としてＷＣ（９０％）＋ＣＯ（　１０憾）を用い
、型表面を成形面形状に傭面加工した後、この型母材と
嵌合する８１から々る基体を誂面加工した。この基体を
第７図に示す。同図において８０Ｖｉノズル、８１はカ
ソード、８２はアノード、８３はガス供給系、８４は基
体、８５は冷却水である。ＤＣ！ラズマジェットＣｖＤ
装置によりＳ１基体上にダイヤモンド薄膜を約１　０　
０　ａｍ形成した。このとき、ＣＨ４：　５　ＳＣ（！
Ｍ，　Ｈ２　：　９　５　１１ｃｃＭの割合で、圧力２
００Ｔｏｒｒ．基体温度ＳＯＯ℃、電流密度０．８Ａ／
ｃＩＬ２とした。

以下、実施例１と同様にダイヤモンド薄膜上にＴ１をス
パノタにより３μｍ形成し、更にＮ１を約３μｍ真空蒸
着により形成した。次に型表面に同様にＮｌを３１１ｍ
形成し死。この基体と型母材を嵌合させた後、真空中で
８５０℃まで加熱しＳｔ基体と型母材を実施例１と同様
にして接合した。この後実施例１と同様にしてｓ＋を除
去した。得られたダイヤモンド膜の表面を触針式の表面
粗さ計により測定したところＲｍ，！＝０．０　３μｍ
であった。

次に、実施例１と同様にフリント系光学ガラスｃｓｒｘ
４）を成形した。この結果、成形されたレンズ、成形前
の現、成形後の型の表面粗さは、それぞれＲ，．ｎ，，
　０．０３　ｔｔｍ．　０．０３　ｐｒｎ．　０．０３
／１ｍであり、また光学素子と潰との離型性も良好であ
った。

更に，表４に示す型部材を用いて光学ガラスのプレス成
形を行なった。

表　　４ 第８図において、１０４は取入れ用置換室であり、１０
６は成形室であり、１０８は蒸着室であク、１　１　０
＃′ｉ取出し用置換室である。１１２，１１４，１１６
はｒ−トパルプであり、１１８はレールであり、１２０
は該レール上を矢印八方向に搬送せしめられるパレット
である．　１　２　４，３．３Ｂ．１．’４．０．１５
０はシリンダであり、１２６，１５２はバルプである。

１２８ｉｉ成形塞１０６内においてレール１１８に沿っ
て配列されているヒータである。

成形室１０６内はパレット搬送方向に沿って順に加熱ゾ
ー／１０６−１、！レスゾーン１０６−２及び徐冷ゾー
ン１０６−３とされている。プレスゾーン１０６−２に
おいて，上記シリンダ１３８のロッド１３４の下端には
成形用上型部材１３０が固定てれており、上記シリンダ
１４０のロッド】３６の上端には成形用下型部材１３２
が固定されている。これら上型部材１３０及び下型部材
１３２は、上記第３図の本発明による型部材である。蒸
着室１０８内においては，蒸着物質１４６を収容した容
器１４２及び該容器を加熱するためのヒータ１４４が配
置されている。

フリント系光学がラス（　Ｓ　Ｆ　１　４．　，中点Ｓ
ｐ＝５８６℃，ガラス転移点Ｔｇ＝４８５℃）を所定の
形状及び寸法に粗加工して、成形のためのブランクを得
た。

ガラスブランクをノ卆レット１２０に装置し、取入れ置
換呈１０４内の１２０−１の位置へ入れ，該位置のノ櫂
レクトをシリンダ１２４０ロノド１２２Ｋより人方向に
押してｒ−トバルプ１１２を越えて成形室１０６内の１
２０−２の位置へと搬送し、以下同様に所定のタイミン
グで順次新たに取入れ置換室１０４内にパレソトを入れ
、このたびにパレットを成形室１０６内で１　２０−　
２→・・→１２０−８の位置へと顆次搬送した。

この間に、加熱ゾーン１０６−１ではガラスブランクを
ヒータ１２８により徐々に加熱し１２〇一４の位置で軟
化点以上とした上で、グレスゾーン１０６−２へと搬送
し、ここでシリンダ１３８，１４０を作動させて上型部
材１３０及び下型部材１３２によｔ）　１　０　ｋｙ　
／ｃｍ”の圧力で５分間プレスし、その後加圧力を解除
しガラス転位点以下まで冷却し、その後シリンダ１　３
８　，　１　４０を作動させて上型部材１３０及び下型
部材１３２をガラス成形品から離型した．該グレスに際
【一では上記パレットが成形用胴型部材として利用され
た。しかる後に、徐冷ゾ一７１０６−３ではガラス成形
品を徐徐に冷却した。尚、成形室１０６内には不活性ガ
スを充満させた。

成形室１０６内においてＸ２０−８の位置に到達レ九パ
レットを、次の搬送ではｒ一トパルツ１１４を越えて蒸
着室１０８内の１２０−９の位置へと搬送した。通常、
ここで真空蒸着を行なうのであるが、本実施例では該蒸
着を行なわなかった。そして、次の搬送ではｒ一トパル
プ１１６を越えて取出し置換室１１０内の１２０−１０
の位置へと搬送した。そして、次の搬送時にはシリンダ
１５０を作動させてロッド１４８によ夛ガラス成形品を
成形装置１０２外へと取出した。

以上の様なプレス成形の前後における型部材１３０，１
３２の成形面の表面粗さ及び成形され九光学素子の光学
面の表面粗さ、ならびに成形光学素子と型部材１３０，
１３２との離型性について表５に示す。

次に融着が起きない扁１，４について同一型部材を用い
て連続１万回のプレス成形を行なった。

この際の型部材１３０，１３２の成形面の表面粗さ及び
成形された光学素子の光学面の表面粗さについて表６に
示す。

表　　６ 以上の様に本発明実施例においては，繰返しグレス成形
に使用しても良好な表面精度を十分に維持でき、融着を
生ずることなく良好な表面精度の光学素子が成形できた
。

〔発明の効果〕

本発明の光学素子成，形用型によれば、ガラスと離型性
Ｋ優れ、鐘面研磨が可能で、繰り返し使用しても従来の
型に比較して表面の劣化が極めて少ない．

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のダイヤモンド膜を形成するための基
体とこれを接合する型母材を示す図である。 第２図は、本発明のダイヤモンド膜を形成するために用
いた成膜装置の模式図である。 第３図および第４図は、本発明に係る光学素子成形用型
の実施態様を示す断面図で、第３図はプレス成形前の状
態、第４図はプレス成形後の状態を示す。 第５図および第８図は本発明に係る光学素子成形用型を
使用するレンズの成形装置を示す断面図で、第５図は非
連続成形タイプ、第８図は連続成形タイプである。 第６図は、レンズ成形の際の時間温度関係図である。 第７図は、実施例２においてダイヤモンド薄膜を形成す
るためＫ用いた成膜装置の模式図である．１・・・８１
基体、２・・・排気系、３・・・ガス供給系、４・・・
マイクロ波発振器および導波管、５・・・型の母材、６
・・・反転したダイヤモンド膜、７・・・ガラス素材、
８・・・接合層、９・・・成形されたレンズ、８０・・
・ノズル、８１・・・カンード、８２・・・アノード、
８３・・・ガス供給系、８４・・・基体、８５・・・冷
却水、５１・・・真空槽本体、５２・・・フタ、５３・
・・上型、５４・・・下型、５５・・・上型おさえ、５
６・・・胴型、５７・・・型ホルダ５８・・・ヒーター
　５９・・・つき上げ棒，６０・・・エアシリンダ、６
１・・・油回転−ンｆ、６２，６３，６４・・・パルブ
、６５・・・流入Δイプ、６６・・・パルプ、６７・・
・流出／？イプ、６８・・・バルプ、６９・・・温度セ
ンサ、７０・・・水冷ｌ４イブ、７１・・・台，，．１
０２・・・成形装置、１０４・・・取入れ用置換室、１
０６・・・成形室、１０８・・・蒸着室、１１０・・・
取出し用置換室、１１２・・・ｒ−トバルプ、１１４・
・・ｒ−トパルプ、１１６・・・ダートパルブ、１１８
・・・レール、１２０・・・パンツ｝，１２２・・・ロ
ッ｝”，１２４・・・シリンダ、１２６・・・ノ々ルプ
、１２８・・・ヒータ、１３０・・・上型、１３２・・
・下ｆｆ，　　１　３　４−・・ロッド、１３６・・・
ロッド、１３８・・・シリンダ、１４０・・・シリンダ
、１４２・・・容器、１４４・・・ヒータ、１４６・・
・蒸着物質、１４８・・・ロッド、１５０・・・シリン
ダ、１５２・・・パルブ代理人　弁理士　　山　下　積
　平 第３　Ｎ 第４図 第 図 第 図 ８雨藺（令） 第７図 Ｒス ゝ−８５ 手糸シ１ご”ｆｎ”ｊ　ＥＴ’書 平成　１年１ １月２７日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ガラスよりなる光学素子のプレス成形に用いる光学
   素子成形用型の製造方法において、型母材の少なくとも
   成形面に、基体上に形成されたダイヤモンド膜を接合し
   た後、該基体を除去することにより、型母材の少なくと
   も成形面にダイヤモンド膜を被覆することを特徴とする
   光学素子成形用型の製造方法。 ２、型母材の少なくとも成形面に被覆されたダイヤモン
   ド膜の表面粗さが、Ｒｍａｘで０．０５μｍ以下である
   請求項１記載の光学素子成形用型の製造方法。 ３、型母材の少なくとも成形面に被覆されたダイヤモン
   ド膜の表面粗さが、Ｒｍａｘで０．０１μｍ以下である
   請求項１記載の光学素子成形用型の製造方法。