JPH0279434A - 半導体基板の熱処理方法およびその装置 - Google Patents
半導体基板の熱処理方法およびその装置Info
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- JPH0279434A JPH0279434A JP23171988A JP23171988A JPH0279434A JP H0279434 A JPH0279434 A JP H0279434A JP 23171988 A JP23171988 A JP 23171988A JP 23171988 A JP23171988 A JP 23171988A JP H0279434 A JPH0279434 A JP H0279434A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の熱処理方法およびその装置に関す
るものである。
るものである。
半導体基板の熱処理方法の一つとして、従来、所定の温
度に保持されている支持体上に熱処理を行う半導体基板
を直接載せ、前記支持体がらの熱伝導によって半導体基
板を昇温せしめ所定の時間後にその半導体基板を前記支
持体上から冷却雰囲気中へ移送することによって降温せ
しめるという方法が知られている。
度に保持されている支持体上に熱処理を行う半導体基板
を直接載せ、前記支持体がらの熱伝導によって半導体基
板を昇温せしめ所定の時間後にその半導体基板を前記支
持体上から冷却雰囲気中へ移送することによって降温せ
しめるという方法が知られている。
この方法は、急速昇降温の短時間熱処理に適した方法と
して、電極と半導体基板との界面での合金層形成のため
の熱処理等の半導体装置製造工程で、利用されている。
して、電極と半導体基板との界面での合金層形成のため
の熱処理等の半導体装置製造工程で、利用されている。
ところが、このような熱処理工程を行う際には、それま
での工程によって半導体基板表面に段差を有するパター
ンが形成されていることが多く、またそれまでの工程で
半導体基板に反りが発生していることも少くない、この
ような半導体基板を従来のように前記支持体上に直接載
いた場合、支持体と半導体基板は局所的にしが接触しな
いことになり、熱伝導効率のむらから半導体基板面内に
温度分布のむらが生じる。このため熱処理時の半導体基
板面内均一性が損われ、その結果半導体装置の電気的特
性の面内均一性が損われるという問題があった。さらに
、上述した理由からパターンの寸法、形状、密度、半導
体基板の反りの状態等が半導体基板の温度およびその面
内の分布に大きく影響し、熱処理効果の再現性の上でも
大きな問題であった。
での工程によって半導体基板表面に段差を有するパター
ンが形成されていることが多く、またそれまでの工程で
半導体基板に反りが発生していることも少くない、この
ような半導体基板を従来のように前記支持体上に直接載
いた場合、支持体と半導体基板は局所的にしが接触しな
いことになり、熱伝導効率のむらから半導体基板面内に
温度分布のむらが生じる。このため熱処理時の半導体基
板面内均一性が損われ、その結果半導体装置の電気的特
性の面内均一性が損われるという問題があった。さらに
、上述した理由からパターンの寸法、形状、密度、半導
体基板の反りの状態等が半導体基板の温度およびその面
内の分布に大きく影響し、熱処理効果の再現性の上でも
大きな問題であった。
本発明の目的は、所定の温度に保持されている基体と半
導体基板との熱的接触性を良くし、半導体基板を面内均
一性および再現性良く熱処理できる熱処理方法および熱
処理装置を提供することにある。
導体基板との熱的接触性を良くし、半導体基板を面内均
一性および再現性良く熱処理できる熱処理方法および熱
処理装置を提供することにある。
本発明の半導体基板の熱処理方法は、所定の温度に保持
されている基体と半導体基板とを密着性に優れかつ伝導
性の良い物質を介して接触することによって前記半導体
基板を前記所定の温度にする工程を含んでなる。
されている基体と半導体基板とを密着性に優れかつ伝導
性の良い物質を介して接触することによって前記半導体
基板を前記所定の温度にする工程を含んでなる。
本発明の半導体基板の熱処理装置は、所定の温度に保持
されている基体と、前記基体と半導体基板との間に介在
する密着性に優れかつ伝導性の良い物質とを少くとも含
んで成る。
されている基体と、前記基体と半導体基板との間に介在
する密着性に優れかつ伝導性の良い物質とを少くとも含
んで成る。
本発明の作用を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の半導体基板の熱処理方法およびその装
置の一実施例を説明するための主要部の断面図である。
置の一実施例を説明するための主要部の断面図である。
第１図に示すように、表面の一部が密着性に優れかつ伝
導性の良い物質である溶融金属３によって被覆された支
持体２が加熱源１によって所定の温度に加熱保持されて
いる。このとき溶融金属３は支持体２と同じ温度に上昇
しており、勿論これにはこの温度より低い融点をもつ金
属を使っている。（ただし、密着性に優れかつ熱伝導性
が良ければ、溶融金属でなくても他の物質でも良い。）
そこに、熱処理を行う半導体基板４を接触せしめると、
半導体基板４の表面には段差を有するパターンが形成さ
れていても、支持体２と半導体基板４の間には溶融金属
３が介在しており、実質的に支持体２と半導体基板４と
が全面にわたって密着しているのと同様の効果が得られ
る。
導性の良い物質である溶融金属３によって被覆された支
持体２が加熱源１によって所定の温度に加熱保持されて
いる。このとき溶融金属３は支持体２と同じ温度に上昇
しており、勿論これにはこの温度より低い融点をもつ金
属を使っている。（ただし、密着性に優れかつ熱伝導性
が良ければ、溶融金属でなくても他の物質でも良い。）
そこに、熱処理を行う半導体基板４を接触せしめると、
半導体基板４の表面には段差を有するパターンが形成さ
れていても、支持体２と半導体基板４の間には溶融金属
３が介在しており、実質的に支持体２と半導体基板４と
が全面にわたって密着しているのと同様の効果が得られ
る。
このなめ、従来の欠点であった支持体２と半導体基板４
の局所的接触による半導体基板面内の温度分布の不均一
は発生せず、均一性および再現性の良い熱処理効果が得
られる。
の局所的接触による半導体基板面内の温度分布の不均一
は発生せず、均一性および再現性の良い熱処理効果が得
られる。
次に、本発明を砒化ガリウム（ＧａＡｓ）にオーム性接
触を形成するための熱処理に適用した場合の一実施例に
ついて説明する。
触を形成するための熱処理に適用した場合の一実施例に
ついて説明する。
前にも説明したが、第１図は本発明の半導体基板の熱処
理方法およびその装置の一実施例を説明するための主要
部の断面図である。
理方法およびその装置の一実施例を説明するための主要
部の断面図である。
第１図に示すように、この実施例では、ヒータ・ブロッ
クや赤外線ヒータ等の加熱源１に接しかつ上面の一部を
熱処理温度に於て溶融状態である溶融金属３で覆った支
持体２が設置されている。この実施例では、例えば、４
００℃〜５００℃付近の温度で熱処理を行うため溶融金
属３としては融点的３０℃のガリウム（Ｇａ ）や融点
的１５６℃のＩｎ等が適する。このとき、支持体２には
、処理温度において溶融金属３と反応しない材料として
窒化硼素（ＢＮ）、あるいは窒化硼素（ＢＮ）で表面を
被覆した比較的高融点の金属板等が適する。
クや赤外線ヒータ等の加熱源１に接しかつ上面の一部を
熱処理温度に於て溶融状態である溶融金属３で覆った支
持体２が設置されている。この実施例では、例えば、４
００℃〜５００℃付近の温度で熱処理を行うため溶融金
属３としては融点的３０℃のガリウム（Ｇａ ）や融点
的１５６℃のＩｎ等が適する。このとき、支持体２には
、処理温度において溶融金属３と反応しない材料として
窒化硼素（ＢＮ）、あるいは窒化硼素（ＢＮ）で表面を
被覆した比較的高融点の金属板等が適する。
一方、熱処理を行う半導体基板４は、図には示していな
いが、ＧａＡｓの半導体基板４の表面（図では下面）に
矩形パターンをもつ金（Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）
−ニッケル（Ｎｉ）からなる多層膜電極が形成され、さ
らに表面全面を窒化珪素（Ｓ ｉ Ｎ）膜で被覆した構
造をもち、結果として図に示すように表面に数１００Ｏ
Ａの段差が形成されている。窒化珪素膜はＧａＡｓの半
導体基板および多層膜電極が熱処理温度で溶融金属３と
反応するのを防ぐ保護膜がある。
いが、ＧａＡｓの半導体基板４の表面（図では下面）に
矩形パターンをもつ金（Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）
−ニッケル（Ｎｉ）からなる多層膜電極が形成され、さ
らに表面全面を窒化珪素（Ｓ ｉ Ｎ）膜で被覆した構
造をもち、結果として図に示すように表面に数１００Ｏ
Ａの段差が形成されている。窒化珪素膜はＧａＡｓの半
導体基板および多層膜電極が熱処理温度で溶融金属３と
反応するのを防ぐ保護膜がある。
半導体基板４を熱処理するには、先ず半導体基板４をの
せる前に加熱源１によって支持体２、溶融金属３を加熱
し、４００〜５００℃付近の所定の温度に安定した後、
半導体基板４を数１０秒間支持体２の上に溶融金Ｒ３を
介してのせることで熱処理を行い、多層膜電極とＧａＡ
ｓの半導体基板４を反応させてオーム性接触を得る。
せる前に加熱源１によって支持体２、溶融金属３を加熱
し、４００〜５００℃付近の所定の温度に安定した後、
半導体基板４を数１０秒間支持体２の上に溶融金Ｒ３を
介してのせることで熱処理を行い、多層膜電極とＧａＡ
ｓの半導体基板４を反応させてオーム性接触を得る。
このとき、溶融金属３によって、半導体基板４と支持体
２との間が充たされているため半導体基板の温度の面内
分布が発生せず、良好な電気特性のオーム性接触が均一
性および再現性良く得られる。
２との間が充たされているため半導体基板の温度の面内
分布が発生せず、良好な電気特性のオーム性接触が均一
性および再現性良く得られる。
以上説明したように、本発明の半導体基板の熱処理方法
およびその装置によれば、熱処理時に支持体２と半導体
基板４との間に密着性が優れかつ伝導性の良好な溶融金
属３が充たされているなめ、半導体基板４表面に段差や
反りがあっても半導体基板４と支持体２は実質的に全面
にわたって密着しているのと同様の効果となり、面内均
一性および再現性の良い半導体基板の熱処理効果が得ら
れる。
およびその装置によれば、熱処理時に支持体２と半導体
基板４との間に密着性が優れかつ伝導性の良好な溶融金
属３が充たされているなめ、半導体基板４表面に段差や
反りがあっても半導体基板４と支持体２は実質的に全面
にわたって密着しているのと同様の効果となり、面内均
一性および再現性の良い半導体基板の熱処理効果が得ら
れる。
第１図は本発明の半導体基板の熱処理方法およびその装
置の一実施例を説明するための主要部の断面図である。 １・・・加熱源、２・・・支持体、３・・・溶融金属、
４・・・半導体基板。
置の一実施例を説明するための主要部の断面図である。 １・・・加熱源、２・・・支持体、３・・・溶融金属、
４・・・半導体基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、所定の温度に保持されている基体と半導体基板とを
密着性に優れかつ伝導性の良い物質を介して接触するこ
とによって前記半導体基板を前記所定の温度にする工程
を含むことを特徴とする半導体基板の熱処理方法。 ２、所定の温度に保持されている基体と、前記基体と半
導体基板との間に介在する密着性に優れかつ伝導性の良
い物質とを少くとも含むことを特徴とする半導体基板の
熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23171988A JPH0279434A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 半導体基板の熱処理方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23171988A JPH0279434A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 半導体基板の熱処理方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279434A true JPH0279434A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16927949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23171988A Pending JPH0279434A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 半導体基板の熱処理方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0279434A (ja) |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP23171988A patent/JPH0279434A/ja active Pending
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