JPH0817755A - 半導体ウエハーの熱処理装置 - Google Patents
半導体ウエハーの熱処理装置Info
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- JPH0817755A JPH0817755A JP14352594A JP14352594A JPH0817755A JP H0817755 A JPH0817755 A JP H0817755A JP 14352594 A JP14352594 A JP 14352594A JP 14352594 A JP14352594 A JP 14352594A JP H0817755 A JPH0817755 A JP H0817755A
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 加熱に伴って生ずるおそれのある半導体ウエ
ハーに対する特に表・裏面の温度差による悪影響を防止
できる半導体ウエハーの熱処理装置の提供。 【構成】 半導体ウエハー１を、該半導体ウエハー１の
一方の面１ａ（裏面）を加熱する加熱手段２と、他方の
面１ｂ（表面）を加熱する加熱手段３とにより熱処理す
る際、半導体ウエハー１の裏面１ａの温度と、表面１ｂ
の温度とをそれぞれ別個に測定できる機構（温度測定手
段４，５）を設け、又は更に各温度測定結果に基づいて
それぞれの加熱手段２，３を制御する加熱手段制御機構
６，７を設ける。
ハーに対する特に表・裏面の温度差による悪影響を防止
できる半導体ウエハーの熱処理装置の提供。 【構成】 半導体ウエハー１を、該半導体ウエハー１の
一方の面１ａ（裏面）を加熱する加熱手段２と、他方の
面１ｂ（表面）を加熱する加熱手段３とにより熱処理す
る際、半導体ウエハー１の裏面１ａの温度と、表面１ｂ
の温度とをそれぞれ別個に測定できる機構（温度測定手
段４，５）を設け、又は更に各温度測定結果に基づいて
それぞれの加熱手段２，３を制御する加熱手段制御機構
６，７を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハーの熱処
理装置に関する。本発明は、半導体デバイスの製造プロ
セス等において、半導体ウエハーを加熱処理する各種の
場合に用いることができる。
理装置に関する。本発明は、半導体デバイスの製造プロ
セス等において、半導体ウエハーを加熱処理する各種の
場合に用いることができる。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハーの熱処理装置としては、
従来より、例えばウエハーをハロゲンランプ等のランプ
により加熱するランプアニール装置が知られている。
従来より、例えばウエハーをハロゲンランプ等のランプ
により加熱するランプアニール装置が知られている。
【０００３】一般に、ランプアニール装置は、高温かつ
短時間のウエハー熱処理を行う枚葉式の加熱装置であ
る。この種の装置の従来の例を図２に示す。被処理ウエ
ハー１を配置した処理室８である石英チャンバーの上
部、及び下部に、該石英チャンバー内のウエハー１と水
平に並ぶようにランプが１０〜２０本程度それぞれ配置
されている。これらが、それぞれウエハーの上面（一般
に素子形成面である表面）、及び下面（一般に裏面であ
るベアＳｉ面）を加熱する加熱手段３，２をなしてい
る。
短時間のウエハー熱処理を行う枚葉式の加熱装置であ
る。この種の装置の従来の例を図２に示す。被処理ウエ
ハー１を配置した処理室８である石英チャンバーの上
部、及び下部に、該石英チャンバー内のウエハー１と水
平に並ぶようにランプが１０〜２０本程度それぞれ配置
されている。これらが、それぞれウエハーの上面（一般
に素子形成面である表面）、及び下面（一般に裏面であ
るベアＳｉ面）を加熱する加熱手段３，２をなしてい
る。
【０００４】ウエハー１は、処理室８である石英チャン
バー内に搬送されサセプター（図示せず）上に置かれ
る。処理室８（石英チャンバー）内は、ウエハー１の搬
送後、窒素や酸素などのプロセスガス雰囲気に置換させ
る。
バー内に搬送されサセプター（図示せず）上に置かれ
る。処理室８（石英チャンバー）内は、ウエハー１の搬
送後、窒素や酸素などのプロセスガス雰囲気に置換させ
る。
【０００５】ウエハー１の加熱は、処理室外部の加熱手
段２，３であるランプを発光させ、その発光エネルギー
をウエハー１が吸収し、ウエハー１内部で熱エネルギー
に変換することで行われる。ウエハー１の温度は、測温
手段４ａにより測定し、制御機構６ａにフィードバック
してランプパワーを制御する。この測温手段４ａは、通
常、ウエハー１の下面、つまり裏面の温度を計測するよ
うに設けられている。例えば通常、熱電対をウエハー１
裏面に接触させたり、処理室８である石英チャンバー外
部からパイロメーターによりウエハー１の裏面の温度を
計測している。
段２，３であるランプを発光させ、その発光エネルギー
をウエハー１が吸収し、ウエハー１内部で熱エネルギー
に変換することで行われる。ウエハー１の温度は、測温
手段４ａにより測定し、制御機構６ａにフィードバック
してランプパワーを制御する。この測温手段４ａは、通
常、ウエハー１の下面、つまり裏面の温度を計測するよ
うに設けられている。例えば通常、熱電対をウエハー１
裏面に接触させたり、処理室８である石英チャンバー外
部からパイロメーターによりウエハー１の裏面の温度を
計測している。
【０００６】ここで問題になるのは、ウエハー１の発光
エネルギー吸収で、これはその構造や抵抗率により異な
ることである。特に金属とＳｉでは、吸収係数が大きく
異なる。
エネルギー吸収で、これはその構造や抵抗率により異な
ることである。特に金属とＳｉでは、吸収係数が大きく
異なる。
【０００７】例として、図３に、Ｓｉ基板（何も成膜し
ていないベアなＳｉ基板）とＳｉ基板の一方の面（表
面）上に金属膜をつけたウエハーを、同じランプパワー
で処理した場合の温度モニターの例を示す。
ていないベアなＳｉ基板）とＳｉ基板の一方の面（表
面）上に金属膜をつけたウエハーを、同じランプパワー
で処理した場合の温度モニターの例を示す。
【０００８】金属膜は発光エネルギーの吸収率がＳｉに
比べ高いので、図３のグラフＩから理解されるように、
金属膜付きＳｉウエハーについては、加熱昇温時に急激
に温度が上昇している。通常は前述のようにウエハー裏
面（つまりＳｉ面）の温度を測定してこれに基づいたラ
ンプパワーの制御を行っており、図３の測温データもＳ
ｉ面のものであるが、金属膜はさらに高温になっている
と予想される。昇温スピードによっては、表面金属膜と
Ｓｉとの温度差によるひずみからクラック等が生じる可
能性がある。
比べ高いので、図３のグラフＩから理解されるように、
金属膜付きＳｉウエハーについては、加熱昇温時に急激
に温度が上昇している。通常は前述のようにウエハー裏
面（つまりＳｉ面）の温度を測定してこれに基づいたラ
ンプパワーの制御を行っており、図３の測温データもＳ
ｉ面のものであるが、金属膜はさらに高温になっている
と予想される。昇温スピードによっては、表面金属膜と
Ｓｉとの温度差によるひずみからクラック等が生じる可
能性がある。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、上記従来技術の問題点を解決
して、半導体ウエハーの熱処理装置において、加熱に伴
って生ずるおそれのある半導体ウエハーに対する悪影響
を防止することができる半導体ウエハーの熱処理装置を
提供することを目的とする。
して、半導体ウエハーの熱処理装置において、加熱に伴
って生ずるおそれのある半導体ウエハーに対する悪影響
を防止することができる半導体ウエハーの熱処理装置を
提供することを目的とする。
【００１０】
【目的を達成するための手段】本出願の請求項１の発明
は、半導体ウエハーを、該半導体ウエハーの一方の面を
加熱する加熱手段と、他方の面を加熱する加熱手段とに
より熱処理する半導体ウエハーの熱処理装置において、
上記半導体ウエハーの上記一方の面の温度と、上記他方
の面の温度とをそれぞれ別個に測定できる機構を設けた
ことを特徴とする半導体ウエハーの熱処理装置であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
は、半導体ウエハーを、該半導体ウエハーの一方の面を
加熱する加熱手段と、他方の面を加熱する加熱手段とに
より熱処理する半導体ウエハーの熱処理装置において、
上記半導体ウエハーの上記一方の面の温度と、上記他方
の面の温度とをそれぞれ別個に測定できる機構を設けた
ことを特徴とする半導体ウエハーの熱処理装置であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
【００１１】本出願の請求項２の発明は、半導体ウエハ
ーを、該半導体ウエハーの一方の面を加熱する加熱手段
と、他方の面を加熱する加熱手段とにより熱処理する半
導体ウエハーの熱処理装置において、上記半導体ウエハ
ーの上記一方の面の温度と、上記他方の面の温度とをそ
れぞれ別個に測定できる機構を設け、該それぞれの温度
測定結果に基づいてそれぞれの加熱手段を制御する構成
としたことを特徴とする半導体ウエハーの熱処理装置で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
ーを、該半導体ウエハーの一方の面を加熱する加熱手段
と、他方の面を加熱する加熱手段とにより熱処理する半
導体ウエハーの熱処理装置において、上記半導体ウエハ
ーの上記一方の面の温度と、上記他方の面の温度とをそ
れぞれ別個に測定できる機構を設け、該それぞれの温度
測定結果に基づいてそれぞれの加熱手段を制御する構成
としたことを特徴とする半導体ウエハーの熱処理装置で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
【００１２】
【作用】本出願の請求項１の発明によれば、半導体ウエ
ハーを、該半導体ウエハーの一方の面を加熱する加熱手
段と、他方の面を加熱する加熱手段とにより熱処理する
半導体ウエハーの熱処理装置において、上記半導体ウエ
ハーの上記一方の面の温度と、上記他方の面の温度とを
それぞれ別個に測定できる機構を設けたので、双方の面
の温度の正確な情報に基づいて加熱状況の制御（例えば
一面の冷却やサセプタ移動その他の加熱環境の制御や、
加熱出力の制御など）を行うことができ、これにより熱
処理に伴う悪影響を制御することができる。。
ハーを、該半導体ウエハーの一方の面を加熱する加熱手
段と、他方の面を加熱する加熱手段とにより熱処理する
半導体ウエハーの熱処理装置において、上記半導体ウエ
ハーの上記一方の面の温度と、上記他方の面の温度とを
それぞれ別個に測定できる機構を設けたので、双方の面
の温度の正確な情報に基づいて加熱状況の制御（例えば
一面の冷却やサセプタ移動その他の加熱環境の制御や、
加熱出力の制御など）を行うことができ、これにより熱
処理に伴う悪影響を制御することができる。。
【００１３】本出願の請求項２の発明によれば、同様な
熱処理装置において、上記半導体ウエハーの上記一方の
面の温度と、上記他方の面の温度とをそれぞれ別個に測
定でいる機構を設け、該それぞれの温度測定結果に基づ
いてそれぞれの加熱手段を制御する構成としたので、悪
影響を避ける制御を容易かつ確実に達成できる。
熱処理装置において、上記半導体ウエハーの上記一方の
面の温度と、上記他方の面の温度とをそれぞれ別個に測
定でいる機構を設け、該それぞれの温度測定結果に基づ
いてそれぞれの加熱手段を制御する構成としたので、悪
影響を避ける制御を容易かつ確実に達成できる。
【００１４】いずれの発明においても、被処理半導体ウ
エハーの双方の面の加熱時における温度差に由来する悪
影響を抑えるように制御することができる。
エハーの双方の面の加熱時における温度差に由来する悪
影響を抑えるように制御することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。但し当然のことではあるが、本発明は図
示の実施例により限定を受けるものではない。
して説明する。但し当然のことではあるが、本発明は図
示の実施例により限定を受けるものではない。
【００１６】実施例１ この実施例は、本発明を、Ｓｉ基板の一面（素子形成
面。これを表面とする。）に金属膜特にＴｉ／ＴｉＮ膜
を形成し、他面（裏面）はベアなＳｉ面になっているＳ
ｉ半導体ウエハーの熱処理について適用した。本実施例
の半導体ウエハーの熱処理装置の構成を図１に示す。
面。これを表面とする。）に金属膜特にＴｉ／ＴｉＮ膜
を形成し、他面（裏面）はベアなＳｉ面になっているＳ
ｉ半導体ウエハーの熱処理について適用した。本実施例
の半導体ウエハーの熱処理装置の構成を図１に示す。
【００１７】この実施例は、図１に示すように、半導体
ウエハー１を、該半導体ウエハー１の一方の面１ａ（裏
面）を加熱する加熱手段２と、他方の面１ｂ（表面）を
加熱する加熱手段３とにより熱処理する半導体ウエハー
の熱処理装置において、上記半導体ウエハー１の上記一
方の面１ａの温度と、上記他方の面１ｂの温度とをそれ
ぞれ別個に測定できる機構（ここでは温度測定手段４，
５）を設けたものである。
ウエハー１を、該半導体ウエハー１の一方の面１ａ（裏
面）を加熱する加熱手段２と、他方の面１ｂ（表面）を
加熱する加熱手段３とにより熱処理する半導体ウエハー
の熱処理装置において、上記半導体ウエハー１の上記一
方の面１ａの温度と、上記他方の面１ｂの温度とをそれ
ぞれ別個に測定できる機構（ここでは温度測定手段４，
５）を設けたものである。
【００１８】特に本実施例に係る半導体ウエハーの熱処
理装置は、上記半導体ウエハー１の上記一方の面１ａの
温度と、上記他方の面１ｂの温度とをそれぞれ別個に測
定できる機構を設けるとともに、該それぞれの温度測定
結果に基づいてそれぞれの加熱手段２，３を制御する構
成（加熱手段制御機構６，７を設ける）としたものであ
る。
理装置は、上記半導体ウエハー１の上記一方の面１ａの
温度と、上記他方の面１ｂの温度とをそれぞれ別個に測
定できる機構を設けるとともに、該それぞれの温度測定
結果に基づいてそれぞれの加熱手段２，３を制御する構
成（加熱手段制御機構６，７を設ける）としたものであ
る。
【００１９】更に詳しくは、本実施例の熱処理装置は、
ランプを加熱手段２，３とするアニーラーであり、図１
に示すように、被処理半導体ウエハー１が処理室８であ
る石英チャンバー内に配置され、処理室８外の下部にあ
る下部加熱用ランプが加熱手段２としてウエハー１の一
方の面１ａ（図の下面。ここでは裏面）を加熱し、処理
室８外の上部にある上部加熱用ランプが加熱手段３とし
てウエハー１の他方の面１ｂ（図の上面。ここでは表
面）を加熱する構成になっている。この実施例の温度測
定手段４はウエハー下部測定用パイロメーターであり、
温度測定手段５はウエハー表面測定用パイロメーターで
ある。
ランプを加熱手段２，３とするアニーラーであり、図１
に示すように、被処理半導体ウエハー１が処理室８であ
る石英チャンバー内に配置され、処理室８外の下部にあ
る下部加熱用ランプが加熱手段２としてウエハー１の一
方の面１ａ（図の下面。ここでは裏面）を加熱し、処理
室８外の上部にある上部加熱用ランプが加熱手段３とし
てウエハー１の他方の面１ｂ（図の上面。ここでは表
面）を加熱する構成になっている。この実施例の温度測
定手段４はウエハー下部測定用パイロメーターであり、
温度測定手段５はウエハー表面測定用パイロメーターで
ある。
【００２０】本実施例の半導体ウエハーの熱処理装置に
おいて、処理室８である石英チャンバー内に搬送された
ウエハー１は、上部及び下部のランプ（加熱手段３，
２）により加熱される。ウエハー１の温度は表面と裏面
をそれぞれ計測できるように処理室８（石英チャンバ
ー）の上下に温度測定手段５，４であるパイロメーター
を配置してある（なおこの例では温度計測は赤外放射を
検知するパイロメーターで行っているが、ウエハー表面
及び裏面に熱電対を接触させ温度計測する構成にしても
よい）。
おいて、処理室８である石英チャンバー内に搬送された
ウエハー１は、上部及び下部のランプ（加熱手段３，
２）により加熱される。ウエハー１の温度は表面と裏面
をそれぞれ計測できるように処理室８（石英チャンバ
ー）の上下に温度測定手段５，４であるパイロメーター
を配置してある（なおこの例では温度計測は赤外放射を
検知するパイロメーターで行っているが、ウエハー表面
及び裏面に熱電対を接触させ温度計測する構成にしても
よい）。
【００２１】このとき、加熱手段２，３であるランプの
パワーの制御であるが、上部ランプはウエハー表面の温
度を、下部のランプはウエハー裏面の温度をフィードバ
ックし、それぞれ別個に制御できるシステムになってい
る。これらのフィードバックによる制御は、図１におけ
る加熱手段制御機構６，７により行う。
パワーの制御であるが、上部ランプはウエハー表面の温
度を、下部のランプはウエハー裏面の温度をフィードバ
ックし、それぞれ別個に制御できるシステムになってい
る。これらのフィードバックによる制御は、図１におけ
る加熱手段制御機構６，７により行う。
【００２２】ここで、本実施例のように、Ｓｉ基板上に
Ｔｉ／ＴｉＮ膜を３０／７０ｎｍ厚で堆積したウエハー
を、６５０℃３０秒のアニール処理を行った場合、従来
のウエハー裏面の温度のみを測定しランプパワーを制御
するシステムでは、昇温速度を３０℃／ｓｅｃ程度に抑
える必要があった（一般的なランプアニーラー装置は最
大２００℃／ｓｅｃの昇温性能が有る）。これは昇温速
度をこれ以上あげると、Ｔｉ／ＴｉＮ膜の表面温度がＳ
ｉ基板にくらべ急激に上昇するために、Ｔｉ／ＴｉＮ膜
とＳｉ基板との温度差が大きくなり、Ｔｉ／ＴｉＮ膜に
クラックが発生したり剥がれが生じるためである。
Ｔｉ／ＴｉＮ膜を３０／７０ｎｍ厚で堆積したウエハー
を、６５０℃３０秒のアニール処理を行った場合、従来
のウエハー裏面の温度のみを測定しランプパワーを制御
するシステムでは、昇温速度を３０℃／ｓｅｃ程度に抑
える必要があった（一般的なランプアニーラー装置は最
大２００℃／ｓｅｃの昇温性能が有る）。これは昇温速
度をこれ以上あげると、Ｔｉ／ＴｉＮ膜の表面温度がＳ
ｉ基板にくらべ急激に上昇するために、Ｔｉ／ＴｉＮ膜
とＳｉ基板との温度差が大きくなり、Ｔｉ／ＴｉＮ膜に
クラックが発生したり剥がれが生じるためである。
【００２３】しかし、本発明を適用したこの実施例のシ
ステムを使用した場合は、ウエハー１の裏面（一方の面
１ａ）と同時に表面（他方の面１ｂ）の温度も測定して
いる。さらに加熱手段２である下部ランプはウエハー裏
面温度を、加熱手段３である上部ランプはウエハー表面
温度を、それぞれモニターし、これに基づいて加熱手段
制御機構６，７によりフィードバック制御されている。
そのため上部のランプ（加熱手段３）はＴｉ／ＴｉＮ膜
の、下部のランプ（加熱手段２）はＳｉ基板の発光エネ
ルギー吸収係数に対応したランプパワーを発生すること
になる。つまりＴｉ／ＴｉＮ膜を堆積したＳｉ基板をア
ニールする場合、一般に上部ランプは下部ランプに比べ
少ないランプパワーを発生するように制御されることに
なる。したがって、従来のシステムでは使用できなかっ
た高い昇温速度でウエハーを加熱しても、Ｔｉ／ＴｉＮ
膜とＳｉ基板の温度差は最小限に抑えられるので、剥が
れはもちろんクラックも発生しない。
ステムを使用した場合は、ウエハー１の裏面（一方の面
１ａ）と同時に表面（他方の面１ｂ）の温度も測定して
いる。さらに加熱手段２である下部ランプはウエハー裏
面温度を、加熱手段３である上部ランプはウエハー表面
温度を、それぞれモニターし、これに基づいて加熱手段
制御機構６，７によりフィードバック制御されている。
そのため上部のランプ（加熱手段３）はＴｉ／ＴｉＮ膜
の、下部のランプ（加熱手段２）はＳｉ基板の発光エネ
ルギー吸収係数に対応したランプパワーを発生すること
になる。つまりＴｉ／ＴｉＮ膜を堆積したＳｉ基板をア
ニールする場合、一般に上部ランプは下部ランプに比べ
少ないランプパワーを発生するように制御されることに
なる。したがって、従来のシステムでは使用できなかっ
た高い昇温速度でウエハーを加熱しても、Ｔｉ／ＴｉＮ
膜とＳｉ基板の温度差は最小限に抑えられるので、剥が
れはもちろんクラックも発生しない。
【００２４】このように本実施例では、加熱手段３，２
である上下のランプパワーをウエハー表面、裏面の状態
に応じてそれぞれ制御することができるので、ウエハー
の構造によらず精密な加熱制御ができる。
である上下のランプパワーをウエハー表面、裏面の状態
に応じてそれぞれ制御することができるので、ウエハー
の構造によらず精密な加熱制御ができる。
【００２５】上述のように、本実施例によれば、Ｓｉ基
板上に金属膜を堆積したウエハー１を加熱処理する場
合、ウエハー表面と裏面の温度差を最小限にすることが
できる。このことにより温度差から発生する悪影響を抑
えることができる。また従来よりも昇温速度をあげるこ
とが可能となる。
板上に金属膜を堆積したウエハー１を加熱処理する場
合、ウエハー表面と裏面の温度差を最小限にすることが
できる。このことにより温度差から発生する悪影響を抑
えることができる。また従来よりも昇温速度をあげるこ
とが可能となる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハーの熱処
理装置において、加熱に伴って生ずるおそれのある半導
体ウエハーに対する悪影響、特に被処理半導体ウエハー
の両面の温度差に基づく悪影響を防止することができる
半導体ウエハーの熱処理装置を提供することができた。
理装置において、加熱に伴って生ずるおそれのある半導
体ウエハーに対する悪影響、特に被処理半導体ウエハー
の両面の温度差に基づく悪影響を防止することができる
半導体ウエハーの熱処理装置を提供することができた。
【図１】実施例１を示す構成図である。
【図２】従来例を示す構成図である。
【図３】問題点を示す図である。
１ 半導体ウエハー １ａ 半導体ウエハーの一方の面（裏面） １ｂ 半導体ウエハーの他方の面（表面） ２ 加熱手段（裏面加熱用ランプ） ３ 加熱手段（表面加熱用ランプ） ４ 温度測定手段（裏面温度計測用） ５ 温度測定手段（表面温度計測用） ６ 加熱手段制御機構（裏面加熱用ランプのパワ
ー制御手段） ７ 加熱手段制御機構（表面加熱用ランプのパワ
ー制御手段） ８ 処理室（石英チャンバー）
ー制御手段） ７ 加熱手段制御機構（表面加熱用ランプのパワ
ー制御手段） ８ 処理室（石英チャンバー）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１０月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウエハーを、該半導体ウエハーの一
方の面を加熱する加熱手段と、他方の面を加熱する加熱
手段とにより熱処理する半導体ウエハーの熱処理装置に
おいて、 上記半導体ウエハーの上記一方の面の温度と、上記他方
の面の温度とをそれぞれ別個に測定できる機構を設けた
ことを特徴とする半導体ウエハーの熱処理装置。 - 【請求項２】半導体ウエハーを、該半導体ウエハーの一
方の面を加熱する加熱手段と、他方の面を加熱する加熱
手段とにより熱処理する半導体ウエハーの熱処理装置に
おいて、 上記半導体ウエハーの上記一方の面の温度と、上記他方
の面の温度とをそれぞれ別個に測定できる機構を設け、
該それぞれの温度測定結果に基づいてそれぞれの加熱手
段を制御する構成としたことを特徴とする半導体ウエハ
ーの熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14352594A JPH0817755A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 半導体ウエハーの熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14352594A JPH0817755A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 半導体ウエハーの熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817755A true JPH0817755A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15340772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14352594A Pending JPH0817755A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 半導体ウエハーの熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817755A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135126A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Sumco Corp | 半導体基板の熱処理方法 |
| WO2007049413A1 (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 半導体製造装置及び半導体装置 |
| WO2010061619A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 住友化学株式会社 | 半導体基板の製造方法、半導体基板、電子デバイスの製造方法、および反応装置 |
| WO2010061615A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 住友化学株式会社 | 半導体基板の製造方法、半導体基板、電子デバイスの製造方法、および反応装置 |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP14352594A patent/JPH0817755A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2007049413A1 (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 半導体製造装置及び半導体装置 |
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